專利名稱：用于晶片級相機的晶片間隔片及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明關于一種晶片級相機、用于晶片級相機的晶片間隔片及其制造方法，特別關于一種利用添加制造(additive manufacturing)技術的晶片間隔片及其制造方法。
背景技術：
于晶片級相機的領域中，晶片間隔片透過環(huán)氧樹脂與固體基板(如:玻璃晶片)接合，并與固體基板對齊設置。上述的步驟多數于透鏡制造于固體晶片前完成。然而環(huán)氧樹脂必須使用于晶片間隔片及固體晶片之間，且不可設置于任何間隔片的孔洞內，因此于工藝上有其困難度。而且，不均勻的鍵結可能導致多種不同的間隔片厚度。已知用于晶片級相機的晶片間隔片多數以于玻璃晶片上鉆孔而制成。鉆孔方式多數以雷射切割(laser cutting)為主,其它方式如加砂水刀切割(abrasivewater jetcutting)、噴砂(sandblasting)及化學蝕刻(chemical etching)等亦可使用。其中，雷射切割的方式較為昂貴，特別是當用于制作晶片級相機的晶片間隔片的總制造成本中，涵蓋了 80%的部分用于雷射鉆孔的情形。另外，當需要一組新的數組間距或孔洞直徑時，可能需耗費數周甚至更長的時間去形成間隔片，以至于雷射切割方式相當耗時，尤其是在透鏡設計及發(fā)展的快速成形等方面。另外，在已知的技術中，間隔片的厚度會受到標準玻璃晶片厚度的限制。

發(fā)明內容
本發(fā)明已克服上述的已知技術的缺點，以下將詳述本發(fā)明的內容。在一實施態(tài)樣中揭露本發(fā)明的一種制造用于晶片級相機的晶片間隔片的方法。此方法包括設置一基材于一添加制造裝置，以及利用添加制造方法，于所述基材上形成用于所述晶片級相機的所述晶片間隔片。在另一實施態(tài)樣中揭露本發(fā)明的一種晶片級相機的子系統的制造。此方法包括設置一基材于一添加制造裝置，以及利用添加制造方法，于所述基材上形成用于所述晶片級相機的所述晶片間隔片。


圖1為于口袋結構中形成透鏡的剖面示意圖；圖2為一透鏡鏡片的剖面示意圖；圖3為依據本發(fā)明一實施例的一上表面以添加制造方式設置有晶片間隔片的透鏡鏡片的剖面示意圖；圖4為一雙面透鏡鏡片的剖面示意圖；圖5為依據本發(fā)明一實施例的一種具有于上表面及底面以添加制造方式形成的晶片間隔片的雙面透鏡鏡片的剖面示意圖；圖6為依據本發(fā)明一實施例的一種利用添加制造方式形成于犧牲層的晶片間隔片的剖面示意圖；圖7為依據本發(fā)明一實施例的一種由犧牲層分離的獨立晶片間隔片的剖面示意圖；圖8為依據本發(fā)明一實施例的一種利用添加制造方式形成的獨立晶片間隔片的平面示意圖；圖9為依據本發(fā)明一實施例的利用熔融擠制成型系統及/或工藝于添加制造方式形成晶片間隔片的剖面示意圖；圖10為依據本發(fā)明一實施例的利用選擇性雷射燒結及/或直接金屬雷射燒結系統及/或工藝于添加制造方式形成晶片間隔片的剖面示意圖；以及圖11為依據本發(fā)明一實施例的利用立體微影技術系統及/或工藝于添加制造方式形成晶片間隔片的剖面示意圖。主要元件符號說明:10、54、74:基材12、62、73、75、92:晶片間隔片14:輔具16、52、72:透鏡18、68、78、79、98:穿孔200:熔融擠制成型系統202、302、310、402:平臺204:噴嘴206:控制器及供電單22:凹凸塊24:箭頭300:選擇性雷射燒結系統304:掃描系統305、307 雷射光306:雷射機器308:粉末312:滾輪400:立體微影技術系統404:雷射掃描系統405:聚焦雷射光406:雷射407:紫外光雷射光408:光硬化樹脂409:槽50、70:透鏡鏡片77:下表面53、81:上表面
60,80:裝置或結構62a、62b、62c、62d:層90:犧牲層
