專利名稱：三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池及其制作方法
三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池及其制作方法技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別是涉及一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池及其制作方法。
背景技術(shù)：
在上個(gè)世紀(jì)70年代引發(fā)的能源危機(jī)刺激下，也在空間飛行器能源系統(tǒng)的需求牽引下，光伏技術(shù)領(lǐng)域不斷取得突破。晶體硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、III- V族化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池、II -VI族化合物半導(dǎo)體多晶薄膜太陽(yáng)能電池等，越來(lái)越多的太陽(yáng)能電池技術(shù)日趨成熟。光電轉(zhuǎn)換效率的不斷提高及制造成本的持續(xù)降低，使得光伏技術(shù)在空間和地面都得到了廣泛的應(yīng)用。
回顧光伏技術(shù)在最近10年的發(fā)展，在效率提高方面，多結(jié)級(jí)聯(lián)式的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)是最引人矚目的。2007年InGaP/ (In)GaAs/Ge三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池大規(guī)模生產(chǎn)的平均效率已經(jīng)接近30%。在240倍聚光下，這種多結(jié)太陽(yáng)能電池的實(shí)驗(yàn)室AMI. 5D效率已經(jīng)超過(guò)了 40%。理論上來(lái)說(shuō)，結(jié)數(shù)越多，效率越高。但在實(shí)踐上，很難找到在帶隙寬度上如此理想搭配，晶格常數(shù)又非常匹配的兩種材料來(lái)實(shí)現(xiàn)整體級(jí)聯(lián)電池。因此，目前的多結(jié)電池結(jié)構(gòu)主要有兩種思路一是優(yōu)先考慮晶格匹配而將光電流匹配放在次要的位置。采用晶格匹配的設(shè)計(jì)，兩結(jié)GalnP/GaAs電池的效率達(dá)到了 30%以上。但晶格匹配的電池結(jié)構(gòu)由于其確定的帶隙能量，限制了太陽(yáng)光的光電流的匹配，使得它不能實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)電池的全光譜吸收利用。 例如,對(duì)于晶格匹配的GalnP/GaAs/Ge三結(jié)太陽(yáng)電池，底電池Ge上的光電流密度為上兩層電池光電流密度的兩倍，從而限制了效率的提升。二是優(yōu)先考慮多結(jié)結(jié)構(gòu)的光電流匹配而采用晶格失配的生長(zhǎng)方式，從2005年開(kāi)始，國(guó)際上幾個(gè)著名的研究組，比如NREL，Emc0re以及日本的豐田、夏普等越來(lái)越多地關(guān)注晶格失配的太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的研究。通過(guò)帶隙能量的調(diào)整，利用倒置方法生長(zhǎng)的InGaAs/ (In)GaAs/InGaP電池的效率從2007年的38. 9% (81 倍聚光，AMI. 5D)提高至IJ 2008年的40. 8% (326倍聚光，AMI. 5G)。最近德國(guó)夫瑯和費(fèi)研究所的Eicke Weber教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組將三結(jié)GalnP/GalnAs/Ge太陽(yáng)電池效率提高到了 41. 1%。
盡管晶格失配太陽(yáng)電池研究取得了很大的進(jìn)展，但晶格失配的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)依賴于高質(zhì)量的材料生長(zhǎng)，而大的晶格失配必然帶來(lái)的位錯(cuò)增加會(huì)大大增加非輻射復(fù)合從而降低電池效率，因此，目前晶格匹配生長(zhǎng)的太陽(yáng)電池仍然保持了最高的光電轉(zhuǎn)換效率。晶格匹配生長(zhǎng)的三結(jié)GalnP/InGaAs/Ge太陽(yáng)電池中，中間的InGaAs電池的光電流密度相對(duì)于其它兩結(jié)是最低的，因此，這從理論上限制了晶格匹配生長(zhǎng)的三結(jié)太陽(yáng)電池的效率。如果能提高此結(jié)電池的光電流密度,必將提升整個(gè)三結(jié)電池的效率。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池及其制作方法，以提高中間層電池的光電流密度，在晶格匹配生長(zhǎng)的多結(jié)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了完美的光電流匹配，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)全光譜的充分吸收、提高光生載流子的產(chǎn)生效率和促進(jìn)電子-空穴分離。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案本申請(qǐng)公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，包括底層的Ge電池、中間層的InGaAs電池以及頂層的(Al) GaInP電池，其中，所述中間層的InGaAs電池內(nèi)嵌有In (Ga)As量子點(diǎn)。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述InGaAs電池包括基極和發(fā)射極,所述In (Ga) As 量子點(diǎn)位于所述基極和發(fā)射極之間。
