專利名稱：一種劃分高填充率冗余圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種劃分高填充率冗余圖形的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路制造工藝中，為了提高化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會(huì)在需要化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形，而傳統(tǒng)的冗余圖形是固定尺寸的矩形或多邊形。中國(guó)專利CN102468134A披露了一種利用冗余圖形填充來(lái)調(diào)整芯片圖形密度的方法，包括如下步驟得到芯片制備中某個(gè)圖層的可填充區(qū)域；預(yù)設(shè)一組圖形密度不等的填充圖形；等分為多個(gè)小塊區(qū)域，設(shè)定在填充后圖層的圖形密度，小塊區(qū)域的最小圖形密度 值、最大圖形密度值和相鄰兩個(gè)小塊區(qū)域間的最大圖形密度差值；計(jì)算上述各小塊區(qū)域初始的圖形密度值；計(jì)算填入的圖形密度最大的填充圖形后的小塊區(qū)域的圖形密度值；采用虛擬圖形填充的方法調(diào)整每個(gè)小塊區(qū)域的圖形密度；對(duì)各小塊區(qū)域中的可填充區(qū)域進(jìn)行填充，使填充后小塊區(qū)域的圖形密度值與步驟(6)所調(diào)整出的圖形密度值最接近。這種冗余圖形在較小尺寸的空白區(qū)域填充率很低或無(wú)法填充，從而導(dǎo)致版圖局部區(qū)域的圖形密度或梯度達(dá)不到設(shè)定目標(biāo)，最終導(dǎo)致硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，通過(guò)該方法確定的冗余圖形具有相對(duì)較高的填充率，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，包括以下順序步驟
首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。本發(fā)明提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為I 20000 nm。本發(fā)明提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。本發(fā)明提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。本發(fā)明提供的一優(yōu)選實(shí)施例中，其中所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。本發(fā)明提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。


圖I是本發(fā)明劃分高填充率冗余圖形的示意圖。圖2是本發(fā)明中冗余圖形填充效果圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供劃分高填充率冗余圖形的方法，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性?！ひ韵峦ㄟ^(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，以便更好理解本發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容，但實(shí)施例的內(nèi)容并不限制發(fā)明創(chuàng)造保護(hù)的范圍。劃分高填充率冗余圖形的方法包括以下順序步驟
如圖I所示，首先在主圖形21、22層上劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，并確定空白區(qū)域的邊線。之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形5的邊線，其中所述冗余圖形5各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。一般，所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。優(yōu)選的d的數(shù)值為500、1000、1500等。最后，將由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形，即確定為冗余圖形。冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為f20000 nm。所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。如圖2所示冗余圖形填充效果圖，圖中黑色部分為主圖形、斜線框部分為冗余圖形。填充后局部圖形密度達(dá)54%，相比傳統(tǒng)的冗余圖形填充效果有很大的提高。這種高填充率的冗余圖形提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種劃分高填充率冗余圖形的方法，其特征在于，包括以下順序步驟 首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線； 之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離， 最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，冗余圖形中相對(duì)側(cè)邊之間定義為a，所述a的數(shù)值范圍為f20000 nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述d的數(shù)值范圍為f50000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述a的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冗余圖形，其特征在于，所述d的數(shù)值不小于空白區(qū)域所在層中主圖形設(shè)計(jì)要求的最小主圖形間距。
全文摘要
本發(fā)明提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，包括以下順序步驟首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區(qū)域，確定空白區(qū)域的邊線；之后，在相距空白區(qū)域邊線內(nèi)側(cè)一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側(cè)邊線與相對(duì)應(yīng)空白區(qū)域邊線之間保持?jǐn)?shù)值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側(cè)邊線組成的圖形即為冗余圖形。本發(fā)明提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕后的均一性。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102945302SQ20121043240
公開(kāi)日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日
發(fā)明者闞歡, 張旭昇, 魏芳 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司