專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在處理槽內(nèi)處理多個基板的技術(shù)。
背景技術(shù)：
一直以來，采用在處理槽內(nèi)對多個基板進(jìn)行清洗、蝕刻、抗蝕膜剝離等處理的基板處理裝置。作為這樣的基板處理裝置，已知如下裝置，即，在處理槽內(nèi)貯存硫酸過氧化氫水溶液(Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide/ffaterMixture,下面稱為“SPM溶液”)，并使多個基板同時浸潰(例如參照日本特開2007-49022號公報)。另外，還已知如下基板水洗方法，即，將藥液處理后的基板放入水洗槽內(nèi)，一邊使基板在水洗槽內(nèi)上下擺動，一邊從在水洗槽內(nèi)相互相向而配置的噴嘴向基板的表面進(jìn)行噴淋(shower)水洗(例如參照日本特開2000-183011號公報)。但是，當(dāng)如日本特開2000-183011號公報那樣在處理槽內(nèi)以噴淋狀噴出處理液來進(jìn)行處理時，處理液會附著于處理槽的蓋部。當(dāng)搬入接下來處理的預(yù)定的基板之后關(guān)閉蓋部時，由于振動，處理液的液滴可能從蓋部落至基板上。當(dāng)液滴附著于基板時，液滴所包含的顆粒也附著于基板上，可能在基板上產(chǎn)生不良部位。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及基板處理裝置?；逄幚硌b置具有:槽主體，以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，容置從上部的搬入口搬入的多個基板；蓋部，對上述槽主體的上述搬入口進(jìn)行開閉；多個處理液噴嘴，向上述槽主體內(nèi)的上述多個基板噴出處理液；至少一個氣體噴嘴，向上述蓋部的下表面噴出氣體。根據(jù)本發(fā)明，能夠防止或者減少處理液的液滴從蓋部落至基板的情況。在一個優(yōu)選的方式中，上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的至少一個側(cè)壁上。在其它一個優(yōu)選的方式中，上述多個處理液噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的兩個側(cè)壁上，上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體內(nèi)的與上述多個基板的主面相向的側(cè)壁上。優(yōu)選為，上述蓋部的上述下表面包含傾斜面，該傾斜面處于上述至少一個氣體噴嘴附近，且隨著離開上述至少一個氣體噴嘴而朝向上方。優(yōu)選為，基板處理裝置還具有控制部，該控制部在上述蓋部打開上述搬入口以將多個基板搬入上述槽主體內(nèi)之前，使氣體從上述至少一個氣體噴嘴噴出。本發(fā)明也涉及基板處理方法?；逄幚矸椒ò?a工序，在槽主體的上部的搬入口被蓋部關(guān)閉的狀態(tài)下，從至少一個氣體噴嘴向上述蓋部的下表面噴出氣體；b工序，打開上述搬入口 ；c工序，以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，將多個基板從上述搬入口搬入至上述槽主體內(nèi)；d工序，通過蓋部關(guān)閉上述搬入口 ；e工序，從多個處理液噴嘴向上述多個基板噴出處理液；f工序，打開上述搬入口 ；g工序，從上述搬入口搬出上述多個基板。優(yōu)選為，在上述a)工序之前，從上述多個處理液噴嘴向上述槽主體內(nèi)噴出上述處理液來調(diào)整上述處理液的溫度。在基板處理方法的其它優(yōu)選的方面，基板處理方法包括:a工序，打開槽主體的上部的搬入口 ；b工序，以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，將多個基板從上述搬入口搬入至上述槽主體內(nèi)；c工序，通過蓋部關(guān)閉上述搬入口 ；d工序，從多個處理液噴嘴向上述多個基板噴出處理液；e工序，與上述d工序的結(jié)束同時或者在上述d工序剛要結(jié)束之前或剛要結(jié)束之后，開始從至少一個氣體噴嘴向上述蓋部的下表面噴出氣體，并結(jié)束噴出上述氣體；f工序，打開上述搬入口 ；g工序，從上述搬入口搬出上述多個基板。通過參照附圖以及下面將要進(jìn)行的對本發(fā)明的詳細(xì)的說明，來明確上述的目的以及其它目的、特征、方式以及優(yōu)點。


