專利名稱：圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及太陽能電池，具體地，涉及圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光伏板組件是一種暴露在陽光下便會產(chǎn)生直流電的發(fā)電裝置，基本上主要以半導(dǎo)體物料(例如硅)制成的固體光伏電池組成，包括P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體(P指positive,帶正電的)由單晶娃通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成，會在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶正電的空穴；N型半導(dǎo)體(N指negative,帶負(fù)電的)由單晶娃通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成，會在半導(dǎo)體內(nèi)部形成帶負(fù)電的自由電子。在P型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場的作用 下，空穴是可以移動的，而電離雜質(zhì)(離子)是固定不動的。N型半導(dǎo)體中有許多可動的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū)。P型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子，N型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場，這電場阻止載流子進(jìn)一步擴散，達(dá)到平衡。當(dāng)光的頻率超過某一極限頻率時，受光照射的太陽能電池板表面立即就會逸出光電子，發(fā)生光電效應(yīng)。當(dāng)在太陽能電池板外面加一個閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達(dá)陽極便形成光電流?，F(xiàn)有技術(shù)中的一般采用矩形的硅片生產(chǎn)太陽能電池組件，而矩形的硅片是從圓形硅片上切割形成的，因此會造成硅片材料的浪費，并且圓形硅片中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域?qū)啪€密度的需求也是不同的，現(xiàn)有的柵線均勻分布，因此不能對電荷進(jìn)行充分的收集，且在電荷較少區(qū)域會造成銀漿的浪費，導(dǎo)致成本較高。

實用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在所述圓形硅片上的主柵線，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，其中，所述中央?yún)^(qū)域被包圍在所述外圍區(qū)域中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線和外圍副柵線，所述中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈放射狀分布。優(yōu)選地，所述中央?yún)^(qū)域為與所述圓形硅片同心的圓形區(qū)域。優(yōu)選地，所述主柵線的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線互相連接。優(yōu)選地，所述輔助柵線的寬度大于所述中央副柵線的寬度。[0011]優(yōu)選地，所述主柵線的數(shù)量為三條，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片的中心。優(yōu)選地，還包括外框柵線，其中，所述外框柵線呈環(huán)狀。優(yōu)選地，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。優(yōu)選地，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。本實用新型的硅片形狀采用圓形，因此不會因切割而造成浪費，并且對圓形硅片的不同區(qū)域設(shè)置不同形狀的副柵線，提高對電荷富集能力的同時降低了銀漿的使用量。

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本實用新型的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯圖I示出根據(jù)本實用新型的第一實施例的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出根據(jù)本實用新型的第二實施例的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
圖I示出根據(jù)本實用新型的第一實施例的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，具體地，根據(jù)本實用新型提供的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片I、以及設(shè)置在所述圓形硅片I上的主柵線2，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域5和外圍區(qū)域4，其中，所述中央?yún)^(qū)域5被包圍在所述外圍區(qū)域4中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線3，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線6，所述主柵線2連接所述中央副柵線3和外圍副柵線6。更為具體地，如圖I所示，所述中央副柵線3呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線6呈放射狀分布，所述中央?yún)^(qū)域5為與所述圓形硅片I同心的圓形區(qū)域。優(yōu)選地，所述主柵線2的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線8互相連接。其中，所述輔助柵線8的寬度大于所述中央副柵線的寬度。進(jìn)一步地，根據(jù)本實用新型提供的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)還包括外框柵線9，其中，所述外框柵線9呈環(huán)狀。優(yōu)選地，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。優(yōu)選地，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。本實用新型的硅片形狀采用圓形，因此不會因切割而造成浪費，并且對圓形硅片的不同區(qū)域設(shè)置不同形狀的副柵線，提高對電荷富集能力的同時降低了銀漿的使用量。圖2示出根據(jù)本實用新型的第二實施例的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將本實施例理解為圖I所示實施例的一個變化例，具體地，本實施例與圖I所示實施例的區(qū)別之處在于，在本實施例中，所述主柵線2的數(shù)量為三條，如圖2所示，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片I的中心。以上對本實用新型的具體實施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在所述圓形硅片上的主柵線，其特征在于，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，其中，所述中央?yún)^(qū)域被包圍在所述外圍區(qū)域中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線和外圍副柵線，所述中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈放射狀分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)域為與所述圓形硅片同心的圓形區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主柵線的數(shù)量為兩條，所述中央?yún)^(qū)域的直徑大于兩條所述主柵線之間的間距，所述中央副柵線之間通過輔助柵線互相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助柵線的寬度大于所述中央副柵線的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主柵線的數(shù)量為三條，位于中間的主柵線通過所述圓形硅片的中心。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括外框柵線，其中，所述外框柵線呈環(huán)狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外框柵線位于所述外圍區(qū)域內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外框柵線沿所述硅片的邊緣延伸。
專利摘要本實用新型提供一種圓形硅片的電極面圖案結(jié)構(gòu)，包括圓形硅片、以及設(shè)置在所述圓形硅片上的主柵線，所述圓形硅片上包括中央?yún)^(qū)域和外圍區(qū)域，其中，所述中央?yún)^(qū)域被包圍在所述外圍區(qū)域中，所述中央?yún)^(qū)域內(nèi)設(shè)置有中央副柵線，所述外圍區(qū)域中設(shè)置有外圍副柵線，所述主柵線連接所述中央副柵線和外圍副柵線，所述中央副柵線呈同心的環(huán)狀分布，所述外圍副柵線呈放射狀分布。本實用新型的硅片形狀采用圓形，因此不會因切割而造成浪費，并且對圓形硅片的不同區(qū)域設(shè)置不同形狀的副柵線，提高對電荷富集能力的同時降低了銀漿的使用量。
文檔編號H01L31/0224GK202721144SQ20122024568
公開日2013年2月6日 申請日期2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月25日
發(fā)明者錢騰達(dá), 顧錫淼 申請人:嘉興優(yōu)太太陽能有限公司