專利名稱：一種顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，高清顯示產(chǎn)品逐步普及。所謂高清顯示，要求單位面積內(nèi)像素的數(shù)量達到一定的要求，即增加單位顯示面積的所能顯示的信息量。高清顯示技術(shù)的發(fā)展，伴隨著像素設計精細化程度的提升，相應的，連接像素單元的信號線的尺寸便會相應的變窄，在批量生產(chǎn)高清顯示產(chǎn)品的過程中，信號線發(fā)生斷開的頻率也會相應增加，降低良品率。信號線發(fā)生斷開產(chǎn)生的后果通常比 較嚴重，顯示屏幕會出現(xiàn)明顯的亮線/暗線，我們通常稱作DO (信號線斷開，Data Open)不良?，F(xiàn)有技術(shù)中的信號線區(qū)域的結(jié)構(gòu)如圖1所示，該圖中各個附圖標記具體含義如下01、玻璃基板；02、柵絕緣層；03、半導體層；04、摻雜半導體；05、信號線；06、絕緣層。由于像素設計精細化要求的限制，我們無法增加信號線05的寬度，在現(xiàn)有工藝條件下，如何從技術(shù)上解決DO不良的問題，還沒有有效的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，用于避免信號線斷開導致的顯示不良問題，提聞良品率。本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板包括玻璃基板、信號線，以及信號線下方的柵絕緣層，該顯示面板還包括位于信號線下方的柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬層。較佳的，該顯示面板還包括用于將所述柵極金屬層與柵極高壓相連的連接線。本發(fā)明實施例提供的一種液晶顯示器包括所述顯示面板。本發(fā)明實施例提供的一種掩模板包括該掩模板在預設的信號線區(qū)域上不透光。本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制作方法包括使用物理氣相沉積的方法，在玻璃基板上形成柵極金屬層；為該柵極金屬層設置用于連接柵極高壓的連接線；在柵極金屬層上涂附光刻膠，并使用在預設的信號線區(qū)域不透光的掩模板對該光刻膠進行曝光；顯影并刻蝕該柵極金屬層；
在柵極金屬層上分別形成柵絕緣層、半導體層并摻雜半導體、源漏金屬層以及絕緣層。通過以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明通過保留位于信號線下方的柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬層，并將該層柵極金屬與柵極高壓連接；在信號線發(fā)生斷開時，在斷開處形成導電溝道，信號線的信號仍然能夠傳輸?shù)较袼貑卧?。避免了因信號線斷開導致的顯示不良問題，提聞了良品率。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中信號線區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明具體實施例提供的一種顯示面板的制作方法的流程示意圖；·圖3為本發(fā)明具體實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明具體實施例提供的一種顯示面板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，解決了因信號線斷開導致的顯示不良問題，提聞了良品率。本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板包括玻璃基板、信號線，以及信號線下方的柵絕緣層，該顯示面板還包括位于信號線下方的柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬層。該顯示面板還包括用于將所述柵極金屬層與柵極高壓相連的連接線。本發(fā)明實施例提供的一種液晶顯示器包括所述顯示面板。本發(fā)明實施例提供的一種用于生產(chǎn)所述顯示面板的掩模板，該掩模板在預設的信號線區(qū)域不透光。通過對該掩模板的改進，在對柵極金屬上的光刻膠進行曝光時保留了位于信號線下方的柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬層。本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制作方法，包括使用物理氣相沉積的方法，在玻璃基板上形成柵極金屬層；為該柵極金屬層設置用于連接柵極高壓的連接線；在柵極金屬層上涂附光刻膠，并使用在預設的信號線區(qū)域不透光的掩模板對該光刻膠進行曝光；顯影并刻蝕該柵極金屬層；在柵極金屬層上分別形成柵絕緣層、半導體層并摻雜半導體、源漏金屬層以及絕緣層。較佳的，在形成源漏金屬層后，該方法還包括光刻并刻蝕柵極金屬上方的源漏金屬層，形成源極和漏極。較佳的，在形成絕緣層后，該方法還包括像素單元的制作在預設的銦錫金屬氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)像素電極區(qū)域鍍上ITO像素電極，除去漏極上方的部分絕緣層，將漏極與ITO像素電極連接。較佳的，所述柵極高壓，為該顯示面板的薄膜場效應晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)的開啟電壓 Vgh。下面給出本發(fā)明的具體實施例參見圖2，本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制作方法，具體步驟如下S101、使用物理氣相沉積的方法，將金屬薄膜做到玻璃基板上；S102、設置連接線，該連接線用于將SlOl的金屬薄膜連接TFT開啟電壓Vgh ；S103、涂附光刻膠，使用在預設的信號線區(qū)域以及在預設的薄膜場效應晶體管TFT柵電極區(qū)域不透光的掩模板進行曝光，顯影；S104、采用規(guī)定的混合酸液進行刻蝕，清洗酸液，剝離未感光的光刻膠； S105、在柵極金屬層上方依次增加絕緣層、半導體層，摻雜半導體，通常采用離子增強化學氣相沉積的方法；S106、清理基板雜質(zhì),制作源漏電極(Source/Drain, SD)層；S107、再次涂附光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠，保留柵電極及其附近的結(jié)構(gòu)，柵電極上方的不超過柵電極寬度的SD層金屬被刻蝕，源極和漏極得以區(qū)分開，形成薄膜場效應晶體管TFT;同時保留預設的信號線區(qū)域的結(jié)構(gòu)，該區(qū)域的SD層金屬作為信號線.