圖1是基板處理裝置的主視圖。

圖 2是基板處理裝置的側(cè)視圖。

圖 3是示出基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖 4示出基板處理裝置的動作流程。
圖 5示出基板處理裝置的動作流程。
圖 6示出氣體噴嘴附近。
圖 7示出基板處理裝置的動作流程的一部分。
圖 8簡化示出了氣體噴嘴的其它配置。
圖 9簡化示出了氣體噴嘴的其它配置。
圖 10簡化示出了氣體噴嘴的其它配置。

圖 11簡化示出了氣體噴嘴的其它配置。

圖 12示出了蓋部的其 它例子。

圖 13示出回收部。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
I 基板處理裝置
7控制部
9基板
11 槽主體
12 蓋構(gòu)件
31 處理液噴嘴
32 氣體噴嘴
34 擺動機(jī)構(gòu)(朝向變更機(jī)構(gòu))
35 回收部
91 處理液
110搬入口
111側(cè)壁
121下表面312遮蔽部Sll S16、S21 S27、S211 S214 步驟
具體實施例方式圖1是本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置I的主視圖，圖2是側(cè)視圖。圖1以及圖2示出處理槽10的截面?；逄幚硌b置I具有:處理槽10 ;用于升降基板9的升降機(jī)2 ;多個處理液噴嘴31 ;多個氣體噴嘴32。處理槽10具有上部開口的大致箱狀的槽主體11和一對蓋構(gòu)件12。一對蓋構(gòu)件12作為蓋部發(fā)揮功能。蓋構(gòu)件12配置在圖1中的左右位置，以與紙面垂直的軸為中心旋轉(zhuǎn)，由此對槽主體11的上部的開口進(jìn)行開閉。在一對蓋構(gòu)件12的下表面之間幾乎不存在間隙，也沒有階梯差。即，蓋構(gòu)件12的下表面的至少中央?yún)^(qū)域是平面。升降機(jī)2具有:基板保持部21，其從下方保持多個基板9 ;升降機(jī)構(gòu)22，其使基板保持部21升降；連接部23，其連接基板保持部21和升降機(jī)構(gòu)22。基板保持部21是沿著圖2中的左右方向即前后方向延伸的多個棒狀構(gòu)件，基板9的下部保持于在棒狀構(gòu)件上形成的槽內(nèi)。多個基板9 一邊使相鄰的基板9的主面相向，一邊以等間隔且立起姿勢排列?；?以該狀態(tài)容置在槽主體11中。通過升降機(jī)構(gòu)22使基板保持部21升降，多個基板9在處理槽10內(nèi)的用實線表示的處理位置和用雙點劃線表示的交接位置之間移動。在交接位置上，在圖示省略的搬運裝置和基板保持部21之間交接基板9。在基板保持部21升降時，通過蓋構(gòu)件12打開槽主體11的上部的開口。在下面的說明中，將用于搬入搬出基板9的槽主體11的上部的開口稱為“搬入口 110”。在蓋構(gòu)件12形成有避開連接部23的缺口，在基板保持部21位于槽主體11內(nèi)的狀態(tài)下，蓋構(gòu)件12能夠關(guān)閉搬入口 110。在基板保持部21保持多個基板9并位于槽主體11內(nèi)的狀態(tài)下，蓋構(gòu)件12關(guān)閉搬入口 110，由此將基板9容置于處理槽10內(nèi)。多個處理液噴嘴31設(shè)置在槽主體11的與基板9的外緣部相向的圖1中的左右的側(cè)壁111上。