具體實施例方式本發(fā)明揭露制造一種用于晶片級相機的晶片間隔片添加制造系統及/或工藝。添加制造技術為一種由立體模型數據庫添加材料的方式去制造物體，通常為一層接著一層迭置。其與傳統將物質移除的減去制造法(subtractivemanufacturing methodologies)原理相反。由于添加制造技術通常于一次僅形成一層，因此又稱做「層造法」。本發(fā)明揭露一種用于晶片級相機的晶片間隔片，其利用光微影工藝及微制造技術直接設置在一基板或玻璃晶片上。另外，本發(fā)明還揭露一種利用光微影工藝及微制造技術于一犧牲層上形成晶片間隔片后，再將晶片間隔片自犧牲層上分離獨立的晶片間隔片，其中犧牲層可為聚丙烯(polypropyl ene)或臘。形成晶片間隔片的層積材料可直接連結于基材上，例如玻璃及/或犧牲層，因此并不需要鍵結物或連結物。由于晶片間隔片是一次形成一層，完成的整體厚度并不局限于標準玻璃厚度。唯一的厚度限制是關于單一層的厚度，亦即，一般而言，整體厚度為單一層厚度的約略加總值。根據部分實施例，各別添加的厚度約為16 μ m，因此，整體厚度大約為16 μ m的整數倍。此設計可增加晶片級相機于選擇間隔片厚度的彈性。同時，許多添加材料可為鉆石車削制成，利用此方式形成的晶片間隔片可具有較佳的平坦度以及厚度控制。另外，利用添加制造技術，本發(fā)明的晶片間隔片相較于連結玻璃晶片間隔片，可以較短的時間以及較低的成本制成。在晶片級相機中，「于口袋結構中形成透鏡(lens in a pocket, LIAP)」意指于將一基材以及一晶片間隔片連結后，于晶片間隔片上的孔洞內制造的透鏡。晶片間隔片以及基材基本上皆以玻璃制成，且晶片間隔片以穿孔的圖案形成，其中，所述數組或圖案是在玻璃晶片間隔片上以雷射鉆孔形成。晶片及晶片間隔片相互以環(huán)氧樹脂連結材料連結并排列。玻璃基材的孔洞圖案的排列方式依據光學組件(如:透鏡)可形成于其內。圖1為于口袋結構中形成透鏡的剖面示意圖，請參考圖1所示，一晶片間隔片12連結于一晶片或基材10，其中晶片間隔片12與晶片或基材10皆例如但不限于以玻璃制成。如上所述，晶片間隔片12利用如環(huán)氧樹脂等材料與玻璃晶片或基材10連結。晶片間隔片12形成至少一個穿孔18，穿孔18可供透鏡于其中形成并設置。基本上，晶片間隔片12會形成穿孔18的排列圖案，以使多數透鏡16可形成并設置于晶片或基材10上。透鏡16由一輔具14協助而形成于晶片或基材10的上表面.其中，輔具14通常以聚二甲基娃氧燒(polydimethylsiloxane, PDMS)制成,其為一種以娃為基礎的化合物。透鏡16通常以一光學材料，如紫外光硬化型聚合物(例如:環(huán)氧樹脂)制成。透鏡聚合物以聚二甲基硅氧烷輔具14的凹凸塊22于晶片或基材10的上表面進行模壓以及沖壓，其運作方向如箭頭24所不朝向晶片或基材10的上表面移動。透鏡鏡片為一已形成并設置有透鏡的基材(如:玻璃晶片)的光學結構，相反的，上述的于口袋結構中形成透鏡的結構，其于晶片間隔片與基材連結后，使透鏡設置于晶片間隔片的孔內。其中，所述透鏡通過聚二甲基娃氧燒的奈米壓印(nanoimprint lithography)或雷射刻蝕(laser ablation)等方式形成于基材上。圖2為透鏡鏡片50的剖面示意圖。如圖2所示，透鏡鏡片50包括一或多個透鏡52，透鏡52形成于基材54的上表面53，其中基材54可為一玻璃晶片。如圖2所示，本發(fā)明可應用于使一晶片間隔片形成于一單面的透鏡鏡片上。另外，本發(fā)明可應用于使多數個晶片間隔片，如兩個晶片間隔片.形成于一雙面的透鏡鏡片上。圖3為依據本發(fā)明一實施例的一上表面以添加制造方式設置有晶片間隔片的透鏡鏡片的剖面示意圖。請參考圖3所示，一裝置或結構60包括一透鏡鏡片50 (如圖2所示)，透鏡鏡片50包括一具有透鏡52或其它構造(如:光學設置點)的基材54。于本實施例中，透鏡鏡片50的基材54用以作為添加制造方式形成的晶片間隔片62的基材。晶片間隔片62形成于基材54的上表面53，且晶片間隔片62圍繞著透鏡52制造以形成穿孔68的圖案。晶片間隔片62是一次形成一層,舉例而言,層62a形成于基材54的上表面53,而層62b接著形成于層62a上，層62c接著形成于62b之上，而層62d同樣接這形成于62c之上，以此類推。于形成晶片間隔片62的過程中，層62a 層62d并不明顯。圖4為雙面透鏡鏡片70的剖面示意圖，如圖4所示，雙面透鏡鏡片70包括一或多個透鏡72、甚至是其它組件或結構(如:光學設置點)分別設置于基材74的單或雙面77、81。如上所述，本發(fā)明可應用于使晶片間隔片形成于雙面透鏡鏡片70的兩個表面。