專利名稱：基板冷卻系統(tǒng)、基板處理裝置、靜電吸盤及基板冷卻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的比較大型的基板進(jìn)行冷卻的基板冷卻系統(tǒng)、基板處理裝置、靜電吸盤及基板冷卻方法。
背景技術(shù)：
在以液晶顯示裝置(LCD)為代表的比較大型的FPD (FlatPanel Display:平板顯示器)、例如第7代以后的FPD的制造工序中，公知有用于對(duì)FH)用的基板實(shí)施規(guī)定的處理、例如等離子體處理的基板處理裝置。該基板處理裝置具有:基板載置臺(tái)，其用于在處理室(以下，稱作“腔室”)內(nèi)載置基板；上部電極，其以隔著處理空間與該基板載置臺(tái)相對(duì)的方式配置。向基板載置臺(tái)供給等離子體生成用的高頻電力(RF)而使該基板載置臺(tái)作為下部電極發(fā)揮作用，利用高頻電力使被導(dǎo)入到腔室內(nèi)的處理空間中的處理氣體生成等離子體。所生成的等離子體對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理。另外，在基板載置臺(tái)的上部設(shè)有靜電吸盤，在對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的期間，靜電吸盤通過使靜電吸附力作用于基板而吸附基板。被實(shí)施了規(guī)定的等離子體處理的基板因等離子體中的陽(yáng)離子的碰撞等而受熱，溫度上升，因此，通過使溫度調(diào)整氣體在基板與基板載置臺(tái)之間流動(dòng)來利用該溫度調(diào)整氣體將基板的熱量向基板載置臺(tái)傳導(dǎo)，從而將基板的溫度維持成規(guī)定的溫度。將這種溫度調(diào)整氣體稱作基板的背面冷卻(Back Cooling)氣體(以下，簡(jiǎn)稱作“BC氣體”。)，但是，通常，將作為非活性氣體且導(dǎo)熱率較高的氦(He)氣體用作BC氣體(例如參照專利文獻(xiàn)I。)。專利文獻(xiàn)1:日本特開2006 - 245563號(hào)公報(bào)然而，由于FH)用的基板由玻璃構(gòu)成且體積電阻率值較大，因此，作用于該基板的靜電吸附力不是約翰遜一拉貝克(Johnson — Ranbec)力，而是庫(kù)侖力。通常，由于庫(kù)侖力弱于約翰遜一拉貝克力，因此，不能較強(qiáng)地將基板吸附于基板載置臺(tái)(靜電吸盤)，不能提高基板與基板載置臺(tái)之間的He氣體的壓力。因而，在對(duì)FH)用的基板實(shí)施等離子體處理的基板處理裝置中，將基板與基板載置臺(tái)之間的He氣體的壓力設(shè)定為大約3Torr (400Pa)以下。若將He氣體的壓力設(shè)定為大約3Torr以下，則He氣體的流動(dòng)狀態(tài)從粘性流區(qū)域向分子流區(qū)域轉(zhuǎn)變而使He氣體的熱流通量大幅地降低。另外，通常，由于He氣體昂貴，若在對(duì)FPD用的基板實(shí)施等離子體處理的基板處理裝置中將He氣體用作溫度調(diào)整氣體，則不能獲得與成本相稱的對(duì)基板的冷卻效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種即使對(duì)于大型的玻璃基板等體積電阻率值較大的基板、也具有充分的冷卻效果且能夠獲得與成本相稱的對(duì)基板的冷卻效果的基板冷卻系統(tǒng)、基板處理裝置、靜電吸盤及基板冷卻方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案I提供一種基板冷卻系統(tǒng)，其包括:基板載置臺(tái)，其用于載置基板；靜電吸盤，其設(shè)于該基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板；氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體，其特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50iim以下，上述氣體供給系統(tǒng)將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。根據(jù)技術(shù)方案I所述的基板冷卻系統(tǒng)，技術(shù)方案2所述的基板冷卻系統(tǒng)的特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。根據(jù)技術(shù)方案I或2所述的基板冷卻系統(tǒng)，技術(shù)方案3所述的基板冷卻系統(tǒng)的特征在于，在上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。