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以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法

文檔序號:7107147閱讀:211來源:國知局
專利名稱:以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種濕制程蝕刻方法及裝置,尤其涉及一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法及裝置。
背景技術(shù)
一般在進行濕式蝕刻時,首先反應(yīng)物利用擴散效應(yīng),通過一層薄薄的擴散邊界層,以到達被蝕刻薄膜表面。然后,這些反應(yīng)物將與薄膜表面的分子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),并生成各種反應(yīng)生成物。這些位于薄膜表面的反應(yīng)生成物,也將利用擴散效應(yīng),通過擴散邊界層到達溶液里,而后隨著溶液排出。為了增加擴散效應(yīng),有利用磁鐵帶動蝕刻槽底部的攪棒以攪拌蝕刻液,但此種方式僅能攪動下層的蝕刻液,對于大面積的玻璃或晶圓的蝕刻,亦不能到達載具的凹槽(Slot)處,會形成死角。授予Jellrey C. Calio等人的美國專利第6,054,162號教導(dǎo)一種攪拌蝕刻液的方法及裝置,在蝕刻槽底部放出氣泡,以攪拌蝕刻液,但仍不能攪動 到載具的凹槽(Slot)處,亦會形成死角。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題就是提供一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法,利用攪棒往復(fù)式攪拌產(chǎn)生微小振動,提高蝕刻均勻度,而提升良率。本發(fā)明另提供一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置及方法,以排除載具凹槽處的流場死角,提高蝕刻均勻度,進而提升良率。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,包括濕制程蝕刻槽,所述濕制程蝕刻槽內(nèi)設(shè)有蝕刻液及載具,所述載具設(shè)有多個凹槽,所述凹槽置放有工件,其特征在于,還包括兩攪棒組,所述兩攪棒組分別設(shè)置于所述載具的兩側(cè),每一攪棒組各具有至少一攪棒,所述攪棒由驅(qū)動機構(gòu)所帶動,用于擾動所述蝕刻液。作為優(yōu)選,所述攪棒組的攪棒設(shè)置為一支或多支。作為優(yōu)選,所述攪棒組的攪棒形成有寬部及窄部。作為優(yōu)選,所述攪棒組的驅(qū)動機構(gòu)由馬達連接連桿組成。作為優(yōu)選,所述攪棒組的驅(qū)動機構(gòu)由氣壓缸連接連桿組成。作為另一種優(yōu)選的方案一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,包括步驟如下將工件置于載具的凹槽內(nèi);將置有所述工件的載具放置于內(nèi)設(shè)有蝕刻液的濕制程蝕刻槽內(nèi);以及將設(shè)置于所述載具兩側(cè)的兩攪棒組的攪棒以驅(qū)動機構(gòu)帶動,用于擾動所述蝕刻液。作為優(yōu)選,所述兩攪棒組同向或反向的移動。作為優(yōu)選,所述攪棒組的攪棒的攪拌頻率為每分鐘5至20次。作為優(yōu)選,所述攪棒組的攪棒設(shè)置為一支或多支。作為優(yōu)選,所述攪棒組的攪棒形成有寬部及窄部。
本發(fā)明具有以下有益的效果本發(fā)明利用攪棒往復(fù)式攪拌,可以擾動蝕刻液產(chǎn)生不同方向的水波來推動工件的兩邊,使其一邊向前,一邊向后抵住凹槽,使工件產(chǎn)生微小振動(Micro-vibration),可使得位于載具(Cassette)內(nèi)各工件能夠得到均勻的蝕刻液分布,尤其是在固定工件的凹槽處,為蝕刻液最不易擴散到達的死角,使用攪棒的往復(fù)式攪拌,可提高工件的蝕刻均勻度。經(jīng)由進一步地調(diào)整攪拌頻率及攪棒的形狀、數(shù)量及位置,更可排除載具凹槽處的流場死角,有效降低擴散邊界層厚度,進而提高工件的蝕刻均勻度。為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容,請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖I為本發(fā)明濕式蝕刻的擴散邊界層理論的示意圖。圖2為本發(fā)明實施例以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置的示意圖。圖3為本發(fā)明另一實施例攪棒的示意圖。圖4為本發(fā)明實施例以攪棒擾動載具邊緣形成水波的示意圖。圖5為本發(fā)明攪棒反向擾動的示意圖。其中,附圖標記說明如下I濕制程蝕刻槽2攪棒組21 攪棒211 窄部212 寬部22驅(qū)動機構(gòu)221 連桿222氣壓缸3 載具31 凹槽4 工件A 水波B 水波a反應(yīng)物b擴散邊界層c 薄膜d反應(yīng)生成物