圖5為依據本發(fā)明一實施例的一種具有于上表面81及下表面77以添加制造方式形成的晶片間隔片的雙面透鏡鏡片70的剖面示意圖，請參考圖5所示，一裝置或結構80包括一透鏡鏡片70，而透鏡鏡片70包括一具有透鏡72或其它組件或結構(如:光學設置點)的基材74。于本實施例中，透鏡鏡片70的基材74是應用于添加制造方式以制造晶片間隔片73、75的基材。其中，添加制造方式可分為兩個階段，分別用于透鏡鏡片70的其中一面。亦即，添加制造方式的第一階段可用以使晶片間隔片73形成于透鏡鏡片70的基材74的上表面81，而添加制造方式的第二階段則可使晶片間隔片75形成于下表面77。上述的兩個晶片間隔片73、75分別圍繞著透鏡72設置，以形成各自的穿孔78、79布設的圖案。于本實施例中，晶片間隔片73、75分別直接的設置于基材的上表面81及下表面77。與本發(fā)明不同處在于，已知用于形成雙面透鏡鏡片的技術首先將第一晶片間隔片連結于玻璃基材，將其翻轉，并使環(huán)氧樹脂涂布于玻璃基材上僅有玻璃的一側，最后再將第二晶片間隔片與第一晶片間隔片對齊并結合。前述的實施例關于將晶片間隔片形成于如玻璃基材等基材上，而所述基材上還設置有光學組件如透鏡、光學設置點等。本發(fā)明還可應用于無須永久或直接設置于玻璃基材上的獨立晶片間隔片。于本實施例中，晶片間隔片可形成于一犧牲材料，而無需設置于如前述實施例的玻璃基材上。圖6為依據本發(fā)明一實施例的一種利用添加制造方式形成于犧牲層90的晶片間隔片92的剖面示意圖。于此所述的犧牲層90取代或形成于上述的基材或玻璃晶片的位置。亦即，于本實施例中，晶片間隔片92與形成于上述的玻璃基材相同的方式形成于犧牲層90,晶片間隔片92可形成穿孔98的圖案。
于部分實施例中，犧牲層90以可快速從晶片間隔片92移除的材料制成。例如，犧牲層90可由聚丙烯(polypropylene)、臘支撐材料或其它可快速溶解或移除的支撐材料。圖7為依據本發(fā)明一實施例的一種由犧牲層90分離的獨立晶片間隔片92的剖面示意圖。犧牲層90可以異丙醇(isopropyl alcohol)、其它類似材料或熱等方式移除，并留下獨立的晶片間隔片92,其中，獨立的晶片間隔片92可形成穿孔98的圖案。圖8為依據本發(fā)明一實施例的一種利用添加制造方式形成的獨立晶片間隔片92的平面不意圖，如圖8所不，晶片間隔片92形成穿孔98的圖案。本發(fā)明可應用于以下數種添加制造系統及/或工藝形成晶片間隔片。上述添加制造系統及/或工藝可例如但不限于直接金屬雷射燒結(direct metallasersintering, DMLS)、選擇性雷射燒結(selective laser sintering, SLS)、熔融擠制成型(fused deposition modeling, FDM)>熱溶解添加法(fusedfi lamentfabri cat ion, FFF )> 立體微影技術(stereolithography, SLA)以及立體印刷(three-dimensional (3D) printing)的至少一種。一般而言，添加制造方法，包括建置一待制成的物體的立體模型。立體模型包括以數據定義物體的立體形狀。利用添加制造系統及/或工藝可將立體模型數據分解成多種剖面、碎片或是層的垂直堆棧。添加制造系統及/或工藝通過一次形成一層或一碎片，并按照垂直堆棧方式排列以制造物體，當所有的碎片或層被堆棧完成，物體即完成制造。圖9為依據本發(fā)明一實施例的利用熔融擠制成型系統及/或工藝200于添加制造方式形成晶片間隔片62、73、92的剖面示意圖，請參考圖9所示，熔融擠制成型系統200包括可供基材54、74或犧牲層90設置的一平臺202。本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92利用上述的熔融擠制成型系統200 —次形成一層而制造，熔融擠制成型系統200將散裝材料層層放置堆棧，其中，散裝材料可例如為塑料絲或金屬線。塑料絲或金屬線由一線圈解開并且提供一可調控的噴嘴組合的材料，其中所述噴嘴組合包括一噴嘴204以及一控制器及供電單元206。噴嘴204用于熔化上述的絲或線，并且可由數字控制機制于三維方向移除，三維方向包括水平、垂直、傾斜以及旋轉等方向。