根據(jù)技術(shù)方案I或2所述的基板冷卻系統(tǒng)，技術(shù)方案4所述的基板冷卻系統(tǒng)的特征在于，平滑地形成上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案5提供一種基板處理裝置，其包括:收納室，其用于收納基板；基板載置臺(tái)，其配置于該收納室內(nèi)且用于載置上述基板，上述基板載置臺(tái)具有:靜電吸盤，其設(shè)于該基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板；氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體，其特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50 y m以下，上述氣體供給系統(tǒng)將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。根據(jù)技術(shù)方案5所述的基板處理裝置，技術(shù)方案6所述的基板處理裝置的特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。根據(jù)技術(shù)方案5或6所述的基板處理裝置，技術(shù)方案7所述的基板處理裝置的特征在于，在上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。根據(jù)技術(shù)方案5或6所述的基板處理裝置，技術(shù)方案8所述的基板處理裝置的特征在于，平滑地形成上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案9提供一種靜電吸盤，其設(shè)于用于載置基板的基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板，其特征在于，在靜電吸盤與上述被靜電吸附的基板之間形成有導(dǎo)熱空間，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50i!m以下，將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛闇囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。根據(jù)技術(shù)方案9所述的靜電吸盤，技術(shù)方案10所述的靜電吸盤的特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOiim以下。根據(jù)技術(shù)方案9或10所述的靜電吸盤，技術(shù)方案11所述的靜電吸盤的特征在于，在靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。根據(jù)技術(shù)方案9或10所述的靜電吸盤，技術(shù)方案12所述的靜電吸盤的特征在于，平滑地形成靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，技術(shù)方案13提供一種基板冷卻方法，其用于對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的基板進(jìn)行冷卻，其特征在于，該基板冷卻方法包括:基板吸附步驟，設(shè)于上述基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面的靜電吸盤靜電吸附上述基板；氣體供給步驟，在執(zhí)行該靜電吸附步驟期間，向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50pm以下， 在上述氣體供給步驟中，將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。根據(jù)技術(shù)方案13所述的基板冷卻方法，技術(shù)方案14所述的基板冷卻方法的特征在于，將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。采用本發(fā)明，將被靜電吸附的基板與靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)為50以下，將3Torr以下的溫度調(diào)整氣體供給到導(dǎo)熱空間，從而使溫度調(diào)整氣體的狀態(tài)向分子流區(qū)域轉(zhuǎn)變，將氮?dú)饣蜓鯕庾鳛闇囟日{(diào)整氣體進(jìn)行供給。氮?dú)饧把鯕庠诜肿恿鲄^(qū)域中的熱流通量大于氦氣在分子流區(qū)域中的熱流通量。因而，氮?dú)饧把鯕饽軌虮群飧咝У貙⒈混o電吸附的基板的熱量傳導(dǎo)到靜電吸盤(進(jìn)而傳導(dǎo)到基板載置臺(tái))。另外，氮?dú)饧把鯕獗群饬畠r(jià)。其結(jié)果，即使對(duì)于大型的玻璃基板等體積電阻率值較大的基板，也具有充分的冷卻效果，并且能夠獲得與成本相稱的對(duì)基板的冷卻效果。


