專利名稱：半導(dǎo)體封裝、封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其上封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件、封裝基板、半導(dǎo)體封裝、封裝堆疊結(jié)構(gòu)以及電子系統(tǒng)，其具有功能不對稱的導(dǎo)電元件。
背景技術(shù)：
在移動(dòng)電子系統(tǒng)中，已經(jīng)越來越需要尺寸小、薄且重量輕的電子部件。對于新的移動(dòng)裝置，諸如移動(dòng)電話或平板PC尤其如此，因?yàn)楝F(xiàn)今這些裝置僅有小的空間可用于它們的部件。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，一種封裝堆疊結(jié)構(gòu)包括上封裝，包括具有第一邊緣和與第一邊緣相反的第二邊緣的上封裝基板，上封裝基板具有靠近第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近第二邊緣布置的第二區(qū)，上封裝包括疊置在上封裝基板上面的第一上半導(dǎo)體器件；下封裝，具有下封裝基板和下半導(dǎo)體器件，下封裝通過多個(gè)封裝間連接器連接到上封裝。多個(gè)封裝間連接器包括第一封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號；第二封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號；第三封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的參考電壓；第四封裝間連接器，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓。第一封裝間連接器和第二封裝間連接器的大部分設(shè)置在第一區(qū)中，并且第三封裝間連接器的大部分設(shè)置在第二區(qū)中。


本發(fā)明構(gòu)思的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過如附圖中所示的本發(fā)明構(gòu)思的優(yōu)選實(shí)施方式的更詳細(xì)描述而變得明顯，其中在不同的視圖中相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的部件。附圖不必按比例繪制，而重點(diǎn)在于示出本發(fā)明構(gòu)思的原理。附圖中圖IA至圖ID是概念平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的輸入/輸出(I/o)兀件的布置；圖2A至圖2D是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的輸入/輸出(I/o)元件的再分布方法的平面圖以及沿著圖2A的線1-1’截取的截面圖；圖3A至圖31是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖3J是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的圖3A的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的上封裝的橫向截面圖和縱向截面圖；圖5A至圖5J是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的橫向截面圖、縱向截面圖和局部分解圖，所述封裝堆疊結(jié)構(gòu)例如為系統(tǒng)級封裝(system-on-package,SOP)或?qū)盈B封裝(POP)堆疊結(jié)構(gòu)；圖6A至圖6K是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖7A至圖7H是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的上封裝的示意圖8A至圖81是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的下封裝的橫向截面圖、縱向截面圖和局部分解圖；圖9A至圖9H是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖；圖10是概念平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的接合焊盤(bonding pad)的布置；圖IlA和圖IlB是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的橫向截面圖、縱向截面圖和局部分解圖；圖12A至圖12J是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的橫向截面圖和縱向截面圖；圖13A至圖13D是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的上封裝的示意性橫向截面 圖；圖14A至圖14U是本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的橫向截面圖和縱向截面圖；圖15A至圖I 是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝間連接器的示意圖；圖16A和圖16B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的模塊的示意圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的電子系統(tǒng)的框圖；圖18是在其中使用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)或半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的示意圖；圖19是在其中使用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的電子系統(tǒng)的移動(dòng)電話的示意圖；圖20A是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施方式的示范性主半導(dǎo)體芯片的框圖；圖20B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施方式的示范性從半導(dǎo)體芯片的框圖；以及圖20C是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施方式的示范性半導(dǎo)體封裝的框圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)將參考附圖更加全面地描述多個(gè)實(shí)例實(shí)施方式，在附圖中示出一些實(shí)例實(shí)施方式。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于這里闡述的實(shí)施方式。相反，這些實(shí)施方式的提供使得本公開為充分和完整的，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清晰，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。同樣的附圖標(biāo)記始終指代同樣的元件。在這里參考截面圖描述了本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式，所述截面圖是本發(fā)明構(gòu)思的理想實(shí)施方式的示意性圖示。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于這里所示的具體區(qū)域形狀，而是包括例如由制造引起的形狀的偏差。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的精確形狀且不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記可指代具有相同功能的部件。即，由相同的附圖標(biāo)記表示的部件可以呈現(xiàn)不同的形狀。在本說明書中，數(shù)據(jù)信號可以指在存儲裝置和存儲控制器之間發(fā)送和接收的具有有效信息的電信號。
在本說明書中，用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)可以指數(shù)據(jù)信號的最大電壓Vddq、其最小電壓Vssq、或確定有效值所需的中間電壓Vref q。用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓可以根據(jù)存儲器件的特性而獨(dú)立地且不同地確定。在本說明書中，地址/控制信號可以指控制關(guān)于單元(其中寫入關(guān)于存儲器件的信息)的位置和存儲器件的操作的信息所需的信號。在本說明書中，用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)可以指地址/控制信號的最大電壓Vdd或最小電壓Vss。用于地址/控制電路的參考電壓可以根據(jù)存儲器件的特性而被獨(dú)立地且不同地確定。
在本說明書中，用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)和用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)可以具有不同的電壓電平，并且可以解釋為通過導(dǎo)電部件提供的彼此不同的電壓。在本說明書中，術(shù)語第一側(cè)、第一側(cè)表面和左側(cè)可以解釋為彼此同義。同樣，術(shù)語第二側(cè)、第二側(cè)表面和右側(cè)可以解釋為彼此同義。第一側(cè)和第二側(cè)可以彼此相反地設(shè)置或者可以以直角彼此靠近地設(shè)置。也就是說，雖然第一側(cè)和第二側(cè)可以是頂側(cè)和底側(cè)或者左側(cè)和右側(cè)，但是第一側(cè)和第二側(cè)可替換地為頂側(cè)和左側(cè)(或右側(cè))或者底側(cè)和左側(cè)(或右側(cè))。因此，第一側(cè)和第二側(cè)或者第一橫側(cè)表面和第二橫側(cè)表面可以解釋為不同的特征。在本說明書中，術(shù)語“靠近(near)”可以解釋為“相對接近”。例如，靠近第一側(cè)可以解釋為與第二側(cè)相比更接近第一側(cè)。圖IA至圖ID是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的輸入/輸出(I/O)元件(接合焊盤)的布置的概念平面圖。參考圖1A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IA可包括在靠近其表面3A的第一側(cè)(或第一邊緣)Sla的區(qū)域Al中設(shè)置的第一接合焊盤11、第二接合焊盤12和第四接合焊盤14。半導(dǎo)體器件IA可包括在靠近其第二側(cè)(或第二邊緣)S2a的區(qū)域BI中設(shè)置的第三接合焊盤13。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IA可以包括功能不對稱的接合焊盤
11、12、13和/或14。例如，用于傳輸信號的第一接合焊盤11和第二接合焊盤12以及用于提供數(shù)據(jù)電路的電源電壓或參考電壓Vddq/Vssq的第四接合焊盤14，可以不對稱地設(shè)置在區(qū)域Al中。此外，用于提供地址/控制電路的電源電壓(或參考電壓)的第三接合焊盤13可以不對稱地設(shè)置在區(qū)域BI中。在本說明書中，術(shù)語“不對稱”可以解釋為相對于劃分基板的平坦表面區(qū)域的給定中心軸而“不相同”或不對稱地定位或設(shè)置。此外，不對稱地設(shè)置部件可以寬泛地解釋為將部件集中到特定區(qū)域，例如設(shè)置在靠近第一邊緣的區(qū)域中或設(shè)置在第一邊緣區(qū)域中，或者可以解釋為不在其它區(qū)域中設(shè)置部件。第一接合焊盤11和第二接合焊盤12可以布置在至少一列或至少一個(gè)塊區(qū)(block)中，或者可以非均勻地設(shè)置在區(qū)域Al內(nèi)。區(qū)域Al可以設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件IA的第一側(cè)(或第一邊緣)Sla。換句話說，第一接合焊盤11和第二接合焊盤12可以功能不對稱地設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件IA的第一側(cè)Sla。在圖I中，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式，假定第一側(cè)Sla是左側(cè)，第一接合焊盤11和第二接合焊盤12可以靠近半導(dǎo)體器件IA的左側(cè)或可以功能不對稱地設(shè)置在左半部L中。區(qū)域BI可以設(shè)置為靠近與第一側(cè)Sla相反的第二側(cè)S2a。第三接合焊盤13可以布置在至少一個(gè)分離的列或塊區(qū)中，或者非均勻地設(shè)置在區(qū)域BI中。在圖IA中，假定第二側(cè)S2a是右側(cè)，第三接合焊盤13和第四接合焊盤14可以靠近半導(dǎo)體器件IA的右側(cè)或功能不對稱地設(shè)置在假想中心線的一側(cè)或另一側(cè)，例如，設(shè)置在右半部R中。然而，本公開不局限于上述布置，并且其它布置也是可能的。例如，第一、第二和/或第四接合焊盤11、12、14的一部分可以設(shè)置在右半部R中，而第一、第二和/或第四接合焊盤11、12、14的大部分可以設(shè)置在左半部L中或者靠近第一側(cè)Sla的區(qū)域中。此外，第三接合焊盤13的一部分可以設(shè)置在左半部L中，而第三接合焊盤13的大部分可以設(shè)置在右半部R中。