專利名稱：改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池，具體地，涉及改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光伏板組件是一種暴露在陽(yáng)光下便會(huì)產(chǎn)生直流電的發(fā)電裝置，基本上主要以半導(dǎo)體物料(例如硅)制成的固體光伏電池組成，包括P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體(P指positive,帶正電的)由單晶娃通過特殊工藝摻入少量的三價(jià)元素組成，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的空穴；N型半導(dǎo)體(N指negative,帶負(fù)電的)由單晶娃通過特殊工藝摻入少量的五價(jià)元素組成，會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負(fù)電的自由電子。在P型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下，空穴是可以移動(dòng)的，而電離雜質(zhì)(離子)是固定不動(dòng)的。N型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電·子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū)。P型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子，N型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場(chǎng)，這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散，達(dá)到平衡。當(dāng)光的頻率超過某一極限頻率時(shí)，受光照射的太陽(yáng)能電池板表面立即就會(huì)逸出光電子，發(fā)生光電效應(yīng)。當(dāng)在太陽(yáng)能電池板外面加一個(gè)閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達(dá)陽(yáng)極便形成光電流?，F(xiàn)有技術(shù)中采用圓形硅片切割成矩形硅片造成硅材料的浪費(fèi)，并且均勻分布的副柵線與電荷分布密度不均勻的硅片特性不相匹配，整條主柵線均為連續(xù)直線也與電荷分布密度不均勻的硅片特性不相匹配、而且銀漿用量大，柵線的寬度一致不利于減小應(yīng)力。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在所述圓形硅片上的主柵線，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，其中，所述中央?yún)^(qū)域被包圍在所述外圍區(qū)域中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線和外圍副柵線，所述中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈網(wǎng)格狀分布，所述主柵線位于所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)的部分為連續(xù)直線段，所述主柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)的部分為多個(gè)與所述連續(xù)直線段位于同一直線上的主柵線段，相鄰的所述主柵線段之間存在間隙，所述主柵線段的兩端呈圓角結(jié)構(gòu)，所述外圍副柵線連接所述主柵線段，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)榕c所述圓形硅片同心的圓形區(qū)域，所述連續(xù)直線段的寬度從其一端至另一端漸寬，所述主柵線段的寬度從其一端至另一端漸寬，相鄰的所述中央副柵線之間的間距從所述圓形硅片的圓心向外逐漸變大。[0008]優(yōu)選地，所述主柵線的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線互相連接。優(yōu)選地，所述輔助柵線的寬度大于所述中央副柵線的寬度。優(yōu)選地，所述主柵線的數(shù)量為三條，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片的中心。[0011 ] 優(yōu)選地，還包括外框柵線，其中，所述外框柵線呈環(huán)狀。優(yōu)選地，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。優(yōu)選地，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。優(yōu)選地，所述連續(xù)直線段的起焊端寬于止焊端。優(yōu)選地，所述主柵線段的起焊端寬于止焊端?！ぁ0016]本實(shí)用新型的采用圓形不會(huì)造成因切割而導(dǎo)致硅材料的浪費(fèi)，副柵線的分布與電荷分布密度不均勻的硅片特性相匹配，整條主柵線根據(jù)電荷分布密度不均勻的硅片特性而調(diào)整寬度，合理減小了銀漿用量，并且柵線的寬度漸變，利于減小應(yīng)力。

通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯圖I示出根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
圖I示出根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，具體地，根據(jù)本實(shí)用新型提供的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片