相應(yīng)地，本發(fā)明還公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其中，利用分子束外延的生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)三結(jié)(Al)GaInP/InGaAs/Ge太陽(yáng)能電池，并在InGaAs電池內(nèi)嵌入In (Ga) As生長(zhǎng)量子點(diǎn)。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述制作方法具體包括依次生長(zhǎng)Ge電池、InGaAs電池的基極、In (Ga) As量子點(diǎn)、InGaAs電池的發(fā)射極、(Al) GaInP 電池。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述制作方法具體包括1)在MBE系統(tǒng)中，在P型Ge襯底上通過(guò)磷擴(kuò)散的方法生長(zhǎng)GalnP，生成單結(jié)Ge電池，并生長(zhǎng)第一隧道結(jié)；2)在單結(jié)Ge電池上生長(zhǎng)InGaAs電池的基極，用自組織生長(zhǎng)模式淀積3 20層In(Ga) As量子點(diǎn),然后生長(zhǎng)InGaAs電池的發(fā)射極；3)在步驟2生長(zhǎng)的雙結(jié)InGaAs/Ge電池上外延生長(zhǎng)第二隧道結(jié)，并生長(zhǎng)頂層的(Al) GaInP電池。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述步驟2中，In (Ga) As量子點(diǎn)的生長(zhǎng)溫度為450-520度，生長(zhǎng)速率為O. 1-0. 4 ml/s。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述第一隧道結(jié)為P+InGaAs/ n+InGaAs。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述第二隧道結(jié)為p+AlGaAs/ n+GalnP。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述Ge電池的帶隙能量為 O.67eV。
優(yōu)選的，在上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法中，所述(Al) GaInP電池的帶隙能量為I. 9eV。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明在傳統(tǒng)晶格匹配的三結(jié)(Al)GaInP/ InGaAs/Ge電池中內(nèi)嵌In(Ga)As量子點(diǎn)，通過(guò)量子點(diǎn)材料對(duì)低能光子的吸收及載流子的分離，充分利用量子點(diǎn)的層間耦合，量子點(diǎn)密度影響量子效率及太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的多結(jié)結(jié)構(gòu)與新型量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的有效結(jié)合，獲得光電流匹配的三結(jié)電池的帶隙設(shè)計(jì)和調(diào)控，更大限度地實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光低能光譜的吸收，從而提高其轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明有效解決了光電流密度相對(duì)于其他兩結(jié)較低的中間結(jié)InGaAs電池對(duì)三結(jié)電池效率的限制。實(shí)現(xiàn)三結(jié)電池整體光電流密度的提高。


為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下， 還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖I所示為本發(fā)明具體實(shí)施例中三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
基于傳統(tǒng)的三結(jié)匹配太陽(yáng)電池在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的成功，如果能提高中間結(jié)電池的光電流密度，必將對(duì)三結(jié)太陽(yáng)電池效率的提升起到一個(gè)很好的作用。而量子點(diǎn)已經(jīng)被證明可以作為非常好的中間能帶來(lái)吸收低于(In)GaAs帶隙的低能光子。在傳統(tǒng)匹配生長(zhǎng)的三結(jié) (Al)GaInP/InGaAs/Ge太陽(yáng)電池的基礎(chǔ)上，在InGaAs電池材料中生長(zhǎng)一層InGaAs量子點(diǎn)， 利用量子點(diǎn)對(duì)低能光子的吸收所產(chǎn)生的光電流對(duì)InGaAs電池部分的貢獻(xiàn)，將獲得比傳統(tǒng)三結(jié)電池更高的光電流密度，實(shí)現(xiàn)更高的光電轉(zhuǎn)換效率。
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，包括底層的Ge電池、 中間層的InGaAs電池以及頂層的(Al) GaInP電池，所述中間層的InGaAs電池內(nèi)嵌有In (Ga) As量子點(diǎn)。
In (Ga) As量子點(diǎn)中In的含量?jī)?yōu)選大于40%。
需要說(shuō)明的是，(Al)GaInP 是指 GaInP 或 AlGaInP, In(Ga)As 是指 InAs 或 InGaAs。
優(yōu)選的,所述InGaAs電池包括基極和發(fā)射極,所述In (Ga) As量子點(diǎn)位于所述基極和發(fā)射極之間。
