技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括在襯底上方形成的不通電的偽柵極。偽柵極具有伸長的形狀并且沿著第一方向定向。半導(dǎo)體器件包括在襯底上方形成的第一功能柵極。第一功能柵極具有伸長的形狀并且沿著第一方向定向。第一功能柵極在與第一方向垂直的第二方向上與偽柵極分離。第一導(dǎo)電接觸件形成在第一功能柵極上。半導(dǎo)體器件包括在襯底上方形成的第二功能柵極。第二功能柵極具有伸長的形狀并且沿著第一方向定向。第二功能柵極在第一方向上與偽柵極對準(zhǔn)并且與偽柵極物理分離。第二導(dǎo)電接觸件形成在第二功能柵極上。本發(fā)明提供了不通電的偽柵極。

技術(shù)研發(fā)人員：劉家助;陳桂順;江木吉
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201210418806
技術(shù)研發(fā)日：2012.10.26
技術(shù)公布日：2017.06.16