在另一實(shí)施方式中，第一接合焊盤11的大部分可以設(shè)置為靠近第一邊緣Sla，并且第二接合焊盤12的大部分設(shè)置為靠近第二邊緣S2a。在圖IA中，頂側(cè)和底側(cè)可以分別解釋為第三側(cè)(或第三邊緣)和第四側(cè)(或第四邊緣)，反之亦然。從不同的觀點(diǎn)來看，區(qū)域Al和BI的每個(gè)可以根據(jù)半導(dǎo)體器件IA放置的方向而解釋為半導(dǎo)體器件IA的頂半部T、底半部B、左半部L和右半部R中的任意一個(gè)。 在本說明書中，表述“彼此相反地設(shè)置”不是必然地指在相反的方向上設(shè)置為彼此面對或彼此背離。表述“相反地設(shè)置”可以解釋為不在相同的方向上。例如，當(dāng)部件彼此豎直地靠近時(shí)，部件“彼此相反地設(shè)置”可以是設(shè)置為彼此靠近或彼此間隔開。因此，雖然頂側(cè)和底側(cè)典型地彼此相反以及左側(cè)和右側(cè)典型地彼此相反，但是在說明書中，表述“相反側(cè)”可以指頂側(cè)和左側(cè)、頂側(cè)和右側(cè)、底側(cè)和左側(cè)、或者底側(cè)和右側(cè)。在一些實(shí)施方式中，第四接合焊盤14可以不對稱地設(shè)置在區(qū)域BI中或分布在區(qū)域Al和BI之間。在關(guān)于圖IA至圖ID描述的本實(shí)施方式中，第一接合焊盤11可傳輸數(shù)據(jù)信號，并且第二接合焊盤12可傳輸?shù)刂?控制信號。第三接合焊盤13可以為例如圖20A中示出的地址/控制電路7125提供電源電壓(或參考電壓)Vdd/Vss.第四接合焊盤14可以為例如圖20A中示出的數(shù)據(jù)電路7124提供電源電壓(或參考電壓)Vddq/Vssq。由于根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IA至ID包括功能不對稱的接合焊盤n至14，所以當(dāng)半導(dǎo)體器件IA至ID被封裝時(shí)，封裝基板的與各自的半導(dǎo)體器件IA至ID相應(yīng)的金屬路線(route)的長度和金屬路線之間的偏差(deviation)可以減小,如下文解釋。在對稱布置中，存儲器件(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)或非易失性存儲器)的信號接合焊盤，例如用于傳輸數(shù)據(jù)信號的接合焊盤和用于傳輸?shù)刂?控制信號的接合焊盤，總體上對稱地設(shè)置在存儲器件的兩側(cè)，如本申請的圖10所示。在圖10中，用于傳輸數(shù)據(jù)信號的接合焊盤31和用于傳輸?shù)刂?控制信號的接合焊盤33設(shè)置在存儲器件21的任一偵牝從而導(dǎo)致信號(例如，數(shù)據(jù)或地址/控制)接合焊盤的對稱分布，即，功能對稱布置。在層疊封裝(POP)結(jié)構(gòu)中，存儲器件可以安裝在封裝基板上并且電連接到封裝基板。在功能對稱布置的情況下，封裝基板中的信號路線(其互連存儲器件和邏輯器件)可能是復(fù)雜的，從而可能需要大量的封裝基板印刷電路板(PCB)層。當(dāng)在POP結(jié)構(gòu)中存儲器件堆疊在具有用于控制存儲器件的控制電路的邏輯器件上方時(shí)，尤其如此。然而，如果采用功能不對稱(例如，關(guān)于信號接合焊盤的位置具有不對稱性)接合焊盤布置(例如，如圖IA至圖ID中所示)，信號接合焊盤可以集中或布置在存儲器件的特定側(cè)。在此構(gòu)造中，可以顯著地減小封裝基板中所需的信號路線的長度并且可以簡化信號路線。這是因?yàn)橄惹氨环殖啥鄠€(gè)區(qū)域的路線可以并入到單個(gè)層中，同時(shí)先前僅用于地址選路(address routing)的層可以被省略并且與數(shù)據(jù)信號選路層或焊區(qū)設(shè)計(jì)層結(jié)合。因而，能夠減少用于封裝基板的PCB層的數(shù)目。此外，當(dāng)封裝基板中的絕緣芯層被金屬芯層取代時(shí)，金屬芯層可以用作封裝基板的選路層和接地平面(ground plane surface)兩者,從而減小封裝基板的PCB層的總數(shù)目，如下文將進(jìn)一步解釋。如上文進(jìn)一步詳細(xì)描述，術(shù)語“ 不對稱性”、“不對稱的”和“功能不對稱”可以指用于執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)期望功能(諸如傳輸信號或提供參考電壓)的元件的位置關(guān)于所述元件包括于其上的器件或基板以不對稱的方式布置。因此，可以減少信號損失，可以抑制噪聲的發(fā)生，并且可以提高信號傳輸率。此外，封裝基板的選路設(shè)計(jì)可以由于功能不對稱的接合焊盤11至14的布置而簡化。當(dāng)封裝基板的選路設(shè)計(jì)被簡化時(shí)，可以減小封裝基板的金屬層的數(shù)目。后文將進(jìn)一步詳細(xì)描述上述效
果O參考圖1B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IB可包括在其表面3B的區(qū)域A2a中功能不對稱地設(shè)置的第一接合焊盤11和在其表面3B的區(qū)域A2b中功能不對稱地設(shè)置的第二接合焊盤12。區(qū)域A2a和A2b的每個(gè)可形成塊區(qū)。具體地，區(qū)域A2a可以靠近第一拐角Cl，并且區(qū)域A2b可以靠近第二拐角C2。第三接合焊盤13可以功能不對稱地設(shè)置為靠近第三拐角C3或第四拐角C4。區(qū)域A2a可以靠近半導(dǎo)體器件IB的第一側(cè)Slb和第三側(cè)S3b。假定第一側(cè)Slb是左側(cè)并且第三側(cè)S3b是頂側(cè)，區(qū)域A2a可以設(shè)置在半導(dǎo)體器件IB的左半部L和頂半部T(即，左上區(qū)域)中。區(qū)域A2b可以靠近半導(dǎo)體器件IB的第一側(cè)Slb和第四側(cè)S4b，同時(shí)與第二側(cè)S2b和第三側(cè)S3b相反。假定第三側(cè)S3b是頂側(cè)并且第四側(cè)S4b是底側(cè)，區(qū)域A2b可以設(shè)置在半導(dǎo)體器件IB的左半部L和底半部B (B卩，左下區(qū)域)中。區(qū)域B2可以靠近半導(dǎo)體器件IB的第二側(cè)S2b或右側(cè)。S卩，區(qū)域B2可以設(shè)置在半導(dǎo)體器件IB的右半部R中。接合焊盤11至14可以布置為形成塊區(qū)、線或列。在一些實(shí)施方式中，第四接合焊盤14可以分布在區(qū)域A2a和區(qū)域A2b之間的區(qū)域A2c中。參考圖1C，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IC可包括在其表面3C上靠近第一側(cè)Slc和與第一側(cè)Slc相反的第二側(cè)S2c分布的接合焊盤11至14。接合焊盤11至14可以布置在至少一行或列中。第一接合焊盤11和第二接合焊盤12可以設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件IC的第一側(cè)Slc0第一接合焊盤11和第二接合焊盤12可以不對稱地設(shè)置在左半部L中。然而，第一接合焊盤11和/或第二接合焊盤12中的一些可以設(shè)置在左半部L之外，同時(shí)第一接合焊盤11和/或第二接合焊盤12中的大部分根據(jù)應(yīng)用而設(shè)置為靠近第一側(cè)Slc或左半部L。第三接合焊盤13可以設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件IC的第二側(cè)S2c。第三接合焊盤13可以不對稱地設(shè)置在右半部R中。然而，第三接合焊盤13中的一些可以設(shè)置在右半部R之外，同時(shí)第三接合焊盤13中的大部分根據(jù)應(yīng)用而設(shè)置為靠近第二側(cè)S2c或右半部R。參考圖1D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件ID可包括靠近其表面3D的第一側(cè)Sld設(shè)置的接合焊盤11至14。接合焊盤11至14可包括第一接合焊盤11至第四接合焊盤14。假定第一側(cè)Sld是左側(cè)，接合焊盤11到14中的大部分(或全部)可以設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件ID的左側(cè)(或靠近第一邊緣)Sld或者不對稱地設(shè)置在左半部L中。替換地，接合焊盤11至14中的大部分(或全部)可以設(shè)置為靠近半導(dǎo)體器件ID的右側(cè)或第二邊緣S2d或者不對稱地設(shè)置在右半部R中。圖IA至圖ID所示的半導(dǎo)體器件IA至ID的每個(gè)可包括存儲器件，例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、ReRAM、諸如自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)-MRAM的磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)、或快閃存儲器。圖2A至圖2D是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的接合焊盤的再分布方法的平面圖和沿著圖2A的線1-1’截取的截面圖?！⒖紙D2A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件2可包括在其表面上再分布的接合焊盤15和接合焊盤16。接合焊盤15和接合焊盤16可以再分布為分別靠近第一側(cè)SI和第二側(cè)S2。與圖IA至圖ID比較,靠近第一側(cè)SI再分布的接合焊盤15可包括第一接合焊盤11、第二接合焊盤12和/或第四接合焊盤14，并且靠近第二側(cè)S2設(shè)置的接合焊盤16可包括第三接合焊盤13。參考圖2B，第一互連或第一芯片墊25和第二互連或第二芯片墊26可以在半導(dǎo)體生產(chǎn)線上形成在下結(jié)構(gòu)20上。第一互連25和第二互連26的每個(gè)可包括金屬，其可相應(yīng)于例如在晶片處理工藝期間最上面的金屬層。第一絕緣層30可以形成為暴露第一互連25和第二互連26的頂表面。第一互連墊35和第二互連墊36可分別從第一互連25和第二互連26的頂表面延伸到第一絕緣層30的側(cè)壁和頂表面。蓋層40可部分地覆蓋第一互連墊35和第二互連墊36。蓋層40可包括聚酰亞胺和/或介電材料，諸如硅氮化物。參考圖2C，模制圖案(cast pattern) 42可以在清潔室之外形成，例如，在封裝生產(chǎn)線上形成，以覆蓋蓋層40并暴露第一互連墊35和第二互連墊36，以及可以形成再分布圖案44、45、46和47。再分布圖案44、45、46和47可包括從互連墊35和36的頂部橫向延伸的再分布圖案44和47。模制圖案42可包括光敏聚酰亞胺。再分布圖案44、45、46和47可包括金屬。替換地，再分布圖案44、45、46和47可包括粘性導(dǎo)電材料，并且可以利用粘貼工藝或分配工藝(dispensing process)形成,然后利用燒結(jié)工藝和/或固化工藝而硬化。參考圖2D，包裹層50可以形成為部分地暴露再分布圖案44和47，并且接合焊盤15和16可以形成在再分布圖案44和47上。包裹層50和/或接合焊盤15和16可以被省略。即，再分布圖案44和47中的一些可用作接合焊盤15和16。因此，第一互連墊或芯片墊25可以經(jīng)由再分布圖案44、45、46和/或47電連接到第一接合焊盤15。此外，第二互連墊或芯片墊26可以經(jīng)由再分布圖案44、45、46和/或47電連接到第二接合焊盤16。參考圖2A至圖2D描述的工藝可以根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式執(zhí)行。即，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的半導(dǎo)體器件的接合焊盤的再分布方法可以以除在本說明書中描述的方式以外的多種方式執(zhí)行。當(dāng)與在本實(shí)施方式中一樣在封裝生產(chǎn)線上執(zhí)行時(shí)，再分布工藝可以以比在晶片處理線上更簡單且更便宜的方式執(zhí)行。例如，清潔室可以不需要嚴(yán)格地保持得與用于晶片處理線的清潔室一樣，并且封裝生產(chǎn)線可需要花費(fèi)更少的設(shè)備和價(jià)格更低的原始輔助材料。此外，再分布圖案，例如，44和47在本公開的精神和范圍之內(nèi)可以具有與圖2D所公開的不同的形狀。例如，接合焊盤15、16可以連接到芯片墊25、26，而沒有第一互連墊35和第二互連墊36。
