專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)和高分子發(fā)光二極管(Polymer Light-emitting Diode，PLED)，因其具有自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等獨(dú)特特點(diǎn)，預(yù)計(jì)今后幾年以O(shè)LED、PLED為基礎(chǔ)的顯示器將成為顯示領(lǐng)域的主流。OLED(或PLED)顯示背板包括基板、ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極等，其發(fā)光原理為電壓作用下，空穴與電子在發(fā)光層復(fù)合掉到較低的能帶上，放出能量與能隙相同的光子，其波長(zhǎng)(發(fā)光顏色)取決于發(fā)光層的能隙大小。發(fā)光層的制作通常采用打印技術(shù)，將液態(tài)的發(fā)光材料鋪滿特定的像素區(qū)域，然而現(xiàn)有高分辨率產(chǎn)品的像素尺寸一般為30 μ mX 180 μ m,打印形成的液滴直徑大于30 μ m，與像素的尺寸處于同一量級(jí)，因此，為保證打印后的液滴能順利、平整的鋪滿像素區(qū)域內(nèi)，同時(shí)避免液滴流到相鄰像素，目前傾向采用雙層膜結(jié)構(gòu)形成的像素界定層(Photo DefineLayer, PDL)，底層膜采用構(gòu)圖工藝在像素區(qū)域?qū)掗_(kāi)口，上層膜采用構(gòu)圖工藝在像素區(qū)域窄開(kāi)口，但是該方案不可避免要增加掩膜版使用數(shù)量，增加曝光工序，導(dǎo)致制造成本上升，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法，可保證打印形成的發(fā)光材料液滴可以平鋪于像素區(qū)域中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—種發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在所述基板上的像素界定層，所述像素界定層包括自下而上依次設(shè)置的第一感光性樹(shù)脂層、透明的第一界定層和透明的第二界定層；在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域，所述第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層和第二界定層均設(shè)置有開(kāi)口，且所述第一界定層的開(kāi)口小于所述第二界定層及所述第一感光性樹(shù)脂層的開(kāi)口，以形成下寬上窄的發(fā)光材料填充域。優(yōu)選地，所述第二界定層由疏水性材料形成。優(yōu)選地，所述第二界定層為硅氮化物薄膜。優(yōu)選地，所述第一界定層由親水性材料形成。優(yōu)選地，所述第一界定層為硅氧化物薄膜。
本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括所述的任一發(fā)光顯示背板。另一方面，本發(fā)明還提供一種發(fā)光顯示背板的像素界定層的制備方法，所述發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在所述基板上的像素界定層，所述方法包括依次形成第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層、第二界定層和第二感光性樹(shù)脂層，所述第一界定層和所述第二界定層均透明；進(jìn)行曝光，使每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述第二感光性樹(shù)脂層及其下方的所述第一感光性樹(shù)脂層均感光；去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的所述第二感光性樹(shù)脂層，暴露所述第一界定層；進(jìn)行刻蝕，使暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域形成開(kāi)口，其中，進(jìn)行刻蝕時(shí)，所述第二界定層的刻蝕速率小于所述第一界定層的刻蝕速率，以使所述第二界定層的開(kāi)口小于所述第一界定層的開(kāi)口。進(jìn)一步地，所述方法還包括去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的所述第一感光性樹(shù)脂層。優(yōu)選地，所述第二界定層由疏水性材料形成。優(yōu)選地，所述第二界定層為硅氮化物薄膜。優(yōu)選地，所述第一界定層由親水性材料形成。優(yōu)選地，所述第一界定層為硅氧化物薄膜?？蛇x地，采用干法刻蝕對(duì)暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層進(jìn)行刻蝕?？蛇x地，采用濕法刻蝕對(duì)暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層進(jìn)行刻蝕，且所使用的刻蝕液對(duì)硅氮化物的刻蝕速率比對(duì)硅氧化物的刻蝕速率小。