一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽極基板和封裝層形成一封閉空間，功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)，封裝層依次包括保護(hù)層、硅化物層、有機阻擋層、濕氣吸收層、散熱片、金屬箔片。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命，并且能保護(hù)金屬陰極免遭破壞。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件(0LED)是基于有機材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ΙΤ0玻璃上制備幾十納米厚的有機發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]0LED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項嶄新的照明和顯示技術(shù)，0LED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 0LED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得0LED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]柔性產(chǎn)品是有機電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢，但目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應(yīng)用于柔性有機電致放光器件的封裝。以及，現(xiàn)有的有機電致發(fā)光器件通常不能提供良好的透光率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機電致發(fā)光器件可有效地減少水汽對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命，并且能夠保護(hù)金屬陰極免遭破壞，對柔性0LED器件的壽命有顯著的提高。本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件。
[0006]—方面,本發(fā)明提供了 一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽極基板和封裝層形成一封閉空間，功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)，封裝層依次包括保護(hù)層、硅化物層、有機阻擋層、濕氣吸收層、散熱片、金屬箔片。
[0007]封裝層依次包括保護(hù)層、硅化物層、有機阻擋層、濕氣吸收層、散熱片、金屬箔片。
[0008]通過真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作過程中免遭破壞。
[0009]保護(hù)層材料選自有機小分子材料、無機材料或金屬材料中的一種，優(yōu)選自酞菁銅(CuPc)、N，N，- (1_萘基)州，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)或硫化鋅(ZnS)。優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200nm?300nm。
[0010]采用硅化物層作為無機阻擋層，阻擋水汽和氧對有機電致發(fā)光器件的侵蝕。[0011]優(yōu)選地，硅化物層材質(zhì)為硅化鉻(CrSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鉿(HfSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鑰(MoSi2)、硅化鎢(WSi2)或硅化鈮(NbSi2),硅化物層的厚度200nm?300nm。
[0012]優(yōu)選地，有機阻擋層材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。
[0013]硅化物層和有機阻擋層交替疊層設(shè)置形成多層封裝層，從而達(dá)到優(yōu)良的封裝效果。可以保護(hù)金屬陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0014]濕氣吸收層采用吸收濕氣的物質(zhì)，降低濕氣對器件產(chǎn)生的破壞。
[0015]優(yōu)選地，濕氣吸收層原料采用氧化鈣(CaO)、氧化鋇(BaO)、氧化鍶(SrO)或氧化鎂(MgO),厚度 IOOnm ?200nm。
[0016]采用金屬層作為散熱層，提高器件散熱能力，延長器件壽命。
[0017]優(yōu)選地，散熱片為金屬鋁、銀、銅或其組合，厚度200?500nm。
[0018]采用金屬箔片作為封裝蓋，提高器件散熱能力，將封裝對光效的影響降到最低。
[0019]在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0020]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板。
[0021]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0022]陰極層可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)層或透明陰極層(介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層等，如 IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS 等)。
[0023]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的封裝方法，包括以下步驟:
[0024](I)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板上制備有機電致發(fā)光器件的陽極圖形；采用真空蒸鍍的方法在基板上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0025](2)采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備保護(hù)層；
[0026](3)采用磁控濺射的方式在保護(hù)層上制備硅化物層；
[0027](4)采用先旋涂后曝光的工藝在硅化物層上制備有機阻擋層；
[0028]重復(fù)(3)和(4)至少三次；
[0029](5)采用濺射方法在有機阻擋層上制備濕氣吸收層；再采用真空蒸鍍的方法在所述濕氣吸收層上制備金屬形成散熱片；隨后在散熱片上覆蓋金屬箔片，在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0030]優(yōu)選地，陽極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板。
[0031]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。
[0032]采用蒸鍍方式制備陰極層。
[0033]陰極層可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)層或透明陰極層(介質(zhì)層/金屬層/介質(zhì)層等，如 IT0/Ag/IT0、ZnS/Ag/ZnS 等)。
[0034]步驟(2)為通過真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備保護(hù)膜，保護(hù)膜層的存在可以保護(hù)功能層和金屬陰極在后續(xù)操作過程中免遭破壞。
[0035]保護(hù)層材料選自有機小分子材料、無機材料或金屬材料中的一種，優(yōu)選自CuPc、NPB、Alq3、SiO或ZnS。優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm。
[0036]優(yōu)選地，步驟(2)真空蒸發(fā)過程的真空度lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度0 54-5 A/s,
[0037]步驟(3)為通過磁控濺射的方式在保護(hù)層表面制備硅化物層，采用硅化物層作為無機阻擋層，阻擋水汽和氧對有機電致發(fā)光器件腐蝕。
[0038]優(yōu)選地，硅化物層材質(zhì)為CrSi2、TaSi2, HfSi2, TiSi2, MoSi2, WSi2 或 NbSi2,硅化物層的厚度200nm~300nm。
[0039]優(yōu)選地，采用磁控濺射方法制備時，濺射靶材為CrSi2、TaSi2, HfSi2, TiSi2, MoSi2,WSi2或NbSi2，本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量5~25sccm，工作氣壓0.2Pa~5Pa。
[0040]步驟(4)為采用先旋涂后曝光的工藝在硅化物層上制備有機阻擋層。
[0041]優(yōu)選地，有機阻擋層材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。
[0042]優(yōu)選地，在惰性氛圍下，進(jìn)行旋涂和曝光，涂膠厚度I~1.5 μ m，然后用UV光(λ =200~400nm)進(jìn)行固化，光強10~15mff/cm2,曝光時間200~300s。
[0043]重復(fù)(3 )和(4)至少三次，形成多層封裝層。
[0044]硅化物層和有機阻擋層交替疊層設(shè)置形成多層封裝層，從而達(dá)到優(yōu)良的封裝效果，可以保護(hù)金屬陰極在后續(xù)操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕。
[0045]通過磁控濺射的方 式在有機阻擋層表面制備濕氣吸收層。
[0046]優(yōu)選地，濕氣吸收層材質(zhì)為CaO、BaO、SrO或MgO。
[0047]優(yōu)選地，濺射時本底真空度2 X 10_4Pa，濺射厚度IOOnm~200nm ；
[0048]采用真空蒸鍍的方法在濕氣吸收層上制備金屬散熱片，提高器件散熱能力。
[0049]優(yōu)選地，散熱片為金屬鋁、銀、銅或其組合，厚度200~500nm。
[0050]優(yōu)選地，蒸鍍時真空度I X 10_5Pa~I X 10?,蒸發(fā)速度lA ~ 5A/s,厚度200~500nmo
[0051]在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0052]優(yōu)選地，UV光的光強10~15mW/cm2，曝光時間300~400s。
[0053]本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0054](I)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件可以有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對器件有機功能材料及電極形成有效的保護(hù)，滿足封裝的密封性和要求，可顯著地提高有機電致發(fā)光器件的壽命。
[0055](2)本發(fā)明方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃為陽極基板制備的有機電致發(fā)光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發(fā)光器件；
[0056](3)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件材料廉價，封裝方法工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】