具體實施例方式請參閱圖1,在進行濕式蝕刻時,首先反應(yīng)物a利用擴散效應(yīng),通過一層薄薄的擴散邊界層b,以到達被蝕刻的薄膜c表面。然后這些反應(yīng)物a將與薄膜c表面的分子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),并生成各種反應(yīng)生成物d。這些位于薄膜c表面的反應(yīng)生成物d,也將利用擴散效應(yīng),通過擴散邊界層b到達溶液里,而后隨著溶液排出。根據(jù)流體的質(zhì)量傳輸(MassTransfer)公式可知,設(shè)備使用Paddle攪拌方式,以增加W(振動頻率或角頻率)的值,可降低擴散邊界層厚度(8 ),進而提高擴散速率及最終蝕刻速率。其中D為擴散常數(shù),V為粘度(Kinetic Viscosity)。擴散層厚度5 = 1.61D1/3V1/6(w)-1/2請參閱圖2,本發(fā)明提供一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,包括濕制程蝕刻槽I及兩攪棒組2,所述濕制程蝕刻槽I內(nèi)設(shè)有蝕刻液(圖略),蝕刻液的材質(zhì)并不限制。所述濕制程蝕刻槽I內(nèi)中間處設(shè)有載具3,所述載具3設(shè)有多個凹槽31,所述凹槽31可用以置放需要蝕刻的工件4,載具3的結(jié)構(gòu)為現(xiàn)有的技術(shù),故不予以贅述。所述工件4可為玻璃或晶圓等。所述兩攪棒組2分別設(shè)置于所述載具3的兩側(cè),且所述兩攪棒組2位于濕制程蝕
刻槽I內(nèi),如圖2所示兩攪棒組2分別設(shè)置于所述載具3的左側(cè)及右側(cè)。每一攪棒組2各具有至少一攪棒21,攪棒21的形狀并不限制,可為筆直狀的桿體,也可為曲折狀的桿體,攪棒21的形狀可因應(yīng)需要彈性地變化。所述攪棒21以驅(qū)動機構(gòu)22所帶動,驅(qū)動機構(gòu)22的構(gòu)造也不限制,例如可由馬達或氣壓缸等連接連桿組成,本實施例所揭示的驅(qū)動機構(gòu)22由氣壓缸222連接連桿221組成??衫抿?qū)動機構(gòu)22帶動兩攪棒組2的攪棒21 —組向前、一組向后地往復(fù)攪拌蝕刻液。兩攪棒組2的攪棒21移動的方向并不限制,兩攪棒組2的攪棒21可同向或反向的移動,例如兩攪棒組2的攪棒21可以一組向前、一組向后的移動,也可以兩組同時向前或向后的移動,兩攪棒組2的攪棒21反向的移動,擾動的效果較強。兩攪棒組2的攪棒21移動的速度及方向皆可以因應(yīng)不同需要而彈性地調(diào)整。每一攪棒組2的攪棒21可設(shè)置為一支、兩支或多支,攪棒21的數(shù)量并不限制,但不可過多,否則會行程不足,擾動力道太小,如圖2所示兩攪棒組2各設(shè)有一支攪棒21,。所述攪棒組2的攪棒21的攪拌頻率為每分鐘5至20次。如圖3所示,攪棒21也可以形成不等的寬度,部分較寬,部分較窄,亦即每一攪棒21形成有窄部211及寬部212,使攪棒21可產(chǎn)生不同的擾動效果,寬部212的阻力大、擾動效果大,窄部211的阻力小、擾動效果小,以便因應(yīng)工件4的不同需求而彈性地調(diào)整攪棒21的寬窄尺寸。本發(fā)明另提一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,包括步驟如下將工件4置于載具3的凹槽31內(nèi);將所述置有工件4的載具3放置于內(nèi)設(shè)有蝕刻液的濕制程蝕刻槽I內(nèi);以及將設(shè)置于所述載具3兩側(cè)的兩攪棒組2的攪棒21由驅(qū)動機構(gòu)22帶動,用于擾動所述蝕刻液。請參閱圖4,載具3的凹槽31可置放需要蝕刻的工件4(如玻璃或晶圓),其中位于左側(cè)的攪棒組2的攪棒21向前推動蝕刻液形成水波A,進而推動工件4的左側(cè)向前移動,使蝕刻液到達凹槽31內(nèi)的工件4表面。相反地,位于右側(cè)的攪棒組2的攪棒21向后推動蝕刻液形成水波B,進而推動工件4的右側(cè)向后移動,使蝕刻液到達凹槽31內(nèi)的工件4表面。因而能有效地降低擴散邊界層厚度,并使蝕刻液進入最不易擴散到達凹槽31內(nèi)的死角,進而提高工件4的蝕刻均勻度。請參閱圖5,兩攪棒組2的攪棒21移動方向與圖4所示相反,其中位于左側(cè)的攪棒組2的攪棒21向后推動蝕刻液形成水波A,進而推動工件4的左側(cè)向后移動,使蝕刻液到達凹槽31內(nèi)的工件4表面。