當塑料或金屬自噴嘴擠出并立即硬化時，絲或線會擠壓出小顆粒形成層而制造出晶片間隔片62、73、92。于部分實施例中，步進馬達(st印permotor)或伺服馬達(servo motor)可應用于移動噴嘴204以形成垂直堆棧層。另于其它實施例中，平臺202為可于水平方向、垂直方向、傾斜方向以及旋轉方向移動控制以形成垂直堆棧層。步進馬達或伺服馬達可用于移動平臺202。圖10為依據本發(fā)明一實施例的利用選擇性雷射燒結及/或直接金屬雷射燒結系統及/或工藝300于添加制造方式形成晶片間隔片62、73、92的剖面示意圖，以下的內容關于選擇性雷射燒結，同樣可應用于直接金屬雷射燒結。請參考圖10所示，選擇性雷射燒結系統300包括可供基材54、74或犧牲層90設置的一平臺302，本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92利用上述的選擇性雷射燒結系統300 —次形成一層而制造，選擇性雷射燒結系統300利用高壓雷射，例如二氧化碳雷射，以將材料的小顆粒熔化成欲形成的立體形狀，同樣為一次一層，其中材料可例如為塑料、金屬、陶瓷或玻璃粉末。粉末308容置于平臺302的粉末床。雷射機器306提供雷射光307給掃描系統304，其中掃描系統304可將聚焦雷射光(focused laser light)掃描至粉末308。雷射光305通過掃描由立體模型提供的層或碎片，以選擇性的于粉末床將粉末308熔融。當每一剖面皆被掃描完成后，粉末床會通過平臺而被降低一層的厚度，新的粉末材料層可來自粉末供給物，例如為一滾輪312，并且不斷重復此動作至完成。一平臺310可調整粉末供給物的高度以確保于各層間涂布適當的粉末量。圖11為依據本發(fā)明一實施例的利用立體微影技術系統400于添加制造方式形成晶片間隔片的剖面示意圖，請參考圖11所示，立體微影技術屬于一種添加制造技術，其利用裝有液體的槽409、光硬化樹脂408 (例如紫外光硬化)、紫外光雷射406以及雷射掃描系統404來制造例如本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92等立體物。雷射406提供紫外光雷射光407于掃貓系統404,其中，掃貓系統404可將聚焦雷射光405掃描至液態(tài)樹脂的上表面408。雷射光405于液態(tài)樹脂的表面刻劃出剖面或圖案。當暴露于雷射光405可使上述刻劃于樹脂的圖案硬化，并且可使下層與其黏合。立體微影技術系統400包括可供基材54、74或犧牲層90設置的一平臺402。本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92利用上述的立體微影技術系統400 —次形成一層而制造，當圖案被刻劃出來，平臺402會被降低一層的厚度，接著，樹脂填補刀會掃過先前已完成的各層，并于其上涂布一層新鮮的液態(tài)樹脂408以形成新的一層。新的一層即由上述的液態(tài)樹脂層定義圖案并與先前的層連結，完整的立體晶片間隔片62、73、92即通過此方法形成。立體印刷是通過置放連續(xù)材料層以形成立體物體的一種添加制造技術。立體印刷包括大量不同的技術，其中，所述技術最大的不同在于層的堆棧方式。前述的系統或工藝，如熔融擠制成型、選擇性雷射燒結、直接金屬雷射燒結以及立體微影技術等，皆被視為立體印刷形成的技術。部分立體印刷系統或工藝利用熔化或軟化材料以形成各層，例如運用熔融擠制成型、選擇性雷射燒結以及直接金屬雷射燒結等方式。其它則利用不同技術硬化材料并進行編排，此類立體印刷則例如立體微影技術。另一種立體印刷則包括噴墨打印系統(inkjet printing system)或方法。此方法利用印刷機形成物體(如:晶片間隔片)，通過布設粉末及噴墨層一層層形成，并且形成晶片間隔片的剖面與碎片之間的連接物。此步驟不斷重復直到各層皆被印制出來。另外一種立體印刷的方式包括選擇性的將印刷媒介熔化于顆粒床，例如選擇性雷