在一些實(shí)施方式中，第一接合焊盤11、第二接合焊盤12、第三接合焊盤13和/或第四接合焊盤14可以利用圖2A至圖2D中描述的工藝形成。換句話說，圖IA至圖ID所示的第一接合焊盤11、第二接合焊盤12、第三接合焊盤13和/或第四接合焊盤14是與圖2A至圖2D所示的芯片墊25、26相似的芯片墊。圖3A至圖31是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的分解透視圖。在圖3A至圖3H中，同樣的部件和/或同樣的附圖標(biāo)記可以解釋為具有相同或相似功能的部件。因此，將僅描述各實(shí)施方式之間的關(guān)鍵差別。參考圖3A和圖3B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)IOOa和IOOb的每個(gè)可以包括上封裝105U、下封裝105L以及封裝間連接器190A和190B。封裝堆疊結(jié)構(gòu) IOOa和IOOb的每個(gè)可以進(jìn)一步包括設(shè)置在下封裝105L的底表面上的板連接器109。上封裝105U可以包括上封裝基板IlOU和安裝在其上的上半導(dǎo)體器件150U。上半導(dǎo)體器件150U可以包括存儲器件。例如，上半導(dǎo)體器件150U可以包括DRAM、靜態(tài)RAM(SRAM)、相位可變的RAM (PRAM)、磁性RAM (MRAM)、電阻RAM (RRAM)、非易失性存儲器(NVM)、快閃存儲器、機(jī)電存儲器、碳納米管存儲器和/或各種其它的儲存器件。為了簡便起見，本實(shí)施方式將基于上半導(dǎo)體器件150U是DRAM的假設(shè)來描述。參考圖3A和3B，上半導(dǎo)體器件150U可以包括設(shè)置在其表面上的具有第一特性的接合焊盤160A和具有第二特性的接合焊盤160B。具有第一特性的接合焊盤160A可以設(shè)置為靠近上半導(dǎo)體器件150U的表面的左側(cè)，并且具有第二特性的接合焊盤160B可以設(shè)置為靠近其右側(cè)。具有第一特性的接合焊盤160A可以執(zhí)行第一功能。具體地，具有第一特性的接合焊盤160A可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號和/或用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)Vddq和Vssq。具有第一特性的接合焊盤160A也可以用作第二功能。具體地，具有第一特性的接合焊盤160A可以傳輸?shù)刂?控制信號。具有第二特性的接合焊盤160B可以用作第三功能。具體地，具有第二特性的接合焊盤160B可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)Vdd和Vss。如在說明書的下文中所使用，具有“第一特性”的元件可以指配置為傳輸或提供數(shù)據(jù)信號、地址/控制信號、用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)或者任何其它需要的信號或電壓的元件。同樣地，具有“第二特性”的元件可以指配置為傳輸或提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)或者用于任何其它電路的需要的信號或電壓的元件。此外，如在說明書的下文中所使用，第一功能可以指“傳輸數(shù)據(jù)信號和/或提供用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)”。第二功能可以也指“傳輸?shù)刂?控制信號”。第三功能可以指“提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)”。具有第一和第二特性的接合焊盤160A和160B可以功能不對稱地布置。更具體地，上半導(dǎo)體器件150U或具有第一和第二特性的接合焊盤160A和160B可以參照參考圖IA至圖ID描述的半導(dǎo)體器件IA至ID和第一至第四接合焊盤11至14的布置來理解。因此，具有第一和第二特性的接合焊盤160A和160B可以包括用于倒裝芯片接合工藝或引線接合工藝的凸塊下金屬(UBM)。具有第一和第二特性的接合焊盤160A和160B也可以根據(jù)它們配置為執(zhí)行的功能而使用其它技術(shù)術(shù)語諸如“功能I/O元件”提及。上半導(dǎo)體器件150U可以使用例如管芯接合膜155而安裝在上封裝基板IlOU上并且以上模塑化合物覆蓋。為了清楚，省略了上模塑化合物。
上封裝基板IlOU可以包括設(shè)置在其上表面上的具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B以及設(shè)置在其底表面上的上封裝間連接器焊區(qū)(未示出)。具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以通過引線175分別電連接到具有第一和第二特性的接合焊盤160A和160B。具體地，具有第一特性的引線焊區(qū)170A可以電連接到具有第一特性的接合焊盤160A，而具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以電連接到具有第二特性的接合焊盤160B。因此，具有第一特性的引線焊區(qū)170A可以用作第一和/或第二功能。具體地，具有第一特性的引線焊區(qū)170A可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號和/或用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)。此外，具有第一特性的引線焊區(qū)170A可以傳輸?shù)刂?控制信號。具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以用作第三功能。具體地，具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)。返回參考圖3A，具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以是功能不對稱的，而與具有第一特性的接合焊盤160A和具有第二特性的接合焊盤160B的功能不對稱布置一致。例如，具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線 焊區(qū)170B可以分別設(shè)置為接近具有具有第一特性的接合焊盤160A和具有第二特性的接合焊盤160B。換句話說，具有第一特性的引線焊區(qū)170A可以設(shè)置為靠近上封裝基板IlOU的左側(cè)SI-上部(替換地，第一側(cè)或第一邊緣)，而具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以設(shè)置為靠近上封裝基板IlOU的右側(cè)S2-上部(替換地，第二側(cè)或第二邊緣)，其與第一側(cè)相反地設(shè)置。參考圖3B，具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B以及具有第一特性的接合焊盤160A和具有第二特性的接合焊盤160B可以與圖3A所示的相比旋轉(zhuǎn)90°角度。雖然圖3A和圖3B示范地示出引線焊區(qū)170A和170B以及接合焊盤160A和160B利用引線175連接，但是引線焊區(qū)170A和170B以及接合焊盤160A和160B可以以圖3A和圖3B所示之外的各種其它形狀或方式連接。例如，導(dǎo)電圖案或諸如硅通路(TSV)的通路可用于將接合焊盤160A和160B與引線焊區(qū)170A和170B互連。上封裝間連接器焊區(qū)(未示出)可以分別將上封裝基板IlOU或具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B與具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B電連接。上封裝間連接器焊區(qū)將在其它附圖中示出。上封裝基板IlOU可以包括順序堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層。還將參考其它附圖更詳細(xì)地描述上封裝基板IlOU的導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層。下封裝105L可以包括下封裝基板IlOL和安裝在其上的下半導(dǎo)體器件150L。下半導(dǎo)體器件150L可以包括邏輯器件，諸如微處理器(MP)。邏輯器件可以是任何類型，包括微控制器(μ C)、數(shù)字信號處理器(DSP)或其任何組合。邏輯器件可以包括處理器芯(未示出)，其可包括浮點(diǎn)單元(FPU)、算術(shù)邏輯單元(ALU)和數(shù)字信號處理芯(DSP芯)，或其任何組合。邏輯器件可以還包括寄存器(未示出)。存儲控制器也可以與邏輯器件一起使用，或者，根據(jù)應(yīng)用，存儲控制器可以是邏輯器件的內(nèi)部部件。下半導(dǎo)體器件150L可以利用例如倒裝芯片技術(shù)而電連接到下封裝基板110L。例如，下半導(dǎo)體器件150L可以通過多個(gè)倒裝芯片連接器或?qū)щ娡箟K120而電連接到下封裝基板105L。下半導(dǎo)體器件150L可以利用各種方法諸如使用底部填充材料而安裝在下封裝基板IlOL上。這里，為了簡化，省略了底部填充材料，但是將在其它附圖中示出。下封裝基板IlO L可以包括設(shè)置在其頂表面上的下封裝間連接器焊區(qū)107和設(shè)置在其底表面上的板連接器焊區(qū)。下封裝間連接器焊區(qū)107可以電連接到具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B。具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以是焊球，而下封裝間連接器焊區(qū)107可以是與焊球連接的球焊區(qū)。下封裝基板IlOL的板連接器焊區(qū)可以經(jīng)由板連接器109電連接到外部設(shè)備的模塊板、系統(tǒng)板或母板。將在其它附圖中更詳細(xì)地示出下封裝間連接器焊區(qū)107和板連接器焊區(qū)。相似地，下封裝基板IlOL可以包括順序堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層。將在后文給出下封裝基板IlOL的導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層詳細(xì)描述。具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以電連接上封裝105U和下封裝105L。例如，具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以電連接上封裝105U和下封裝105L或者上半導(dǎo)體器件150U和下半導(dǎo)體器件150L。具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以設(shè)置為與具有第一特性的接合焊盤160A和具有第二特性的接合焊盤160B或者具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B的布置一致。例如，具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以設(shè)置為靠近與具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B鄰近的一側(cè)。具體地，具有第一特性的封裝間連接器190A可以設(shè)置為靠近與具有第一特性的引線焊區(qū)170A鄰近的左側(cè)(或者第一側(cè)或第一邊緣)，而具有第二特性的封裝間連接器190B可以設(shè)置為靠近與具有第二特性的引線焊區(qū)170B鄰近的右側(cè)(或者第二側(cè)或第二邊緣)。這里，第二側(cè)(或第二邊緣)S2-上部可以與第一側(cè)(或第一邊緣)SI-上部相反地設(shè)置。在一個(gè)實(shí)施方式中，封裝間連接器190AU90B與接合焊盤160A、160B電耦接。參考圖3B，分別具有第一特性和第二特性的封裝間連接器190A和190B可以設(shè)置為靠近與分別具有第一特性和第二特性的引線焊區(qū)170A和170B不鄰近的其它側(cè)。例如，引線焊區(qū)170A和170B可以設(shè)置為靠近上封裝基板IlOU的頂側(cè)和/或底側(cè)，而具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B可以設(shè)置為靠近上封裝基板IlOU的左側(cè)和右側(cè)。在圖3A和圖3B中，左側(cè)、右側(cè)、頂側(cè)和底側(cè)的位置可以是可互換的。在本實(shí)施方式中，具有第一特性的封裝間連接器190A可以執(zhí)行第一功能。具體地，具有第一特性的封裝間連接器190A可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號和/或用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)。此外，具有第一特性的封裝間連接器190A可以執(zhí)行第二功能。具體地，具有第一特性的封裝間連接器190A可以傳輸?shù)刂?控制信號。在一些實(shí)施方式中，封裝間連接器190A可以包括配置為傳輸數(shù)據(jù)信號的第一封裝間連接器；配置為傳輸?shù)刂?控制信號的第二封裝間連接器；配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓或接地電壓(Vssq/Vddq)的第四封裝間連接器。在此實(shí)施方式中，第一、第二和第四封裝間連接器沒有單獨(dú)標(biāo)號。具有第二特性的封裝間連接器190B可以用于第三功能。具體地，具有第二特性的封裝間連接器190B可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)。在一些實(shí)施方式中，封裝間連接器190B包括配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓或接地電壓(Vss/Vdd)的第三封裝間連接器。
