專利名稱：氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是這樣一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其利用p_n結(jié)結(jié)構(gòu)的特性通過電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生光。即，當(dāng)向由特定元素形成的半導(dǎo)體施加電壓時(shí)，電子和空穴在p-n結(jié)處復(fù)合。在這種情況下，產(chǎn)生的能量的量低于電子和空穴分開時(shí)產(chǎn)生的能量的量，從而由于在電子-空穴復(fù)合時(shí)產(chǎn)生的能量的差異而可以發(fā)射光。近來，更多的注意力被吸引到能夠發(fā)射具有短波長(zhǎng)的光(例如，藍(lán)光)的第III族氮化物半導(dǎo)體。通過向具有不同極性的電極施加電信號(hào)來使這種LED工作，然后，電流會(huì)趨于集中地在形成有電極的區(qū)域中或者在具有低電阻的區(qū)域中流動(dòng)。因此，隨著電流流(currentflow)變窄，發(fā)光裝置的工作電壓(Vf)由于窄的電流流而增大，而且進(jìn)一步講，發(fā)光裝置易受靜電放電的影響。為了克服該問題，在相關(guān)技術(shù)中已經(jīng)提出了若干改善發(fā)光裝置內(nèi)部的電流擴(kuò)散功能的方法。這些方法中的一種方法包括通過在半導(dǎo)體層內(nèi)部設(shè)置電流阻擋層來引導(dǎo)電流沿著橫向方向流動(dòng)。然而，需要將異質(zhì)物質(zhì)(例如，諸如SiO2的介電物質(zhì))等引入到氮化物半導(dǎo)體中的附加工藝，在結(jié)晶度方面會(huì)造成問題。可選擇地，可以在n型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之間設(shè)置未摻雜半導(dǎo)體層，這樣就利用了電子遷移率在未摻雜半導(dǎo)體層中相對(duì)增加的現(xiàn)象這一優(yōu)點(diǎn)。然而，即使在使用未摻雜半導(dǎo)體層時(shí)，電子遷移率方面的本質(zhì)差異也不大，因此，電流擴(kuò)散效果會(huì)不充分。因此，需要提供一種改善電流擴(kuò)散從而改善發(fā)光效率的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的一方面提供了一種改善沿水平方向的電流擴(kuò)散從而改善了發(fā)光效率的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該裝置包括n型氮化物半導(dǎo)體層；活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上；p型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；多個(gè)電流擴(kuò)散層，設(shè) 置在n型氮化物半導(dǎo)體層的內(nèi)部和表面中的至少一處。電流擴(kuò)散層包括帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。n型氮化物半導(dǎo)體層可以包括n-GaN，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以由AlxGa^N (0 < I)形成，以與n-GaN形成界面。n型氮化物半導(dǎo)體層可以包括n-GaN，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以由AlxInyGanyN (0 <x彡I且0彡y<l)形成，以與n_GaN形成界面。所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上。所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可以包括緩沖層，設(shè)置在所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上的電流擴(kuò)散層的底表面上。緩沖層可以包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。n型氮化物半導(dǎo)體層可以包括第一層；第二層，設(shè)置在第一層上，并且具有濃度比第一層的n型雜質(zhì)的濃度低的n型雜質(zhì)。所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以設(shè)置在第一層和第二層之間。所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以具有20nm或更小的厚度。所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層可以摻雜有n型雜質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。該裝置包括n型氮化物半導(dǎo)體層；活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上；p型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；電流擴(kuò)散層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上。電流擴(kuò)散層包括帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。電流擴(kuò)散層可以具有20nm或更小的厚度。所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還可以包括緩沖層，設(shè)置在電流擴(kuò)散層的底表面上。緩沖層可以包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。n型氮化物半導(dǎo)體層可以包括n-GaN，電流擴(kuò)散層可以由AlxGai_xN(0 < x彡I)形成，以與n-GaN形成界面。n型氮化物半導(dǎo)體層可以包括n-GaN，電流擴(kuò)散層可以由AlxInyGanyN (0 < x ^ I且0彡y < I)形成，以與n-GaN形成界面。還可以在n型氮化物半導(dǎo)體層的內(nèi)部設(shè)置電流擴(kuò)散層。另外的優(yōu)點(diǎn)和新穎的特征將在下面的描述中部分地進(jìn)行闡述，部分地對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言在研究下面的附圖時(shí)將變得清楚，或者可通過對(duì)示例的生產(chǎn)或操作而了解?？梢酝ㄟ^從各個(gè)方面實(shí)踐或使用在下面討論的詳細(xì)示例中闡述的方法、設(shè)備和組合而實(shí)現(xiàn)并獲得當(dāng)前教導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)。