本發(fā)明提供一種發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法，先依次形成第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層、第二界定層和第二感光性樹(shù)脂層；再增加光刻時(shí)的曝光量，使每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一、第二感光性樹(shù)脂層均感光；然后去除第二感光性樹(shù)脂層，并利用第一、第二界定層材料的不同刻蝕速率，將每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的像素界定層刻蝕為下寬上窄倒梯形的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可以保證打印時(shí)，發(fā)光材料的液滴可以平鋪于像素界定層的像素區(qū)域中，避免液滴飛濺或流到相鄰像素區(qū)，而且只需一次光刻工藝，降低了掩膜版的使用數(shù)量，從而降低了制造成本。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例一提供的發(fā)光顯示背板的俯視圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一發(fā)光顯示背板沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例二發(fā)光顯示背板的像素界定層的制備方法流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例二制備像素界定層中形成的各膜層示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例二制備像素界定層中各膜層的曝光示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例二制備像素界定層中去除感光的第二感光性樹(shù)脂層后像素界定層的示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例二制備像素界定層中進(jìn)行刻蝕后像素界定層的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明
10-基板，11-像素界定層，111-第一感光性樹(shù)脂層，112-第一界定層，113-第二界定層，114-第二感光性樹(shù)脂層，12-發(fā)光材料填充域，13-陽(yáng)極電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法，可保證打印時(shí)形成的發(fā)光材料液滴可以平鋪于像素界定層的像素區(qū)域中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)，而且只需一次光刻工藝，從而降低掩膜版使用數(shù)量，降低制造成本。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。此處所描述的具體實(shí)施方式
僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光顯示背板，如圖I、圖2所示，該背板包括基板10和設(shè)置在基板10上的像素界定層11，所述像素界定層11包括自下而上依次設(shè)置的第一感光性樹(shù)脂層111、透明的第一界定層112和透明的第二界定層113 ；在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域，第一感光性樹(shù)脂層111、第一界定層112和第二界定層113均設(shè)置有開(kāi)口，且第一界定層111的開(kāi)口小于第二界定層112及第一感光性樹(shù)脂層113的開(kāi)口，形成下寬上窄的發(fā)光材料填充域12。OLED (或PLED)發(fā)光顯示背板包括基板、ITO (Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極等。其中，在形成發(fā)光層時(shí)，對(duì)于OLED或PLED背板，尤其是高分辨率的顯示背板，發(fā)光材料經(jīng)由打印技術(shù)形成的液滴尺寸與背板像素的尺寸處于相同量級(jí)，因此打印需要很高的準(zhǔn)確度，同時(shí)打印時(shí)不可避免的會(huì)使得液滴打偏，從而導(dǎo)致顯示器RGB串色、Mura等缺陷的出現(xiàn)，為了避免以上缺陷的形成，本實(shí)施例先設(shè)置像素界定層11，再以打印的形式將發(fā)光材料填充至像素界定層11的像素區(qū)域，具體地，本實(shí)施例采用三層材料形成像素中有機(jī)發(fā)光材料的界定層(PDL)，其具體結(jié)構(gòu)包括最下層的第一感光性樹(shù)脂111，其上的第一界定層112以及最上層的第二界定層113。本實(shí)施例所述的像素界定層11設(shè)置在形成有ITO陽(yáng)極電極13的基板上，且所述像素界定層11設(shè)置有發(fā)光材料填充域12，具體地在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域，第一感光性樹(shù)脂層111、第一界定層112和第二界定層113均設(shè)置有開(kāi)口，且第一感光性樹(shù)脂層111及第一界定層112的開(kāi)口大，位于頂層的第二界定層113的開(kāi)口小，即第二界定層113的開(kāi)口孔徑L小于第一界定層112的開(kāi)口孔徑1，形成下寬上窄倒梯形的發(fā)光材料填充域12，這樣發(fā)光材料液滴一旦滴入或流入，就不易流出。