圖1是概略地表示 應(yīng)用有本發(fā)明的實(shí)施方式的基板冷卻系統(tǒng)的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示在圖1的靜電吸盤的吸附面處開口的氣體流路附近的結(jié)構(gòu)的放大剖視圖。圖3是表示圖1的靜電吸盤的吸附面的變形例的放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是概略地表示應(yīng)用有本發(fā)明的實(shí)施方式的基板冷卻系統(tǒng)的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。該基板處理裝置例如用于對(duì)液晶顯示裝置(LCD)制造用的玻璃基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理。在圖1中，基板處理裝置10例如具有用于收納I邊為數(shù)m的矩形的玻璃基板(以下，簡(jiǎn)稱作“基板”。)G的處理室(腔室)11。在腔室11的內(nèi)部的圖中下方配置有用于載置基板G的基板載置臺(tái)(基座)12?；?2例如具有:基材13，其由表面被實(shí)施了鋁陽(yáng)極化處理的鋁、不銹鋼等構(gòu)成，截面為凸型；靜電吸盤14，其配置于該基材13的上部。靜電吸盤14是通過利用陶瓷噴鍍覆蓋基材13的上部而形成的，在利用上述陶瓷噴鍍形成的電介質(zhì)層的內(nèi)部具有被夾持于上部電介質(zhì)層與下部電介質(zhì)層之間的靜電電極板15。靜電吸盤14的內(nèi)部的靜電電極板15與直流電源17連接，若靜電電極板15施加正的直流電壓，則在由靜電電極板15產(chǎn)生的電場(chǎng)導(dǎo)致載置在靜電吸盤14上的基板G極化時(shí)，為了中和該基板G產(chǎn)生的電荷，在基板G的表面產(chǎn)生負(fù)電位，利用在不同極性的電位之間(基板G的背面及靜電電極板15之間)產(chǎn)生的庫(kù)侖力來使基板G靜電吸附于靜電吸盤14。以下，在本實(shí)施方式中，將靜電吸盤14的與被靜電吸附的基板G相對(duì)的面稱作吸附面14a。在基材13的下部配置有冷卻板36，在該冷卻板36的內(nèi)部設(shè)有用于對(duì)載置在基材13及靜電吸盤14上的基板G的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的制冷劑流路(未圖示)。在該制冷劑流路中，例如循環(huán)供給冷卻水、力' ^^ (galden)(注冊(cè)商標(biāo))等制冷劑，利用該制冷劑來冷卻基座12。另外，在基材13的內(nèi)部設(shè)有供溫度調(diào)整氣體流動(dòng)的氣體流路18，一方面，該氣體流路18與設(shè)于腔室11之外的溫度調(diào)整氣體供給裝置19連接，另一方面，該氣體流路18貫穿靜電吸盤14并在吸附面14a的多個(gè)部位開口。將溫度調(diào)整氣體供給裝置19所供給的溫度調(diào)整氣體經(jīng)由氣體流路18 (氣體供給系統(tǒng))供給到被靜電吸附的基板G及靜電吸盤14之間的導(dǎo)熱空間T (參照下述圖2。)。被供給到導(dǎo)熱空間T的溫度調(diào)整氣體通過將被實(shí)施了規(guī)定的等離子體處理而溫度上升了的基板G的熱量傳導(dǎo)到正在被冷卻的基座12，將基板G的溫度維持成規(guī)定的溫度。圖2是表示在圖1的靜電吸盤的吸附面處開口的氣體流路附近的結(jié)構(gòu)的放大剖視圖。在圖2中，在靜電吸盤14的吸附面14a上設(shè)有多個(gè)凸部。具體而言，在吸附面14a上設(shè)有多個(gè)圓柱狀的突起部14b，在靜電吸附基板G時(shí)，各突起部14b與基板G的背面相抵接。各氣體流路18在處于各突起部14b之間的非突起面14d處開口。在本實(shí)施方式中，將基板G的背面及非突起面14d之間的空間稱為導(dǎo)熱空間T。從氣體流路18的開口部18a流出后的溫度調(diào)整氣體沿著導(dǎo)熱空間T擴(kuò)散，最終與基板G的整個(gè)背面相接觸?；诤笫隼碛?，將導(dǎo)熱空間T的圖中上下方向的厚度t設(shè)定為50 ii m以下，優(yōu)選將其設(shè)定為10 ii m以下。返回到圖1，在基材13上以包圍靜電吸盤14的周圍的方式設(shè)有作為環(huán)狀屏蔽構(gòu)件的屏蔽環(huán)16，屏蔽環(huán)16例如是通過將由氧化鋁等絕緣性陶瓷構(gòu)成的多個(gè)長(zhǎng)條體組合而構(gòu)成的。在基材13的側(cè)面，以覆蓋該側(cè)面的方式配置有作為側(cè)環(huán)狀屏蔽構(gòu)件的絕緣環(huán)34。絕緣環(huán)34由絕緣性的陶瓷、例如氧化鋁構(gòu)成。另外，在基材13的下方，以介于冷卻板36與腔室11的底面之間的方式配置有絕緣體35?；?2的基材13借助匹配器21與用于供給高頻電力的高頻電源20連接。高頻電源20將高頻電力供給至基材13而使基座12作為下部電極發(fā)揮作用。匹配器21降低來自基座12的聞?lì)l電力的反射而使向基座12供給聞?lì)l電力的供給效率最大。在基板處理裝置10中，由腔室11的內(nèi)側(cè)壁與基座12的側(cè)面形成側(cè)方排氣通路22。該側(cè)方排氣通路22經(jīng)由排氣管23與排氣裝置24連接。