專利名稱：半導(dǎo)體晶體襯底、半導(dǎo)體晶體襯底的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、電源裝置和放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文討論的實(shí)施方案涉及半導(dǎo)體晶體襯底、半導(dǎo)體晶體襯底的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、電源裝置以及放大器。
背景技術(shù)：
作為氮化物半導(dǎo)體的GaN、AIN、InN或它們的混合晶體制成的材料具有寬的帶隙并且用作高輸出電子器件或短波長(zhǎng)發(fā)光器件。其中，作為高輸出電子器件，開發(fā)了與場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)(更具體而言，高電子遷移率晶體管(HEMT))相關(guān)的技術(shù)(例如，參見日本公開特許公報(bào)2002-359256)。使用這樣的氮化物半導(dǎo)體的HEMT被用于高輸出/高效率放大器和高功率開關(guān)器件。
在氮化物半導(dǎo)體中，GaN在平行于c軸的(0001)方向上具有極性(纖鋅礦型)，因此，當(dāng)形成AlGaN/GaN的異質(zhì)結(jié)構(gòu)時(shí)，AlGaN和GaN兩者的晶格畸變激發(fā)壓電極化。相應(yīng)地，在界面附近的AlGaN層中產(chǎn)生高濃度的二維電子氣(2DEG)。因此，GaN和包含GaN的材料有望作為高頻率/電子器件的材料。使用這樣的氮化物半導(dǎo)體的HEMT的一個(gè)例子通過以下方式形成在由例如硅
(Si)制成的襯底上形成AlN保護(hù)層和AlGaN緩沖層，然后在AlGaN緩沖層上形成GaN電子傳輸層和AlGaN電子供給層。然而，當(dāng)這些半導(dǎo)體層在硅襯底上外延生長(zhǎng)時(shí)，由于在半導(dǎo)體層和襯底之間的晶格常數(shù)的差異以及在半導(dǎo)體層和襯底之間的熱膨脹系數(shù)的差異，所以在半導(dǎo)體層中導(dǎo)致畸變。相應(yīng)地，在半導(dǎo)體層的表面上出現(xiàn)了缺陷，其被稱為所謂的裂紋。如圖1所示，這些裂紋910容易在襯底920的外周上產(chǎn)生。這些裂紋910引起碎屑和灰塵，并且降低待被制造的半導(dǎo)體器件的HEMT的成品率。為了防止在襯底920的外周上形成裂紋910，公開了一種沿著襯底的外周形成保護(hù)膜(例如氮化硅)并且通過MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)來進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法(例如參見日本公開特許公報(bào)2009-256154)。順便提及，如圖2所示，當(dāng)在襯底920的外周上形成保護(hù)層930 (例如氮化硅)時(shí)，緩沖層940和半導(dǎo)體層941不在保護(hù)層930上外延生長(zhǎng)，因此，在在保護(hù)層930上不形成緩沖層940和半導(dǎo)體層941。然而，在形成保護(hù)層930的區(qū)域附近，用于沉積在形成保護(hù)層930的區(qū)域中的源氣體從保護(hù)層930擴(kuò)散。因此，存在緩沖層940和半導(dǎo)體層941異常生長(zhǎng)的情況。當(dāng)在保護(hù)層930的附近導(dǎo)致異常生長(zhǎng)時(shí)，緩沖層940和半導(dǎo)體層941可能在保護(hù)層930附近變厚。此外，所形成的緩沖層940和半導(dǎo)體層941可能具有與期望值不同的組成和摻雜密度。此外，在技術(shù)上難以只在襯底920的外周上形成保護(hù)層930，因此可能增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明的一個(gè)方面的一個(gè)目的在于提供一種半導(dǎo)體晶體襯底和半導(dǎo)體晶體襯底的制造方法以及以高成品率和低成本制造的半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體晶體襯底中防止了沿襯底的外周形成裂紋。根據(jù)實(shí)施方案的一個(gè)方面，半導(dǎo)體晶體襯底包括襯底；以及通過在襯底的表面上施加氮化物形成的保護(hù)層，其中所述保護(hù)層在所述襯底的外周部分處的周邊區(qū)域中處于非晶態(tài)，并且所述保護(hù)層在位于所述保護(hù)層的周邊區(qū)域以內(nèi)的所述保護(hù)層的內(nèi)部區(qū)域中是結(jié)晶的。


圖1示出在襯底上外延生長(zhǎng)的半導(dǎo)體膜中形成的裂紋；圖2示出層疊在其周邊上形成有保護(hù)膜的襯底上的半導(dǎo)體層；圖3A至圖3C示出根據(jù)第一實(shí)施方案的制造半導(dǎo)體晶體襯底和半導(dǎo)體器件的方法的過程(部分I)；圖4A至圖4C示出根據(jù)第一實(shí)施方案的制造半導(dǎo)體晶體襯底和半導(dǎo)體器件的方法的過程(部分2)；圖5不出根據(jù)第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件；圖6示出根據(jù)第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件；