分別具有第一特性和第二特性的封裝間連接器190A和190B可以不對稱地設(shè)置為靠近彼此相反的側(cè)。例如，具有第一特性的封裝間連接器190A (例如，上文所討論的第一和第二封裝間連接器)的大部分(或全部)可以設(shè)置為靠近第一側(cè)或者設(shè)置在靠近第一側(cè)(第一邊緣)SI-上部的第一區(qū)域中，而具有第二特性的封裝間連接器190B (例如，上文所討論的第三封裝間連接器)的大部分(或全部)可以設(shè)置為靠近第二側(cè)或者設(shè)置在靠近第二側(cè)(第二邊緣)S2-上部的第二區(qū)域中。在一些實(shí)施方式中，第一和第二封裝間連接器可以只設(shè)置在第一區(qū)域中，并且第三封裝間連接器可以只設(shè)置在第二區(qū)域中。第二邊緣可以與第一邊緣相反。替換地，具有第一特性的封裝間連接器190A和具有第二特性的封裝間連接器190B的每個(gè)可以不對稱地設(shè)置在彼此相反定位的兩側(cè)。例如，具有第一特性的封裝間連接器190A可以不對稱地設(shè)置為靠近左側(cè)和/或底側(cè)，而具有第二特性的封裝間連接器190B可以不對稱地設(shè)置為靠近右側(cè)和/或頂側(cè)。在一些實(shí)施方式中，第四封裝間連接器的大部分設(shè)置在靠近第一邊緣SI-上部的區(qū)域中。替換地，第四封裝間連接器只設(shè)置在靠近第一邊緣Si-上部的區(qū)域中?！ぴ谝恍?shí)施方式中，劃分第一區(qū)域和第二區(qū)域的假想界線174可以大致沿上封裝基板Iiou的中心延伸，如圖3J所示。具有第二特性的封裝間連接器190B中的一些可以是虛設(shè)物或者可以不形成。雖然為了清楚在附圖中簡化，但是封裝間連接器190A和190B可以安裝在上封裝基板IlOU的底表面上或者與上封裝基板IlOU分開。最后，封裝間連接器190A和190B可以安裝在上封裝基板IlOU的底表面和下封裝基板IlOL的頂表面上。板連接器109可以電連接下封裝105L與外部設(shè)備的系統(tǒng)板或母板。板連接器109可以包括焊球。在這些實(shí)施方式中示出為焊球的封裝間連接器190A和190B可以是上封裝105U和下封裝105L之間的任何其它類型的電連接。在一個(gè)實(shí)施方式中，上封裝105U和下封裝105L可以互連而不使用封裝間連接器190A和190B。參考圖3C至圖3E，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)IOOc至IOOe的每個(gè)可以包括上封裝105U、下封裝105L以及封裝間連接器190A和190B。上封裝105U可以包括安裝在其頂表面上的上半導(dǎo)體器件150U。上半導(dǎo)體器件150U可以采用參考圖IA至圖ID描述的半導(dǎo)體器件IA至ID的任何一個(gè)或者它們的變型或改型。在本實(shí)施方式中，上半導(dǎo)體器件150U可以包括分別具有第一特性和第二特性的接合焊盤160A和160B，其可以以各種形式不對稱地設(shè)置。分別與接合焊盤160A和160B相應(yīng)的具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B可以不對稱地設(shè)置在上封裝基板IlOU上。此外，分別具有第一特性和第二特性的封裝間連接器190A和190B可以不同地設(shè)置，而與具有第一特性的引線焊區(qū)170A和具有第二特性的引線焊區(qū)170B的布置一致。參考圖3F至圖3H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)IOOf至IOOh的每個(gè)可以包括上封裝105U、下封裝105L以及封裝間連接器190A和190B。下封裝105L可以包括第一下半導(dǎo)體器件150L1和第二下半導(dǎo)體器件150L2。第一下半導(dǎo)體器件150L1可以經(jīng)由芯片間連接器156電連接到第二下半導(dǎo)體器件150L2。第一下半導(dǎo)體器件150L1可以包括邏輯器件，并且第二下半導(dǎo)體器件150L2可以包括寬I/O存儲器件。芯片間連接器156可以通過下硅通路(TSV，未示出)電連接到下封裝基板110L。芯片間連接器156可以在第一下半導(dǎo)體器件150L1或第二下半導(dǎo)體器件150L2上不對稱地設(shè)置成各種形狀或者不對稱地設(shè)置在各種位置。例如，如圖3F至圖3H所示，芯片間連接器156可以不對稱地設(shè)置在第一下半導(dǎo)體器件150L1或第二下半導(dǎo)體器件150L2的左半部或右半部中，或者均勻地設(shè)置。參考圖31，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)IOOi可以包括上封裝105U、下封裝105L、上封裝間連接器190AU和190BU以及下封裝間連接器190AL和190BL。參考圖3A至圖3H描述的封裝間連接器190A和190B可以分為上封裝間連接器190AU和190BU和下封裝間連接器190AL和190BL。上封裝間連接器190AU和190BU可以一體形成，并且下封裝間連接器190AL和190BL可以一體形成，如將在其它附圖中所示。圖31的發(fā)明構(gòu)思可以應(yīng)用于圖3A至圖3H所示的每個(gè)實(shí)施方式。圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的上封裝的示意圖，為了清楚，其示出了半導(dǎo)體器件的橫向截面圖和封裝基板的縱向截面圖。參考圖4A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的上封裝200a可以包括安裝在上封裝·基板201a的頂表面上的上半導(dǎo)體器件250。上半導(dǎo)體器件250可以使用例如管芯接合膜255安裝在上封裝基板201a上。然而，其它方法可用于將上半導(dǎo)體器件250安裝到上封裝基板201a。上模塑化合物259可以形成為圍繞上半導(dǎo)體器件250。上模塑化合物259可以包括環(huán)氧樹脂。上半導(dǎo)體器件250可以是參考圖IA至圖ID描述的半導(dǎo)體器件IA至ID之一或者在本公開的精神和范圍之內(nèi)的其它變型或改型。例如，半導(dǎo)體器件250可以是結(jié)合圖2A至圖2D描述的半導(dǎo)體器件之一。如上所述，上半導(dǎo)體器件250可以包括具有第一特性的接合焊盤260A和具有第二特性的接合焊盤260B。雖然從側(cè)視圖可以看到單個(gè)接合焊盤260A和單個(gè)接合焊盤260B，但是，為了更好的說明，示出了兩個(gè)接合焊盤260A和兩個(gè)接合焊盤260B。另外，具有第一特性的接合焊盤260A可以不對稱地設(shè)置在靠近上半導(dǎo)體器件250的第一側(cè)或左側(cè)設(shè)置的區(qū)域中，而具有第二特性的接合焊盤260B可以不對稱地設(shè)置在靠近與上半導(dǎo)體器件150的第一側(cè)相反的第二側(cè)或右側(cè)設(shè)置的區(qū)域中。具有第二特性的一個(gè)或更多個(gè)接合焊盤260B可以是虛設(shè)物。具有第一特性的引線焊區(qū)270A和具有第二特性的引線焊區(qū)270B可以不對稱地設(shè)置在上封裝基板201a上。具有第二特性的一個(gè)或更多個(gè)引線焊區(qū)270B可以是虛設(shè)物。具體地，具有第一特性的引線焊區(qū)270A可以不對稱地設(shè)置在靠近上封裝基板201a的第一側(cè)SI (例如，左側(cè))設(shè)置的區(qū)域中，而具有第二特性的引線焊區(qū)270B可以不對稱地設(shè)置在靠近與第一側(cè)SI相反的第二側(cè)S2 (例如，右側(cè))設(shè)置的區(qū)域中。接合焊盤260A和260B可以利用例如接合引線275而分別電連接到引線焊區(qū)270A和270B。如上所述，具有第一特性的接合焊盤260A和具有第一特性的引線焊區(qū)270A可以用于第一功能和/或第二功能。例如，具有第一特性的接合焊盤260A和具有第一特性的引線焊區(qū)270A可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號；用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)；和/或地址/控制信號。具有第二特性的接合焊盤260B和具有第二特性的引線焊區(qū)270B可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)。在本實(shí)施方式中，虛設(shè)物可以解釋為不會(huì)傳輸任何信號的兀件。上封裝基板201a可以包括多個(gè)層。具體地，上封裝基板201a可以包括以順序方式或交替方式堆疊的第一絕緣層231、第一金屬層241、第二絕緣層232、絕緣芯層230、第三絕緣層233、第二金屬層242和第四絕緣層234。第一絕緣層231、第一金屬層241、第二絕緣層232、第三絕緣層233、第二金屬層242以及第四絕緣層234每個(gè)可以是薄膜型層。絕緣芯層230可以比其它層厚并且包括剛性材料。例如，絕緣芯層230可以包括玻璃、陶瓷材料、塑料材料或固體材料。絕緣芯層230可以被提供為平板型并且包括孔，通過所述孔豎直地形成通路281至284。金屬層241和242的每個(gè)可以提供為各種類型的水平路線之一。例如，金屬層241和242可以被分離成平板或路線的小分段，而不是平板形狀。雖然圖4A示出了金屬層241和242以及通路281至284的電連接的一個(gè)可能的形狀，但是所述電連接的形狀可以是任何期望的形狀并且不局限于圖中所示。此構(gòu)思可以應(yīng)用于本說明書的所有附圖。具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A可以不對稱地設(shè)置為靠近上封裝200a或上封裝基板201a的第一側(cè)SI (左側(cè))。換句話說，具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A可以不對稱地設(shè)置在上封裝200a或上封裝基板201a的左半部L中。具有第二特性的 上封裝間連接器焊區(qū)210B可以不對稱地設(shè)置為靠近與上封裝200a或上封裝基板201a的第一側(cè)SI相反的第二側(cè)S2 (右側(cè))。換句話說，具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210B可以不對稱地設(shè)置在上封裝200a或上封裝基板201a的右半部R中。分別具有第一特性和第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A和210B可以形成在第二金屬層242下面并且被上封裝基板201a的底面暴露。具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A可以通過金屬層241和242以及通路281和282電連接到具有第一特性的引線焊區(qū)270A。因此，具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A可以用于第一功能和第二功能。例如，上封裝間連接器焊區(qū)210A可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號；用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)；和/或地址/控制信號。具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210B可以通過金屬層241和242以及通路283和284電連接到具有第二特性的引線焊區(qū)270B。因此，具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210B可以用于第三功能。例如，具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210B可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)。具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)210B之一可以是虛設(shè)物。參考圖4B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的上封裝200b可以包括設(shè)置在上封裝基板201b上的半導(dǎo)體器件250。這里將僅描述與圖4的上封裝200a之間的差異。上封裝基板201b可以包括順序堆疊的第一絕緣層231、第一金屬層241、第二絕緣層232、金屬芯層240、第三絕緣層233、第二金屬層242以及第四絕緣層234。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的上封裝基板201b可以包括金屬芯層240，金屬芯層240可以比其它層更厚或者更硬。金屬芯層240可以用作用于劃分元件/封裝參考電壓的平面。具體地，金屬芯層240可以用作接地電壓平面。然而，金屬芯層240也可以例如實(shí)質(zhì)上用于電連接具有其它功能的導(dǎo)電部件的功能，諸如，第一功能、第二功能或第三功能。為了示范性地示出金屬芯層240可以用于第三功能，圖4B示出了具有第二特性的引線焊區(qū)270B、具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)210B、以及具有第二特性的通路283a、283b,284a及284b連接到金屬芯層240。相反，為了示范性地示出金屬芯層240可不用于第一功能和/或第二功能，圖4B示出了具有第一特性的引線焊區(qū)270A、具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)210A以及具有第一特性的通路281和282沒有連接到金屬芯層240。然而，上述說明僅為實(shí)例，并且相反的設(shè)置也在本發(fā)明構(gòu)思的預(yù)期范圍之內(nèi)。在根據(jù)上述實(shí)施方式的上封裝200a和200b中，用于第一功能和第二功能的導(dǎo)電部件260A、270A和2IOA可以不對稱地設(shè)置在靠近上封裝基板201a和201b的左半部(L)或第一側(cè)SI設(shè)置的區(qū)域中，從而使得配置為連接用于第一功能和第二功能的導(dǎo)電部件260A、270A和210A的路線的長度以及路線之間的偏差可以減小。因此，上封裝基板201a和201b的金屬層241和242的路線形狀布置或設(shè)計(jì)可以簡化，并且由信號路徑的差異引起的信號延遲的偏 差可以減小，以改善信號完整性。此外，由于金屬芯層240用作接地平面或配置為提供不同參考電壓的平面，所以可以提高接地傳輸效果或電壓傳輸效果，并且可以減少噪聲的發(fā)生。此外，金屬層241和242不需要用作接地平面或不需要用于提供不同的參考電壓，從而使得金屬層241和242可以更有效地用于選路信號。另外，即使選路要求變得復(fù)雜，也可以減少對于增加另一金屬層的需要。換句話說，由于金屬層的數(shù)量可以減少，所以上封裝基板201a和201b的總厚度可以被減小或者避免增大。當(dāng)然，金屬芯層240可以部分地用于傳輸電信號。雖然圖4B示出了金屬層241和242以及金屬芯層240的形狀以描述概念上或?qū)嶋H上的形狀或者電連接，但是沒有示出實(shí)際形狀，而本發(fā)明構(gòu)思也不局限于任何特定形狀。