【附圖說明】[0057]圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0058]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和調(diào)整，這些改進(jìn)和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0059]實施例1:
[0060]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0061](1) ΙΤ0玻璃基板前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機進(jìn)行清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用；對洗凈后的ΙΤ0玻璃還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù);ΙΤ0厚度為lOOnm ；
[0062](2)功能層及發(fā)光層的制備:空穴注入層:將Mo03摻雜入NPB中，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%,厚度10nm，真空度3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.丨A/s;
[0063]空穴傳輸層:采用TCTA作為空穴傳輸材料，真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S鸞發(fā)厚度30nm ；
[0064]發(fā)光層:主體材料采用TPBI，客體材料采用Ir(ppy)3，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%，真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0065]電子傳輸層的制備:蒸鍍Bphen作為電子傳輸材料，真空度3X10_5Pa，蒸發(fā)速度.0.lA/s，蒸發(fā)厚度 10nm ；
[0066]電子注入層的制備:將CsN3摻入Bphen中，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%，真空度3X l(T5Pa,蒸發(fā)速度.0.2A/s，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0067](3)陰極層的制備:金屬陰極采用A1,厚度為lOOnm,,真空度5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度.5 A/s。
[0068](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備CuPc，真空度3X10_5Pa，蒸發(fā)速度X).5A/s,厚度200nm ；
[0069](5)硅化物層的制備:硅化物層為CrSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為CrSi2,本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量15sccm，工作氣壓IPa，厚度150nm ；
[0070](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為聚四氟乙烯，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1 μ m,然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強10mW/cm2,曝光時間200s ；
[0071]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0072](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用CaO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度lOOnm。
[0073](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬鋁，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度1 A/S,厚度200nm ；
[0074](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強llmW/cm2，曝光時間350s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。[0075]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為5.3E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12511h (T70@1000cd/m2)。
[0076]實施例2:
[0077]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0078](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0079](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在保護(hù)層上制備NPB，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A s厚度300nm ；
[0080](5)硅化物層的制備:硅化物層為TaSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為TaSi2，本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量25sccm，工作氣壓5Pa，厚度200nm ；
[0081](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為甲基丙烯酸樹脂，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.5 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2,曝光時間200s ；
[0082]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0083](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用BaO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度200nm ；
[0084](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬銀，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S,厚度500nm ；
[0085](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0086]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為4.0E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12764h (T70@1000cd/m2)。
[0087]實施例3:
[0088]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0089](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0090](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備Alq3，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度2A /s，厚度250nm ；
[0091](5)硅化物層的制備:硅化物層為HfSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為HfSi2,本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量5sccm，工作氣壓0.2Pa，厚度lOOnm ；
[0092](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.2 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強llmW/cm2,曝光時間230s ；
[0093]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0094](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用SrO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度150nm ；
[0095](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬銅，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S,厚度300nm ；
[0096](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2，曝光時間300s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0097]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為5.9E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12438h (T70@1000cd/m2)。
[0098]實施例4:
[0099]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0100](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0101](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備SiO，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/s,厚度200nm ；
[0102](5)硅化物層的制備:硅化物層為TiSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為TiSi2，本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量lOsccm，工作氣壓2Pa，厚度150nm ；
[0103](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為聚四氟乙烯，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1 μ m,然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強10mW/cm2,曝光時間200s ；
[0104]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0105](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用MgO,采用派射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度lOOnm ；
