專利名稱：一種陣列基板和制造陣列基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶面板制造技術(shù)，特別是指一種陣列基板和制造陣列基板的方法。
背景技術(shù)：
薄膜場效應(yīng)晶體管陣列基板(TFT-IXD)功耗低、制造成本低且無輻射，由陣列基板和彩膜基板對盒而形成，現(xiàn)有技術(shù)中，如圖I所示，陣列基板上包括柵極掃描線I和與之垂直的數(shù)據(jù)線5，相鄰的柵極掃描線I和數(shù)據(jù)線5定義了像素區(qū)域，每一個像素區(qū)域包含有一個TFT開關(guān)、像素電極10和部分的公共電極11、柵極絕緣層4、半導(dǎo)體有源層3，TFT開關(guān)的柵極2、源極6和漏極7，鈍化層8覆蓋在上述各個器件上，并在漏極7上方形成鈍化層過孔或溝槽9，像素電極10通過鈍化層過孔或溝槽9與TFT開關(guān)的漏極7相連接；為降低對盒后像素里的漏光，在像素平行于數(shù)據(jù)線的兩側(cè)形成擋光條12。TFT-IXD可以減低溝道中的光致漏電流，擋光條12采用和柵極2相同的材料，在同一光刻工序(Mask)中完成制作； 其中，像素電極10的一部分和柵極掃描線I之間會形成存儲電容13。當(dāng)數(shù)據(jù)線5發(fā)生斷裂時，如圖2所示，需要在數(shù)據(jù)線5上打孔，沉積維修金屬線16，通過維修金屬線16將數(shù)據(jù)線5重新連接?，F(xiàn)有技術(shù)存在如下問題數(shù)據(jù)線5發(fā)生斷裂時，如圖2和圖3所示，需要在數(shù)據(jù)線5上打連接孔17并沉積維修金屬線16，通過維修金屬線16將數(shù)據(jù)線5重新連接，但是連接孔17與維修金屬線16的接觸面積小，易導(dǎo)致維修失敗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板和制造陣列基板的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在數(shù)據(jù)線上打連接孔并沉積維修金屬線來重新連接數(shù)據(jù)線的過程中，由于連接孔與維修金屬線之間的接觸面積過小，易導(dǎo)致維修失敗的缺陷。本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括基板；柵極掃描線，位于所述基板上；柵極絕緣層，位于所述柵極掃描線和基板上；數(shù)據(jù)線，位于所述柵極絕緣層上；維修金屬塊，位于所述柵極絕緣層上，與所述數(shù)據(jù)線電連接；鈍化層，位于所述柵極絕緣層和維修金屬塊之上，并具有鈍化層過孔或溝槽；連接電極，所述連接電極通過所述鈍化層過孔或溝槽與所述維修金屬塊連接，用于提供足夠大的接觸面積與維修用的維修金屬線之間進(jìn)行電連接。所述的陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線和維修金屬塊采用相同材料。所述的陣列基板中，連接電極的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅。所述的陣列基板中，還包括擋光條，位于所述基板之上，平行于所述數(shù)據(jù)線。所述的陣列基板中，維修金屬塊包括有機(jī)材料小球，該有機(jī)材料小球含有導(dǎo)電銀膠。一種制造陣列基板的方法，包括在基板上沉積第一金屬薄膜，并在所述第一金屬薄膜上形成柵極掃描線；淀積柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述柵極掃描線和基板之上；淀積第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上形成數(shù)據(jù)線和維修金屬塊；沉積鈍化層，所述鈍化層位于所述柵極絕緣層上，并具有鈍化層過孔或溝槽；設(shè)置經(jīng)過所述鈍化層過孔或溝槽與所述維修金屬塊連接的連接電極，所述連接電極用于提供足夠大的接觸面積與維修金屬線之間進(jìn)行電連接。所述的方法中，還包括通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在所述第一金屬薄膜上形成所述柵極掃描線的同時形成所述柵極掃描線的柵極，以及公共電極和擋光條；淀積柵極絕緣層的過程還包括淀積一薄膜晶體管；以及，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在所述柵極上形成有源層和所述柵極上方的溝道。