專利名稱：一種半導體晶粒的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種半導體晶粒，具體地說是涉及一種致冷件上的晶粒。
背景技術：
致冷件是利用晶粒通電而致冷致熱的，晶粒的主要成分是三碲化鉍，使用時晶粒粘接在瓷板上，現(xiàn)有技術中，使用的晶粒沒有外層結構，這樣的晶粒致冷致熱效率達到85%,還有待于進一步的提尚。 發(fā)明內容本實用新型的目的就是針對上述缺點，提供ー種使致冷件轉化率更高的半導體晶粒。本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的ー種半導體晶粒，包括晶粒本體，晶粒本體是三締化ニ秘，其特征是所述的晶粒本體外邊還有締化銣層。進ー步的講，所述的碲化銣層的厚度是O. I O. 01毫米。本實用新型的有益效果是這樣的晶粒安裝在致冷件上電能的轉化效率高達87%，進ー步的提高了使用效率。

圖I是本實用新型的結構示意圖。其中I、晶粒本體2、碲化銣層。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進ー步的描述。如圖I所示,ー種半導體晶粒,包括晶粒本體I,晶粒本體I是三締化ニ秘,其特征是所述的晶粒本體I外邊還有締化銣層2。進ー步的講，所述的碲化銣層2的厚度是O. I O. 01毫米。
權利要求1.ー種半導體晶粒,包括晶粒本體,晶粒本體是三締化ニ秘,其特征是所述的晶粒本體外邊還有締化銣層。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體晶粒，其特征是所述的碲化銣層的厚度是O.I O.Ol毫米。
專利摘要本實用新型涉及一種半導體晶粒，具體地說是涉及一種致冷件上的晶粒，是一種半導體晶粒，包括晶粒本體，晶粒本體是三碲化二鉍，所述的晶粒本體外邊還有碲化銣層，所述的碲化銣層的厚度是0.1～0.01毫米，這樣晶粒安裝在致冷件上電能的轉化效率高達87％，進一步的提高了使用效率。
文檔編號H01L35/16GK202651207SQ201220238260
公開日2013年1月2日 申請日期2012年5月17日 優(yōu)先權日2012年5月17日
發(fā)明者劉寶成 申請人:河南恒昌電子有限公司