本實(shí)施例中，發(fā)光材料填充域12的底部面積大但頂部開(kāi)口小，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)易于填充發(fā)光材料，可保證打印時(shí)的發(fā)光材料的液滴可以平鋪于像素界定層的像素區(qū)域中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)，而且只需一次光刻工藝即可形成(具體見(jiàn)實(shí)施例二)，可降低掩膜版使用數(shù)量，從而降低制造成本。其中，優(yōu)選地，上層的第二界定層113由疏水性材料形成，例如硅氮化物。發(fā)光材料液體滴在像素界定層11表面時(shí)，需能形成液滴，這樣在打印偏離像素區(qū)域時(shí)，發(fā)光材料液滴才能自動(dòng)流入發(fā)光材料填充域12，而發(fā)光材料能否在像素界定層11表面形成的液滴，取決于發(fā)光材料在像素界定層11表面的潤(rùn)濕特性，更深層次的原因取決于像素界定層11的表面能。本實(shí)施例像素界定層11的頂層即第二界定層113，選用疏水性材料形成，而現(xiàn)有發(fā)光材料一般為親水性，這樣發(fā)光材料在打印偏離像素區(qū)域時(shí)，即可形成液滴流入發(fā)光材料填充域12，無(wú)需對(duì)像素界定層11進(jìn)行表面處理，也無(wú)需增加設(shè)備投入，因此可降低成本，便于大規(guī)模生產(chǎn)。優(yōu)選地，下層的第一界定層112由親水性材料形成，例如硅氧化物。第一界定層112由親水性材料形成，而發(fā)光材料一般也為親水性，這樣當(dāng)發(fā)光材料液滴滴入或流入發(fā)光材料填充域12時(shí)，親水性材料形成的第一界定層112可以起到拉平發(fā)光材料液滴，使發(fā)光材料液滴平整地鋪滿像素區(qū)域的作用，從而改善發(fā)光顯示背板的發(fā)
光質(zhì)量。作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，第二界定層113為硅氮化物薄膜(SiNx，其中X取值為I 4/3)，參考厚度為200 300nm ;第一界定層為硅氧化物薄膜(SiOx，其中x取值為I
2)，參考厚度也為200 300nm。當(dāng)然，本實(shí)施例也不排除發(fā)光材料為疏水性材料的情況，這時(shí)優(yōu)選地，上層的第二界定層113由親水性材料形成，下層的第一界定層112由疏水性材料形成。本發(fā)明實(shí)施例所述發(fā)光顯示背板，因其上設(shè)置的像素界定層可以保證打印發(fā)光材料時(shí)，發(fā)光材料的液滴可以平鋪于像素界定層的像素中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)，從而改善發(fā)光顯示背板的發(fā)光質(zhì)量，避免顯示器出現(xiàn)RGB串色、Mura等缺陷，而且該像素界定層制作過(guò)程簡(jiǎn)單，可降低成本，便于大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種發(fā)光顯示背板，可改善發(fā)光質(zhì)量，避免出現(xiàn)RGB串色、Mura等缺陷，而且制作過(guò)程簡(jiǎn)單，可降低成本，便于大規(guī)模生產(chǎn)。所述顯示裝置可以為0LED面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光顯示背板的像素界定層的制備方法，所述發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在所述基板上的像素界定層，如圖3所示，該方法包括步驟201、依次形成第一感光性樹(shù)脂層111、第一界定層112、第二界定層113和第二感光性樹(shù)脂層114，所述第一界定層112和第二界定層113均透明，如圖4所示；本步驟形成最下層的第一感光性樹(shù)脂111、其上的第一界定層112、第二界定層113及第二感光性樹(shù)脂114，而形成(或制備)這些膜層的方式，可以是物理氣相沉積(PVD)方法如蒸發(fā)、濺射、離子鍍等，也可以是化學(xué)氣相沉積形成(CVD)方法，一般根據(jù)待沉積的薄膜的材料進(jìn)行選擇，本實(shí)施例對(duì)此不做限制。以第一界定層112為硅氧化物薄膜，第二界定層113為硅氮化物薄膜為例，一種具體制備方案如下在背板經(jīng)過(guò)柵極-柵絕緣層-有源層-源/漏-鈍化層(形成薄膜晶體管，且所述薄膜晶體管以底柵結(jié)構(gòu)為例)后，沉積一層ITO作為陽(yáng)極材料，經(jīng)過(guò)刻蝕形成每個(gè)像素的陽(yáng)極電極13 ；在ITO上旋涂一層感光性樹(shù)脂材料(第一感光性樹(shù)脂111)，其參考厚度為800nm IOOOnm ；