處理液噴嘴31與基板9的排列方向平行地排成3列，3列分別配置于側(cè)壁111的上部、中央部、下部。處理液噴嘴31向槽主體11內(nèi)的多個基板9以噴淋狀噴出處理液。在本實施方式中，處理液是SPM溶液(硫酸過氧化氫水溶液)，通過基板處理裝置I剝離基板9上的抗蝕膜和/或除去金屬。通過采用噴淋方式，與采用浸潰方式相比，能夠削減處理液的使用量。上層的處理液噴嘴31沿著相對于水平方向向下方傾斜的方向且朝向基板9的方向噴出處理液。中層的處理液噴嘴31沿著水平方向且朝向基板9的方向噴出處理液。下層的處理液噴嘴31沿著相對于水平方向向上方傾斜的方向且朝向基板9的方向噴出處理液。氣體噴嘴32也設(shè)置在槽主體11的與多個基板9的外緣部相向的兩個側(cè)壁111上，且設(shè)置在上層的處理液噴嘴31的上方。換而言之，在高度方向上，氣體噴嘴32位于蓋構(gòu)件12和處理液噴嘴31之間。氣體噴嘴32的噴出口與處理液噴嘴31同樣地，與基板9的排列方向平行地排列。從氣體噴嘴32向蓋構(gòu)件12的下表面噴出氮氣。S卩，氣體噴嘴32從圖1中的左右沿著相對于水平方向向上方傾斜的方向且朝向中央的方向噴出氣體。在圖1中，用虛線示出了噴出氣體以及處理液的樣子，但是原則上氣體和處理液并不同時噴出。通過將氣體噴嘴32設(shè)置在與基板9的外緣部相向的側(cè)壁111上，即使在處理槽10內(nèi)存在連接部23，也能夠不被連接部23妨礙地向蓋構(gòu)件12噴出氣體。通過使氣體噴嘴32位于處理液噴嘴31和蓋構(gòu)件12之間，能夠抑制處理液附著于氣體噴嘴32，且能夠從斜下方向蓋構(gòu)件12的下表面進(jìn)行送風(fēng)。另外，通過在兩個側(cè)壁111上設(shè)置氣體噴嘴32，能夠容易地向蓋構(gòu)件12的下表面的整體進(jìn)行送風(fēng)。圖3是示出與處理槽10、處理液噴嘴31以及氣體噴嘴32相連接的結(jié)構(gòu)的圖。此外，省略有處理槽10的截面的平行斜線。槽主體11的底部與槽排出路徑51相連接。在進(jìn)行處理時，在槽主體11的底部貯存處理液91。在槽排出路徑51上設(shè)置有閥61，通過打開閥61，從槽主體11排出處理液91。槽排出路徑51進(jìn)行分支，一個分支與泵41相連接，另一個分支與排液路徑52相連接。在排液路徑52上設(shè)置有閥62。泵41與加熱部42相連接，加熱部42與過濾器43相連接。處理液噴嘴31經(jīng)由噴嘴供給路徑53與過濾器43相連接。噴嘴供給路徑53從過濾器43分支為多個分支路徑并連接至處理液噴嘴31。在各分支路徑上設(shè)置有閥63。通過在閥63被打開的狀態(tài)下驅(qū)動泵41，從處理液噴嘴31噴出處理液91。加熱部42用于控制處理液91的溫度。過濾器43除去處理液91中的顆粒。從噴嘴供給路徑53分支有旁路54，旁路54經(jīng)由閥64與槽主體11的下部的噴出口 33相連接。此外，在圖3中，僅示出一側(cè)的處理液噴嘴31和噴嘴供給路徑53的連接關(guān)系?；逄幚硌b置I還具有緩沖罐44、處理液供給源45和氣體供給源46。緩沖罐44經(jīng)由罐排出路徑55與泵41相連接。在罐排出路徑55上設(shè)置有閥65。緩沖罐44經(jīng)由罐供給路徑56與過濾器43相連接。在罐供給路徑56上設(shè)置有閥66。緩沖罐44與處理液供給源45相連接。通過在處理液供給源45中按規(guī)定的比例對硫酸、過氧化氫以及純水進(jìn)行混合，來生成SPM溶液，并供給至緩沖罐44。這些溶液也可以在未混合的情況下分別供給至緩沖罐44。氣體噴嘴32經(jīng)由氣體供給路徑57與氣體供給源46相連接。在氣體供給路徑57上設(shè)置有閥67，通過打開閥67，從氣體噴嘴32噴出氮氣。處理槽10與排氣路徑58相連接，在排氣路徑58上設(shè)置有閥68?；逄幚硌b置I具有控制部7，通過控制部7來控制各閥、泵41以及加熱部42?？刂撇?還控制升降機(jī)2的動作和蓋構(gòu)件12的開閉。圖4以及圖5是示出基板處理裝置I的動作流程的圖。