專(zhuān)利名稱(chēng)：一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法，特別是一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法。
背景技術(shù)：
電力半導(dǎo)體器件的一道重要加工工序是臺(tái)面處理，就是PN結(jié)的終端處理。其目的是將磨角后的芯片臺(tái)面通過(guò)化學(xué)腐蝕的方法進(jìn)行清洗，去除臺(tái)面的氧化層和表面污染物，形成清潔光潔無(wú)污染的臺(tái)面表面，防止導(dǎo)電和電場(chǎng)打火。其傳統(tǒng)的處理方法有兩種一種是采用腐蝕機(jī)器進(jìn)行腐蝕，方法是將芯片放在旋轉(zhuǎn)的工件臺(tái)上，然后將腐蝕液噴在芯片臺(tái)面上，一定時(shí)間后，在臺(tái)面上噴清水清洗，最后烘干。此方法每次只能腐蝕一只芯片，效率較低，而且腐蝕液使用量大，酸性廢水多，對(duì)環(huán)境有較大影響，適合于大直徑的大功率器件。另一種方法是將芯片水平排放在圓形塑料盤(pán)底部，不重疊，然后倒入腐蝕液對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行腐蝕，一定時(shí)間后沖水清洗干凈，再根據(jù)腐蝕情況重復(fù)腐蝕，最后清洗、烘干。此方法效率稍高，適用于中小功率芯片的處理，但掌握難度大，且腐蝕液只能使用一次，酸性廢水多，對(duì)環(huán)境影響大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述傳統(tǒng)處理方法存在的問(wèn)題，新提供一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，使其處理效率高，效果好。本發(fā)明所述的一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，包括對(duì)芯片臺(tái)面依次進(jìn)行腐蝕、清洗和烘干處理，其特征是腐蝕處理時(shí)，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應(yīng)凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤(pán)內(nèi)，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤(pán)放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時(shí)間為40-55秒；清洗處理時(shí)，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規(guī)使用清水將芯片清洗干凈；烘干處理時(shí)，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規(guī)烘干。在本發(fā)明中，所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ。所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤(pán)分別為長(zhǎng)方形塑料籃和塑料盤(pán)，其使用成本低。所述耐腐蝕籃中設(shè)有5-9個(gè)凹槽，這樣一次可處理較多芯片，效率更高。所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形，其加工和使用方便。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是1. 一次可以處理較多數(shù)量的芯片，效率高；2.腐蝕液可以重復(fù)使用，節(jié)約材料，同時(shí)減少對(duì)環(huán)境的影響；3.在超聲波的作用下進(jìn)行腐蝕，均勻度好，芯片參數(shù)一致性高。


圖1為放有芯片的耐腐蝕籃截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式附圖標(biāo)注說(shuō)明1-耐腐蝕籃、2-凹槽、3-芯片。一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，包括對(duì)芯片臺(tái)面依次進(jìn)行腐蝕、清洗和烘干，其腐蝕處理時(shí)，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應(yīng)凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤(pán)內(nèi)，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤(pán)放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時(shí)間為40-55秒；清洗處理時(shí)，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規(guī)使用清水將芯片清洗干凈；烘干處理時(shí)，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規(guī)烘干。在本發(fā)明中，所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ ;所述耐腐蝕籃
設(shè)有5-9個(gè)凹槽。這樣一次可放置更多芯片，處理效率更高；所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形，這樣整齊重疊成柱狀的芯片橫置于V形凹槽中方便可靠，并且其加工有也方便；所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤(pán)分別為塑料籃和塑料盤(pán)，其耐腐蝕性好,使用成本低。本發(fā)明一次可以處理較多數(shù)量的芯片，效率高；腐蝕液可以重復(fù)使用，節(jié)約材料，同時(shí)減少對(duì)環(huán)境的影響；所述芯片臺(tái)面在超聲波的作用下進(jìn)行腐蝕，均勻度好，芯片參數(shù)一致性高。實(shí)施例
一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，包括對(duì)芯片臺(tái)面依次進(jìn)行腐蝕、清洗和烘干處理，其中采用的 腐蝕液組分及濃度分別為硝酸65-68%、冰乙酸98%、氫氟酸40%、硫酸98% ；耐腐蝕籃和耐腐蝕盤(pán)分別為長(zhǎng)方形塑料籃和長(zhǎng)方形塑料盤(pán)。所述耐腐蝕籃根據(jù)芯片的直徑設(shè)有7個(gè)凹槽，超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ，超聲波清洗器的工作槽中放有3厘米深度清水。在腐蝕階段，所述圓形芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于設(shè)有V形凹槽的長(zhǎng)方形耐腐蝕籃中，然后將所述圓形芯片和長(zhǎng)方形耐腐蝕籃一起放入盛有上述腐蝕液的耐腐蝕盤(pán)內(nèi)，腐蝕液浸沒(méi)全部芯片，并且該腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤(pán)放置在超聲波清洗器工作槽的清水中，腐蝕處理時(shí)間為40-55秒；
然后將耐腐蝕籃和芯片一起取出，按常規(guī)使用清水將芯片清洗干凈；也可以先在干凈水槽中清洗，水槽水更換四次，再?zèng)_水清洗10分鐘。最后將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規(guī)烘干。這樣采用有V形凹槽的長(zhǎng)方形耐腐蝕籃集中較多數(shù)量芯片同時(shí)進(jìn)行腐蝕處理，效率大大提高，并且腐蝕液可以重復(fù)使用，有利環(huán)保，以及采用在超聲波環(huán)境下對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行腐蝕處理，均勻度好，芯片參數(shù)一致性提高，效果好。應(yīng)該理解到的是上述實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明，任何不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，包括對(duì)芯片臺(tái)面依次進(jìn)行腐蝕、清洗和烘干處理，其特征是腐蝕處理時(shí)，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應(yīng)凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤(pán)內(nèi)，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤(pán)放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時(shí)間為40-55秒；清洗處理時(shí)，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規(guī)使用清水將芯片清洗干凈；烘干處理時(shí)，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規(guī)烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，其特征是所述超聲波清洗器功率為900W，頻率為28KHZ。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，其特征是所述耐腐蝕籃和耐腐蝕盤(pán)分別為長(zhǎng)方形塑料籃和塑料盤(pán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，其特征是所述耐腐蝕籃中設(shè)有5—9個(gè)凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，其特征是所述耐腐蝕籃中的凹槽橫截面為V形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電力半導(dǎo)體芯片臺(tái)面處理方法，包括對(duì)芯片臺(tái)面依次進(jìn)行腐蝕、清洗和烘干處理，其特征是腐蝕處理時(shí)，所述芯片整齊重疊成柱狀，并橫置于有相應(yīng)凹槽的耐腐蝕籃中，然后將該芯片和耐腐蝕籃一起放入盛有腐蝕液的耐腐蝕盤(pán)內(nèi)，所述腐蝕液面高出芯片頂邊1-2厘米，耐腐蝕盤(pán)放置在超聲波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蝕處理時(shí)間為40-55秒；清洗處理時(shí)，將耐腐蝕籃和芯片一起取出，然后按常規(guī)使用清水將芯片清洗干凈；烘干處理時(shí)，將清洗干凈后的芯片水平擺放后按常規(guī)烘干。本發(fā)明處理效率高，效果好。
文檔編號(hào)H01L21/02GK103035491SQ20121058086
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者項(xiàng)衛(wèi)光, 徐偉, 李有康, 李曉明 申請(qǐng)人:浙江正邦電力電子有限公司