I、以及設(shè)置在所述圓形硅片I上的主柵線，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域5和外圍區(qū)域4，其中，所述中央?yún)^(qū)域5被包圍在所述外圍區(qū)域4中，所述中央?yún)^(qū)域5內(nèi)設(shè)置有中央副柵線3，所述外圍區(qū)域4中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線3和外圍副柵線，所述中央副柵線3呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈網(wǎng)格狀分布。所述主柵線位于所述中央?yún)^(qū)域5內(nèi)的部分為連續(xù)直線段21，所述主柵線位于所述外圍區(qū)域4內(nèi)的部分為多個(gè)與所述連續(xù)直線段21位于同一直線上的主柵線段22，相鄰的所述主柵線段之間存在間隙，所述主柵線段22的兩端呈圓角結(jié)構(gòu)，所述外圍副柵線連接所述主柵線段22，所述中央?yún)^(qū)域5為與所述圓形硅片I同心的圓形區(qū)域，所述連續(xù)直線段21的寬度從其一端至另一端漸寬，所述主柵線段22的寬度從其一端至另一端漸寬，相鄰的所述中央副柵線3之間的間距從所述圓形硅片I的圓心向外逐漸變大。優(yōu)選地，所述主柵線的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線8互相連接。所述輔助柵線8的寬度大于所述中央副柵線的寬度。所述連續(xù)直線段的起焊端寬于止焊端。本實(shí)用新型的采用圓形不會(huì)造成因切割而導(dǎo)致硅材料的浪費(fèi)，副柵線的分布與電荷分布密度不均勻的硅片特性相匹配，整條主柵線根據(jù)電荷分布密度不均勻的硅片特性而調(diào)整寬度，合理減小了銀漿用量，并且柵線的寬度漸變，利于減小應(yīng)力。圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將本實(shí)施例理解為圖I所示實(shí)施例的一個(gè)變化例，具體地，本實(shí)施例與圖I所示實(shí)施例的區(qū)別之處在于，在本實(shí)施例中，所述主柵線的數(shù)量為三條，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片的中心。優(yōu)選地，根據(jù)本實(shí)用新型提供的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)還包括外框柵線，其中，所述外框柵線呈環(huán)狀。優(yōu)選地，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。優(yōu)選地，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。由于圓形硅片的面積相對(duì)于切割得到的矩形硅片的面積要大，因此通過所述外框柵線能夠減小光電流的阻值。以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局 限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在所述圓形硅片上的主柵線，其特征在于，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，其中，所述中央?yún)^(qū)域被包圍在所述外圍區(qū)域中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線和外圍副柵線，所述中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈網(wǎng)格狀分布，所述主柵線位于所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)的部分為連續(xù)直線段，所述主柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)的部分為多個(gè)與所述連續(xù)直線段位于同一直線上的主柵線段，相鄰的所述主柵線段之間存在間隙，所述主柵線段的兩端呈圓角結(jié)構(gòu)，所述外圍副柵線連接所述主柵線段，所述中央?yún)^(qū)域?yàn)榕c所述圓形硅片同心的圓形區(qū)域，所述連續(xù)直線段的寬度從其一端至另一端漸寬，所述主柵線段的寬度從其一端至另一端漸寬，相鄰的所述中央副柵線之間的間距從所述圓形硅片的圓心向外逐漸變大。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主柵線的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線互相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助柵線的寬度大于所述中央副柵線的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主柵線的數(shù)量為三條，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片的中心。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括外框柵線，其中，所述外框柵線呈環(huán)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連續(xù)直線段的起焊端寬于止焊端。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主柵線段的起焊端寬于止焊端。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種改進(jìn)電極圖案的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在圓形硅片上的主柵線，圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，外圍副柵線呈網(wǎng)格狀分布，主柵線位于中央?yún)^(qū)域內(nèi)的部分為連續(xù)直線段，主柵線位于外圍區(qū)域內(nèi)的部分為多個(gè)與連續(xù)直線段位于同一直線上的主柵線段，連續(xù)直線段的寬度從其一端至另一端漸寬，主柵線段的寬度從其一端至另一端漸寬，相鄰的中央副柵線之間的間距從圓形硅片的圓心向外逐漸變大。本實(shí)用新型的副柵線的分布與電荷分布密度不均勻的硅片特性相匹配，整條主柵線根據(jù)電荷分布密度不均勻的硅片特性而調(diào)整寬度，合理減小了銀漿用量，并且柵線的寬度漸變利于減小應(yīng)力。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK202721138SQ20122024568
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月25日
發(fā)明者顧錫淼, 嚴(yán)錦春, 姚鵬 申請(qǐng)人:嘉興優(yōu)太太陽(yáng)能有限公司