作為排氣裝置24的TMP(TurboMolecularPump:潤(rùn)輪分子泵)、DP (Dry Pump:干式泵)、MBP (Mechanical Booster Pump:機(jī)械增壓泵)通過對(duì)腔室11內(nèi)進(jìn)行抽真空來使腔室11內(nèi)減壓。具體而言，DP或MBP將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至中度真空狀態(tài)(例如1.3 X IOPa (0.1Torr)以下)，TMP與DP或MBP相配合地將腔室11內(nèi)減壓至低于中度真空狀態(tài)的壓力、即高真空狀態(tài)(例如1.3X10_3Pa(L0X10_5Torr)以下)。另外，腔室11內(nèi)的壓力由APC閥(未圖示)控制。在腔室11的頂部，以與基座12相對(duì)的方式配置有簇射頭25。簇射頭25具有內(nèi)部空間26并具有用于向簇射頭25與基座12之間的處理空間S噴出處理氣體的多個(gè)氣體孔27。簇射頭25接地且連同作為下部電極發(fā)揮作用的基座12 —起構(gòu)成一對(duì)平行平板電極。另外，簇射頭25經(jīng)由氣體供給管28與處理氣體供給裝置29連接。在氣體供給管28上設(shè)有開閉閥30及質(zhì)量流量控制器31。另外，腔室11的側(cè)壁設(shè)有基板輸出輸入口 32，該基板輸出輸入口 32構(gòu)成為利用閘閥33自由開閉，經(jīng)由該閘閥33將基板G輸出或輸入。在基板處理裝置10中，自處理氣體供給裝置29經(jīng)由氣體供給管28進(jìn)行處理氣體的供給。所供給的處理氣體經(jīng)由簇射頭25的內(nèi)部空間26及氣體孔27被導(dǎo)入到腔室11的處理空間S內(nèi)，該導(dǎo)入的處理氣體被自高頻電源20經(jīng)由基座12供給到處理空間S內(nèi)的等離子體生成用的高頻電力激勵(lì)而成為等離子體。等離子體中的陽(yáng)離子被朝向基板G吸引，對(duì)基板G實(shí)施規(guī)定的等離子體處理。
基板處理裝置10所具有的控制部(未圖示)的CPU根據(jù)與規(guī)定的等離子體處理相對(duì)應(yīng)的程序來控制基板處理裝置10的各構(gòu)成部件的動(dòng)作。另外，在基板處理裝置10中，基座12、靜電吸盤14及氣體流路18構(gòu)成基板處理系統(tǒng)。另外，由于作為基板G的玻璃基板的體積電阻率值較大，因此，作用于基板G的靜電吸附力不是約翰遜-拉貝克力，而是庫(kù)侖力。通常，由于庫(kù)侖力弱于約翰遜-拉貝克力，因此，不能較強(qiáng)地靜電吸附基板G。其結(jié)果，為了防止基板G從靜電吸盤14浮起，在圖1的基板處理裝置10中，向?qū)峥臻gT供給的溫度調(diào)整氣體的壓力比較低，具體而言，將該溫度調(diào)整氣體的壓力設(shè)定為大約3Torr以下。例如，在將He氣體用作溫度調(diào)整氣體并將該He氣體的供給壓力設(shè)為3Torr的情況下，因壓力而變化的氦分子平均自由程、為6.08 X 10_5m，若將導(dǎo)熱空間T的厚度t設(shè)為50 u m,則He氣體的流動(dòng)狀態(tài)的指標(biāo)、即下述式(I)所示的克努森數(shù)K為1.216。另外，下述式(I)的d為導(dǎo)熱空間T的厚度t。K=X/d…(I)通常認(rèn)為:若克努森數(shù)K小于0.01，則氣體的流動(dòng)狀態(tài)處于粘性流區(qū)域，若克努森數(shù)K大于0.3，則氣體的流動(dòng)狀態(tài)處于分子流區(qū)域，若克努森數(shù)K為0.01 0.3的區(qū)域，則氣體的流動(dòng)狀態(tài)處于過渡流區(qū)域。因而，在導(dǎo)熱空間T的厚度t為50 且供給壓力為3Torr的情況下，認(rèn)為He氣體的流動(dòng)狀態(tài)處于分子流區(qū)域。另外，氣體的流動(dòng)狀態(tài)并非以上述克努森數(shù)的邊界值為界而明確地分開，氣體的流動(dòng)狀態(tài)在上述邊界值的附近連續(xù)地變化為粘性流區(qū)域、過渡流區(qū)域、分子流區(qū)域。因而，對(duì)于氣體的流動(dòng)狀態(tài)，當(dāng)克努森數(shù)超過0.3時(shí)，全部氣體分子并非均處于相同的分子流區(qū)域，而是隨著克努森數(shù)變大，作為分子流區(qū)域的性質(zhì)變得更強(qiáng)。另外，He氣體以外的非活性氣體、例如氧(O2)氣、氮(N2)氣、氙(Xe)氣及氪(Kr)氣的供給壓力為3Torr時(shí)的各氣體分子的平均自由程如下述表I所示。表權(quán)利要求
1.一種基板冷卻系統(tǒng)，其包括:基板載置臺(tái)，其用于載置基板；靜電吸盤，其設(shè)于該基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板；氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體， 其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50 以下， 上述氣體供給系統(tǒng)將3Torr以下即400Pa以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板冷卻系統(tǒng)，其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板冷卻系統(tǒng)，其特征在于， 在上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板冷卻系統(tǒng)，其特征在于， 平滑地形成上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。