本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5電連接，當(dāng)數(shù)據(jù)線5發(fā)生斷裂時，將維修金屬線16直接沉積在維修金屬塊15的連接電極14上，由于連接電極14提供足夠大的接觸面積，因而增大了維修金屬線16與維修點的連接電極14之間的接觸面積，這保證了維修金屬線16能夠與維修金屬塊15的接觸面積足夠大，使得維修后的數(shù)據(jù)線5工作良好，提高了維修成功率。


圖I表示現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2表示現(xiàn)有技術(shù)修復(fù)數(shù)據(jù)線示意圖；圖3表示現(xiàn)有技術(shù)修復(fù)數(shù)據(jù)線C-C截面的剖視示意圖；圖4表不本發(fā)明實施例一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖5表示本發(fā)明實施例將維修金屬線沉積在維修金屬塊的連接電極上的示意6表示本發(fā)明實施例將維修金屬線沉積在維修金屬塊的連接電極上的示意圖-* ;圖7表示本發(fā)明實施例制造陣列基板的方法流程示意圖；柵極掃描線I柵極2半導(dǎo)體有源層3柵極絕緣層4數(shù)據(jù)線5源極6漏極7鈍化層 8鈍化層過孔或溝槽9像素電極 10公共電極 11擋光條12存儲電容 13連接電極 14維修金屬塊15維修金屬線16
連接孔17。
具體實施例方式為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖4所示，非晶硅薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)單一像素俯視圖，采用背溝道腐蝕的底柵結(jié)構(gòu)；TFT-IXD的陣列基板上有一組柵極掃描線I和與之平行的公共電極11，以及與柵極掃描線I垂直的一組數(shù)據(jù)線5和擋光條12 ;相鄰的柵極掃描線I和數(shù)據(jù)線5交叉形成了像素區(qū)域，一個像素區(qū)域中包含一個TFT開關(guān)器件、像素電極10和公共電極11 ;其中，TFT開關(guān)器件由柵極2、源極6、漏極7、柵極絕緣層4和半導(dǎo)體有源層3組成，像素電極10通過鈍化層過孔或溝槽9與漏極7相連接。 本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖4所示，包括 基板；柵極掃描線I，位于所述基板上；柵極絕緣層4，位于所述柵極掃描線I、柵極和基板上；數(shù)據(jù)線5，位于所述柵極絕緣層4上；維修金屬塊15，位于所述柵極絕緣層4上，與所述數(shù)據(jù)線5電連接；鈍化層8，位于所述柵極絕緣層4和維修金屬塊15之上，并具有鈍化層過孔或溝槽9 ；用于與維修用的維修金屬線16之間實現(xiàn)電連接的連接電極14，通過鈍化層過孔或溝槽9與所述維修金屬塊15連接，用于提供足夠大的接觸面積與維修用的維修金屬線16之間進(jìn)行電連接。應(yīng)用所提供的技術(shù)方案，維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5電連接，當(dāng)數(shù)據(jù)線5發(fā)生斷裂時，將維修金屬線16直接沉積在維修金屬塊15的連接電極14上，由于連接電極14提供了足夠大的接觸面積，因而增大了維修金屬線16與維修點的連接電極14之間的接觸面積，這保證了維修金屬線16能夠與維修金屬塊15的接觸面積足夠大，使得維修后的數(shù)據(jù)線5工作良好，提高了維修成功率。TFT-IXD陣列基板中，公共電極11，位于所述柵極掃描線I和柵極絕緣層4之上，并與所述柵極掃描線I平行；在一個優(yōu)選實施例中，數(shù)據(jù)線5和維修金屬塊15采用相同材料。在一個優(yōu)選實施例中，連接電極14的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅。像素電極10的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化招鋅；連接電極14和像素電極10采用的材料相同，在同一鍍膜、掩模光刻和化學(xué)腐蝕工藝中完成制作。