在感光性樹(shù)脂上，利用化學(xué)氣相沉積(PECVD)或常壓射頻冷等離子體(TEOS)，沉積SiNx薄膜作為第一界定層112，參考厚度200nm 300nm ；在SiNx上，利用同樣的沉積技術(shù)，獲得一層SiOx作為第二界定層113，參考厚度200nm 300nm ；在SiOx上再旋涂一層感光性樹(shù)脂材料(第二感光性樹(shù)脂114)，以便下一步曝光刻蝕圖形。步驟202、進(jìn)行曝光，使每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的第二感光性樹(shù)脂層114及其下方的第一感光性樹(shù)脂層111均感光，如圖5所示；本步驟中增加光刻時(shí)的曝光量，由于第一界定層112 (例如SiOx薄膜)和第二界定層113 (例如SiNx薄膜)均是透明的，因此，第二感光性樹(shù)脂層114以及ITO陽(yáng)極電極13上方的第一感光性樹(shù)脂層111都被曝光，如圖5所示。步驟203、去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的第二感光性樹(shù)脂層114，暴露第一界定層113,形成圖6所示結(jié)構(gòu)；本步驟中利用顯影液，將每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域經(jīng)過(guò)感光的第二感光性樹(shù)脂層114(最上層的PR)洗掉。步驟204、進(jìn)行刻蝕，使暴露出的第一界定層113及下層的第二界定層113在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域形成開(kāi)口，其中，進(jìn)行刻蝕時(shí)，第二界定層113的刻蝕速率小于第一界定層112的刻蝕速率，以使第二界定層113的開(kāi)口小于第一界定層112的開(kāi)口，如圖7所示。本步驟中利用不同材料對(duì)刻蝕液/離子束的敏感程度不同，其刻蝕速率也不同，具體刻蝕時(shí)選擇對(duì)第二界定層113刻蝕速率小于第一界定層112刻蝕速率的方法。具體地，以第一界定層112為硅氧化物薄膜，第二界定層113為硅氮化物薄膜為例可選地，采用干法刻蝕對(duì)暴露出的硅氮化物SiNx薄膜(第二界定層113)及硅氧化物SiOx薄膜(第一界定層112)進(jìn)行刻蝕，因SiNx薄膜相對(duì)于SiOx薄膜的刻蝕速率要快的多，而且存在橫向刻蝕現(xiàn)象，所以結(jié)果同樣刻蝕條件下，SiNx薄膜的開(kāi)口小于SiOx薄膜的開(kāi)口，這里的干法刻蝕包括但不限于派射與離子束纟先蝕、等離子刻蝕(PlasmaEtching)、高壓等離子刻蝕、高密度等離子體(HDP)刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)?；蛘呖蛇x地，也可以采用濕法刻蝕對(duì)暴露出的硅氮化物薄膜(第二界定層113)及硅氧化物薄膜(第一界定層112)進(jìn)行刻蝕，且選擇使用對(duì)硅氮化物的刻蝕速率比對(duì)硅氧化物的刻蝕速率小的刻蝕液。最后，本步驟還利用洗液(Stripper),剝離剩余的第二感光性樹(shù)脂114,當(dāng)然也可采用其它方式。進(jìn)一步地，所述方法還包括步驟205、去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的第一感光性樹(shù)脂層111，形成圖2所示的像素界定層11。本步驟利用顯影液，將每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光后的第一感光性樹(shù)脂層111剝離，當(dāng)然具體實(shí)施中不限于此，也可采用其它方式。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述各步驟的序號(hào)并不能用于限定各步驟的先后順序，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對(duì)各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。其中，優(yōu)選地，第二界定層113由疏水性材料形成，例如硅氮化物；第一界定層112由親水性材料形成，例如硅氧化物。本發(fā)明實(shí)施例所述發(fā)光顯示背板像素界定層的制備方法，先依次形成第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層、第二界定層和第二感光性樹(shù)脂層；再增加光刻時(shí)的曝光量，同時(shí)使每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一、第二感光性樹(shù)脂層均感光；然后去除感光的第二感光性樹(shù)脂層，并利用第一、第二界定層材料的不同刻蝕速率，將每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的像素界定層刻蝕為下寬上窄倒梯形的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以保證打印時(shí)，發(fā)光材料的液滴可以平鋪于像素界定層的像素區(qū)域中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)，而且制作過(guò)程簡(jiǎn)單，只需一次光刻構(gòu)圖工藝，降低了掩膜版的使用數(shù)量，從而降低了制造成本。需注意，本發(fā)明實(shí)施例中雖然以發(fā)光顯示背板發(fā)光層的制備過(guò)程為例，但本發(fā)明的應(yīng)用應(yīng)不限于此，本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于采用打印技術(shù)形成圖案化薄膜的場(chǎng)景，例如，彩膜基板的彩膜層的制備過(guò)程，在此不再一一列舉。本發(fā)明實(shí)施例所述的技術(shù)特征，在不沖突的情況下，可任意相互組合使用。