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蒸鍍掩膜板的制作方法

文檔序號(hào):7150750閱讀:648來源:國(guó)知局
專利名稱:蒸鍍掩膜板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種掩膜板,尤其涉及一種蒸鍍掩膜板。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光顯示器(0LED),由于其寬視角、高對(duì)比度以及高相應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn),已被給予高度關(guān)注。電致發(fā)光裝置分為無機(jī)電致發(fā)光裝置和有 機(jī)電致發(fā)光裝置。有機(jī)發(fā)光裝置的亮度和響應(yīng)速度比無機(jī)電致發(fā)光裝置高,并能顯示彩色圖像。這種有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括有機(jī)電致發(fā)光裝置,有機(jī)電致發(fā)光裝置具有分別堆疊在基底上的陽(yáng)極、有機(jī)材料層和陰極。有機(jī)材料層包括有機(jī)發(fā)射層,有機(jī)發(fā)射層由于復(fù)合空穴和電子得到的激子而發(fā)光。此外,為了將空穴和電子平穩(wěn)地傳輸?shù)桨l(fā)射層并提高發(fā)射效率,電子注入層和電子傳輸層可設(shè)置在陰極和有機(jī)發(fā)射層之間,空穴注入層和空穴傳輸層可設(shè)置在陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)射層之間。上述有機(jī)電致發(fā)光裝置包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層及第二電極。制造有機(jī)發(fā)光裝置時(shí),通過光刻法,通過腐蝕劑在ITO上構(gòu)圖。光刻法再用來制備第二電極時(shí),濕氣滲入有機(jī)發(fā)光層和第二電極之間,會(huì)顯著地縮短有機(jī)發(fā)光裝置的壽命,降低其性能。為了克服以上問題,采用蒸鍍工藝將有機(jī)發(fā)光材料沉積在基板上,形成有機(jī)發(fā)光層,該方法需配套高精度蒸鍍用掩膜板。第二電極的制作同發(fā)光層的制作方法。在蒸鍍過程中,隨著時(shí)間的延長(zhǎng),溫度也在不斷上升,高溫可達(dá)到60°C,由于掩膜板很薄所以應(yīng)用時(shí)若不經(jīng)過處理,掩膜板會(huì)相對(duì)其掩膜框架產(chǎn)生位置偏差,并下垂,影響有機(jī)材料蒸鍍質(zhì)量。目前OLED制作領(lǐng)域一般采用單層蒸鍍用掩膜板,如圖I所示,有機(jī)材料顆粒從各個(gè)角度穿過掩膜板并貼附于基板上,開口 11無錐度,當(dāng)顆粒傾斜射入角度小于或等于Θ時(shí),這部分顆粒會(huì)碰到開口壁而被遮蔽,無法到達(dá)基板。這種現(xiàn)象會(huì)產(chǎn)生以下問題使傾斜射入的顆粒出現(xiàn)部分缺失,致使輝度下降,并且在基板上不能形成希望的厚度和形狀。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種蒸鍍掩膜板,其包括多層結(jié)構(gòu),隨著層數(shù)遞增,開口尺寸遞增,形成開口錐度,以滿足蒸鍍要求,提高精度及OLED的質(zhì)量。為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案如下一種蒸鍍掩膜板,其特征在于,至少包括兩層結(jié)構(gòu),各層開口尺寸逐層增大。所述蒸鍍掩膜板包括兩層結(jié)構(gòu)。第一層厚度為10-20 μ m,開口尺寸為60-80 μ m ;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為 100-120 μ m。所述蒸鍍掩膜板包括三層結(jié)構(gòu)。第一層厚度為10-20 μ m,開口尺寸為60-80 μ m ;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m ;第三層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為160-180 μ m。[0014]所述蒸鍍掩膜板包括四層結(jié)構(gòu)。第一層厚度為10-20 μ m,開口尺寸為60-80 μ m;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m;第三層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為160-180 μ m ;第四層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為 240-260 μ m。所述各層開口之間形成錐度。所述錐度在30-50°之間。所述蒸鍍掩膜板因瓦合金、純鎳或鎳鐵合金。優(yōu)選的,將錐度σ開口錐度控制在在30-50°之間。本實(shí)用新型提供的一種蒸鍍掩膜板,其制作方式為電鑄的方式,提高了 OLED蒸鍍 用掩膜板的位置精度;提高了 OLED蒸鍍用掩膜板開口尺寸的精度;能夠任意控制上下開口的角度,以滿足蒸鍍要求,生產(chǎn)效率高、成本低具有廣闊的市場(chǎng)前景。
