一種新型led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種新型LED芯片，改進(jìn)了LED芯片切割技術(shù)中的劃片及裂片過(guò)程，通過(guò)在在同一塊基底上保留多顆傳統(tǒng)小LED芯片結(jié)構(gòu)，保持了小電流供電和芯片工作時(shí)的高電流密度；所述LED芯片直接封裝于高導(dǎo)熱基板上，并通過(guò)焊線與電極相連；所述高導(dǎo)熱基板上還設(shè)有線路層。本發(fā)明在目前工藝流程基礎(chǔ)上，大大簡(jiǎn)化了LED模組封裝過(guò)程，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】一種新型LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前LED【技術(shù)領(lǐng)域】，芯片經(jīng)過(guò)劃片及裂片的制作流程后，一般形成獨(dú)立的不同標(biāo)準(zhǔn)尺寸，實(shí)際應(yīng)用中需要根據(jù)功率及散熱要求，對(duì)每個(gè)小芯片進(jìn)行封裝，例如對(duì)于IXI平方毫米的芯片，如果需要64平方毫米的發(fā)光面，則需要針對(duì)64個(gè)芯片，進(jìn)行64次固晶過(guò)程，需要的耗時(shí)較長(zhǎng)，降低了生產(chǎn)效率；而如果定做64平方毫米的整塊芯片，則由于其工作時(shí)需要的電流密度較大，工作穩(wěn)定性及散熱性遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于1X1平方毫米小芯片的組合。因此亟需一種能夠提高生產(chǎn)效率，同時(shí)又能保證工作穩(wěn)定性的新型LED芯片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服現(xiàn)有小芯片封裝流程中工作效率較低的問(wèn)題，本發(fā)明的主要目的就是設(shè)計(jì)一種新型LED芯片，提高生產(chǎn)效率，同時(shí)保持LED模組工作的穩(wěn)定性。
[0004]優(yōu)選的，所述一種新型LED芯片，具有共同的基底。
[0005]優(yōu)選的，所述一種新型LED芯片，共同基底上的芯片發(fā)光面，被分割成了獨(dú)立的小區(qū)間，每個(gè)區(qū)間都通過(guò)焊線與電極相連，實(shí)現(xiàn)獨(dú)立供電工作。
[0006]優(yōu)選的，所述一種新型LED芯片，基底上的各個(gè)獨(dú)立小區(qū)間，可以形成共陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，也可以形成共陰極結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選的，所述一種新型LED芯片，共同基底上的每個(gè)獨(dú)立小區(qū)間，其本征發(fā)光中心波長(zhǎng)相同，但也可以通過(guò)鍍熒光粉等手段，實(shí)現(xiàn)不同中心波長(zhǎng)的光出射。
[0008]優(yōu)選的，所述一種新型LED芯片，LED模組的芯片在封裝過(guò)程中，只需對(duì)共同的基底進(jìn)行一次定位，即可實(shí)現(xiàn)基底上所有獨(dú)立發(fā)光小區(qū)間的準(zhǔn)確定位。
[0009]
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為目前技術(shù)中LED芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本發(fā)明的一種新型LED芯片封裝的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]
主要元件標(biāo)記說(shuō)明 I =LED芯片。
[0013]2:焊線。
[0014]3:電極。
[0015]
【具體實(shí)施方式】[0016]下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行具體的說(shuō)明。
[0017]實(shí)施例1
圖1展示了目前技術(shù)中單個(gè)小芯片分別封裝的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中LED芯片(I)數(shù)量共有4個(gè)，需要將每個(gè)LED芯片(I)都封裝在散熱基板上，共需要4次封裝流程。每個(gè)LED芯片(I)通過(guò)焊線(2 )與電極(3 )相連接，實(shí)現(xiàn)獨(dú)立供電。
[0018]實(shí)施例2
圖2展示了本發(fā)明的一種新型LED芯片，圖中虛線表示同一個(gè)基板上不同芯片發(fā)光區(qū)間的邊界，芯片發(fā)光面分為4個(gè)，但是4個(gè)小區(qū)間具有共同的基底，其在物理上為同一個(gè)整體，因此只需將基底進(jìn)行一次定位，即可實(shí)現(xiàn)四個(gè)發(fā)光小區(qū)間的定位，簡(jiǎn)化了封裝流程。圖中每個(gè)小發(fā)光面通過(guò)焊線連接到電極上，實(shí)現(xiàn)分別供電，焊線原理與實(shí)施例1類似。
[0019]
通過(guò)以上實(shí)施方式，不難看出本發(fā)明提出了一種新型LED芯片的設(shè)計(jì)方案，將能夠大幅度提高LED模組的封裝流程。本設(shè)計(jì)方案中，每個(gè)基底上發(fā)光小區(qū)間的數(shù)量可以改變，并不局限于上述實(shí)施例中展示的4個(gè)。
[0020]以上實(shí)施方案只為說(shuō)明本發(fā)明技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所做的等小變化或修飾均涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型LED芯片，其特征在于:所述的LED芯片，具有共同的基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的芯片發(fā)光面，被分割成了獨(dú)立的小區(qū)間，每個(gè)區(qū)間都通過(guò)焊線與電極相連，實(shí)現(xiàn)獨(dú)立供電工作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型LED芯片，其特征在于:基底上的各個(gè)獨(dú)立小區(qū)間，可以形成共陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，也可以形成共陰極結(jié)構(gòu)，或者形成不共電極的平面芯片結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的每個(gè)獨(dú)立小區(qū)間，其本征發(fā)光中心波長(zhǎng)相同，但也可以通過(guò)鍍熒光粉等手段，實(shí)現(xiàn)不同中心波長(zhǎng)的光出射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型LED芯片，其特征在于:LED模組的芯片在封裝過(guò)程中，只需對(duì)共同的基底進(jìn)行一次定位，即可實(shí)現(xiàn)基底上所有獨(dú)立發(fā)光小區(qū)間的準(zhǔn)確定位。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK103887293SQ201210554067
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】熊大曦, 楊西斌 申請(qǐng)人:蘇州科醫(yī)世凱半導(dǎo)體技術(shù)有限責(zé)任公司