此構(gòu)思可以應(yīng)用于本說明書中所附的所有實(shí)施方式和附圖。圖5A至圖5J是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖。封裝堆疊結(jié)構(gòu)可以包括存儲器封裝和邏輯封裝。將參考圖3A至圖31進(jìn)一步詳細(xì)理解封裝堆疊結(jié)構(gòu)。為了清楚，圖5A至圖5J示出封裝堆疊結(jié)構(gòu)的橫向截面圖、縱向截面圖和局部分解圖。參考圖5A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a可以包括上封裝200a、下封裝305a和封裝間連接器290A和290B。下封裝305a可以包括下封裝基板301a和下半導(dǎo)體器件350。將參考例如圖4A進(jìn)一步詳細(xì)理解上封裝200a。下封裝305a可以包括設(shè)置在下封裝基板301a上并且連接到下封裝基板301a的下半導(dǎo)體器件350。在一些實(shí)施方式中，下半導(dǎo)體器件350可以例如通過使用第一倒裝芯片連接器323和第二倒裝芯片連接器324的倒裝芯片法連接到下封裝基板301a。下半導(dǎo)體器件350可以包括設(shè)置在其中的存儲器控制電路349。存儲器控制電路349可以不對稱地設(shè)置在靠近下半導(dǎo)體器件350的邊緣的區(qū)域或任一側(cè)中。如圖5A所示，例如，存儲器控制電路349可以設(shè)置在靠近下半導(dǎo)體器件350的左邊緣的區(qū)域或左側(cè)中。由于左側(cè)和右側(cè)的位置可以互換，所以存儲器控制電路349可以不對稱地設(shè)置在下半導(dǎo)體器件350的任一側(cè)或區(qū)域中。第一倒裝芯片連接器323可以電連接到存儲器控制電路349并且疊置在存儲器控制電路349上，或者設(shè)置為靠近存儲器控制電路349，而第二倒裝芯片連接器324可以既不疊置在存儲器控制電路349上也不設(shè)置為靠近存儲器控制電路349。因此，第一倒裝芯片連接器323可以設(shè)置為靠近下半導(dǎo)體器件350的第一側(cè)SI (即，左側(cè))，而第二倒裝芯片連接器324可以設(shè)置為靠近與半導(dǎo)體器件350的第一側(cè)SI相反的第二側(cè)S2 (S卩，右側(cè))。下封裝基板301a可以包括順序堆疊的第一絕緣層331、第一金屬層341、第二絕緣層332、第二金屬層342、第三絕緣層333、絕緣芯層330、第四絕緣層334、第三金屬層343、第五絕緣層335、第四金屬層344以及第六絕緣層336。絕緣芯層330可以提供為平板型并且包括孔，通過所述孔豎直地形成通路。其它部件可以提供為薄膜型層。另外，金屬層341至344可以提供為各種類型的水平路線之一。因此，金屬層341至344可以分離成平板或路線的小分段，而不是平板形狀。具有第二特性的下封裝間連接器焊區(qū)310B可以形成在第一金屬層341上，如圖5B所示。第一金屬層341可以通過封裝間連接器290A和290B電連接到上封裝200a的上封裝間連接器焊區(qū)2IOA和2IOB。下封裝間連接器焊區(qū)310A和310B可以通過封裝間連接器290A和290B (分別具有第一特性和第二特性)分別電連接到上封裝間連接器焊區(qū)210A和210B (分別具有第一特性和第二特性)。具有第一特性的下封裝間連接器焊區(qū)310A可以通過金屬層341至344之一電連接到第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321 (此連接被提出而沒有明確地在圖5B中示出)。例如，具有第一特性的下封裝間連接器焊區(qū)310A可以通過第二金屬層342分別電連接到第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321。第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321可以設(shè)置為相 應(yīng)于第一倒裝芯片連接器323。也就是說，第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321可以設(shè)置為靠近其中設(shè)置下半導(dǎo)體器件350的存儲器控制電路349的區(qū)域。因此，第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321可以設(shè)置為靠近下半導(dǎo)體器件350的左區(qū)域。換句話說，第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321可以不對稱地設(shè)置在下封裝基板301a上靠近其中設(shè)置下半導(dǎo)體器件350的區(qū)域的任一側(cè)。在圖5A中，示出第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321設(shè)置為靠近下半導(dǎo)體器件350的第一側(cè) SI。第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321可以通過第一倒裝芯片連接器323電連接到下半導(dǎo)體器件350。因此，上半導(dǎo)體器件250的具有第一特性的接合焊盤260A、具有第一特性的引線焊區(qū)270A、具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)210A、具有第一特性的封裝間連接器290A、具有第一特性的下封裝間連接器焊區(qū)310A、第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321以及第一倒裝芯片連接器323中至少一個(gè)可以被電連接，使得上半導(dǎo)體器件250可以電連接到下半導(dǎo)體器件350的存儲器控制電路349。上半導(dǎo)體器件250的具有第二特性的接合焊盤260B、具有第二特性的引線焊區(qū)270B、具有第二特性的上封裝間連接器210B、具有第二特性的封裝間連接器290B、具有第二特性的下封裝間連接器310B以及板連接器309中至少一個(gè)可以被電連接。具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A及310A可以不直接連接到板連接器309。然而，除了具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A及310A，根據(jù)需要，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或者電源電壓)的部件可以直接連接到板連接器309。這里，部件與板連接器309的直接連接可以指將部件連接到板連接器309而沒有穿過下半導(dǎo)體器件350。結(jié)果，具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A及310A可以設(shè)置為靠近封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a的第一側(cè)SI或者不對稱地設(shè)置在左半部L中，而具有第二特性的導(dǎo)電部件260B、270B、210B、290B及310B可以設(shè)置為靠近封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a的第二側(cè)S2或者不對稱地設(shè)置在右半部R中。第二倒裝芯片連接器焊區(qū)322可以設(shè)置為交疊或者相應(yīng)于第二倒裝芯片連接器324。左半部L和右半部R的位置可以互換。下底部填充材料355可以填充在下半導(dǎo)體器件350和下封裝基板301a之間以圍繞第一倒裝芯片連接器323和第二倒裝芯片連接器324的側(cè)表面。下模塑化合物359可以形成在下封裝基板301a的表面上以圍繞下半導(dǎo)體器件350和封裝間連接器290A、290B的側(cè)表面。下模塑化合物359可以暴露下半導(dǎo)體器件350的頂表面。參考圖5B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300b可以包括上封裝200a和下封裝305b。下封裝305b可以包括下封裝基板301b和下半導(dǎo)體器件350。下封裝基板301b可以包括順序堆疊的第一絕緣層331、第一金屬層341、第二絕緣層332、金屬芯層340、第三絕緣層333、第二金屬層342、第四絕緣層334、第三金屬層343以及第五絕緣層335。金屬芯層340可以電連接到具有第一特性和/或第二特性的封裝間連接器290A和290B中的至少一個(gè)。例如，金屬芯層340可以電連接到具有第二特性的封裝間連接器290B中的任一個(gè)并且提供不同的參考電壓，或者用作參考電壓平面或接地平面。參考圖5C，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300c可以包括上封裝200a和下封裝305c。下封裝305c可以包括下封裝基板301c和下半導(dǎo)體器件350。下封裝基板301c可以包括順序堆疊的第一絕緣層331、第一金屬層341、第二絕緣層332、第二金屬層342、第三絕緣層333、金屬芯層340、第四絕緣層334、第三金屬層343以及第五絕緣層 335。金屬芯層340可以電連接到具有第一特性和第二特性的封裝間連接器290A和290B中的至少一個(gè)。例如，金屬芯層340可以電連接到具有第二特性的封裝間連接器290B中的任一個(gè)并且提供不同的參考電壓，或者用作參考電壓平面或接地平面。參考圖至圖5F，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300d至300f可以分別包括上封裝200b和下封裝305a至305c。參考圖上封裝基板201b可以包括金屬芯層240。參考圖5E和圖5F，上封裝基板201b和下封裝基板301b可以分別包括金屬芯層240和340。上封裝200b可以參考圖4B理解，而下封裝305a至305c可以參考圖5A至圖5C理解。將參考圖5A至圖5C進(jìn)一步詳細(xì)地理解本實(shí)施方式的描述。參考圖5G至圖5J，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300g至300j的每個(gè)可以包括上封裝200a或200b以及下封裝306a、306b或306c。與圖5A至圖5F的下封裝305a至305c比較，下封裝306a至306c的每個(gè)可以包括第一下半導(dǎo)體器件350L1和第二下半導(dǎo)體器件350L2。下半導(dǎo)體器件350L1可以包括下硅通路357。第一下半導(dǎo)體器件350L1和第二下半導(dǎo)體器件350L2可以通過芯片間連接器356而彼此電連接。芯片間連接器356可以分別電連接到下硅通路(TSV) 357。第一下半導(dǎo)體器件350L1可以包括邏輯器件，并且第二下半導(dǎo)體器件350L2可以包括存儲器件。例如，第二下半導(dǎo)體器件350L2可以包括寬I/O存儲器件。也就是說，下封裝306a至306c的每個(gè)可以包括利用倒裝芯片法彼此電連接的邏輯器件和存儲器件。返回參考圖5G至圖5J，具有第一特性和第二特性的封裝間連接器290AU、290AL、290BU和290BL可以分別包括上封裝間連接器290AU和290BU以及下封裝間連接器290AL和290BL。如上所述，上封裝間連接器和下封裝間連接器290AU、290AL、290BU和290BL可以一體形成。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，封裝間連接器290A和290B可以構(gòu)成一個(gè)封裝間連接器，即，它可以包括一體形成的兩個(gè)或更多封裝間連接器。因此，圖5A至圖5J所示的封裝間連接器290AU、290AL、290BU和290BL的形狀是彼此兼容的。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的參考圖5A至圖5J描述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a至300j的每個(gè)可以包括可靠近其第一側(cè)SI設(shè)置或不對稱地設(shè)置在其左半部L中的具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A以及310A。具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A以及310A可以用于第一功能和/或第二功能。第一功能可以包括傳輸或提供數(shù)據(jù)信號和/或用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)。第二功能可以包括傳輸?shù)刂?控制信號。返回參考圖5A至圖5J，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a至300j的每個(gè)可以包括可靠近其第二側(cè)S2設(shè)置或不對稱地設(shè)置在其右半部R中的具有第二特性的導(dǎo)電部件260B、270B、210B、290B以及310B。具有第二特性的導(dǎo)電部件260B、270B、210B、290B以及310B可以用于第三功能。第三功能可以包括傳輸用于地址/控制電路的參考電壓。在本發(fā)明構(gòu)思中，上半導(dǎo)體器件250和下半導(dǎo)體器件350可以通過具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A以及310A、第一倒裝芯片連接器焊區(qū)321和第一倒裝芯片連接器323中的一些發(fā)送和接收數(shù)據(jù)信號和/或地址/控制信號。在圖5G至圖5J中，芯片間連接器356可以參考圖3E至圖3G以 不同方式設(shè)置。具體地，芯片間連接器356可以不對稱地設(shè)置在下半導(dǎo)體器件350的一部分頂表面上或者布置為實(shí)質(zhì)上橫跨其整個(gè)頂表面。例如，芯片間連接器356可以根據(jù)具有第一特性的其它導(dǎo)電部件26(^、27(^、21(^、29(^以及31(^的設(shè)置而不對稱地設(shè)置，或者設(shè)置在與其相反的位置。