相反地,位于右側(cè)的攪棒組2的攪棒21向前推動蝕刻液形成水波B,進而推動工件4的右側(cè)向前移動,使蝕刻液到達凹槽31內(nèi)的工件4表面。如此反復(fù)擾動,以提高工件4的蝕刻均勻度。本發(fā)明利用攪棒往復(fù)式攪拌,可以擾動蝕刻液產(chǎn)生不同方向的水波來推動工件的兩邊,使其一邊 向前,一邊向后抵住凹槽,使工件產(chǎn)生微小振動,可使得位于載具內(nèi)各工件能夠得到均勻的蝕刻液分布,尤其是在固定工件的凹槽處,為蝕刻液最不易擴散到達的死角,使用攪棒的往復(fù)式攪拌,可提高工件的蝕刻均勻度。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,非意欲局限本發(fā)明的權(quán)利要求范圍,故舉凡運用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所為的等效變化,均同理皆包含于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi),合予陳明。
權(quán)利要求
1.一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,包括濕制程蝕刻槽,所述濕制程蝕刻槽內(nèi)設(shè)有蝕刻液及載具,所述載具設(shè)有多個凹槽,所述凹槽置放有工件,其特征在于,還包括兩攪棒組,所述兩攪棒組分別設(shè)置于所述載具的兩側(cè),每一所述攪棒組各具有至少一攪棒,所述攪棒由驅(qū)動機構(gòu)所帶動,用于擾動所述蝕刻液。
2.如權(quán)利要求I所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,其特征在于,每一所述攪棒組的所述攪棒設(shè)置為一支或多支。
3.如權(quán)利要求I所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,其特征在于,每一所述攪棒組的所述攪棒形成有窄部及寬部。
4.如權(quán)利要求I所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,其特征在于,每一所述攪棒組的所述驅(qū)動機構(gòu)由馬達連接連桿組成。
5.如權(quán)利要求I所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,其特征在于,每一所述攪棒組的所述驅(qū)動機構(gòu)由氣壓缸連接連桿組成。
6.一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,其特征在于,包括步驟如下 將工件置于載具的凹槽內(nèi); 將置有所述工件的所述載具放置于內(nèi)設(shè)有蝕刻液的濕制程蝕刻槽內(nèi);以及 將設(shè)置于所述載具兩側(cè)的兩攪棒組的攪棒以驅(qū)動機構(gòu)帶動,用于擾動所述蝕刻液。
7.如權(quán)利要求6所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,其特征在于,所述兩攪棒組的所述攪棒同向或反向地移動。
8.如權(quán)利要求6所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,其特征在于,每一所述攪棒組的所述攪棒的攪拌頻率為每分鐘5至20次。
9.如權(quán)利要求6所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,其特征在于,每一所述攪棒組的所述攪棒設(shè)置為一支或多支。
10.如權(quán)利要求6所述的以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻方法,其特征在于,每一所述攪棒組的所述攪棒形成有窄部及寬部。
全文摘要
一種以攪棒擾動載具邊緣的濕制程蝕刻裝置,包括濕制程蝕刻槽,所述濕制程蝕刻槽內(nèi)設(shè)有蝕刻液及載具,所述載具設(shè)有多個凹槽,所述凹槽置放有工件。還包括兩攪棒組,所述兩攪棒組分別設(shè)置于所述載具的兩側(cè),每一攪棒組各具有至少一攪棒,所述攪棒由驅(qū)動機構(gòu)所帶動,用于擾動所述蝕刻液。借此,利用攪棒往復(fù)式攪拌產(chǎn)生微小振動,提高蝕刻均勻度,而提升良率。
文檔編號H01L21/02GK102983061SQ20121031920
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者陳文隆, 顏錫鴻, 陳毓正, 馬俊麒, 余智林 申請人:弘塑科技股份有限公司
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