圖7示出根據(jù)第三實(shí)施方案的分立封裝的半導(dǎo)體器件；圖8是根據(jù)第三實(shí)施方案的電源裝置的電路圖；以及圖9示出根據(jù)第三實(shí)施方案的高頻放大器的構(gòu)造。
具體實(shí)施例方式將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行說明。相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示并且省略重復(fù)的描述。第一實(shí)施方案參照?qǐng)D3A到圖5，給出對(duì)根據(jù)第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體晶體襯底和半導(dǎo)體晶體襯底的制造方法的描述。首先，如圖3A所示，通過ALD (原子層沉積)法在作為襯底的具有表面(111)的硅襯底110上形成用作保護(hù)層的AlN層120。在本實(shí)施方案中，使用具有表面(111)的硅襯底110作為襯底；然而，襯底可由除了硅之外的材料(例如藍(lán)寶石、碳化硅和氮化鎵)制成。形成AlN層120以用于緩和待形成在AlN層120上的半導(dǎo)體層(例如GaN)的晶格常數(shù)、緩和熱膨脹系數(shù)并且防止Ga原子從半導(dǎo)體層(例如GaN)移動(dòng)到硅襯底110。剛好在通過ALD法在硅襯底110上形成AlN層120之后，AlN層120處于多晶態(tài)。接下來，如圖3B所示，在AlN層120上形成SiN層130。SiN層130通過成膜法(例如濺射)形成在AlN層120的整個(gè)表面上。接下來，如圖3C所示，移除SiN層130的在硅襯底110的外周上的部分。具體地，在SiN層130上施加光刻膠，并且利用曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，由此在除了硅襯底110的周邊之外的區(qū)域中形成光刻膠圖案(未示出)。隨后，通過進(jìn)行刻蝕(例如RIE(反應(yīng)離子刻蝕))來移除SiN層130的在沒有形成光刻膠圖案的區(qū)域中的部分。如上所述，移除SiN層130的在硅襯底110的周邊上的部分，并且通過剩余的SiN層130a形成掩模層。隨后，利用有機(jī)溶劑移除光刻膠圖案(未示出)。接下來，如圖4A所示，將硅襯底110的其上形成有作為掩模層的SiN層130a的表面暴露于氧等離子體。相應(yīng)地，未形成SiN層130a并且露出AlN層120的周圍區(qū)域120a變成AlON或A10。如上所述，通過將AlN層120的表面暴露于氧等離子體，將氧注入AlN層120的周圍區(qū)域120a中，并且將AlN層120在周圍區(qū)域120a處的組成變成A10N。因此，在AlN層120中，與作為AlN層120的除周圍區(qū)域120a之外的區(qū)域的內(nèi)部區(qū)域120b相比，在周圍區(qū)域120a中包含更多的氧。在本實(shí)施方案中，等離子體CVD (體 化學(xué)氣相沉積)裝置用于將硅襯底110的露出AlN層120的表面暴露于氧等離子體。AlN層120的在周圍區(qū)域120a中的組成變成A10N。如上所述，當(dāng)AlN層120的在周圍區(qū)域120a中的組成變成AlON時(shí)，周圍區(qū)域120a的晶態(tài)變成非晶態(tài)。AlN層120的被用作掩模層的SiN層130a覆蓋的區(qū)域不直接暴露于氧等離子體，因此AlN層120的該區(qū)域未變成AlON或A10。此外，將氧注入硅襯底110的周邊處的AlN層120中的方法可以是另外的方法，例如將氧離子注入到AlN層120的周圍區(qū)域120a中。接下來，如圖4B所示，在移除用作掩模層的SiN層130a之后，加熱襯底。具體地，用氫氟酸移除SiN層130a，并且將襯底放置在MOCVD裝置的腔內(nèi)，并且將腔內(nèi)的溫度增加到約1000°C以加熱襯底。通過如上所述加熱襯底，AlN層120的已被用作掩模層的SiN層130a覆蓋的內(nèi)部區(qū)域120b被重排并被單晶化。然而，在周圍區(qū)域120a中，氧被注入并且組成變成A10N，因此周圍區(qū)域120a保持為非晶態(tài)而沒有被單晶化。相應(yīng)地，根據(jù)本實(shí)施方案形成了半導(dǎo)體晶體襯底，其中AlN層120形成在半導(dǎo)體晶體襯底即硅襯底110上，AlN層120的周圍區(qū)域120a為非晶態(tài)，并且內(nèi)部區(qū)域120b結(jié)晶。在本實(shí)施方案中，AlN層120的內(nèi)部區(qū)域120b被重排并且被單晶化，因此，進(jìn)行約數(shù)分鐘至數(shù)小時(shí)的加熱。