專利名稱:一種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及ー種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,屬于半導(dǎo)體磁性納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
隨著納米技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了ー個(gè)橫跨半導(dǎo)體和磁性材料的新型研究方向ー自旋電子學(xué)。在自旋電子學(xué)中,電子是自旋的載體,可利用自旋進(jìn)行信息的儲(chǔ)存和傳輸。研究結(jié)果表明,磁性半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高效率的自旋注入。但是,由于磁性元素本身在半導(dǎo)體的固溶 度不高,往往會(huì)有磁性雜質(zhì)的析出,而且磁性元素的摻雜容易形成第二相,因此不進(jìn)行任何摻雜的純半導(dǎo)體的鐵磁性研究引起了研究者的興趣。目前這方面的研究主要集中在納米結(jié)構(gòu)氧化物寬帶隙半導(dǎo)體,如ZnO,HfO, TiO2等。IV族納米半導(dǎo)體可以與成熟的Siエ藝技術(shù)兼容,使其備受關(guān)注。其中,碳各種形態(tài)的鐵磁性研究最多,關(guān)于Si、Ge的磁性報(bào)道還不多見(jiàn)。Ge具有高的載流子遷移率,并且Ge的玻爾半徑為17-24 nm,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于Si的玻爾半徑(5 nm),因此Ge的量子限制效應(yīng)比Si的更為明顯。由于Ge的各種優(yōu)點(diǎn),人們已經(jīng)開(kāi)始研究Ge納米結(jié)構(gòu)的磁性,并試圖將其應(yīng)用于新型自旋電子學(xué)器件。2007年,Liou在Ge納米結(jié)構(gòu)中觀察到了室溫鐵磁性(參考文獻(xiàn)Liou Y,Su P W,Shen Y L. Appl Phys Lett, 2007,90(18) :182508(1-3))。作者使用熱蒸發(fā)的方法在聚苯こ烯(PS)微球上蒸鍍了不同厚度的Ge層。測(cè)試發(fā)現(xiàn)Ge層的厚度和PS微球的尺寸影響Ge納米結(jié)構(gòu)的磁化強(qiáng)度。但PS球直徑直接影響其磁性的強(qiáng)弱,而且PS并不與Siエ藝兼容,此外,熱蒸發(fā)的方法不能很好的控制膜的厚度,這在很大范圍上限制了材料的實(shí)際應(yīng)用。研究者還用惰性氣體凝結(jié)(IGC)的方法制備了 Ge納米顆粒,并觀察到了鐵磁性(參考文獻(xiàn)I. Liou Y, Shen Y L. Adv Mater,2008,20 :779-783 ;參考文獻(xiàn) 2. Liou Y, Lee M S,You K L. Appl Phys Lett, 2007,91(8) :082505(1-3) )。Ge納米顆粒的尺寸和密度影響樣品的磁化強(qiáng)度。在Ge納米顆粒上増加覆蓋層可以增強(qiáng)樣品的磁化強(qiáng)度。但是,Ge納米顆粒應(yīng)用于器件涉及到顆粒的粘附等,具有一定的局限性,因此其應(yīng)用受到一定限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,實(shí)現(xiàn)了將自旋電子學(xué)器件在Si、Ge半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是這樣的ー種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,其表達(dá)式為[Gex-(SiN)y]z,式中,X、y、z分別表示Ge層厚度、SiN層厚度和循環(huán)濺射Ge和 SiN 薄膜的次數(shù),其中,3 nm ^ X ^ 10 nm, 4 nm ^ y ^ 16 nm, 3 ^ z ^ 12 (z 取整數(shù))。本發(fā)明給出的復(fù)合薄膜材料的膜厚和循環(huán)濺射Ge和SiN的次數(shù)是基于以下原理確定的由于SiN和Ge的禁帶寬度不同,改變SiN每層厚度和周期,也就改變了晶格勢(shì)場(chǎng),使載流子行為不同于塊體Ge或SiN材料;對(duì)于Ge納米材料,當(dāng)它的尺寸小于玻爾半徑17nm吋,由于量子限制效應(yīng),宏觀的準(zhǔn)連續(xù)能帶轉(zhuǎn)變?yōu)榉至⒌哪芗?jí),并且自旋也分裂為不成對(duì)自旋。SiN基質(zhì)將Ge層隔離,避免Ge的大顆粒團(tuán)聚。當(dāng)SiN為12 nm時(shí),鄰近勢(shì)阱波函數(shù)作用使得Ge粒子可以通過(guò)隧道效應(yīng)穿過(guò)勢(shì)壘進(jìn)行耦合。當(dāng)SiN基質(zhì)厚度較小(小于12 nm)時(shí),鄰近Ge層間顆粒團(tuán)聚,類似于塊材Ge,磁性減弱或消失。當(dāng)SiN基質(zhì)形成的壘寬足夠?qū)?,大?2 nm時(shí),鄰近勢(shì)阱形成獨(dú)立勢(shì)阱,將粒子限制在阱中,因此產(chǎn)生的耦合效應(yīng)減弱,減小了磁矩;當(dāng)Ge層太薄(〈3 nm)時(shí),納米Ge間的稱合效應(yīng)較弱,當(dāng)Ge層太厚時(shí)(>10 nm),類似于體材料,不成對(duì)自旋數(shù)目減少,磁信號(hào)也明顯下降。