本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，利用分子束外延的生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)三結(jié)(Al)GaInP/InGaAs/Ge太陽(yáng)能電池，并在InGaAs電池內(nèi)嵌入In (Ga)As 生長(zhǎng)量子點(diǎn)。
優(yōu)選的，上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法具體包括依次生長(zhǎng)Ge電池、 InGaAs電池的基極、In (Ga) As量子點(diǎn)、InGaAs電池的發(fā)射極、(Al) GaInP電池。
上述制作方法進(jìn)一步具體包括1)在MBE系統(tǒng)中，在P型Ge襯底上通過(guò)磷擴(kuò)散的方法生長(zhǎng)GalnP，生成單結(jié)Ge電池，并生長(zhǎng)第一隧道結(jié)；2)在單結(jié)Ge電池上生長(zhǎng)InGaAs電池的基極，用自組織生長(zhǎng)模式淀積3 20層In(Ga) As量子點(diǎn),然后生長(zhǎng)InGaAs電池的發(fā)射極；3)在步驟2生長(zhǎng)的雙結(jié)InGaAs/Ge電池上外延生長(zhǎng)第二隧道結(jié)，并生長(zhǎng)頂層的(Al) GaInP電池。
在上述制作方法中，In (Ga)As量子點(diǎn)的生長(zhǎng)溫度為450-520度，生長(zhǎng)速率為 O. 1-0. 4 ml/s ;第一隧道結(jié)為 P+InGaAs/n+InGaAs ;第二隧道結(jié)為 p+AlGaAs/n+GalnP ；Ge 電池的帶隙能量為O. 67eV ； (Al) GaInP電池的帶隙能量為I. 9eV。
在其他實(shí)施例中，也可以米用M0CVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition ，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀)方法生長(zhǎng)三結(jié)(Al) GalnP/InGaAs/Ge太陽(yáng)能電池。
本發(fā)明實(shí)施例中的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，將傳統(tǒng)的多結(jié)太陽(yáng)電池與量子點(diǎn)太陽(yáng)電池在提高電池效率方面的理論預(yù)期相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)寬光譜吸收的光電流匹配的帶隙的完美設(shè)計(jì)，從而有效提高太陽(yáng)電池效率；其次，基于MBE設(shè)備在量子點(diǎn)的生長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，設(shè)計(jì)生長(zhǎng)全新結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池；再者，通過(guò)InGaAs量子點(diǎn)對(duì)低于中間電池材料帶隙能量的吸收，解決了中間結(jié)InGaAs電池的光電流密度對(duì)于其它兩結(jié)電池電流密度限制的難題。
為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
參圖I所示，三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池包括Ge電池10、第一隧道結(jié)20、InGaAs電池30、 第二隧道結(jié)40、(Al) GaInP電池50和接觸層60。
Ge 電池 10 為 Ge 基 pn 結(jié)電池；第一隧道結(jié) 20 為 P+InGaAs/n+InGaAs ；InGaAs 電池30包括在第一隧道結(jié)20上依次形成的背場(chǎng)層31、InGaAs電池基極32、In (Ga) As量子點(diǎn)33、InGaAs電池發(fā)射極34、以及窗口層35，其中，背場(chǎng)層31的材料為AlGaAs，窗口層35 材料為GaInP ;第二隧道結(jié)40為p+AlGaAs/n+GalnP ;接觸層60的材質(zhì)優(yōu)選為GaAs。
上述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法具體包括如下步驟I)制作底層Ge電池10。
具體做法是在P型Ge襯底上生長(zhǎng)GaInP緩沖層，在MBE (分子束外延生長(zhǎng))系統(tǒng)中，通過(guò)高溫下向Ge中的擴(kuò)散磷(P)形成Ge的pn單結(jié)電池。并生長(zhǎng)P+InGaAs/n+InGaAs 作隧道結(jié)。
2)在Ge基的pn單結(jié)電池上制作中間結(jié)InGaAs電池30。
具體做法是先生長(zhǎng)AlGaAs背場(chǎng)層31，再生長(zhǎng)InGaAs電池基極32，然后用S-K生長(zhǎng)模式(自組織生長(zhǎng))淀積3 20層In (Ga)As量子點(diǎn)33，其生長(zhǎng)溫度大約為45(Γ520度，生長(zhǎng)速率為O. Γ0. 4ml/s。通過(guò)控制量子點(diǎn)的生長(zhǎng)溫度和生長(zhǎng)速率控制量子點(diǎn)的大小和均勻性。最后生長(zhǎng)InGaAs電池發(fā)射極34以及GaInP窗口層35。
3)在已制作完成的雙結(jié)InGaAs/Ge電池上外延生長(zhǎng)頂層(Al) GaInP電池50。
具體做法是在雙結(jié)InGaAs/Ge電池上外延生長(zhǎng)p+AlGaAs/n+GalnP作為上兩結(jié)電池的隧道結(jié)，并生長(zhǎng)頂層(Al) GaInP電池。
生長(zhǎng)完之后的太陽(yáng)電池采用標(biāo)準(zhǔn)的太陽(yáng)電池工藝流片，還包括一系列還包括一系列尺寸外形及適于安裝的封裝工藝步驟，以完成內(nèi)嵌量子點(diǎn)三結(jié)太陽(yáng)電池的制作。