在一個優(yōu)選實施例中，擋光條12，位于陣列基板之上，平行于數(shù)據(jù)線5。擋光條12在形成柵極掃描線I的過程中制作完成，或者在形成數(shù)據(jù)線5的過程中制作完成，擋光條12應(yīng)當(dāng)平行于數(shù)據(jù)線5。公共電極11和擋光條12為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鑰及鋁鎳之一或任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。TFT-LCD陣列基板中，薄膜晶體管，位于柵極掃描線I和數(shù)據(jù)線5的交匯處，該薄膜晶體管上覆蓋有鈍化層8，所述薄膜晶體管的漏極7上形成有所述鈍化層過孔或溝槽9 ;所述薄膜晶體管的源極6和所述數(shù)據(jù)線5電連接；像素電極10，位于所述鈍化層8上，并通過所述薄膜晶體管的漏極上的所述鈍化層過孔或溝槽9與所述薄膜晶體管的漏極7連接。陣列基板中，存在若干個鈍化層過孔或溝槽9，各個鈍化層過孔或溝槽9的作用不盡相同。其中，薄膜晶體管的漏極上的鈍化層過孔或溝槽9，用于與薄膜晶體管的漏極7連接；而位于靠近數(shù)據(jù)線5位置處的至少兩個鈍化層過孔或溝槽9則用于為連接電極14和維修金屬塊15之間的直接連接提供連接通道。在一個優(yōu)選實施例中，柵極掃描線I、數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管的源極6和漏極7，以及所述維修金屬塊15為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鑰及鋁鎳之一或任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線5和維修金屬塊15采用的材料相同，且在同一鍍膜、掩模光刻和化學(xué)腐蝕工藝中制作完成。應(yīng)用所提供的各個實施例，如圖4所示，在制造的TFT-IXD的陣列基板上，具有一·組柵極掃描線I和與柵極掃描線I平行的公共電極11，以及與柵極掃描線I垂直的一組數(shù)據(jù)線5和擋光條12。相鄰的柵極掃描線I和數(shù)據(jù)線5交叉形成了像素區(qū)域，一個像素區(qū)域包含有一個TFT開關(guān)器件-薄膜晶體管、像素電極10和公共電極11、柵極絕緣層4、半導(dǎo)體有源層3 ;薄膜晶體管由柵極2、源極6和漏極7組成，像素電極10通過鈍化層過孔或溝槽9與漏極7相連接?；谏鲜龅年嚵谢褰Y(jié)構(gòu)，在數(shù)據(jù)線5 —側(cè)增加了維修金屬塊15，并使維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5電連接，維修金屬塊15采用與數(shù)據(jù)線5相同的金屬材料。如圖5所示，在數(shù)據(jù)線5 —側(cè)使用與數(shù)據(jù)線5相同的金屬制作維修金屬塊15，并與數(shù)據(jù)線5電連接。當(dāng)數(shù)據(jù)線5發(fā)生斷裂時，在維修數(shù)據(jù)線5的過程中，將維修金屬線16直接沉積在維修金屬塊15的連接電極14上，由于維修金屬塊15包括有機(jī)材料小球,該有機(jī)材料小球含有導(dǎo)電銀膠，采用激光將小球擊碎，使得導(dǎo)電銀膠和彩膜基板上的維修金屬線16連接，以增大維修金屬線16與數(shù)據(jù)線5的接觸面積，提高了維修率。其中，連接電極14具有導(dǎo)電功能，覆蓋在維修金屬塊15之上是為了保護(hù)維修金屬塊15上的鈍化層過孔或溝槽9。當(dāng)采用激光將包含有導(dǎo)電銀膠的有機(jī)材料小球擊碎時，便可通過連接電極14將維修金屬塊15和維修金屬線16連接在一起。導(dǎo)電銀膠是一種固化或干燥后具有一定導(dǎo)電性能的膠黏劑，通常以基體樹脂和導(dǎo)電填料-導(dǎo)電粒子為主要成分，通過基體樹脂的粘接作用把導(dǎo)電粒子結(jié)合在一起形成導(dǎo)電通路，實現(xiàn)被粘材料的導(dǎo)電連接。上述實施例中，柵極掃描線I、數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管的源極6和漏極7、公共電極