通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解。附圖僅通過示例的方式而不是限制性的方式描繪了根據(jù)本教導(dǎo)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。在附圖中，同樣的標(biāo)號(hào)表不相同或相似的兀件。圖1是示出了根據(jù)本申請(qǐng)示例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖2是示出了在圖1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的電流擴(kuò)散層周圍形成的異質(zhì)結(jié)界面處的導(dǎo)帶能級(jí)的示圖；圖3是示出了根據(jù)本申請(qǐng)另一示例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖4是示出了 可以在圖3的示例的變型中采用的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的示圖；圖5是示出了根據(jù)電流擴(kuò)散層的數(shù)量的表面電阻的變化的曲線圖6是示出了根據(jù)電流擴(kuò)散層的數(shù)量的輸出功率的變化的曲線圖；圖7是示出了根據(jù)本申請(qǐng)另一示例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述本申請(qǐng)的示例。在下面詳細(xì)的描述中，通過示例的方式闡述了多處具體的細(xì)節(jié)，以提供對(duì)相關(guān)教導(dǎo)的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，可以實(shí)踐本教導(dǎo)而無需這樣的細(xì)節(jié)。在其它情況下，以相對(duì)高的層次而沒有細(xì)節(jié)地描述了公知的方法、步驟、組件和電路，以避免使本教導(dǎo)的多個(gè)方面不必要地變得模糊。然而，本申請(qǐng)的示例可以以許多不同的形式修改，并且本申請(qǐng)的范圍不應(yīng)局限于在此闡述的示例。相反，提供這些示例使得本公開將是徹底的和完全的，并且這些示例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本申請(qǐng)的構(gòu)思。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大元件的形狀和尺寸。圖1是示出了根據(jù)本申請(qǐng)示例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性剖視圖，圖2是示出了在圖1的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的在電流擴(kuò)散層周圍形成的異質(zhì)結(jié)界面處的導(dǎo)帶能級(jí)的示圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本示例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置100具有發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底101上的結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括n型氮化物半導(dǎo)體104、活性層105和p型氮化物半導(dǎo)體層106。在本示例中，電流擴(kuò)散層103設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104的底表面上，電流擴(kuò)散層103可以與n型氮化物半導(dǎo)體層104—起形成二維電子氣(2DEG)層，從而使得在整個(gè)發(fā)光區(qū)域分布均勻的電流流?？梢栽谛纬砂l(fā)光結(jié) 構(gòu)之前，將緩沖層102設(shè)置在基底101上，緩沖層102可以包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層，例如 ，未摻雜GaN層。然而，本申請(qǐng)不限于此，緩沖層102可以由n型氮化物半導(dǎo)體形成。此外，根據(jù)本申請(qǐng)的一些示例，可以不包括緩沖層102。另外，除了包括氮化物半導(dǎo)體層之外，緩沖層102還可以包括設(shè)置在基底101上的成核層。同時(shí)，作為用來施加外部電信號(hào)的結(jié)構(gòu)，n型電極108a形成在n型氮化物半導(dǎo)體層104的臺(tái)面蝕刻區(qū)域中，即，形成在通過去除活性層105和p型氮化物半導(dǎo)體層106的一部分而被暴露的區(qū)域中，歐姆電極層107和p型電極108b可以設(shè)置在p型氮化物半導(dǎo)體層106上。然而，在本申請(qǐng)中，諸如“頂部”、“頂表面”、“底部”、“底表面”和“側(cè)表面”等的術(shù)語(yǔ)是以附圖為基礎(chǔ)的，并且可以根據(jù)半導(dǎo)體發(fā)光裝置被實(shí)際安裝的方向來進(jìn)行改變。基底101被設(shè)置成用于氮化物半導(dǎo)體單晶的生長(zhǎng)，可以使用由藍(lán)寶石、S1、ZnO> GaAs> SiC、MgAl2O4^ MgO> LiA102、LiGaO2 或 GaN 等形成的基底。這里,藍(lán)寶石是具有Hexa-Rhombo R3C對(duì)稱性的晶體，并且具有沿C軸為13.001A的晶格常數(shù)和沿A軸為4.758人的晶格常數(shù)。藍(lán)寶石的取向面包括C(OOOl)面、A(1120)面、R(1102)面等。具體地講，C面主要用作用于氮化物半導(dǎo)體生長(zhǎng)的基底，這是因?yàn)樗鄬?duì)促進(jìn)氮化物膜生長(zhǎng)并且在高溫下穩(wěn)定。