如圖3所示，在開始進(jìn)行處理時，事先在槽主體11中貯存處理液91。處理液91的量是不與配置于處理位置的基板9接觸的量。作為具體的一個例子，處理液91在緩沖罐44內(nèi)被調(diào)整。從處理液供給源45向緩沖罐44供給各種液體，在打開閥65、66并關(guān)閉其它閥的狀態(tài)下，驅(qū)動泵41。由此，處理液91從緩沖罐44起在罐排出路徑55、泵41、加熱部42、過濾器43、罐供給路徑56進(jìn)行循環(huán)。在緩沖罐44上設(shè)置有溫度計以及濃度計，通過控制從處理液供給源45供給的各種液體以及加熱部42，使處理液91達(dá)到所希望的濃度以及溫度。通過關(guān)閉閥66并打開閥64，將處理液91經(jīng)由罐排出路徑55、泵41、加熱部42、過濾器43、旁路54供給至處理槽10。此外，處理液91也可以通過從處理液供給源45直接向處理槽10供給各種液體等的其它方法來貯存在處理槽10中。在基板處理中，首先確認(rèn)是否需要進(jìn)行預(yù)調(diào)溫(步驟S11)。例如，在從之前的基板9的處理到接下來的基板9的處理為止經(jīng)過了長時間的情況下，為了使處理液91、噴嘴供給路徑53、槽主體11、處理槽10內(nèi)的氣體等的溫度達(dá)到所希望的溫度而進(jìn)行預(yù)調(diào)溫(步驟S12)。在進(jìn)行預(yù)調(diào)溫時，打開閥61、63，而關(guān)閉其它閥。但也可以打開閥64。處理槽10內(nèi)的處理液91從槽排出路徑51排出，并經(jīng)由泵41、加熱部42、過濾器43、噴嘴供給路徑53從處理液噴嘴31噴出。在槽主體11上設(shè)置有溫度計以及濃度計，將處理液91的溫度調(diào)整至所希望的溫度，并監(jiān)視處理液91的濃度。噴出處理液91進(jìn)行規(guī)定時間。當(dāng)預(yù)調(diào)溫處理結(jié)束時，通過控制部7打開閥67，從氣體供給源46經(jīng)由氣體供給路徑57向氣體噴嘴32供給氮氣。由此，在搬入口 110被蓋構(gòu)件12關(guān)閉的狀態(tài)下，從氣體噴嘴32朝向蓋構(gòu)件12的下表面噴出氣體(步驟S13)。實際上，為了避免來自左右的氣體的氣流的碰撞，從左右的側(cè)壁111的氣體噴嘴32交替地噴出氣體。結(jié)果，在預(yù)調(diào)溫處理或者之前的基板處理中附著于蓋構(gòu)件12的下表面的處理液91的大部分朝向側(cè)壁111流動。圖6是放大氣體噴嘴32附近來示出的剖視圖。在設(shè)置有上層的處理液噴嘴31的噴嘴塊(nozzle block)311上設(shè)置有氣體噴嘴32。具體地說，在噴嘴塊311內(nèi)形成有沿著與紙面垂直的方向(即，基板9的排列方向)延伸的流路321，沿著流路321形成有多個氣體噴出口 322。噴嘴塊311的上端尖并呈銳角，與蓋構(gòu)件12的下表面121相向。在噴嘴塊311的上端和蓋構(gòu)件12之間，即槽主體11和蓋構(gòu)件12之間存在微小的間隙30，在間隙30的外側(cè)設(shè)置有截面為三角形的遮蔽部312。遮蔽部312設(shè)置在蓋構(gòu)件12中的位于槽主體11的外部的部位的下表面上。圖6中例示的遮蔽部312具有傾斜面313，該傾斜面313隨著離開間隙30而朝向下方。由此，在噴出氣體時，能夠防止處理液91的液滴或者微粒子(霧滴)從間隙30向處理槽10的外部漏出的情況。為了減少從間隙30漏出的處理液91，在噴出氣體時，打開圖3所示的閥68，從排氣路徑58進(jìn)行排氣。此外，為了減少漏出的處理液91，除上述之外，例如也可以在容納有處理槽10的腔室(未圖示)內(nèi)形成下降氣流(下降流)，來排出霧滴。當(dāng)停止噴出氣體時，蓋構(gòu)件12打開搬入口 110 (步驟S14)，基板保持部21上升并從外部的搬運裝置接受多個基板9?