11、維修金屬塊15及擋光條12材料可以為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鑰及鋁鎳等金屬或者合金之一或任意組合，結(jié)構(gòu)可以為單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。柵極掃描線I、公共電極11和擋光條12在同一鍍膜、掩模光刻和化學(xué)腐蝕工藝中完成制作，并采用相同的材料；數(shù)據(jù)線5和維修金屬塊15采用相同材料，在同一鍍膜、掩模光刻和化學(xué)腐蝕工藝中制作完成；柵極絕緣層4采用氮化硅或氧化鋁等材料，像素電極10和連接電極14采用氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅等材料。如圖6所示，TFT-IXD陣列基板顯然可以有各種修改和變化，具體可以通過增加或減少曝光次數(shù)以及選擇不同的材料或材料組合制造本發(fā)明的TFT-IXD。本發(fā)明實施例提供一種制造陣列基板的方法，如圖7所示，包括步驟701，在基板上沉積第一金屬薄膜，并在所述第一金屬薄膜上形成柵極掃描線I ;步驟702，淀積柵極絕緣層4，所述柵極絕緣層4位于所述柵極掃描線I和基板之上；步驟703，淀積第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上形成數(shù)據(jù)線和維修金屬塊15 ；步驟704，沉積鈍化層8，所述鈍化層8位于所述柵極絕緣層4上，并具有鈍化層過孔或溝槽9 ；·步驟705，設(shè)置經(jīng)過所述鈍化層過孔或溝槽9與所述維修金屬塊15連接的連接電極14，所述連接電極14提供足夠大的接觸面積與維修金屬線16之間進(jìn)行電連接。在一個優(yōu)選實施例中，還包括通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在第一金屬薄膜上形成柵極掃描線I、柵極2、公共電極11和擋光條12 ;柵極2是柵極掃描線I的一部分，為開啟薄膜晶體管提供開啟電壓；淀積柵極絕緣層4的過程還包括淀積薄膜晶體管；以及，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在所述柵極2上形成半導(dǎo)體有源層3和所述柵極2上方的溝道。在所述第二金屬薄膜上形成數(shù)據(jù)線5還包括通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝在所述第二金屬薄膜上形成所述數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管的源極6和漏極7，其中，部分源極6和部分漏極7搭接在所述半導(dǎo)體有源層3上。通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在薄膜晶體管的漏極7上形成所述鈍化層過孔或溝槽9，通過該鈍化層過孔或溝槽9與像素電極10連接。應(yīng)用實施例所提供的技術(shù)制造TFT-IXD，制造過程包括步驟801，在陣列基板上沉積第一金屬薄膜，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝形成柵極掃描線I、柵極2、公共電極11和擋光條12 ；步驟802，在完成步驟801的陣列基板上連續(xù)淀積柵極絕緣層4和非晶硅薄膜，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝在柵極2上形成半導(dǎo)體有源層3及其上方的溝道。步驟803，在完成步驟802的陣列基板上淀積第二金屬薄膜，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝形成數(shù)據(jù)線5、源極6、漏極7，其中部分源極6和部分漏極7搭接在半導(dǎo)體有源層3上；薄膜晶體管是在制作源極6和漏極7完成后形成的。步驟804，在完成步驟803的陣列基板上沉積鈍化層8，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝形成位于漏極7的鈍化層過孔或溝槽9和連接孔17 ;鈍化層過孔或溝槽9將漏極電壓傳遞到像素電極10之上。步驟805，在完成步驟804的陣列基板上沉積用于刻蝕像素電極10的層，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，形成像素電極10、連接電極14和維修金屬塊15，并將像素電極10和漏極7連接在一起。