芯片間連接器356可以均勻地設(shè)置在下半導(dǎo)體器件的實(shí)質(zhì)上整個(gè)表面上。芯片間連接器356的設(shè)置可以根據(jù)其功能確定。此外，當(dāng)通過芯片間連接器356傳輸不同參考電壓Vdd/Vss而引起屏蔽效應(yīng)時(shí)，芯片間連接器356可以大體均勻地設(shè)置或者根據(jù)具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A以及310A的設(shè)置而不對稱地設(shè)置。當(dāng)旨在通過芯片間連接器356傳輸數(shù)據(jù)信號、地址信號或其它振蕩信號時(shí)，芯片間連接器356可以根據(jù)信號傳輸/傳遞部件的類型而不同地設(shè)置。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式，芯片間連接器356可以根據(jù)其功能不對稱地設(shè)置成不同的圖案。在上文所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)300a至300j中，配置為傳輸或提供數(shù)據(jù)信號、用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)和/或地址/控制信號的具有第一特性的導(dǎo)電部件260A、270A、210A、290A以及310A的路線形狀布置或設(shè)計(jì)可以被簡化，并且由信號路徑的差異引起的信號延遲的偏差可以減小，以改善信號過渡到達(dá)時(shí)間以及由此改善完整性。圖6A至圖6K是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)的分解透視圖。具體地，圖6A至圖6K示出了上封裝包括多個(gè)半導(dǎo)體器件的情況。在圖6A至圖6K中，同樣的部件和/或同樣的附圖標(biāo)記可以解釋為具有相同或相似功能的部件。因此，將僅描述各實(shí)施方式之間的關(guān)鍵差別。參考圖6A，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400a可以包括上封裝405U、下封裝405L以及封裝間連接器490A和490B。上封裝405U可以包括安裝在其頂表面上的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。為了簡潔，假定上封裝405U包括兩個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。然而，可以理解的是，上封裝405U可以包括多于兩個(gè)半導(dǎo)體器件。上半導(dǎo)體器件451和452的每個(gè)可以是不同附圖中所示的半導(dǎo)體器件之一。例如，半導(dǎo)體器件可以是例如圖20A中示出的主半導(dǎo)體芯片或者例如圖20C中示出的從半導(dǎo)體芯片。在其它實(shí)施方式(例如，圖6B至圖6J)中使用的上封裝405U也可以包括安裝在其上的多于兩個(gè)半導(dǎo)體器件。另外，圖6B至圖6J的上半導(dǎo)體器件451和452還可以是圖20A所示的主半導(dǎo)體芯片或圖20C所示的從半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本公開的一個(gè)方面，兩個(gè)上半導(dǎo)體器件451、452可以是相同的器件。此外，兩個(gè)上半導(dǎo)體器件451、452之一是DRAM，另一個(gè)是非易失性存儲器，諸如快閃存儲器。參考圖6A，在平面圖中，上封裝405U可以包括第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452,其可以相對彼此旋轉(zhuǎn)90°角。上半導(dǎo)體器件451和452可以包括第一接合焊盤461A和462A和第二接合焊盤461B和462B，第一接合焊盤461A和462A兩者都具有第一特性，第二接合焊盤461B和462B兩者都具有第二特性。如上所述，具有第一特性的第一接合焊盤461A和462A可以用于第一功能和/或第二功能，并且具有第二特性的第二接合焊盤461B和462B可以用于第三功能。具有第一特性的引線焊區(qū)471A和472A可以設(shè)置為靠近上封裝基板410U的兩側(cè)。在圖6A中，示出了兩側(cè)是左側(cè)和底側(cè)。具有第二特性的引線焊區(qū)47IB和472B可以設(shè)置為靠近上封裝基板410U的其它側(cè)。具有第一特性的引線焊區(qū)471A和472A可以分別設(shè)置為靠近具有第一特性的接合焊盤461A和462A并且電連接到接合焊盤461A和462A。具有第二特性的引線焊區(qū)471B和472B可以分別設(shè)置為靠近具有第二特性的接合焊盤461B和462B并且電連接到接合焊盤461B和462B。更具體地，具有第一特性的引線焊區(qū)471A和472A可 以包括具有第一特性的初級引線焊區(qū)471A和具有第一特性的次級引線焊區(qū)472A。具有第一特性的初級引線焊區(qū)471A可以電連接到第一上半導(dǎo)體器件451的具有第一特性的接合焊盤461A。具有第一特性的次級引線焊區(qū)472A可以電連接到第二上半導(dǎo)體器件452的具有第一特性的接合焊盤462A。具有第二特性的引線焊區(qū)471B和472B可以分成初級引線焊區(qū)471B和次級引線焊區(qū)472B。具有第二特性的初級引線焊區(qū)471B可以連接到第一上半導(dǎo)體器件451的具有第二特性的接合焊盤461B。具有第二特性的次級引線焊區(qū)472B可以連接到第二上半導(dǎo)體器件452的具有第二特性的接合焊盤462B。具有第一特性和第二特性的引線焊區(qū)471A、471B、472A和472B可以通過例如上封裝基板410U的內(nèi)部信號選路圖案(internal signal routing patterns)分別電連接到具有第一特性和第二特性的封裝間連接器490A和490B。參考圖6B至圖6E，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400b至400e的每個(gè)的上封裝405U可以包括以不同形狀設(shè)置的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。參考圖6B和圖6C，上半導(dǎo)體器件451和452可以關(guān)于封裝基板410U的中心線對稱地設(shè)置。參考圖6B，具有第一特性的接合焊盤461A和462A以及具有第一特性的引線焊區(qū)471A和472A可以設(shè)置為更接近上封裝基板410U的外部。具有第二特性的接合焊盤461B和462B以及具有第二特性的引線焊區(qū)471B和472B可以設(shè)置為更接近上封裝基板410U的中心。返回參考圖6C，具有第一特性的接合焊盤461A和462A以及具有第一特性的引線焊區(qū)471A和472A可以設(shè)置為更接近上封裝基板410U的中心，而具有第二特性的接合焊盤461B和462B以及具有第二特性的引線焊區(qū)471B和472B可以設(shè)置為更接近上封裝基板410U的外部。參考圖6D和圖6E，上半導(dǎo)體器件451和452可以彼此平行設(shè)置。返回參考圖6D，上半導(dǎo)體器件451和452可以沿縱向方向彼此平行設(shè)置。返回參考圖6E，替換地，上半導(dǎo)體器件451和452可以沿橫向方向彼此平行設(shè)置。參考圖6F，與圖6E的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400e比較，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400f的上封裝405U可以包括在上封裝基板410U上沿橫向方向彼此平行安裝的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。圖6F的上半導(dǎo)體器件451關(guān)于圖6E所示的上半導(dǎo)體器件451旋轉(zhuǎn)180°角。參考圖6G，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400g的上封裝405U可以包括豎直堆疊的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。下封裝405L設(shè)置在上封裝405U下面。下封裝405L包括下封裝基板410L和下半導(dǎo)體器件450。在一些實(shí)施方式中，下半導(dǎo)體器件450包括靠近上封裝基板410U的第一邊緣Slg (或鄰近第一邊緣Slg的第一區(qū)域)設(shè)置的存儲器控制電路477。單個(gè)信號通道可以形成在第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452的接合焊盤461A、462A與存儲器控制電路477之間，以對第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452 —起進(jìn)行控制。在一些實(shí)施方式中，第二上半導(dǎo)體器件452的長軸可以關(guān)于第一上半導(dǎo)體器件 451的長軸實(shí)質(zhì)上平行地布置。在一些實(shí)施方式中，接合焊盤461A、462A的每個(gè)具有第一接合焊盤、第二接合焊盤和第四接合焊盤，該第一接合焊盤配置為傳輸數(shù)據(jù)信號，該第二接合焊盤配置為傳輸?shù)刂?控制信號，該第四接合焊盤配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓。第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452的接合焊盤461A、462A的第一、第二和/或第三接合焊盤的大部分(或所有)可以設(shè)置為靠近上封裝基板410U的第一區(qū)域。此外，接合焊盤461、462B可以包括第三接合焊盤，該第三接合焊盤配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓。第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452的接合焊盤461B、462B的第三接合焊盤的大部分(或所有)可以設(shè)置為靠近上封裝基板410U的與第一區(qū)域相反的第二區(qū)域。參考圖6H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400h的上封裝405U可以包括以偏移方式(一個(gè)在另一個(gè)的頂部上)堆疊的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452，以形成階梯狀的構(gòu)造。參考圖61，與圖6H比較，上半導(dǎo)體器件451和452可以分別包括靠近其一側(cè)設(shè)置的接合焊盤461A和462A。圖6G至圖61所示的上半導(dǎo)體器件451和452可以如圖6A所示關(guān)于彼此旋轉(zhuǎn)90°角。參考圖6J，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400j的上封裝405U可以包括彼此以直角一個(gè)在另一個(gè)頂部上堆疊的多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452。參考圖6A和圖6G至圖61可以更好地理解圖6J所示的上半導(dǎo)體器件451和452的形狀和布置。在一些實(shí)施方式中，上封裝基板410U具有第三邊緣S3 j和與第三邊緣S3 j相反的第四邊緣S4j，它們每個(gè)設(shè)置在第一邊緣Slj和第二邊緣S2j之間。第二上半導(dǎo)體器件452的第一接合焊盤和第二接合焊盤的大部分(或所有)設(shè)置為靠近第三邊緣S3 j，并且第二上半導(dǎo)體器件452的第三接合焊盤的大部分(或所有)設(shè)置為靠近第四邊緣S4j。在一些實(shí)施方式中，下半導(dǎo)體器件450可以包括靠近上封裝基板410U的第一邊緣設(shè)置的第一存儲器控制電路447和靠近上封裝基板410U的第三邊緣S3j的第二存儲器控制電路448。根據(jù)一實(shí)施方式,第一信號通道(未不出)可以形成在第一上半導(dǎo)體器件451的第一和第二接合焊盤與第一存儲器控制電路447之間以控制第一上半導(dǎo)體器件451，并且第二信號通道(未示出)可以形成在第二上半導(dǎo)體器件452的第一和第二接合焊盤與第二存儲器控制電路448之間以控制第二上半導(dǎo)體器件452。如此，多個(gè)信號通道形成在第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452與下半導(dǎo)體器件450之間。
