專利名稱：一種晶體硅太陽電池和光伏組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種晶體硅太陽電池和光伏組件，屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著當(dāng)今世界人口和經(jīng)濟(jì)的增長、能源資源的日益匱乏、環(huán)境的日益惡化以及人們對電能需求量的日益增長，太陽能的開發(fā)和利用已經(jīng)在全球范圍內(nèi)掀起了熱潮。這非常有利于生態(tài)環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展、造福子孫后代，因此世界各國競相投資研究開發(fā)太陽電池。太陽電池是ー種利用光生伏特效應(yīng)將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件。太陽電池種類繁多，其中重要的一類為晶體硅太陽能電池。眾所周知，要收集晶體硅太陽電池產(chǎn)生的電流，需要在晶體硅太陽電池上表面(太陽光的入射面)制作金屬上電極，該金屬上電極一般包括副柵線和主柵線。副柵線用來收集晶體硅太陽電池產(chǎn)生的電流并將其傳輸給主柵線，主柵線再通過焊接或粘接在其上的 浸錫銅帶(又可稱為焊帶、互連條)將多個(gè)晶體硅太陽電池串聯(lián)后，再將電流通過相互電連接的匯流條和外部導(dǎo)線輸出。晶體硅太陽電池的金屬上電極圖形的設(shè)計(jì)應(yīng)使電池的輸出功率最大，這就需要重點(diǎn)兼顧兩個(gè)方面1、金屬上電極的串聯(lián)電阻盡可能的??；2、使電池沒有被電極遮擋的光照面積盡可能的大。同時(shí)還要兼顧組件加工エ藝的復(fù)雜程度，尤其是當(dāng)単體晶體硅太陽電池的尺寸增加時(shí)，該方面的考慮就變得愈加重要。對于晶體硅太陽電池組件而言，互連條的截面積要比電池主柵線的截面積大10倍以上。因此，電池所產(chǎn)生電流的主要通路，在組件中為連接電池的互連條，而不是電池主柵線。電池片的主柵線主要起收集電池副柵線的電流并將此電流傳輸?shù)交ミB條的作用，還要保證電池與互連條的可焊性和一定的焊接牢固度，互連條的電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電池主柵線電阻，數(shù)值超過ー個(gè)數(shù)量級。既然互連條為組件中主要的電流通路，每一片電池上互連條的截面積對組件串聯(lián)電阻的影響就顯得非常重要了。金屬電極串聯(lián)電阻的另ー個(gè)主要來源是副柵線，我們希望在副柵線寬度不增加(以減少金屬電極對電池受光面的遮擋)的基礎(chǔ)上，副柵線的高度較高，而到達(dá)主柵線的長度減少，從而降低金屬電極的串聯(lián)電阻。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種晶體硅太陽電池和光伏組件。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的第一種技術(shù)方案是ー種晶體硅太陽電池，所述晶體硅太陽電池的上表面布設(shè)有四條或四條以上的主柵線。在一較佳實(shí)施例中，所述主柵線的寬度為I. O I. 5毫米。在一較佳實(shí)施例中，所述主柵線之間的間距為35 42毫米。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的第二種技術(shù)方案是所述光伏組件層壓有上述技術(shù)方案中的晶體硅太陽電池。[0012]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)由于本實(shí)用新型將晶體硅太陽電池的主柵線設(shè)計(jì)為四條或四條以上，并將主柵線寬度減小到I. O I. 5mm，從而縮短副柵線到達(dá)主柵線的長度，在不增加電池被遮擋的面積的前提下，可在電池效率不變和不增加任何成本的情況下，降低組件的串聯(lián)電阻，提高組件的填充因子(FF)，提高組件的輸出功率，保守估計(jì)大約每個(gè)組件提升2-5W，以提升3W計(jì)，每年生產(chǎn)一千萬個(gè)組件約2GW，可増加功率30麗，以每瓦I美元計(jì)，一年可多收入3000萬美
J Li ο

附圖I為本實(shí)用新型示意圖。以上附圖中1、主柵線；2、副柵線；3、晶體硅太陽電池。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)ー步描述實(shí)施例一一種晶體娃太陽電池和光伏組件參見附圖I所示，ー種晶體硅太陽電池3，所述晶體硅太陽電池3的上表面(太陽光的入射面)布設(shè)有四條主柵線I。所述主柵線I的寬度為I. O毫米。所述主柵線I之間的間距為39毫米。ー種光伏組件(圖中未示出)，所述光伏組件層壓有所述晶體硅太陽電池3。層壓是指在光伏組件制作時(shí)將玻璃、第一層膠膜、晶體硅太陽電池3串、第二層膠膜和背板層層疊后再在層壓機(jī)上進(jìn)行層壓操作最終獲得光伏組件。實(shí)施例ニ 一種晶體硅太陽電池和光伏組件參見附圖I所示，將晶體硅太陽電池3的主柵線I設(shè)計(jì)為四條，并把晶體硅太陽電池的主柵線寬度減少到I. ο-l. 5mm，在不增加電池被遮擋的面積的基礎(chǔ)上，適當(dāng)減少互連條的寬度，加厚互聯(lián)條銅基的厚度，減少副柵線2到達(dá)主柵線I的長度，降低組件的串聯(lián)電阻，提高組件的填充因子(FF)，達(dá)到使組件輸出功率得到進(jìn)ー步提高的目的。本實(shí)用新型可以采取自動或半自動焊接(或粘接)機(jī)器來完成焊接電池和互連條的工作，則焊接四條互連條與焊接三條沒有什么區(qū)別，所以電池用機(jī)器焊接四條互連條是可行的。本實(shí)用新型的晶體硅太陽電池可以是單晶硅太陽電池也可以是多晶硅太陽電池或準(zhǔn)單晶硅太陽電池。上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種晶體硅太陽電池，其特征在于所述晶體硅太陽電池的上表面布設(shè)有四條或四條以上的主柵線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽電池，其特征在于所述主柵線的寬度為I.O I.5暈米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽電池，其特征在于所述主柵線之間的間距為35 42暈米。
4.ー種光伏組件，其特征在于所述光伏組件層壓有權(quán)利要求I 3中任意一個(gè)所述的晶體硅太陽電池。
專利摘要一種晶體硅太陽電池，所述晶體硅太陽電池的上表面布設(shè)有四條或四條以上的主柵線。由于本實(shí)用新型將晶體硅太陽電池的主柵線設(shè)計(jì)為四條或四條以上，從而縮短副柵線到達(dá)主柵線的長度，在不增加電池被遮擋的面積的前提下，可在電池效率不變和不增加任何成本的情況下，降低組件的串聯(lián)電阻，提高組件的填充因子(FF)，提高組件的輸出功率。
文檔編號H01L31/0224GK202651128SQ201220269660
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月5日
發(fā)明者溫建軍, 陳如龍 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司