其中，維修金屬塊15和數(shù)據(jù)線5相連接形成一體結(jié)構(gòu)。同現(xiàn)有技術(shù)相比，完成的陣列基板在數(shù)據(jù)線5 —側(cè)設(shè)置有維修金屬塊15，并使維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5相連接。維修金屬塊15含有導(dǎo)電銀膠的有機(jī)材料小球，通過激光將小球擊碎，使得導(dǎo)電銀膠和維修金屬線16連接，以增大維修金屬線16與數(shù)據(jù)線5的接觸面積，提高了維修成功率。本發(fā)明的TFT-IXD還可以通過下面的方法制造，包括步驟901，使用磁控濺射方法，在陣列基板上制備一層厚度在丨000人至7000人的
金屬薄膜作為柵金屬薄膜。柵金屬薄膜的材料通常采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。用柵極掩模版通過曝光工藝和化學(xué)刻蝕工藝，在陣列基板的一定區(qū)域上形成柵極掃描線I、公共電極11和擋光條12。步驟9。2，利用化學(xué)汽相沉積法在陣列基板上連續(xù)淀積1000人到6000人的柵極絕緣層4，以及1000人到6000人的非晶硅薄膜-半導(dǎo)體有源層3 ;柵極絕緣層4的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
用半導(dǎo)體有源層3的掩模版進(jìn)行曝光后對非晶硅進(jìn)行干法刻蝕，形成硅孤島，而柵金屬和非晶硅之間的柵極絕緣層4起到阻擋刻蝕的作用。步驟903，采用和制備柵極掃描線I類似的方法，在陣列基板上淀積一層類似于柵金屬薄膜的厚度在1000人到7000人的第二金屬薄膜。通過源漏極的掩模版在第二金屬薄膜上的一定區(qū)域中形成數(shù)據(jù)線5、源極6、漏極7和維修金屬塊15 ;其中，數(shù)據(jù)線5、源極6、漏極7和擋光條12具有相同的厚度，因為采用相同的刻蝕工藝，所以刻蝕后會有同樣的金屬線坡度角，源極6和漏極7分別與半導(dǎo)體有源層3的兩端相接觸，形成薄膜晶體管。步驟904，采用與制備柵極絕緣層4以及半導(dǎo)體有源層3相類似的方法，在整個陣列基板上沉積一層厚度1000,4到6000A的鈍化層8，鈍化層8的材料通常是氮化硅或二氧化硅。此時柵極掃描線I、公共電極11和擋光條12上面覆蓋有柵極絕緣層4和鈍化層8，而數(shù)據(jù)線5和維修金屬塊15上面覆蓋有相同厚度的鈍化層8 ;通過鈍化層8的掩模版，利用曝光和刻蝕工藝形成漏極7部分的鈍化層過孔或溝槽9和連接孔17。步驟905，采用與制備柵極絕緣層4以及半導(dǎo)體有源層3相類似的方法，在整個玻璃基板上沉積一層像素電極層；使用透明電極的掩模版，通過相同的工藝步驟，最終形成像素電極10、連接電極
I4、維修金屬塊I5和存儲電容I3，常用的透明電極為ITO或ΙΖ0，厚度#100人至1000人之間。在制作TFT-IXD的過程中，也可以通過增加或減少曝光次數(shù)以及選擇不同的材料或材料組合來實現(xiàn)對應(yīng)的步驟，因此，TFT-LCD的結(jié)構(gòu)顯然可以有各種修改和變化。制作形成的TFT-IXD中，維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5位于同一層，維修金屬塊15和數(shù)據(jù)線5連接形成一體結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線5、公共電極11和擋光條12在同一鍍膜、掩模光刻同化學(xué)腐蝕工藝中完成，并且采用了相同的材料。柵極掃描線11、數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管的源極6和漏極7、公共電極11或擋光條12為鋁、鉻、鎢、鉭、鈦、鑰及鋁鎳之一或任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，柵極絕緣層4的材料為氮化硅、二氧化硅或氧化鋁等，像素電極10和連接電極14的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過在數(shù)據(jù)線5 —側(cè)使用與數(shù)據(jù)線5相同的金屬制作維修金屬塊15，維修金屬塊15與數(shù)據(jù)線5相連接。