專利名稱：一種硅片的氣流沖洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅片的沖洗方法，屬于硅片加工的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
由于硅片體積小，厚度薄，因此硅片之間極易產(chǎn)生靜電。將硅片從盒子內(nèi)倒出時，由于靜電作用，常常有硅片粘貼在盒子內(nèi)，造成硅片的浪費(fèi)、傳統(tǒng)方法是采用吹風(fēng)機(jī)將這些貼在盒子內(nèi)的硅片吹出，該方法操作不方便且吹出后容易到處亂飛。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對以上弊端提供一種改良的氣流沖洗方法，包括恒溫處理、清潔處理、氣流沖洗、收集等步驟。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明技術(shù)方案是一種硅片的氣流沖洗方法，包括如下步驟1.恒溫處理將待處理的硅片置于盒子內(nèi)，放入恒溫箱中5-10分鐘，使其溫度恒定在25。C，且盒內(nèi)相對濕度達(dá)到35%-45%，此時硅片性能最佳，并能初步消除部分靜電影響。2.清潔處理將裝有硅片的盒子取出后用干凈的軟布擦拭干凈，出去盒子表面的多余水氣。3.氣流沖洗將擦拭干凈后的盒子放入硅片氣流沖洗裝置中，用氣流對盒內(nèi)進(jìn)行沖刷5-10分鐘，將盒內(nèi)的硅片沖入`氣流沖洗裝置中。4.收集取出氣流沖洗裝置中的已經(jīng)去靜電的硅片。上述一種硅片的氣流沖洗方法，其中，所述的氣流沖洗過程中氣流流速以5m/s為佳，可以為硅片落下時提供緩沖，防止損壞硅片。本發(fā)明的有益效果為能更方便的除去硅片上所帶的靜電，收集起來更加方便，節(jié)省了人工。
具體實施例方式本發(fā)明是一種改良的氣流沖洗方法，包括恒溫處理、清潔處理、氣流沖洗、收集等步驟。一種硅片的氣流沖洗方法，包括如下步驟1.恒溫處理將待處理的硅片置于盒子內(nèi)，放入恒溫箱中5分鐘，使其溫度恒定在25。C，且盒內(nèi)相對濕度達(dá)到45%，此時硅片性能最佳，并能初步消除部分靜電影響。2.清潔處理將裝有硅片的盒子取出后用干凈的軟布擦拭干凈，出去盒子表面的多余水氣。3.氣流沖洗將擦拭干凈后的盒子放入硅片氣流沖洗裝置中，用氣流對盒內(nèi)進(jìn)行沖刷5分鐘，將盒內(nèi)的硅片沖入氣流沖洗裝置中。
4.收集取出氣流沖洗裝置中的已經(jīng)去靜電的硅片。
在氣流沖洗過程中氣流流速以緩慢為佳，可以為硅片落下時提供緩沖，防止損壞娃片。
本發(fā)明能更 方便的除去硅片上所帶的靜電，收集起來更加方便，節(jié)省了人工。
權(quán)利要求
1.一種硅片的氣流沖洗方法，包括如下步驟(1)恒溫處理將待處理的硅片置于盒子內(nèi)，放入恒溫箱中5-10分鐘，使其溫度恒定在 25。C，且盒內(nèi)相對濕度達(dá)到35%-45%，此時硅片性能最佳，并能初步消除部分靜電影響；(2)清潔處理將裝有硅片的盒子取出后用干凈的軟布擦拭干凈，出去盒子表面的多余水氣；(3 )氣流沖洗將擦拭干凈后的盒子放入硅片氣流沖洗裝置中，用氣流對盒內(nèi)進(jìn)行沖刷 5-10分鐘，將盒內(nèi)的硅片沖入氣流沖洗裝置中；(4)收集取出氣流沖洗裝置中的已經(jīng)去靜電的硅片。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硅片的氣流沖洗方法，其特征為，所述的氣流沖洗過程中氣流流速以5m/s為佳。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種改良的氣流沖洗方法，包括恒溫處理、清潔處理、氣流沖洗、收集等步驟。能更方便的除去硅片上所帶的靜電，收集起來更加方便，節(jié)省了人工。
文檔編號H01L21/02GK103050381SQ20121057544
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者聶金根 申請人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司