5.一種基板處理裝置，其包括:收納室，其用于收納基板；基板載置臺(tái)，其配置于該收納室內(nèi)且用于載置上述基板，上述基板載置臺(tái)具有:靜電吸盤，其設(shè)于該基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板；氣體供給系統(tǒng)，其用于向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體， 其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50 以下， 上述氣體供給系統(tǒng)將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板處理裝置，其特征在于， 在上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基板處理裝置，其特征在于， 平滑地形成上述靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。
9.一種靜電吸盤，其設(shè)于用于載置基板的基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面且用于靜電吸附上述基板， 其特征在于， 在該靜電吸盤與上述被靜電吸附的基板之間形成有導(dǎo)熱空間， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50 以下， 將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛闇囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電吸盤，其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的靜電吸盤，其特征在于， 在靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面上設(shè)有多個(gè)凸部。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的靜電吸盤，其特征在于， 平滑地形成靜電吸盤的用于吸附上述基板的吸附面。
13.一種基板冷卻方法，其用于對(duì)載置在基板載置臺(tái)上的基板進(jìn)行冷卻， 其特征在于， 該基板冷卻方法包括: 基板吸附步驟，設(shè)于上述基板載置臺(tái)的用于載置上述基板的表面的靜電吸盤靜電吸附上述基板； 氣體供給步驟，在執(zhí)行該靜電吸附步驟期間，向上述被靜電吸附的基板與上述靜電吸盤之間的導(dǎo)熱空間供給溫度調(diào)整氣體， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為50 以下， 在上述氣體供給步驟中，將3Torr以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛樯鲜鰷囟日{(diào)整氣體供給到上述導(dǎo)熱空間。
14.根據(jù)權(quán) 利要求13所述的基板冷卻方法，其特征在于， 將上述導(dǎo)熱空間的厚度設(shè)定為IOym以下。
全文摘要
本發(fā)明提供基板冷卻系統(tǒng)、基板處理裝置、靜電吸盤及基板冷卻方法。即使對(duì)于大型的玻璃基板等體積電阻率值較大的基板，也具有充分的冷卻效果，且能夠獲得與成本相稱的對(duì)基板的冷卻效果。在基板處理裝置(10)的基板冷卻系統(tǒng)中，基座(12)載置基板(G)，靜電吸盤(14)設(shè)于基座(12)的上部且靜電吸附基板(G)，氣體流路(18)及溫度調(diào)整氣體供給裝置(19)向被靜電吸附的基板(G)與靜電吸盤(14)之間的導(dǎo)熱空間(T)供給溫度調(diào)整氣體，將導(dǎo)熱空間(T)的厚度設(shè)定為50μm以下，氣體流路(18)及溫度調(diào)整氣體供給裝置(19)將3Torr(400Pa)以下的氮?dú)饣蜓鯕庾鳛闇囟日{(diào)整氣體供給到導(dǎo)熱空間(T)。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103107119SQ20121044510
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者古屋敦城 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社