專利名稱:一種大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及ー種陶瓷基板,更具體地說涉及ー種大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板。
背景技術(shù):
發(fā)光二極管憑著其省電,輕巧,壽命長等特點在電子產(chǎn)品領(lǐng)域應用越來越廣大,然而大功率發(fā)光二極管的散熱問題一直困攏著發(fā)光二極管的穩(wěn)定性和使用壽命的進ー步提高,隨著科技的進步,市場上出現(xiàn)了使用陶瓷基板的發(fā)光二極管,但目前市場上應用于發(fā)光ニ極管的陶瓷基板本體尺寸相比固定,散熱面積偏小,散熱效果不是很理想。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種能有效的提高散熱效果的大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板。本實用新型通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)。本實用新型大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板,包括陶瓷本體、線路、凹坑,所述線路貼在所述陶瓷本體的正面,在所述陶瓷本體的背面設(shè)有多個凹坑,所述凹坑間隔排列布滿在所述陶瓷本體的背面。這種凹坑可以是球面凹坑,也可以是柱狀凹坑,還可以是錐狀凹坑。本實用新型的有效效果是在整體尺寸固定不變的情況下,増加了表面積,從而提高了散熱面積,提高了發(fā)光二極管的散熱效率,提高發(fā)光二極管的穩(wěn)定性和使用壽命。
圖I為本實用新型大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板的背面結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本實用新型大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板的剖視圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進ー步的描述。在I中,本實用新型大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板,包括陶瓷本體I、線路2、凹坑3,所述線路2貼在所述陶瓷本體I的正面,在所述陶瓷本體I的背面設(shè)有多個凹坑3,所述凹坑3間隔排列布滿在所述陶瓷本體I的背面。這種凹坑3可以是球面凹坑,也可以是柱狀凹坑,還可以是錐狀凹坑。
權(quán)利要求1. ー種大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板,它包括陶瓷本體、線路、凹坑,其特征是所述線路貼在所述陶瓷本體的正面,在所述陶瓷本體的背面設(shè)有多個凹坑,所述凹坑間隔排列布滿在所述陶瓷本體的背面。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率發(fā)光二極管的陶瓷基板,包括陶瓷本體、線路、凹坑,所述線路貼在所述陶瓷本體的正面,在所述陶瓷本體的背面設(shè)有多個凹坑,所述凹坑間隔排列布滿在所述陶瓷本體的背面。本實用新型提高了散熱面積,從而提高了發(fā)光二極管的散熱效率,提高了發(fā)光二極管的穩(wěn)定性和使用壽命。
文檔編號H01L33/64GK202651205SQ20122026696
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月8日
發(fā)明者不公告發(fā)明人 申請人:云霄美寶電子有限公司