接下來，如圖4C所示，在AlN層120上通過MOCVD形成并且層疊作為緩沖層的AlGaN層140、作為電子傳輸層的GaN層150和作為電子供給層的AlGaN層160。在本實(shí)施方案中，可以將其中層疊有AlGaN層140、GaN層150和AlGaN層160的膜描述為半導(dǎo)體層170。相應(yīng)地，在AlN層120的單晶化內(nèi)部區(qū)域120b上，半導(dǎo)體層170外延生長(zhǎng)，因此形成結(jié)晶的半導(dǎo)體層170b。同時(shí)，在處于非晶態(tài)的周圍區(qū)域120a上，在沒有外延生長(zhǎng)的情況下沉積半導(dǎo)體層170，因此形成處于非晶態(tài)的半導(dǎo)體層170a。在處于非晶態(tài)的半導(dǎo)體層170a上，不產(chǎn)生重排，因此防止了在硅襯底110的外周上的半導(dǎo)體層170中形成裂紋。此外，在周圍區(qū)域120a上也沉積處于非晶態(tài)的半導(dǎo)體層170a,因此，結(jié)晶的半導(dǎo)體層170b不在周圍區(qū)域120a附近的內(nèi)部區(qū)域120b上異常生長(zhǎng)。在本實(shí)施方案中，作為電子傳輸層的GaN層150由厚度約Ιμπι至3μηι的i_GaN形成。作為電子供給層的AlGaN層160由約20nm的n_Al2(lGa8(lN形成，并且用5 X IO18CnT3的作為摻雜元素的Si摻雜。緩沖層、電子傳輸層和電子供給層可由不同的化合物半導(dǎo)體材料(例如不同的氮化物半導(dǎo)體材料)制成。此外，可以用InAlN層代替AlGaN層160來形成電子供給層。接下來，如圖5所示，在AlGaN層160上形成柵電極181、源電極182和漏電極183，并且用劃片機(jī)分割硅襯底110。在根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件中，在GaN層150和AlGaN層160之間的界面附近的GaN層150中形成2DEG 150a。因此，可以制造作為根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件的HEMT的半導(dǎo)體芯片。在本實(shí)施方案中，在硅襯底110的周邊上的半導(dǎo)體層170中未形成裂紋，因此，制造半導(dǎo)體器件的成品率增加，并且以低成本制造半導(dǎo)體器件。第二實(shí)施方案接下來，給出對(duì)第二實(shí)施方案的描述。根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件是通過形成柵極凹部和絕緣膜變成常斷型HEMT。圖6示出為根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件的HEMT的結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件中，在AlGaN層160中形成柵極凹部261，在其中形成柵極凹部261的AlGaN層160上形成絕緣膜280。源電極182和漏電極183形成為與AlGaN層160接觸。
通過在如第一實(shí)施方案的圖4C中所示的AlGaN層160中形成柵極凹部261、形成絕緣膜280并且形成柵電極181、源電極182和漏電極183來制造根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件。通過以下方法形成柵極凹部261。首先,在AlGaN層160的表面上施加光刻膠,并且使用曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，由此在待形成柵極凹部261的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。隨后，通過進(jìn)行干法刻蝕例如RIE來移除AlGaN層160的沒有形成光刻膠圖案的部分。隨后，用有機(jī)溶劑移除光刻膠圖案(未示出)。形成絕緣膜280的方法包括通過例如CVD、ALD、濺射法在其上形成柵極凹部261的AlGaN層160上形成約IOnm的氧化鋁膜。在形成柵電極181的方法中，首先在絕緣膜280上施加光刻膠，并使用曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，由此在待形成柵電極181的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。隨后，通過真空氣相沉積在整個(gè)表面上形成金屬膜，并且通過將其浸潰在有機(jī)溶劑中來進(jìn)行剝離。在形成源電極182和漏電極183的方法中，在絕緣膜280上施加光刻膠，并使用曝光裝置進(jìn)行曝光和顯影，由此在待形成源電極182和漏電極183的區(qū)域中形成具有開口的光刻膠圖案(未示出)。隨后，通過刻蝕來移除光刻膠圖案的開口區(qū)域中的絕緣膜280，通過真空氣相沉積在整個(gè)表面上形成金屬膜，并且通過將其浸潰在有機(jī)溶劑中來進(jìn)行剝離。因此，制成了根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件。除了上述內(nèi)容之外的內(nèi)容與第一實(shí)施方案的內(nèi)容相同。