發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及圍繞發(fā)光二極管芯片設(shè)置的反射杯，所述反射杯具有一容納發(fā)光二極管芯片的容置槽，所述第一電極、第二電極均包括一縱長的本體部以及從該本體部的一端部朝向本體部的一側(cè)凸伸出的接觸部，所述第一電極、第二電極的本體部嵌置于所述反射杯內(nèi)，所述第一電極、第二電極的接觸部均具有一遠(yuǎn)離本體部設(shè)置的接觸面，所述接觸部延伸出所述反射杯并使其接觸面暴露于反射杯之外。在本發(fā)明中所述第一電極、第二電極與反射杯結(jié)合得更緊密，有效提升了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的密合度。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)作為一種高效的發(fā)光源,具有環(huán)保、省電、壽命長等諸多特點已經(jīng)被廣泛運用于各種領(lǐng)域。
[0003]在應(yīng)用到具體領(lǐng)域中之前，發(fā)光二極管還需要進(jìn)行封裝，以保護(hù)發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。
[0004]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常分為側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管(side-view lightemitting diode)封裝結(jié)構(gòu)和頂部發(fā)光型發(fā)光二極管(top-view light emitting diode)封裝結(jié)構(gòu)。頂部發(fā)光型發(fā)光二極管(top-view light emitting diode)封裝結(jié)構(gòu)的電極一般設(shè)置于封裝結(jié)構(gòu)的底部，與頂部型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)不同的是，側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管的電極位于其側(cè)壁上，這能有效降低整個封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度，因而側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管被廣泛運用于顯示成像領(lǐng)域，特別是在背光模組中側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管常作為背光模組的背光源使用以減小整個背光設(shè)備的厚度。
[0005]然而，一般的側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常在反射杯成型之后將電極直接貼設(shè)于反射杯的底面以及側(cè)面上，電極與反射杯的結(jié)合不緊密，側(cè)面發(fā)光型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的密合度不佳，電極在使用過程中容易松動或脫落。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，有必要提供一種密合度較佳的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0007]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及圍繞發(fā)光二極管芯片設(shè)置的反射杯，所述反射杯具有一容納發(fā)光二極管芯片的容置槽，所述第一電極、第二電極均包括一縱長的本體部以及從該本體部的一端部朝向本體部的一側(cè)凸伸出的接觸部，所述第一電極、第二電極的本體部嵌置于所述反射杯內(nèi)，所述第一電極、第二電極的接觸部均具有一遠(yuǎn)離本體部設(shè)置的接觸面，所述接觸部延伸出所述反射杯并使其接觸面暴露于反射杯之外。
[0008]在本發(fā)明中所述第一電極、第二電極與反射杯結(jié)合得更緊密，有效提升了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的密合度。
[0009]下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0011]圖2是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)沿I1-1I線的剖視示意圖。
[0012]圖3是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0013]圖4是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一電極和第二電極的立體示意圖。[0014]圖5是本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0015]圖6是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)沿V1-VI線的剖視示意圖。
[0016]圖7是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0017]圖8是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一電極和第二電極的倒置立體示意圖。
[0018]主要元件符號說明__
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的第一電極和第二電極、分別與第一電極和第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及圍繞發(fā)光二極管芯片設(shè)置的反射杯，所述反射杯具有一容納發(fā)光二極管芯片的容置槽，其特征在于:所述第一電極、第二電極均包括一縱長的本體部以及從該本體部的一端部朝向本體部的一側(cè)凸伸出的接觸部，所述第一電極的本體部和第二電極的本體部均嵌置于所述反射杯內(nèi)，所述第一電極的接觸部和第二電極的接觸部均具有一遠(yuǎn)離本體部設(shè)置的接觸面，所述接觸部延伸出所述反射杯并使其接觸面暴露于反射杯之外。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極和第二電極均為L形電極，所述第一電極的接觸部自該第一電極的本體部的一端朝向該第一電極的一側(cè)垂直延伸而出，所述第二電極的接觸部自該第二電極的本體部的一端朝向該第二電極的一側(cè)垂直延伸而出，所述第一電極的接觸部和第二電極的接觸部位于該第一電極和第二電極的同側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極和第二電極均為T形電極，所述第一電極的接觸部自該第一電極的本體部的一端朝向該第一電極的相對兩側(cè)垂直延伸而出，所述第二電極的接觸部自該第二電極的本體部的一端朝向該第二電極的相對兩側(cè)垂直延伸而出。
4.如權(quán)利要求1-3項中任一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一電極和第二電極分別從反射杯相對兩側(cè)凸伸而出。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極和第二電極均包括相對設(shè)置的頂面和底面，所述容置槽形成于第一電極和第二電極的頂面和/或底面并向上和/或向下貫穿反射杯，發(fā)光二極管芯片設(shè)置于容置槽內(nèi)并分別與第一電極和第二電極電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述容置槽包括形成于第一電極和第二電極的頂部的正向容置槽以及形成于第一電極和第二電極的底部的反向容置槽，所述發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置于正向、反向設(shè)置的容置槽內(nèi)，且設(shè)置于正向、反向的容置槽內(nèi)的發(fā)光二極管芯片的出光波長不相同。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述容置槽包括形成于第一電極和第二電極的頂部的正向容置槽以及形成于第一電極和第二電極的底部的反向容置槽，所述發(fā)光二極管芯片分別設(shè)置于正向、反向容置槽的其中之一內(nèi)。
8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極和第二電極相互靠近的兩端分別朝向遠(yuǎn)離第一電極和第二電極的底面或頂面的方向凸出延伸形成一第一增厚部和一第二增厚部。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一增厚部的遠(yuǎn)離第一電極的表面和第二增厚部的遠(yuǎn)離第二電極的表面均外露于反射杯。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一增厚部和第二增厚部均位于第一電極和第二電極的同一側(cè)，所述容置槽位于該第一電極和第二電極的與該第一增厚部和第二增厚部相對的另一側(cè)。
【文檔編號】H01L33/62GK103887398SQ201210561828
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月22日
【發(fā)明者】林厚德, 陳濱全, 陳隆欣 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司