綜上所述，本發(fā)明在傳統(tǒng)晶格匹配的三結(jié)(Al) GalnP/InGaAs/Ge電池中內(nèi)嵌 In(Ga)As量子點(diǎn)，通過(guò)量子點(diǎn)材料對(duì)低能光子的吸收及載流子的分離，充分利用量子點(diǎn)的層間耦合，量子點(diǎn)密度影響量子效率及太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的多結(jié)結(jié)構(gòu)與新型量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的有效結(jié)合，獲得光電流匹配的三結(jié)電池的帶隙設(shè)計(jì)和調(diào)控，更大限度地實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光低能光譜的吸收，從而提高其轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明有效解決了光電流密度相對(duì)于其他兩結(jié)較低的中間結(jié)InGaAs電池對(duì)三結(jié)電池效率的限制。實(shí)現(xiàn)三結(jié)電池整體光電流密度的提高。
需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
以上所述僅是本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯?，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，包括底層的Ge電池、中間層的InGaAs電池以及頂層的(Al)GaInP電池，其特征在于所述中間層的InGaAs電池內(nèi)嵌有In (Ga) As量子點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，其特征在于所述InGaAs電池包括基極和發(fā)射極，所述In (Ga)As量子點(diǎn)位于所述基極和發(fā)射極之間。
3.權(quán)利要求I或2所述三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于利用分子束外延的生長(zhǎng)方法生長(zhǎng)三結(jié)(Al)GaInP/InGaAs/Ge太陽(yáng)能電池，并在InGaAs電池內(nèi)嵌入In(Ga)As生長(zhǎng)量子點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述制作方法具體包括依次生長(zhǎng)Ge電池、InGaAs電池的基板、In (Ga)As量子點(diǎn)、InGaAs電池的發(fā)射極、(Al) GaInP電池。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述制作方法具體包括 1)在MBE系統(tǒng)中，在P型Ge襯底上通過(guò)磷擴(kuò)散的方法生長(zhǎng)GalnP，生成單結(jié)Ge電池，并生長(zhǎng)第一隧道結(jié)； 2)在單結(jié)Ge電池上生長(zhǎng)InGaAs電池的基極，用自組織生長(zhǎng)模式淀積3 20層In(Ga)As量子點(diǎn),然后生長(zhǎng)InGaAs電池的發(fā)射極； 3)在步驟2生長(zhǎng)的雙結(jié)InGaAs/Ge電池上外延生長(zhǎng)第二隧道結(jié)，井生長(zhǎng)頂層的(Al)GaInP電池。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述步驟2中，In (Ga) As量子點(diǎn)的生長(zhǎng)溫度為450-520度，生長(zhǎng)速率為O. 1-0.4 ml/s。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述第一隧道結(jié)為 P+InGaAs/n+InGaAs。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述第二隧道結(jié)為 p+AlGaAs/n+GalnP。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述Ge電池的帶隙能量為O. 67eV。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于所述(Al)GaInP電池的帶隙能量為I. 9eV。
全文摘要
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池，包括底層的Ge電池、中間層的InGaAs電池以及頂層的(Al)GaInP電池，所述中間層的InGaAs電池內(nèi)嵌有In(Ga)As量子點(diǎn)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制作方法。本發(fā)明在傳統(tǒng)晶格匹配的三結(jié)(Al)GaInP/InGaAs/Ge電池中內(nèi)嵌In(Ga)As量子點(diǎn)，通過(guò)量子點(diǎn)材料對(duì)低能光子的吸收及載流子的分離，充分利用量子點(diǎn)的層間耦合，量子點(diǎn)密度影響量子效率及太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的多結(jié)結(jié)構(gòu)與新型量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的有效結(jié)合，獲得光電流匹配的三結(jié)電池的帶隙設(shè)計(jì)和調(diào)控，更大限度地實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光低能光譜的吸收，從而提高其轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK102983203SQ20121049288
公開(kāi)日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者代盼, 陸書(shū)龍, 楊輝 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所