專利名稱：一種去除SixNy殘留物的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池硅片處理方法，具體地說是一種去除硅片上SixNy殘留物的處理方法。
背景技術(shù)：
隨著市場品質(zhì)要求日益增高，對電池片外觀的要求越來越嚴格。其中在鍍膜過程中會形成很多的不良半成品片，例如發(fā)紅片、彩虹片、色差片、臟片等，這些異常片會造成產(chǎn)線的良率下降以及客戶抱怨的增多，所以處理這些不良半成品片在所難免。
高濃度的氫氟酸對于SixNy膜具有很好的去除作用，但是受清洗時間、溶液濃度、 清潔度影響，硅片表面殘留物可能不能完全去除，此時就不能重新制絨以免造成污染。發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種能夠徹底去除硅片上SixNy殘留物的處理方法。
技術(shù)方案為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種去除SixNy殘留物的處理方法，該方法的具體步驟如下(1)將質(zhì)量百分比為1%-1.2%的氫氧化鈉NaOH、體積比3. 0%-3. 6% H2O2溶液混合，加熱升溫到 63 0C -67 0C ；(2)將硅片放入上述溶液中浸泡3min-4min ；(3)將浸泡后的娃片放入在水中浸泡40s_60s；(4)將水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用時間評估，時間為20-40S，然后烘干即可。
本發(fā)明利用NaOH與H2O2混合液能將不能完全去除SixNy膜的異常片恢復(fù)到制絨前狀態(tài)，保證此硅片的品質(zhì)與正 常硅片基本一致。
本發(fā)明中所述H2O2的目的是去除有機物，NaOH與Si反應(yīng)起粗拋作用，去除表面損傷以及表面殘留物，并且增強H2O2氧化能力；S i+2Na0H+H20==Na2Si 03+2H2而氫氣不斷從溶液中溢出，使反應(yīng)不斷進行，生成溶于水硅酸鈉，經(jīng)過此反應(yīng)不會對硅片性能有任何影響。
有益效果本發(fā)明所述的去除SixNy殘留物的處理方法，具有以下優(yōu)點本發(fā)明能夠處理氫氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的異常片，對其進行處理后可重新制絨，工藝簡單，無需增加額外的設(shè)備，對硅片性能無影響，提高生產(chǎn)線的良率。


圖1為本發(fā)明的示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，本實施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進行實施，應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
如圖1所示的一種去除SixNy殘留物的處理方法，具體步驟如下(O將質(zhì)量百分比為1. 1%的氫氧化鈉、體積比為3. 3%的H2O2水混合液，加熱溫度到 65 0C ；(2)將硅片放入上述溶液中浸泡3min ；(3)將浸泡后的娃片放入在水中浸泡3.5min ；(4)將水中浸泡的硅片慢慢提拉，50S將硅片從水中完全提拉離水面，然后烘干即可?！?br> 權(quán)利要求
1.一種去除SixNy殘留物的處理方法，其特征在于具體步驟如下(1)將質(zhì)量百分比為1%_1.2%的氫氧化鈉NaOH、體積比3. 0%-3. 6% H2O2溶液混合，加熱升溫到 63 0C -67 0C ；(2)將硅片放入上述溶液中浸泡3min-4min ；(3)將浸泡后的娃片放入在水中浸泡40s_60s；(4)將水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用時間評估，時間為20-40S，然后烘干即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除SixNy殘留物的處理方法，其特征在于具體步驟如下(1)將質(zhì)量百分比為1.1%的氫氧化鈉、體積比為3. 3%的H2O2水混合液，加熱溫度到 65 0C ；(2)將硅片放入上述溶液中浸泡3min ；(3)將浸泡后的娃片放入在水中浸泡3.5min ；(4)將水中浸泡的硅片慢慢提拉，50S將硅片從水中完全提拉離水面，然后烘干即可。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種去除SixNy殘留物的處理方法，具體步驟如下(1)將氫氧化鈉、H2O2水溶液加熱升溫；(2)將硅片放入上述溶液中浸泡；(3)水洗；(4)將水中浸泡的硅片慢慢提拉，然后烘干即可。本發(fā)明能夠處理氫氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的異常片，對其進行處理后可重新制絨，工藝簡單，無需增加額外的設(shè)備，對硅片性能無影響，提高生產(chǎn)線的良率。
文檔編號H01L21/311GK103021841SQ201210369039
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者王虎 申請人:奧特斯維能源(太倉)有限公司