射燒結或直接金屬雷射燒結。添加制造技術，例如立體印刷，其分辨率通常以一層的厚度以及X-Y軸的像素定義。一基本層的厚度大約為ΙΟΟμπι,而有部分商用印刷系統可印制16μηι的厚度。Χ_Υ軸分辨率與目前商用可達到的雷射印刷機為可比擬的。其中，粒子(如:立體粒子)的直徑約為 50 100 μ m。于部分實施例中，本發(fā)明的添加制造方法可運用一甚至多種添加制造系統(由美國的 3D Systems Corporation of Rock Hill, South Caroline 提供X本發(fā)明揭露多種可用于制造晶片間隔片的添加制造材料，于一特定的實施例利用一種用于Visijet EX200Plastic Material for 3-D Modeling (生產并銷售于 3DSystems Corporation of Rock Hill, South Caroline),然而此非限制性,其它材料亦可使用。無論是形成于基材上或是獨立形成，根據本發(fā)明的由添加制造技術形成的晶片間隔片62、73、92皆可加工至一預期的厚度。于部分特定實施例中，用于加工晶片間隔片62、73、92的方式可能為或包括鉆石車削(diamond turning)。鉆石車削為一種用于精密組件的加工方式，其運用配備有天然或合成的鉆石刀頭的車床(lathes)及其它衍生的工具，例如車統復合機(turn-mi I Is)、旋轉式傳輸機(rotary transfer)等,且單點鉆石車削(single-point diamondturning, SPDT)同樣也可應用在此工藝上。通過鉆石車削，晶片間隔片62、73、92可于鉆石車床上處理至一預期的厚度。于上述的過程中，晶片間隔片62、73、92固定于一真空夾頭并且以某特定的角速度(例如可為IOOOrpm)旋轉。刀具會沿著晶片間隔片62、73、92移動并使晶片間隔片形成一預期的厚度。若欲形成的晶片間隔片62、73、92的公差容許度較低，則可使用一般的CNC加工方式，例如可為端面切削(facing)、銑床(milling)或飛刀(fly cutting)等技術。各晶片間隔片62、73、92并不限定加工成單一厚度，其可視各特定系統需求而加工成不同的厚度。因此，晶片間隔片62、73、92可通過添加制造技術形成任意的預期厚度。此外，晶片間隔片62、73、92可于一基材利用添加制造形成一非均勻的厚度，進而改善因對焦誤差所產生的晶片級模塊生產問題。并且，晶片間隔片62、73、92可于一基材利用添加制造，然后加工形成一非均勻任意的厚度以改善因對焦誤差所產生的晶片級模塊生產問題。特別須說明的是，于本發(fā)明的敘述及圖示中，依據本發(fā)明所的形成于晶片間隔片的穿孔68、78、98及其它圖案皆以圓形孔洞以及垂直側壁為例說明，然而此非限制性。于其它實施例中，晶片間隔片62、73、92的穿孔68、78、98可依據所選的特定用途而形成為其它形狀，圓形并非限制性。特別是三角形的孔洞可依據本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92制造而成，另外，錐形或其它非直線壁的孔洞亦可依據本發(fā)明的晶片間隔片62、73、92制造而成。于本實施例中，晶片間隔片62、73、92無需使用環(huán)氧樹脂與玻璃晶片連結，具有減少組裝時間、無須使用環(huán)氧樹脂涂布機以及無須對準曝光機等優(yōu)點。于本實施例中，晶片間隔片62、73、92可形成于一凈空的或是一已定義圖案的基材上，其中，上述的已定義的圖案可例如為透鏡或光學設置點等。于本實施例中，間隔片材料的重料則必須減少以提升晶片級相機于摔落試驗(drop test)的可靠度。玻璃密度的范圍約為2.4 2.8g/cm3，而于立體印刷中的光硬化樹脂密度則約等于1.0g/cm3。于本實施例中，晶片間隔片62、73、92的厚度為步驟中形成的個曾獲個碎片的厚度的倍數。例如，一種于立體印刷系統即方法中可行的層厚度約為16 μ m。晶片間隔片62、73、92可為任意的厚度，此由于本發(fā)明所使用的材料皆可以些微的制造成本加工至預期的厚度。依據晶片間隔片62、73、92的厚度公差可選擇使用傳統或鉆石切割的刀具。由于一般玻璃晶片間隔片的標準厚度包括300、400、500、700及800 μ m,因此本發(fā)明較玻璃晶片間隔片在厚度的選擇上更具有優(yōu)勢。然而，一般的玻璃晶片間隔片可使用非標準的厚度，惟其所形成的成本會較高，且預先設定好的厚度會進一步限制光學設計。