[0106](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備銅鋁合金，銅鋁比例為3:1，真空度5 X 10_5Pa，厚度500nm ；
[0107](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強llmW/cm2，曝光時間350s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0108]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為5.1E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12603h (T70@1000cd/m2)。
[0109]實施例5:
[0110]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0111](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0112](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備MgF2，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/s，厚度300nm;
[0113](5)硅化物層的制備:硅化物層為MoSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為MoSi2，本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量lOsccm，工作氣壓2Pa，厚度120nm ；
[0114](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為甲基丙烯酸樹脂，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.5 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2,曝光時間200s ；
[0115]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0116](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用CaO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度200nm ；
[0117](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬鋁，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S,厚度300nm ；
[0118](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2，曝光時間400s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0119]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為3.7E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12831h (T70il000cd/m2)o
[0120]實施例6:
[0121]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0122](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0123](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備ZnS，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A/S，厚度250nm;
[0124](5)硅化物層的制備:硅化物層為WSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為WSi2，本底真空度2 X 10_4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量lOsccm，工作氣壓2Pa，厚度130nm ；
[0125](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.2 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強llmW/cm2,曝光時間230s ；
[0126]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0127](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用BaO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度150nm ；
[0128](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬銀，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度3A/S，厚度300nm ；
[0129](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強llmW/cm2，曝光時間350s ;將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0130]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為4.8E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12645h (T70@1000cd/m2)。
[0131]實施例7:
[0132]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0133](1)、(2)、(3)同實施例 1 ;
[0134](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備MgF2，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A/S，厚度300nm;
[0135](5)硅化物層的制備:硅化物層為NbSi2，采用磁控濺射方法制備，濺射靶材為NbSi2，本底真空度2 X l(T4Pa，通入氣體為Ar，Ar流量lOsccm，工作氣壓2Pa，厚度140nm ；
[0136](6)有機阻擋層的制備:有機阻擋層為甲基丙烯酸樹脂，采用先旋涂后曝光的工藝制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.5 μ m，然后用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2,曝光時間200s ；
[0137]重復(fù)(5)和(6)三次；
[0138](7)濕氣吸收層的制備:在有機阻擋層的基礎(chǔ)上制備，原料采用CaO，采用濺射方法制備，本底真空度2X 10_4Pa，濺射厚度200nm ；
[0139](8)散熱片的制備:在濕氣吸收層的基礎(chǔ)上制備，采用真空蒸鍍的方法制備金屬鋁，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S,厚度300nm ；[0140](9)金屬箔片的覆蓋:在封裝蓋邊緣涂布封裝膠，由紫外線固化(UV-Curing)的方式干燥硬化封裝膠，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強15mW/cm2，曝光時間400s ；將前述的有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
[0141]本實施例有機電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2.day)為6.5E_5，有機電致發(fā)光器件的壽命為12403h (T70@1000cd/m2)。
[0142]效果實施例
[0143]為有效證明本發(fā)明有機電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，提供相關(guān)實驗數(shù)據(jù)如下。
[0144]表1.實施例f 7有機電致發(fā)光器件水氧滲透率
[0145]
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽極基板和封裝層形成一封閉空間，功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層依次包括保護(hù)層、硅化物層、有機阻擋層、濕氣吸收層、散熱片和金屬箔片。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護(hù)層材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm?300nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硅化物層材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰、硅化鎢或硅化鈮，硅化物層的厚度200nm?300nm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機阻擋層材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濕氣吸收層材質(zhì)為氧化隹丐、氧化鋇、氧化銀或氧化鎂。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板上制備有機電致發(fā)光器件的陽極圖形；采用真空蒸鍍的方法在基板上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； (2)采用真空蒸發(fā)的方式在陰極層上制備保護(hù)層； (3)采用磁控濺射的方式在保護(hù)層上制備硅化物層； (4)采用先旋涂后曝光的工藝在硅化物層上制備有機阻擋層； 重復(fù)(3)和(4)至少三次； (5)采用濺射方法在有機阻擋層上制備濕氣吸收層；再采用真空蒸鍍的方法在所述濕氣吸收層上制備金屬形成散熱片；隨后在散熱片上覆蓋金屬箔片，在金屬箔片邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機電致發(fā)光器件封裝在所述金屬箔片及基板內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述保護(hù)層材質(zhì)為酞菁銅、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm?300nm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述硅化物層材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鑰、硅化鎢或硅化鈮，硅化物層的厚度200nm ?300nm。
9.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(4)中所述有機阻擋層材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或環(huán)脂肪環(huán)氧樹脂。
10.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述濕氣吸收層材質(zhì)為氧化鈣、氧化鋇、氧化鍶或氧化鎂。
【文檔編號】H01L51/56GK103682118SQ201210319054
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司