；灞３植?1下降，將基板9搬入至槽主體11，蓋構(gòu)件12關(guān)閉搬入口 110 (步驟S15、S16)。然后，與預(yù)調(diào)溫處理同樣地，打開閥61、63，將處理槽10內(nèi)的處理液91經(jīng)由槽排出路徑51、泵41、加熱部42、過濾器43、噴嘴供給路徑53引導(dǎo)至處理液噴嘴31，并從處理液噴嘴31朝向基板9噴出處理液91 (圖5中的步驟S21)。在基板處理中，通過升降機(jī)2使基板保持部21上下擺動，由此能夠提高處理的均勻性。當(dāng)基板處理結(jié)束時，關(guān)閉閥63，蓋構(gòu)件12打開搬入口 110 (步驟S22)。通過使基板保持部21上升，從槽主體11搬出基板9，并交至外部的搬運裝置(步驟S23)。基板保持部21下降，蓋構(gòu)件12關(guān)閉搬入口 110 (步驟S24)。在處理接下來的基板9的情況(步驟S25)下，確認(rèn)是否需要進(jìn)行后調(diào)溫(步驟S26)。后調(diào)溫是在處理基板9之后將處理液91的溫度維持在所希望的溫度的動作，也可以與搬出基板9的動作并行地進(jìn)行。在進(jìn)行后調(diào)溫時，打開閥61、64，將處理槽10內(nèi)的處理液91經(jīng)由槽排出路徑51、泵41、加熱部42、過濾器43、旁路54引導(dǎo)至噴出口 33。由此，不必噴出處理液91而利用處理槽10來對處理液91進(jìn)行調(diào)溫(步驟S27)。然后，返回步驟S11，確認(rèn)在處理接下來的基板9之前是否需要進(jìn)行預(yù)調(diào)溫。在需要進(jìn)行預(yù)調(diào)溫的情況下，進(jìn)行預(yù)調(diào)溫以及噴出氣體(步驟S12、S13)，在無需進(jìn)行預(yù)調(diào)溫的情況下，噴出氣體(步驟S13)。無論在哪種情況下，都通過控制部7的控制，在打開蓋構(gòu)件12以將多個基板9搬入槽主體11內(nèi)之前,從氣體噴嘴32噴出氣體，由此除去附著于蓋構(gòu)件12的下表面的處理液91。結(jié)果，能夠防止或者減少如下情況，即，在搬入基板9之后關(guān)閉蓋構(gòu)件12時，處理液91的液滴落至基板9，顆粒與液滴一起附著于基板9。反復(fù)進(jìn)行上述基板處理動作，直到處理最后的多個基板9為止，當(dāng)處理了所有基板9時，基板處理裝置I結(jié)束處理(步驟S25)。圖7是示出基板處理裝置I的其它動作例的圖，示出與圖5的步驟S21對應(yīng)的部分的詳細(xì)內(nèi)容。在圖7所示的動作中，在搬入基板9之后，首先開始噴出處理液91 (步驟S211)，當(dāng)經(jīng)過規(guī)定的時間時，開始噴出氣體(步驟S212)。當(dāng)開始噴出氣體時，立即停止噴出處理液91 (步驟S213)。然后，從兩個側(cè)壁111的氣體噴嘴32交替地噴出氣體，之后停止噴出氣體(步驟S214)。通過從即將結(jié)束噴出處理液91之前開始噴出氣體，能夠減小在停止噴出處理液91之后液滴從蓋構(gòu)件12的下表面落至基板9的可能性。此外，只要能夠使處理液91落下的可能性減小即可，開始噴出氣體的動作也可以與停止噴出處理液91的動作同時進(jìn)行，也可以在停止之后立即進(jìn)行。圖8至圖11是簡化示出氣體噴嘴32的其它配置的圖。對于處理液噴嘴31僅示出一部分。在圖8中,氣體噴嘴32安裝在蓋構(gòu)件12的下表面上。由此,氣體的一部分朝向蓋構(gòu)件12的下表面流動，而推動下表面上的處理液流動。在圖9中，氣體噴嘴32安裝在兩個蓋構(gòu)件12的前端側(cè)的下表面，氣體從蓋構(gòu)件12的接縫側(cè)向左右流動。即，氣體噴嘴32設(shè)置在位于處理位置的基板9的正上方。由此，能夠從基板9的正上方的區(qū)域除去處理液。在圖9的情況下，就從氣體噴嘴32噴出氣體的動作而言，可以在蓋構(gòu)件12關(guān)閉搬入口 110的狀態(tài)下進(jìn)行，也可以在圖9所示那樣打開一半的狀態(tài)下進(jìn)行。