本發(fā)明提供厚度小于300 μ m的晶片間隔片62、73、92，此無法利用傳統的加工方法制造。目前，對于晶片級光學設計者而言，輕薄的晶片間隔片可減少其在光學設計上的限制。本發(fā)明還提供非均一的厚度的晶片間隔片62、73、92，非均一厚度的晶片間隔片可用于透鏡鏡片上自動對焦的校正?？珊饬康淖詣幼兘箍砂l(fā)生在透鏡鏡片，此由于形成透鏡時產生的非均一性壓力、形成主金屬模具時的鉆石工具耗損或其它工藝中的效果。上述的自動變焦通過透鏡后會具有較低的空間頻率，此可通過本發(fā)明進行修正。依據上述，本發(fā)明的晶片間隔片62、73、75、92可形成于基材200、300的上表面及下表面。據此，當通過添加制造技術形成第一片晶片間隔片62、73、92后，晶片間隔片62、73、92會連同基材54、74、90移開并翻面，晶片間隔片62、73、75、92再與基材54、74、90對齊后，再利用添加制造技術于基材54、74、90的另一面形成第二晶片間隔片62、73、92。于任一實施例或權利要求書所述，添加制造方法包括以下方法:直接金屬雷射燒結、選擇性雷射燒結、熔融擠制成型、立體微影技術以及立體印刷的至少一種。于任一實施例或權利要求書所述，基材為一犧牲層，且方法還包括:當于犧牲層上形成晶片間隔片后，移除犧牲層。于任一實施例或權利要求書所述，犧牲層包括聚苯乙烯。于任一實施例或權利要求書所述，犧牲層包括蠟。于任一實施例或權利要求書所述，晶片間隔片的厚度小于300 μ m。于任一實施例或權利要求書所述，晶片間隔片具有多種厚度。于任一實施例或權利要求書所述，方法還包括:加工晶片間隔片至一預期的厚度。于任一實施例或權利要求書所述，方法還包括以下步驟:于形成晶片間隔片前，先形成至少一個組件于基材。于任一實施例或權利要求書所述，組件包括一透鏡。于任一實施例或權利要求書所述，基材由玻璃制成。于任一實施例或權利要求書所述，方法還包括晶片間隔片的超精密加工。于任一實施例或權利要求書所述，晶片間隔片形成于基材的一第一表面，且方法還包括以下步驟:形成一第二晶片間隔片于基材的一第二表面，使第一晶片間隔片與第二晶片間隔片分別形成于基材的第一表面與第二表面。于任一實施例或權利要求書所述，添加制造方法還包括形成相迭的多數層，且一次僅形成一層。以上所述僅是舉例性，而非限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包括在權利要求所限定的范圍內。
權利要求
1.一種制造用于一晶片級相機的一晶片間隔片的方法，其特征在于，包括以下步驟: 設置一基材于一添加制造裝置；以及 利用添加制 造方法，于所述基材上形成用于所述晶片級相機的所述晶片間隔片。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述添加制造方法包括以下方法:直接金屬雷射燒結、選擇性雷射燒結、熔融擠制成型、立體微影技術以及立體印刷的至少一種。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材為一犧牲層，且所述方法還包括:當于所述犧牲層上形成所述晶片間隔片后，移除所述犧牲層。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述犧牲層包括聚苯乙烯。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，犧牲層包括蠟。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片間隔片的厚度小于300μπι。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片間隔片具有多種厚度。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 加工所述晶片間隔片至一預期的厚度。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟: 于形成晶片間隔片前，先形成至少一個組件于所述基材。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述組件包括一透鏡。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基材由玻璃制成。