在維修斷裂的數(shù)據(jù)線5時，不需要打孔工藝，而是將維修金屬線16直接沉積在維修金屬塊15的連接電極14上，由于維修金屬塊15上包括有機(jī)材料小球，有機(jī)材料小球含有導(dǎo)電銀膠，通過激光將小球擊碎使得導(dǎo)電銀膠和維修金屬線16連接，以增大維修金屬線16與數(shù)據(jù)線5的接觸面積，提高了維修成功率。采用本發(fā)明實施例提供的技術(shù)所制作的TFT-IXD顯然可以進(jìn)行各種形式的變通，只要是 在數(shù)據(jù)線5 —側(cè)增加維修金屬，并使維修金屬與數(shù)據(jù)線5相連接即可。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，包括 基板； 柵極掃描線，位于所述基板上； 柵極絕緣層，位于所述柵極掃描線和基板上； 數(shù)據(jù)線，位于所述柵極絕緣層上； 維修金屬塊，位于所述柵極絕緣層上，與所述數(shù)據(jù)線電連接； 鈍化層，位于所述柵極絕緣層和維修金屬塊之上，并具有鈍化層過孔或溝槽； 連接電極，所述連接電極通過所述鈍化層過孔或溝槽與所述維修金屬塊連接，用于提供足夠大的接觸面積與維修用的維修金屬線之間進(jìn)行電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于， 所述數(shù)據(jù)線和維修金屬塊采用相同材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于， 所述連接電極的材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，還包括 擋光條，位于所述基板之上，平行于所述數(shù)據(jù)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于， 維修金屬塊包括有機(jī)材料小球，該有機(jī)材料小球含有導(dǎo)電銀膠。
6.一種制造陣列基板的方法，其特征在于，包括 在基板上沉積第一金屬薄膜，并在所述第一金屬薄膜上形成柵極掃描線； 淀積柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述柵極掃描線和基板之上； 淀積第二金屬薄膜，在所述第二金屬薄膜上形成數(shù)據(jù)線和維修金屬塊； 沉積鈍化層，所述鈍化層位于所述柵極絕緣層上，并具有鈍化層過孔或溝槽； 設(shè)置經(jīng)過所述鈍化層過孔或溝槽與所述維修金屬塊連接的連接電極，所述連接電極用于提供足夠大的接觸面積與維修金屬線之間進(jìn)行電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，還包括 通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在所述第一金屬薄膜上形成所述柵極掃描線的同時形成所述柵極掃描線的柵極，以及公共電極和擋光條； 淀積柵極絕緣層的過程還包括淀積薄膜晶體管；以及，通過光刻工藝和化學(xué)腐蝕工藝，在所述柵極上形成有源層和所述柵極上方的溝道。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板和制造陣列基板的方法，陣列基板包括基板；柵極掃描線，位于基板上；柵極絕緣層，位于柵極掃描線和基板上；數(shù)據(jù)線，位于柵極絕緣層上；維修金屬塊，位于柵極絕緣層上，與數(shù)據(jù)線電連接；鈍化層，位于柵極絕緣層和維修金屬塊之上，并具有鈍化層過孔或溝槽；用于與維修用的維修金屬線之間實現(xiàn)電連接的連接電極，通過鈍化層過孔或溝槽與維修金屬塊連接，提供足夠大的接觸面積與維修用的維修金屬線之間進(jìn)行電連接。當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂時，將維修金屬線直接沉積在維修金屬塊的連接電極上，由于連接電極提供足夠大的接觸面積，因而增大了維修金屬線與維修點的連接電極之間的接觸面積，提高了維修成功率。
文檔編號H01L21/77GK102914927SQ20121041772
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月26日
發(fā)明者張彌 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司