在圖10所示的例子中，將處理液噴嘴31設(shè)置在擺動機(jī)構(gòu)34上，將氣體噴嘴32也設(shè)置在擺動機(jī)構(gòu)34上。在噴出處理液的期間，通過擺動機(jī)構(gòu)34使處理液噴嘴31上下以及/或者左右擺動。由此，能夠更加均勻地處理基板9。在從氣體噴嘴32朝向蓋構(gòu)件12的下表面噴出氣體時，也使氣體噴嘴32上下以及/或者左右擺動。擺動機(jī)構(gòu)34發(fā)揮變更氣體噴嘴32的朝向的朝向變更機(jī)構(gòu)的功能。由此，能夠更恰當(dāng)?shù)貜纳w構(gòu)件12的下表面除去處理液。此外，可以通過朝向變更機(jī)構(gòu)將氣體噴嘴32僅變更至所希望的朝向上，而不使氣體噴嘴32擺動。就氣體噴嘴32的朝向而言，可以通過工作人員進(jìn)行變更來調(diào)整，也可以通過控制部7來自動地進(jìn)行變更。在圖11所示的例子中，氣體噴嘴32設(shè)置在槽主體11內(nèi)的與多個基板9的主面相向的側(cè)壁111上，從氣體噴嘴32朝向蓋構(gòu)件12的下表面向斜上方噴出氣體。即，氣體噴嘴32設(shè)置于在基板保持部21位于槽主體11內(nèi)的情況下的連接部23 (參照圖2)—側(cè)的側(cè)壁
111。實際上，多個氣體噴嘴32沿著與圖11的紙面垂直的方向排列。處理液噴嘴31與圖1以及圖2同樣地設(shè)置在槽主體的與多個基板9的外緣部相向的兩個側(cè)壁111上。通過這樣設(shè)置氣體噴嘴32，蓋構(gòu)件12的下表面的處理液不會跨越蓋構(gòu)件12的接縫而借助氣體移動至蓋構(gòu)件12的端邊。另外，能夠一邊避免與處理液的配管發(fā)生干渉，一邊容易地設(shè)置氣體噴嘴32。圖12是示出圖11所示的例子中的蓋構(gòu)件12的其它例子的圖。蓋構(gòu)件12的下表面121包括傾斜面122，該傾斜面122處于氣體噴嘴32附近并隨著離開氣體噴嘴32而朝向上方。通過設(shè)置沿著氣體的流向的傾斜面122，蓋構(gòu)件12的下表面121上的處理液順著氣體的流向而平穩(wěn)地流動。由此，例如與為了使蓋構(gòu)件12的中央部變薄而設(shè)置階梯差的情況相比，能夠從蓋構(gòu)件12的下表面121容易地除去大范圍內(nèi)的處理液91。圖13是示出設(shè)置回收部35來代替圖6的遮蔽部312的例子的圖?；厥詹?5設(shè)置為覆蓋蓋構(gòu)件12和噴嘴塊311之間的間隙30的外側(cè)，并與排出路徑59相連接。從間隙30漏出的處理液的液滴或者微粒子被回收部35接受，并從排出路徑59回收。由此，能夠防止處理液經(jīng)由間隙30從處理槽10向外部漏出的情況。上面，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明并不限定于上述實施方式，而能夠進(jìn)行各種變更。可以在各種時機(jī)噴出氣體，例如，也可以在沒有進(jìn)行預(yù)調(diào)溫的情況下搬出基板9而蓋構(gòu)件12剛剛關(guān)閉搬入口 110之后開始噴出氣體。相反地，也可以僅在蓋構(gòu)件12即將打開搬入口 110之前噴出氣體。進(jìn)而，也可以在處理基板9過程中噴出氣體。氣體可以是空氣，也可以是其它種類的氣體。也可以通過控制部7調(diào)整氣體的流量。也可以在處理液噴嘴31上下擺動的情況下，從處理液噴嘴31本身朝向蓋構(gòu)件12的下表面噴出氣體。在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，氣體噴嘴32也可以僅設(shè)置在槽主體11的與多個基板9的外緣部相向的一個側(cè)壁111上。在該情況下，氣體在蓋構(gòu)件12的下表面上僅向一個方向流動。通過將氣體噴嘴32設(shè)置在與基板9的外緣部相向的至少一個側(cè)壁111上，與將氣體噴嘴32設(shè)置在與基板9的主面相向的側(cè)壁111上的情況相比，能夠縮短處理液91的液滴的移動距離，且能夠適當(dāng)?shù)爻ゴ蠓秶鷥?nèi)的液滴。