12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括所述晶片間隔片的超精密加工。
13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片間隔片形成于所述基材的一第一表面，且所述方法還包括以下步驟: 形成一第二晶片間隔片于所述基材的一第二表面，使所述第一晶片間隔片與所述第二晶片間隔片分別形成于所述基材的第一表面與所述第二表面。
14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述添加制造方法還包括形成相迭的多數層，且一次僅形成一層。
15.一種晶片級相機的子系統，其特征在于，其根據以下的步驟制造: 設置一基材于一添加制造裝置；以及 利用添加制造方法，于所述基材上形成用于所述晶片級相機的所述晶片間隔片。
16.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述添加制造方法包括以下方法:直接金屬雷射燒結、選擇性雷射燒結、熔融擠制成型、立體微影技術以及立體印刷的至少一種。
17.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述基材為一犧牲層，且所述方法還包括:當于所述犧牲層上形成所述晶片間隔片后，移除所述犧牲層。
18.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述犧牲層包括聚苯乙烯。
19.根據權利要求17所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，犧牲層包括蠟。
20.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述晶片間隔片的厚度小于300 μ m。
21.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述晶片間隔片具有多種厚度。
22.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，還包括: 加工所述晶片間隔片至一預期的厚度。
23.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，還包括以下步驟: 于形成晶片間隔片前，形成至少一個組件于所述基材。
24.根據權利要求23所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述組件包括一透鏡。
25.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述基材包括一玻璃。
26.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，還包括所述晶片間隔片的超精密加工。
27.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述晶片間隔片形成于所述基材的一第一表面，且所述方法還包括以下步驟: 形成一第二晶片間隔片于所述基材的一第二表面，使所述第一晶片間隔片與所述第二晶片間隔片分別形成于所述基材的所述第一表面與所述第二表面。
28.根據權利要求15所述的晶片級相機的子系統，其特征在于，所述添加制造方法還包括形成相迭的多數層，且一次僅`形成一層。
全文摘要
一種用于晶片級相機的晶片間隔片及其制造方法，包括設置一基材于一添加制造裝置，以及利用添加制造方法，于基材上形成用于晶片級相機的晶片間隔片。此晶片間隔片是利用添加制造方法所形成。
文檔編號H01L27/146GK103107177SQ20121046044
公開日2013年5月15日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權日2011年11月15日
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