在一些實(shí)施方式中，下半導(dǎo)體器件450可以利用導(dǎo)電凸塊電連接到下半導(dǎo)體基板410L，其可以電連接到第一存儲器控制電路447和第二存儲器控制電路448。在一些實(shí)施方式中，第一上半導(dǎo)體器件451和第二上半導(dǎo)體器件452是DRAM，并且下半導(dǎo)體器件450是邏輯器件。在一些實(shí)施方式中，第二上半導(dǎo)體器件452的長軸關(guān)于第一上半導(dǎo)體器件451的長軸以直角布置。參考圖6K，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的封裝堆疊結(jié)構(gòu)400k可以進(jìn)一步包括設(shè)置在下半導(dǎo)體器件450上的堆疊半導(dǎo)體器件453。堆疊半導(dǎo)體器件453可以包括寬I/O存儲器件。具體地，芯片間連接器456可以設(shè)置在下半導(dǎo)體器件450的表面上。芯片間連接器456可以非均勻地、非同等地、或不對稱地設(shè)置在下半導(dǎo)體器件450的表面的兩側(cè)。然而，芯片間連接器456可以形成為圖3E至圖3G所示的形狀之一。下半導(dǎo)體器件450和堆疊半導(dǎo)體器件453可以通過芯片間連接器456彼此電連接。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的圖6A至圖6K所示的每個(gè)封裝堆疊結(jié)構(gòu)400a至400k可以包括多個(gè)上半導(dǎo)體器件451和452并且可以進(jìn)一步包括具有第一特性和第二特性的封裝間連接器490A和490B。封裝間連接器490A和490B可以不對稱地設(shè)置在封裝堆疊結(jié)構(gòu)400a至400k的左半部或右半部中。封裝間連接器490A和490B可以分別包括上部封裝間連接器490AU和490BU以及下部封裝間連接器490AL和490BL。參考其它附圖更廣泛地進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思。圖7A至圖7G是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的上封裝的示意圖。為了清楚，圖7A至圖7G示出了包括接合引線575的半導(dǎo)體器件551和552的橫向截面圖以及封裝基板501a至501h的示意性縱向截面圖。如圖6A或圖6J所示，半導(dǎo)體器件551和552之一可以關(guān)于彼此旋轉(zhuǎn)90°角并且水平地設(shè)置或堆疊。然而，在圖7A至圖7G中，半導(dǎo)體器件551和552被示出為彼此平行設(shè)置，為了簡化，類似于如圖6B所示的半導(dǎo)體器件451、452的布置?？梢孕纬晒苄窘雍夏?55和上模塑化合物(為了簡化，未示出)。如上所述，術(shù)語“初級”可以涉及電連接到第一半導(dǎo)體器件551的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，而術(shù)語“次級”可以涉及電連接到第二半導(dǎo)體器件552的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，具有第一特性的初級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括具有第一特性的初級接合焊盤561A、具有第一特性的初級引線焊區(qū)571A和具有第一特性的初級上封裝間連接器焊區(qū)510A。具有第二特性的初級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括具有第二特性的初級接合焊盤561B、具有第二特性的初級引線焊區(qū)571B和具有第二特性的初級上封裝間連接器焊區(qū)510B。連接到第二半導(dǎo)體器件552的具有第一特性的次級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括具有第一特性的次級接合焊盤562A、具有第一特性的次級引線焊區(qū)572A和具有第一特性的次級上封裝間連接器焊區(qū)510A。具有第二特性的次級導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括具有第二特性的次級接合焊盤562B、具有第二特性的次級引線焊區(qū)572B和具有第二特性的次級上封裝間連接器焊區(qū)510B。在本實(shí)施方式中，具有第一特性的上封裝間連接器焊區(qū)510A沒有分成初級和次級上封裝間連接器焊區(qū)。同樣，具有第二特性的上封裝間連接器焊區(qū)510B沒有分成初級和次級上封裝間連接器焊區(qū)。如上所述，具有第一特性的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以用于第一功能和/或第二功能，并且具有第二特性的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以用于第三功能。第一功能可以包括傳輸或提供數(shù)據(jù)信號和/或用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓。第二功能可以包括傳輸?shù)刂?控制信號。第三功能可以包括傳輸用于地址/控制電路的參考電壓。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的上封裝500a可以包括多個(gè)半導(dǎo)體器件551和552，半導(dǎo)體器件551和552在封裝基板501a上如圖所示水平地布置或者在彼此的頂部豎直地堆疊(未示出)。半導(dǎo)體器件551和552可以包括具有第一特性的接合焊盤561A、562A。半導(dǎo)體器件551和552可以還包括具有第二特性的接合焊盤561B、562B。具有第一特性的引線焊區(qū)571A、572A可以設(shè)置在封裝基板501a上。具有第二特性的引線焊區(qū)571B、572B可以也設(shè)置在封裝基板501a上。具有第一特性和第二特性的引線焊區(qū)571A、571B、572A和572B可以分成電連接到第一上半導(dǎo)體器件551的初級引線焊區(qū)和電連接到第二上半導(dǎo)體器件552的次級引線焊區(qū)。 具有第一特性的引線焊區(qū)571A和572A可以電連接到具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A，并且具有第二特性的引線焊區(qū)571B和572B可以電連接到具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)510B。根據(jù)本公開的方面，如果上文所討論的功能不對稱的接合焊盤561A、562A被如圖7A所示地布置，接合焊盤561A、562A與引線焊區(qū)571A、572A (或者其它互連元件和/或存儲器控制電路)之間的信號通道可以比常規(guī)布置更短。封裝基板50Ia可以包括順序堆疊的第一絕緣層531、第一金屬層541、第二絕緣層532、第二金屬層542、第三絕緣層533、絕緣芯層530、第四絕緣層534、第三金屬層543、第五絕緣層535、第四金屬層544以及第六絕緣層536。通路581a、581b、582a、582b、582c、583a、583b、586a、586b、587a、587b、587c 以及588可以豎直地連接金屬層541至544和穿透第二至第五絕緣層532至535以及絕緣芯層530。雖然示出了通路 581a、581b、582a、582b、582c、583a、583b、586a、586b、587a、587b、587c以及 588 不對稱地設(shè)置，但是通路 581a、581b、582a、582b、582c、583a、583b、586a、586b、587a、587b、587c以及588可以沒有不對稱地設(shè)置，而是代替地可以設(shè)置在各種其它位置并且可以采取各種其它形狀。在圖7A中，通路581a、581b、582a、582b、582c、583a、583b、586a、586b、587a、587b、587c以及588被示出為用于電連接的概念性描述。在本實(shí)施方式中，具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A可以設(shè)置為靠近封裝基板501a的第一側(cè)(或者第一邊緣)SI。在圖7A中，第一側(cè)SI可以是左側(cè)。因此，具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A可以設(shè)置在封裝基板501a的左半部L中。具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)510B可以設(shè)置為靠近封裝基板501a的與第一側(cè)SI相反的第二側(cè)(或者第二邊緣)S2。在圖7A中，第二側(cè)S2可以是右側(cè)。具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)5IOB可以設(shè)置在封裝基板501a的右半部R中。參考圖7B，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實(shí)施方式的上封裝500b的封裝基板501b可以包括以順序方式堆疊或者以交替方式堆疊的第一絕緣層531、第一金屬層541、第二絕緣層532、第二金屬層542、第三絕緣層533、金屬芯層540、第四絕緣層534、第三金屬層543以及第五絕緣層535。具有第二特性的導(dǎo)電部件561B、562B、571B以及572B中的一些可以不電連接到金屬芯層540。例如，諸如金屬芯層540的一個(gè)或更多個(gè)金屬芯層可以用于提供不同的參考電壓(或者電源電壓)。此外，金屬芯層540可以用作用于ー個(gè)參考電壓或者不同的參考電壓的平面。在一個(gè)實(shí)例中，金屬芯層540可以通過不同的通路583a、583b、588a和588b分離地或同時(shí)連接到具有第二特性的引線焊區(qū)571B和572B。參考圖7C，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500c的封裝基板501c可以包括順序堆疊的第一絕緣層531、第一金屬層541、第二絕緣層532、金屬芯層540、第三絕緣層533、第二金屬層542、第四絕緣層534、第三金屬層543以及第五絕緣層535。參考圖7B可以理解對上封裝500c的描述。參考圖7D，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500d的封裝基板501d可以包括順序堆疊的第一絕緣層531、第一金屬層541、第二絕緣層532、金屬芯層540、第三絕緣層533、第二金屬層542和第三絕緣層534。例如，第一金屬層541可以堆疊在金屬芯層540上，而第二金屬層542可以堆疊在金屬芯層540下面。也就是說,第一金屬層541和第二金屬層542可以布置在金屬芯層540的任ー側(cè)上。 在本實(shí)施方式中，具有第一特性的初級引線焊區(qū)571A可以使用第一金屬層541電連接到具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A，并且具有第一特性的次級引線焊區(qū)572A可以通過第二金屬層542電連接到具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A。金屬芯層540可以電連接到具有第二特性的初級和次級引線焊區(qū)571B和572B以及具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)510B中的ー些。參考圖7E，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500e可以包括通過上TSV561va和561vb而相互電連接的多個(gè)上半導(dǎo)體器件551至554。具有第一特性的上TSV561va可以傳輸或提供數(shù)據(jù)信號；用于數(shù)據(jù)電路的參考電壓(或電源電壓)；和/或地址/控制信號。具有第二特性的上TSV 561vb可以提供用于地址/控制電路的參考電壓(或電源電壓)和/或元件/封裝參考電壓。上封裝基板501e可以包括具有第一特性的通路墊271va和具有第二特性的通路墊271vb，通路墊271va可以電連接到具有第一特性的上TSV561va，通路墊271vb可以電連接到具有第二特性的上TSV 561vb。具有第一特性的上TSV 561va和具有第一特性的通路墊571va可以不對稱地設(shè)置在上封裝500e或半導(dǎo)體器件551至554的每個(gè)的左半部L中，或者靠近其第一側(cè)SI設(shè)置。具有第二特性的上TSV 561vb和具有第二特性上通路墊571vb可以不對稱地設(shè)置在上封裝500e或半導(dǎo)體器件551至554的每個(gè)的右半部R中，或者靠近其第二側(cè)S2設(shè)置。在附圖中，管芯接合膜和模塑化合物被省略。任何適合的密封エ藝或者材料可以在本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍之內(nèi)使用。具有第一特性的通路墊571va可以電連接到具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A，并且具有第二特性的通路墊571vb可以電連接到具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)510B。因此，具有第一特性的封裝間連接器焊區(qū)510A可以設(shè)置為靠近上封裝500e的第一側(cè)SI，或者不對稱地設(shè)置在其左半部L中。具有第二特性的封裝間連接器焊區(qū)510B可以設(shè)置為靠近上封裝500e的第二側(cè)S2或者不對稱地設(shè)置在其右半部R中。參考圖7F，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500f可以包括順序堆疊的多個(gè)上半導(dǎo)體器件551和552。由于參考其它附圖可以充分理解本實(shí)施方式，所以將省略其詳細(xì)描述。在圖7F中，半導(dǎo)體器件551和552被示出為彼此間隔開而在其間沒有粘合層。然而，實(shí)際上，半導(dǎo)體器件552可以堆疊在半導(dǎo)體器件551上，并且粘合層(未示出)布置在其間。參考圖7G，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500h可以包括通過上TSV561va、561vb、562va和562vb而相互電連接的多個(gè)上半導(dǎo)體器件551至554。可以參考圖7F理解本實(shí)施方式的詳細(xì)描述。參考圖7H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的ー實(shí)施方式的上封裝500g可以包括以階梯形式堆疊的多個(gè)上半導(dǎo)體器件551和552。根據(jù)本實(shí)施方式的上半導(dǎo)體器件551和552的堆疊形狀可以參考本說明書的其它附圖進(jìn)ー步詳細(xì)理解。返回參考圖7B至圖7H，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同實(shí)施方式的金屬層541至543和金屬芯層540可以以如表I所不的各種方式米用。金屬層541至54 3的位置可以互換。此夕卜，金屬層541至543和金屬芯層540可以以表I中所提出的實(shí)例之外的各種方式采用。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種封裝堆疊結(jié)構(gòu)，包括 上封裝，包括具有第一邊緣和與所述第一邊緣相反的第二邊緣的上封裝基板，所述上封裝基板具有靠近所述第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近所述第二邊緣布置的第二區(qū)，所述上封裝包括疊置在所述上封裝基板上面的第一上半導(dǎo)體器件；以及 下封裝，具有下封裝基板和下半導(dǎo)體器件，所述下封裝通過多個(gè)封裝間連接器連接到所述上封裝，所述封裝間連接器包括 第一封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號； 第二封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號； 第三封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓；以及 第四封裝間連接器，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓， 其中所述第一封裝間連接器和所述第二封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第一區(qū)中，并且 其中所述第三封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第二區(qū)中。