n型氮化物半導(dǎo)體層104和p型氮化物半導(dǎo)體層106可以由氮化物半導(dǎo)體形成，例如，由組成為AlxInyGa1TyN (0 x : 1、0彡x+y ( I)的材料形成,并且每個(gè)層可以由單個(gè)層形成，而根據(jù)摻雜濃度、組成等，每個(gè)層可以由具有不同特性的多個(gè)層形成。設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104和p型氮化物半導(dǎo)體層106之間的活性層105通過電子和空穴的復(fù)合發(fā)射具有預(yù)定量的能量的光，并且可以具有量子阱層和量子壘層交替地堆疊的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)，例如，InGaN/GaN結(jié)構(gòu)。同時(shí)，發(fā)光結(jié)構(gòu)的n型氮化物半導(dǎo)體層104、P型氮化物半導(dǎo)體層106和活性層105可以利用例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等傳統(tǒng)的工藝生長(zhǎng)。歐姆電極層107可以由與p型氮化物半導(dǎo)體層106具有歐姆電特性的材料制成，透明材料或反光材料可以根據(jù)裝置100的預(yù)期用途而用作歐姆電極層107。例如，歐姆電極層107可以由具有優(yōu)異的歐姆接觸性能同時(shí)保持用于透明電極的材料中的高水平的透光性的透明導(dǎo)電氧化物(例如，IT0、CI0或ZnO等)制成?？蛇x擇地，歐姆電極層107可以由諸如銀(Ag)或(Al)等的高反射性的材料制成，在這種情況下，歐姆電極層107可以適于以所謂的倒裝芯片方式來安裝裝置100。然而，對(duì)于本示例而言，歐姆電極層107并不是必需的，可以根據(jù)情況的改變而不包括歐姆電極層107?？梢酝ㄟ^針對(duì)本領(lǐng)域已知的導(dǎo)電材料(例如，銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)和鉻(Cr)等中的至少一種材料)執(zhí)行沉積或?yàn)R射等來形成n型電極108a和p型電極108b。然而，在圖1中示出的結(jié)構(gòu)的情況下，n型電極108a和p型電極108b設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104和歐姆電極層107的各自的頂表面上，但是電極108a和108b的這種形成方法僅僅是示例性的?？梢栽诎╪型氮化物半導(dǎo)體層104、活性層105和p型氮化物半導(dǎo)體層106的發(fā)光結(jié)構(gòu)的不同的位置來形成這些電極。例如，如圖7的示例中所示，通過在沒有蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下去除基底來暴露P型氮化物半導(dǎo)體層的表面，然后將電極設(shè)置在暴露的表面上。根據(jù)本示例，電流擴(kuò)散層103促使電流均勻地分散在整個(gè)發(fā)光表面上，并且為此而在與n型氮化物半導(dǎo)體層104的界面處形成2DEG層。在這種情況下，形成電流擴(kuò)散層103的材料的帶隙能大于形成n型氮化物半導(dǎo)體層104的材料的帶隙能。例如，當(dāng)n型氮化物半導(dǎo)體層104包括n-GaN時(shí)，電流擴(kuò)散層103由AlxGa^N(0 < x彡I) ( S卩，AlGaN或AlN)形成，從而與 n-GaN形成界面。另外，電流擴(kuò)散層103可以包含In組分，S卩，可以由AlxInyGa1^yN(0 < x彡1、0彡y < I)形成，從而與n_GaN形成界面。在這種情況下，電流擴(kuò)散層103可以用n型雜質(zhì)摻雜，以具有優(yōu)異的電特性。另外，考慮到用來形成2DEG層的條件和結(jié)晶度等，電流擴(kuò)散層103可以具有20nm或更小的厚度；然而，本申請(qǐng)不限于此。按照這種方式，當(dāng)n型氮化物半導(dǎo)體層104和電流擴(kuò)散層103形成異質(zhì)結(jié)界面時(shí)，在異質(zhì)結(jié)界面處改善了載流子遷移率，因此，可以沿橫向方向形成電流流。更具體地講，參照?qǐng)D2，在異質(zhì)氮化物半導(dǎo)體層(例如，GaN層和AlGaN層)之間的界面處，由于極化而產(chǎn)生阱區(qū)域，被約束在阱區(qū)域中的載流子具有相對(duì)更高的遷移率。因此，可以在裝置的內(nèi)部采用諸如GaN/AlGaN的異質(zhì)結(jié)界面，從而確保高水平的電流擴(kuò)散特性。同時(shí)，由于可以根據(jù)形成異質(zhì)結(jié)界面所在的位置來改變電流擴(kuò)散特性，所以本申請(qǐng)的發(fā)明人在三個(gè)不同的位置應(yīng)用了電流擴(kuò)散層，并且檢驗(yàn)了驅(qū)動(dòng)電壓和輸出功率。作為第一示例I，提供了將電流擴(kuò)散層103設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104的底表面上的結(jié)構(gòu)。作為第二示例II，提供了將電流擴(kuò)散層103插到n型氮化物半導(dǎo)體層104中的結(jié)構(gòu)。作為第三示例III，提供了將電流擴(kuò)散層103設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104的頂表面上的結(jié)構(gòu)，即，將電流擴(kuò)散層103設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層104和活性層105之間的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，電流擴(kuò)散層使用了用n型雜質(zhì)摻雜的Ala37Gaa63N,并且具有大約5nm的厚度。在上述結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動(dòng)電壓和輸出功率如下示出。
權(quán)利要求