-^4 ，S108、在玻璃基板上鍍上絕緣層進行保護；S109、在預設的銦錫金屬氧化物ITO像素電極區(qū)域鍍上ITO像素電極，除去漏極上方的部分絕緣層，將漏極與ITO像素電極連接。參見圖3，為該方法生產(chǎn)出的一種顯示面板的信號線區(qū)域的具體結(jié)構(gòu)圖；該圖中各個附圖標記具體含義如下01、玻璃基板；02、柵極金屬；03、柵絕緣層；04、半導體層；05、摻雜半導體；06、信號線；07、絕緣層。在發(fā)生DO后，信號線06斷開處下方有本發(fā)明設計的柵極金屬02，信號線斷開處沿線方向前后可以看作是源極和漏極，因此在斷開處及其附近可以等效為一個場效應管。為柵極金屬02提供電壓，即為提供了該等效場效應管的柵極電壓，于是在源極和漏極之間下方的半導體材料中形成了載流子的溝道，所述加載在柵極金屬02的電壓的大小用以調(diào)節(jié)溝道的形狀，當提供的電壓足夠大時(通常將該電壓的閾值定義為Vgh)，該等效場效應管導通。如圖4所示。綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，用于解決高清顯示面板常見的DO不良問題，提聞了良品率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，其特征在于，包括玻璃基板、信號線，以及信號線下方的柵絕緣層，該顯示面板還包括位于該柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該顯示面板還包括用于將所述柵極金屬層與柵極高壓相連的連接線。
3.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1或2所述的顯示面板。
4.一種用于生產(chǎn)權(quán)利要求1或2中的顯不面板的掩模板,其特征在于，該掩模板在預設的信號線區(qū)域不透光。
5.—種顯不面板的制作方法,其特征在于,該方法包括使用物理氣相沉積的方法，在玻璃基板上形成柵極金屬層；為該柵極金屬層設置用于連接柵極高壓的連接線；在柵極金屬層上涂附光刻膠，并使用在預設的信號線區(qū)域不透光的掩模板對該光刻膠進行曝光；顯影并刻蝕該柵極金屬層；在柵極金屬層上分別形成柵絕緣層、半導體層并摻雜半導體、源漏金屬層以及絕緣層。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成源漏金屬層后，該方法還包括光刻并刻蝕柵極金屬上方的源漏金屬層，形成源極和漏極。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成絕緣層后，該方法還包括在預設的銦錫金屬氧化物ITO像素電極區(qū)域鍍上ITO像素電極，除去漏極上方的部分絕緣層，將漏極與ITO像素電極連接。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵極高壓，為該顯示面板的薄膜場效應晶體管TFT的開啟電壓Vgh。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板及其制作方法，用以在信號線發(fā)生斷開時，信號線的信號也能夠傳輸?shù)较袼貑卧?。該顯示面板包括玻璃基板、信號線，以及信號線下方的柵絕緣層，該顯示面板還包括位于信號線下方的柵絕緣層和玻璃基板之間的柵極金屬，以及用于將所述柵極金屬與柵極高壓相連的連接線。本發(fā)明避免了因信號線斷開導致的顯示不良問題，提高了良品率。
文檔編號H01L27/12GK103022050SQ20121053780
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者張洪林, 董霆 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司