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。圖I為單層無錐度蒸鍍掩膜板開口附近放大圖;圖2為三層蒸鍍掩膜板開口附近放大圖;圖3為蒸鍍掩膜板的正面視圖。圖中I為芯膜,2為蒸鍍掩膜板,3為第一層蒸鍍掩膜板,4為第二層蒸鍍掩膜板,5為第三層蒸鍍掩膜板,6為開口區(qū)域,7為定位孔點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例I :三層蒸鍍掩膜板如圖2所示,一種OLED蒸鍍用掩膜板,能夠克服傳統(tǒng)單層掩膜板的缺點(diǎn),而得到質(zhì)量(厚度、形狀、輝度等)更高的OLED ;通過LDI曝光機(jī)的CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)準(zhǔn)確的定位來完成三層板的制作;在芯模I上電鑄第一層蒸鍍掩膜板3,其實(shí)際厚度為10-20 μ m的因瓦合金或純鎳,這第一層為OLED蒸鍍用掩膜板的開口層,開口尺寸為60-80 μ m ;在做好第一層的同時(shí)制作好CCD定位點(diǎn),制作完第一層之后直接涂布感光膜制作第二層蒸鍍掩膜板4,第二層厚度設(shè)計(jì)為15-25 μ m,開口尺寸為100-120μπι;第三層蒸鍍掩膜板5制作通過(XD定位確定開口位置,其制作厚度為15-25 μ m,開口尺寸制作為160-180ym ;最后以三層疊加的形式制作成了高精密的OLED蒸鍍用掩膜板,開口錐度σ為30。。實(shí)施例2 :二層蒸鍍掩膜板一種OLED蒸鍍用掩膜板,能夠克服傳統(tǒng)單層掩膜板的缺點(diǎn),而得到質(zhì)量(厚度、形狀、輝度等)更高的OLED ;通過LDI曝光機(jī)的CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)準(zhǔn)確的定位來完成二層板的制作;在芯模上電鑄第一層蒸鍍掩膜板,其實(shí)際厚度為10-20μηι的因瓦合金或純鎳,這第一層為OLED蒸鍍用掩膜板的開口層,開口尺寸為60-80 μ m。在做好第一層的同時(shí)制作好CCD定位點(diǎn),制作完第一層之后直接涂布感光膜制作第二層蒸鍍掩膜板,第二層厚度設(shè)計(jì)為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m。最后以二層疊加的形式制作成了高精密的OLED蒸鍍用掩膜板,開口錐度σ為
40。。實(shí)施例3 四層蒸鍍掩膜板一種OLED蒸鍍用掩膜板,能夠克服傳統(tǒng)單層掩膜板的缺點(diǎn),而得到質(zhì)量(厚度、形狀、輝度等)更高的OLED ;通過LDI曝光機(jī)的CXD (電荷耦合器件圖像傳感器)準(zhǔn)確的定位來完成四層板的制作;在芯模上電鑄第一層蒸鍍掩膜板,其實(shí)際厚度為10-20μηι的因瓦合金或純鎳,這第一層為OLED蒸鍍用掩膜板的開口層,開口尺寸為60-80 μ m。在做好第一層的同時(shí)制作好CCD定位點(diǎn),制作完第一層之后直接涂布感光膜制作第二層蒸鍍掩膜板,第二層厚度設(shè)計(jì)為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m。 第三層蒸鍍掩膜板制作通過(XD定位確定開口位置,其制作厚度為15-25 μ m,開口尺寸制作為160-180 μ m。第四層蒸鍍掩膜板制作通過(XD定位確定開口位置,其制作厚度為15-25 μ m,開口尺寸制作為240-260 μ m。最后以四層疊加的形式制作成了高精密的OLED蒸鍍用掩膜板,開口錐度σ為50。當(dāng)然本實(shí)用新型可以是其他多層結(jié)構(gòu),使各層的開口隨著層數(shù)遞增,開口尺寸遞+
>曰ο以上實(shí)施例目的在于說明本實(shí)用新型,而非限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍,所有由本實(shí)用新型簡(jiǎn)單變化而來的應(yīng)用均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種蒸鍍掩膜板,其特征在于,至少包括兩層結(jié)構(gòu),各層開口尺寸逐層增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述蒸鍍掩膜板包括兩層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,第一層厚度為10-20μ m,開口尺寸為60-80 μ m ;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述蒸鍍掩膜板包括三層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,第一層厚度為10-20μ m,開口尺寸為60-80 μ m ;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m ;第三層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為160-180 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述蒸鍍掩膜板包括四層結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,第一層厚度為10-20μ m,開口尺寸為60-80 μ m ;第二層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為100-120 μ m ;第三層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為160-180 μ m ;第四層厚度為15-25 μ m,開口尺寸為240-260 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述各層開口之間形成錐度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍掩膜板,其特征在于,所述錐度在30-50°之間。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種蒸鍍掩膜板,其特征在于,至少包括兩層結(jié)構(gòu),各層開口尺寸逐層增大。本實(shí)用新型提供的一種蒸鍍掩膜板,其制作方式為電鑄的方式,提高了OLED蒸鍍用掩膜板的位置精度;提高了OLED蒸鍍用掩膜板開口尺寸的精度;能夠任意控制上下開口的角度,以滿足蒸鍍要求,生產(chǎn)效率高、成本低具有廣闊的市場(chǎng)前景。
文檔編號(hào)H01L51/52GK202534700SQ201220016280
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者高小平, 魏志凌 申請(qǐng)人:昆山允升吉光電科技有限公司
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