2.如權(quán)利要求I所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第四封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第一區(qū)中。
3.如權(quán)利要求I所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一上半導(dǎo)體器件包括 第一接合焊盤，配置為傳輸所述數(shù)據(jù)信號，并且電連接到所述第一封裝間連接器； 第二接合焊盤，配置為傳輸所述地址/控制信號，并且電連接到所述第二封裝間連接器； 第三接合焊盤，配置為提供用于所述地址/控制電路的所述電源電壓；以及 第四接合焊盤，配置為提供用于所述數(shù)據(jù)電路的所述電源電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第一邊緣，并且所述第二接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第二邊緣。
5.如權(quán)利要求3所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第一邊緣。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第三接合焊盤的大部分定位為靠近所述第二邊緣，并且 其中所述第四接合焊盤的大部分定位為靠近所述第一邊緣。
7.如權(quán)利要求3所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述上封裝還包括鄰近所述第一上半導(dǎo)體器件的第二上半導(dǎo)體器件， 其中所述第二上半導(dǎo)體器件包括 第一接合焊盤，配置為傳輸所述數(shù)據(jù)信號，并且電連接到所述第一封裝間連接器； 第二接合焊盤，配置為傳輸所述地址/控制信號，并且電連接到所述第二封裝間連接器； 第三接合焊盤，配置為提供用于所述地址/控制電路的所述電源電壓；以及 第四接合焊盤，配置為提供用于所述數(shù)據(jù)電路的所述電源電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一上半導(dǎo)體器件和所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第一區(qū)，并且所述第一上半導(dǎo)體器件和所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第三接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第二區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)， 其中所述下半導(dǎo)體器件包括靠近所述上封裝基板的所述第一區(qū)設(shè)置的存儲器控制電路， 其中在所述第一上半導(dǎo)體器件和所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤與所述存儲器控制電路之間形成單個(gè)信號通道，以對所述第一上半導(dǎo)體器件和所述第二上半導(dǎo)體器件一起進(jìn)行控制。
10.如權(quán)利要求7所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述上封裝基板具有設(shè)置在所述第一邊緣和所述第二邊緣之間的第三邊緣以及與所述第三邊緣相反的第四邊緣， 其中所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近所述第三邊緣，并且其中所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第三接合焊盤的大部分設(shè)置為靠近與所述第三邊緣相反的所述第四邊緣。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述下半導(dǎo)體器件包括靠近所述上封裝基板的所述第一邊緣設(shè)置的第一存儲器控制電路和靠近所述上封裝基板的所述第三邊緣的第二存儲器控制電路，其中在所述第一上半導(dǎo)體器件的所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤與所述第一存儲器控制電路之間形成第一通道以控制所述第一上半導(dǎo)體器件，并且其中在所述第二上半導(dǎo)體器件的所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤與所述第二存儲器控制電路之間形成第二通道以控制所述第二上半導(dǎo)體器件，使得在所述第一上半導(dǎo)體器件和所述第二上半導(dǎo)體器件與所述下半導(dǎo)體器件之間形成多個(gè)通道。
12.如權(quán)利要求I所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述上封裝基板包括順序堆疊的第一上金屬層、上金屬芯層以及第ニ上金屬層，并且所述上金屬芯層比所述第一上金屬層和所述第二上金屬層的每個(gè)厚。
13.如權(quán)利要求12所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述上封裝基板的所述上金屬芯層電連接到所述第二封裝間連接器。
14.如權(quán)利要求I所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述下封裝基板包括順序堆疊的第一下金屬層、第二下金屬層、下金屬芯層、第三下金屬層和第四下金屬層，并且所述下金屬芯層比所述第一下金屬層、所述第二下金屬層、所述第三下金屬層和所述第四下金屬層的每個(gè)厚。
15.如權(quán)利要求14所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述下封裝基板的所述下金屬芯層電連接到所述第二封裝間連接器。
16.如權(quán)利要求14所述的封裝堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一封裝間連接器通過所述第一金屬層電連接到所述第一上半導(dǎo)體器件。
17.—種上封裝，配置為在封裝堆疊結(jié)構(gòu)中貼附于下封裝上，所述上封裝包括 具有第一邊緣和與所述第一邊緣相反的第二邊緣的上封裝基板，所述上封裝基板具有靠近所述第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近所述第二邊緣布置的第二區(qū)，所述上封裝還包括疊置在所述上封裝基板上面的上半導(dǎo)體器件， 所述上封裝通過多個(gè)封裝間連接器能夠連接到所述下封裝，所述多個(gè)封裝間連接器包括 第一封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號；第二封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號； 第三封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓；以及 第四封裝間連接器，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓， 其中所述第一封裝間連接器和所述第二封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第一區(qū)中，并且 其中所述第三封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第二區(qū)中。
18.一種半導(dǎo)體封裝，包括 具有第一邊緣和與第一邊緣相反的第二邊緣的封裝基板，所述封裝基板具有靠近所述第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近所述第二邊緣布置的第二區(qū)； 半導(dǎo)體器件，疊置在所述封裝基板上面； 多個(gè)封裝間連接器，貼附于所述封裝基板的底表面上，所述多個(gè)封裝間連接器包括 第一封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號； 第二封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號； 第三封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓；以及 第四封裝間連接器，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓， 其中所述第一封裝間連接器和所述第二封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第一區(qū)中，并且 其中所述第三封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第二區(qū)中。
19.一種封裝堆疊結(jié)構(gòu),包括 上封裝，包括第一邊緣和與所述第一邊緣相反或靠近所述第一邊緣的第二邊緣，所述上封裝還包括一表面，所述表面包括靠近所述第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近所述第二邊緣定位的第二區(qū)；以及 下封裝，通過多個(gè)封裝間連接器連接到所述上封裝，所述封裝間連接器包括 第一封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號， 第二封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號，以及 第三封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓， 其中所述第一封裝間連接器和所述第二封裝間連接器只設(shè)置在所述第一區(qū)中，并且 其中所述第三封裝間連接器只設(shè)置在所述第二區(qū)中。
20.—種封裝堆疊結(jié)構(gòu),包括 具有封裝基板的上封裝，所述封裝基板包括連接第一邊緣和第三邊緣的第一拐角、連接所述第一邊緣和第四邊緣的第二拐角、連接所述第三邊緣和第二邊緣的第三拐角以及連接所述第二邊緣和所述第四邊緣的第四拐角， 其中假想對角線在所述第一拐角和所述第四拐角之間延伸，所述對角線將所述上封裝的區(qū)域劃分成靠近所述第一邊緣的第一區(qū)和靠近所述第二邊緣的第二區(qū)；以及下封裝，通過多個(gè)封裝間連接器連接到所述上封裝，所述封裝間連接器包括 第一組封裝間連接器，配置為傳輸數(shù)據(jù)信號， 第二組封裝間連接器，配置為傳輸?shù)刂?控制信號， 第三組封裝間連接器，配置為提供用于地址/控制電路的電源電壓，以及 第四組封裝間連接器，配置為提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓，其中所述第一組封裝間連接器和所述第二組封裝間連接器的大部分設(shè)置在所述第一區(qū)中，并且其中所述第三組封裝間連接 器的大部分設(shè)置在所述第二區(qū)中。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體封裝、封裝堆疊結(jié)構(gòu)及其上封裝。該封裝堆疊結(jié)構(gòu)包括上封裝，包括具有第一邊緣和與其相反的第二邊緣的上封裝基板，上封裝基板具有靠近第一邊緣布置的第一區(qū)和靠近第二邊緣布置的第二區(qū)，上封裝包括疊置在上封裝基板上的第一上半導(dǎo)體器件；下封裝，具有下封裝基板和下半導(dǎo)體器件并且通過多個(gè)封裝間連接器連接到上封裝。多個(gè)封裝間連接器包括第一封裝間連接器，傳輸數(shù)據(jù)信號；第二封裝間連接器，傳輸?shù)刂?控制信號；第三封裝間連接器，提供用于地址/控制電路的電源電壓；第四封裝間連接器，提供用于數(shù)據(jù)電路的電源電壓。第一和第二封裝間連接器的大部分設(shè)置在第一區(qū)中，而第三封裝間連接器的大部分設(shè)置在第二區(qū)中。
文檔編號H01L23/488GK102956587SQ20121029229
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者權(quán)興奎, 辛成浩, 崔允碩, 金容勛 申請人:三星電子株式會(huì)社