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在所述基板上的像素界定層，其特征在于，所述像素界定層包括自下而上依次設(shè)置的第一感光性樹(shù)脂層、透明的第一界定層和透明的第二界定層；在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域，所述第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層和第二界定層均設(shè)置有開(kāi)口，且所述第一界定層的開(kāi)口小于所述第二界定層及所述第一感光性樹(shù)脂層的開(kāi)口，以形成下寬上窄的發(fā)光材料填充域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光顯示背板，其特征在于，所述第二界定層由疏水性材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示背板，其特征在于，所述第二界定層為硅氮化物薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示背板，其特征在于，所述第一界定層由親水性材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示背板，其特征在于，所述第一界定層為硅氧化物薄膜。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的發(fā)光顯示背板。
7.一種發(fā)光顯示背板的像素界定層的制備方法，所述發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在所述基板上的像素界定層，其特征在于，所述方法包括依次形成第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層、第二界定層和第二感光性樹(shù)脂層，所述第一界定層和所述第二界定層均透明；進(jìn)行曝光，使每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域的所述第二感光性樹(shù)脂層及其下方的所述第一感光性樹(shù)脂層均感光；去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的所述第二感光性樹(shù)脂層，暴露所述第一界定層；進(jìn)行刻蝕，使暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域形成開(kāi)口，其中，進(jìn)行刻蝕時(shí)，所述第二界定層的刻蝕速率小于所述第一界定層的刻蝕速率，以使所述第二界定層的開(kāi)口小于所述第一界定層的開(kāi)口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括去除每一像素對(duì)應(yīng)區(qū)域感光的所述第一感光性樹(shù)脂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二界定層由疏水性材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二界定層為硅氮化物薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一界定層由親水性材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一界定層為硅氧化物薄膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕對(duì)暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層進(jìn)行刻蝕。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕對(duì)暴露出的所述第一界定層及下層的所述第二界定層進(jìn)行刻蝕，且所使用的刻蝕液對(duì)硅氮化物的刻蝕速率比對(duì)硅氧化物的刻蝕速率小。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光顯示背板、顯示裝置和像素界定層的制備方法，涉及顯示領(lǐng)域，可保證打印形成的發(fā)光材料液滴平鋪于像素區(qū)域中，避免液滴流到相鄰像素區(qū)。本發(fā)明所述發(fā)光顯示背板，包括基板和設(shè)置在基板上的像素界定層，所述像素界定層包括自下而上依次設(shè)置的第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層和第二界定層；在每一像素的對(duì)應(yīng)區(qū)域，所述第一感光性樹(shù)脂層、第一界定層和第二界定層均設(shè)置有開(kāi)口，且第一界定層的開(kāi)口小于第二界定層及第一感光性樹(shù)脂層的開(kāi)口，以形成下寬上窄的發(fā)光材料填充域。本發(fā)明用于改進(jìn)打印成膜技術(shù)，使發(fā)光材料液滴平鋪于像素區(qū)域中，改善發(fā)光顯示背板的發(fā)光質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102945855SQ20121045534
公開(kāi)日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者姜春生, 王東方, 陳海晶 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司