氣體噴嘴32也可以是一個。即，在基板處理裝置I中，至少設(shè)置一個氣體噴嘴32。氣體噴嘴32的開口可以是各種形狀，例如也可以是沿著水平方向延伸的狹縫狀。也可以在氣體噴嘴32設(shè)置于槽主體11的與基板9的外緣部相向的側(cè)壁111上的情況下，應(yīng)用如圖12所示那樣在蓋構(gòu)件12的下表面121上設(shè)置傾斜面122的方法。蓋構(gòu)件12可以不必直接設(shè)置在槽主體11上，例如也可以使槽主體11容置在腔室內(nèi)而在該腔室設(shè)置蓋部。在該情況下，實際上也通過蓋部來開閉槽主體11的上部的開口即搬入口。蓋部并不一定具有一對蓋構(gòu)件12，可以具有一個構(gòu)件，也可以具有三個以上構(gòu)件。處理液噴嘴31也可以設(shè)置在蓋構(gòu)件12。就與后調(diào)溫同樣的調(diào)溫動作而言，可以在處理基板9的過程中進(jìn)行，也可以在搬入或搬出基板9時進(jìn)行。在圖13所示的回收部35上除了排出路徑59之外，也可以設(shè)置吸引氣體的排氣路徑。也可以在排氣路徑上設(shè)置氣液分離機(jī)構(gòu)。在基板處理裝置I中進(jìn)行的處理并不限定于通過SPM溶液進(jìn)行的處理，也可以是所謂SC-1 (使用氨水、過氧化氫、純水的混合液來以高溫處理的清洗處理)或SC-2 (使用鹽酸、過氧化氫、純水的混合液的清洗處理)等其它處理。進(jìn)而，通過基板處理裝置I處理的處理對象并不限定于半導(dǎo)體基板，也可以是在顯示裝置、光磁盤、光掩模、太陽能電池等中使用的各種基板。上述實施方式以及各變形例中的結(jié)構(gòu)，在不相互矛盾的情況下可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行組
入
口 ο詳細(xì)描述并說明了發(fā)明，但是上述的說明是例示而非限定。因此，可以認(rèn)為，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以有各種變形和方式。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有: 槽主體，其以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，容置從上部的搬入口搬入的多個基板； 蓋部，其對上述槽主體的上述搬入口進(jìn)行開閉； 多個處理液噴嘴，其向上述槽主體內(nèi)的上述多個基板噴出處理液； 至少一個氣體噴嘴，其向上述蓋部的下表面噴出氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的至少一個側(cè)壁上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的兩個側(cè)壁上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述至少一個氣體噴嘴在高度方向上位于上述蓋部和上述處理液噴嘴之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述多個處理液噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的兩個側(cè)壁上， 上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體內(nèi)的與上述多個基板的主面相向的側(cè)壁上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述蓋部的上述下表面包含傾斜面，該傾斜面處于上述至少一個氣體噴嘴附近，且隨著離開上述至少一個氣體噴嘴而朝向上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 在上述蓋部和上述槽主體之間的間隙的外側(cè)，還具有用于防止從上述間隙漏出處理液的遮蔽部或者用于回收所漏出的處理液的回收部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有朝向變更機(jī)構(gòu)，該朝向變更機(jī)構(gòu)對上述至少一個氣體噴嘴的朝向進(jìn)行變更。