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括 n型氮化物半導(dǎo)體層； 活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上； P型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；以及 多個(gè)電流擴(kuò)散層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的內(nèi)部和表面中的至少一處，并且包含帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中 n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN， 所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層由AlxGa1J形成，以與n-GaN形成界面，其中，O < X≤I。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中 n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN， 所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層由AlxInyGamN形成，以與n_GaN形成界面，其中，O < X ≤1,0 ≤ y < I0
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上。
5.如權(quán)利要求4所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括 緩沖層，設(shè)置在所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上的電流擴(kuò)散層的底表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，緩沖層包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，n型氮化物半導(dǎo)體層包括 第一層；以及 第二層，設(shè)置在第一層上，并且具有濃度比第一層的n型雜質(zhì)的濃度低的n型雜質(zhì)。
8.如權(quán)利要求7所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層設(shè)置在第一層和第二層之間。
9.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層具有20nm或小于20nm的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)電流擴(kuò)散層中的至少一個(gè)電流擴(kuò)散層摻雜有n型雜質(zhì)。
11.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括 反射金屬層，設(shè)置在P型氮化物半導(dǎo)體層上。
12.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括 n型氮化物半導(dǎo)體層； 活性層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上； P型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在活性層上；以及 電流擴(kuò)散層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的底表面上，并且包含帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。
13.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，電流擴(kuò)散層具有20nm或小于20nm的厚度。
14.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括 緩沖層，設(shè)置在電流擴(kuò)散層的底表面上。
15.如權(quán)利要求14所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，緩沖層包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層。
16.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中 n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN， 電流擴(kuò)散層由AlxGahN形成，以與n-GaN形成界面，其中，0<x彡I。
17.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中 n型氮化物半導(dǎo)體層包含n-GaN， 電流擴(kuò)散層由AlxInyGamN形成，以與n_GaN形成界面，其中，0<x彡1，0彡y<l。
18.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的內(nèi)部的另外的電流擴(kuò)散層。
19.如權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括 歐姆電極層，設(shè)置在P型氮化物半導(dǎo)體層上。
20.如權(quán)利要求19所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，歐姆電極層設(shè)置在透明導(dǎo)電氧化物上。
全文摘要
提供了一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括n型氮化物半導(dǎo)體層、設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上的活性層和設(shè)置在活性層上的p型氮化物半導(dǎo)體層。一個(gè)或多個(gè)電流擴(kuò)散層設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層的表面上。電流擴(kuò)散層包括帶隙能比形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的帶隙能大的材料，以在與形成n型氮化物半導(dǎo)體層的材料的界面處形成二維電子氣層。
文檔編號(hào)H01L33/14GK103066176SQ20121040080
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者金范埈, 金晟泰, 金榮善, 尹皙胡, 金起成, 李浩喆 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社