由于疊加效應(yīng),増加樣品的周期可以增加總波函數(shù)的強(qiáng)度,最終得到具有鐵磁性的Ge-SiN多層薄膜材料。實(shí)驗(yàn)證實(shí),當(dāng)SiN總厚度為48 nm,即<z=48,當(dāng)x=5 nm, y=12 nm, z=4時(shí),樣品的飽和磁化強(qiáng)度達(dá)到最強(qiáng),為2. 90 emu/cm3,剰余磁化強(qiáng)度和矯頑カ也達(dá)到最大,分別為O. 40emu/cm3 和 189. 82 Oe。本發(fā)明提供的具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料的制備方法包括如下步驟
(O選取單晶Si (100)作為基片,基片清洗過(guò)程丙酮溶液浸泡并用超聲波清洗10min ;去離子水沖洗,酒精浸泡并用超聲波清洗10 min ;去離子水沖洗,稀釋的30%的HF中浸泡I min ;去離子水沖洗,氮?dú)獯蹈桑逑磸氐?,避免磁性雜質(zhì)的干擾。(2)采用公知的射頻濺射方法在已清洗的Si基片上進(jìn)行Ge膜的生長(zhǎng),通過(guò)調(diào)節(jié)Ar (99. 999%)氣的氣體流量,使濺射氣壓為2.0 Pa,并且保持濺射功率為160 W ;
(3)在射頻濺射過(guò)程中,當(dāng)Ge膜的厚度達(dá)到設(shè)定厚度時(shí),更換SiN靶進(jìn)行濺射,保持濺射氣壓2. O Pa,濺射功率為160 W ;
(4)在射頻濺射過(guò)程中,當(dāng)SiN的厚度達(dá)到設(shè)定厚度時(shí),更換Ge靶進(jìn)行濺射,保持濺射氣壓2. O Pa,濺射功率為160 W ;
重復(fù)以上(2) (3) (4)操作,循環(huán)濺射Ge和SiN薄膜,循環(huán)濺射次數(shù) 3彡z彡12 (z取整數(shù))。本發(fā)明根據(jù)薄膜材料中單層Ge和SiN的厚度,以及循環(huán)濺射Ge和SiN的次數(shù)的不同,分為四系列,試樣及測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表I,表2,表3和表4所示。表I第一系列的Ge-SiN薄膜材料的具體制備條件及測(cè)試結(jié)果
權(quán)利要求
1.一種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,其特征在于其化學(xué)式為[Gex-(SiN)y]z,式中,X、y、Z分別表示Ge層厚度、SiN層厚度和循環(huán)濺射Ge和SiN薄膜的次數(shù),其中,3 nm ^ X ^ 10 nm, 4 nm ^ y ^ 16 nm, 3 ^ z ^ 12 (z 取整數(shù))。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,其特征在于x=5nm, y=12 nm, z=4。
3.一種制備如權(quán)利要求I所述的具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料的方法,其特征在于包括以下步驟 (O選取單晶Si (100)作為基片,基片清洗過(guò)程丙酮溶液浸泡并用超聲波清洗10min ;去離子水沖洗,酒精浸泡并用超聲波清洗10 min ;去離子水沖洗,稀釋的30%的HF中浸泡I min ;去離子水沖洗,氮?dú)獯蹈桑? (2)采用公知的射頻濺射的方法在已清洗的基片上進(jìn)行Ge膜的生長(zhǎng),通過(guò)調(diào)節(jié)Ar(99. 999%)氣的氣體流量,使濺射氣壓為2. O Pa,并且保持濺射功率為160 W ; (3)在射頻濺射過(guò)程中,當(dāng)Ge膜的厚度達(dá)到設(shè)定厚度時(shí),更換SiN靶進(jìn)行濺射,保持濺射氣壓2. O Pa,濺射功率為160 W ; (4)在射頻濺射過(guò)程中,當(dāng)SiN的厚度達(dá)到設(shè)定厚度時(shí),更換Ge靶進(jìn)行濺射,保持濺射氣壓2. O Pa,濺射功率為160 W ; 重復(fù)以上(2),(3),(4)操作。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復(fù)合薄膜材料,其化學(xué)式為[Gex-(SiN)y]z,式中,x、y、z分別表示Ge層厚度、SiN層厚度和循環(huán)濺射Ge和SiN薄膜的次數(shù),其中,3nm≤x≤10nm,4nm≤y≤16nm,3≤z≤12(z取整數(shù))。其制備方法是采用量子限制效應(yīng)原理制備多層膜使材料具有磁性。即射頻循環(huán)濺射Ge和SiN。本發(fā)明與成熟的半導(dǎo)體工藝兼容,制備工藝簡(jiǎn)單。該復(fù)合薄膜材料在新型磁存儲(chǔ)器、微型自旋電子學(xué)器件等方面都有潛在的應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01F10/193GK102832009SQ20121035465
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月23日
發(fā)明者甄聰棉, 劉秀敏, 劉淵博, 馬麗, 侯登錄 申請(qǐng)人:河北師范大學(xué)