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有控制部，該控制部在上述蓋部打開上述搬入口以將多個基板搬入上述槽主體內(nèi)之前，使氣體從上述至少一個氣體噴嘴噴出。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述處理液為硫酸過氧化氫水溶液。
11.一種基板處理方法，其特征在于，包括: a工序，在槽主體的上部的搬入口被蓋部關(guān)閉的狀態(tài)下，從至少一個氣體噴嘴向上述蓋部的下表面噴出氣體； b工序，打開上述搬入口 ； c工序，以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，將多個基板從上述搬入口搬入至上述槽主體內(nèi)； d工序，通過蓋部關(guān)閉上述搬入口 ； e工序，從多個處理液噴嘴向上述多個基板噴出處理液；f工序，打開上述搬入口 ； g工序，從上述搬入口搬出上述多個基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于， 還包括在上述a工序之前從上述多個處理液噴嘴向上述槽主體內(nèi)噴出上述處理液來調(diào)整上述處理液的溫度的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于， 上述至少一個氣體噴嘴設(shè)置在上述槽主體的與上述多個基板的外緣部相向的兩個側(cè)壁上， 在上述e工序中，從設(shè)置在上述兩個側(cè)壁上的氣體噴嘴交替地噴出氣體。
14.一種基板處理方法,其特征在于,包括: a工序，打開槽主體的上部的搬入口 ； b工序，以使相鄰的基板的主面相向并以立起姿勢排列的狀態(tài)，將多個基板從上述搬入口搬入至上述槽主體內(nèi)； c工序，通過蓋部關(guān)閉上述搬入口 ； d工序，從多個處理液噴嘴向上述多個基板噴出處理液； e工序，與上述d工序的結(jié)束同時或者在上述d工序剛要結(jié)束之前或剛剛結(jié)束之后，開始從至少一個氣體噴嘴向上述蓋部的下表面噴出氣體,并結(jié)束噴出上述氣體；f工序，打開上述搬入口 ；g工序，從上述搬入口搬出上述多個基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 上述處理液為硫酸過氧化氫水溶液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，基板處理裝置(1)具有槽主體(11)、蓋部(12)、以噴淋狀噴出SPM溶液的處理液噴嘴(31)、噴出氮氣的氣體噴嘴(32)。蓋部開閉槽主體的上部的搬入口(110)。處理液噴嘴從與基板(9)的外緣部相向的槽主體(11)的側(cè)壁(111)向基板噴出處理液(91)。在基板搬入至槽主體之前，通過從氣體噴嘴朝向蓋部的下表面噴出氣體，能夠除去在處理之前的基板時或者在進(jìn)行從處理液噴嘴噴出處理液的調(diào)溫時附著于蓋部的下表面的處理液的液滴。由此，能夠防止或者減小處理液的液滴落至并附著于剛剛搬入至槽主體的基板上。
文檔編號H01L21/02GK103187339SQ201210544578
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月28日
發(fā)明者武明勵, 難波敏光 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社