第三實(shí)施方案接下來，給出對(duì)第三實(shí)施方案的描述。本實(shí)施方案涉及半導(dǎo)體器件、電源裝置和高頻放大器。通過分立地封裝半導(dǎo)體器件來形成根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件。參照?qǐng)D7描述分立封裝的半導(dǎo)體器件。圖7示意性地示出分立封裝的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部，其中電極的布置不同于第一和第二實(shí)施方案的布置。首先，通過劃片來切割根據(jù)第一和第二實(shí)施方案制造的半導(dǎo)體器件，并且形成由GaN體系材料制成的HEMT的半導(dǎo)體芯片410。通過管芯粘合劑(diatouch agent)430(例如釬料)將半導(dǎo)體芯片410固定在引線框420上。半導(dǎo)體芯片410與在圖5中示出的根據(jù)第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件或在圖6中示出的根據(jù)第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)。接下來，通過接合線431將柵電極181連接到柵極引線421，通過接合線432將源電極182連接到源極引線422，并且通過接合線433將漏電極183連接到漏極引線423。接合線431、432和433由金屬材料例如Al形成。此外，在本實(shí)施方案中，柵電極181為柵電極焊墊，源電極182為源電極焊墊，并且漏電極183為漏電極焊墊。接下來，通過傳遞模制方法用模制樹脂440進(jìn)行樹脂密封。如上所述，制造了作為由GaN體系材料制成的HEMT的分立封裝的半導(dǎo)體器件。接下來，給出對(duì)根據(jù)本實(shí)施方案的電源裝置和高頻放大器的描述。根據(jù)本實(shí)施方案的電源裝置和高頻放大器使用根據(jù)第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件或根據(jù)第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件中的任意一種。首先，參照?qǐng)D8，給出根據(jù)本實(shí)施方案的電源裝置的描述。根據(jù)本實(shí)施方案的電源裝置460包括高壓一次側(cè)電路461、低壓二次側(cè)電路462和設(shè)置在高壓一次側(cè)電路461和低壓二次側(cè)電路462之間的變壓器463。高壓一次側(cè)電路461包括AC(交流)源464、所謂的 橋式整流電路465、多個(gè)開關(guān)元件(在圖8的實(shí)例中為四個(gè))466和一個(gè)開關(guān)元件467。低壓二次側(cè)電路462包括多個(gè)開關(guān)元件468 (在圖11的實(shí)例中為三個(gè))。在圖8的實(shí)例中，使用根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件作為高壓一次側(cè)電路461的開關(guān)兀件466和開關(guān)元件467。一次側(cè)電路461的開關(guān)元件466和467優(yōu)選為常斷型半導(dǎo)體器件。此外，在低壓二次側(cè)電路462中使用的開關(guān)元件468是由硅制成的典型MISFET (金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。接下來，參照?qǐng)D9，給出根據(jù)本實(shí)施方案的高頻放大器的描述。根據(jù)本實(shí)施方案的高頻放大器470可以應(yīng)用于移動(dòng)電話的基站的功率放大器。高頻放大器470包括數(shù)字預(yù)失真電路471、混頻器472、功率放大器473和定向耦合器474。數(shù)字預(yù)失真電路471補(bǔ)償輸入信號(hào)的非線性應(yīng)變。混頻器472將其非線性應(yīng)變已經(jīng)被補(bǔ)償?shù)妮斎胄盘?hào)與AC信號(hào)進(jìn)行混合。功率放大器473放大已經(jīng)與AC信號(hào)混合的輸入信號(hào)。在圖9的實(shí)例中，功率放大器473包括根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件。定向I禹合器474監(jiān)測(cè)輸入信號(hào)和輸出信號(hào)。在圖9的電路中，例如，可以切換開關(guān)，使得輸出信號(hào)通過混頻器472與AC信號(hào)混合并且被發(fā)送到數(shù)字預(yù)失真電路471。根據(jù)實(shí)施方案的一個(gè)方面，提供了半導(dǎo)體晶體襯底和制造半導(dǎo)體晶體襯底的方法，并且以高成品率和低成本制造了半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體晶體襯底中防止了沿襯底的外周形成裂紋。半導(dǎo)體晶體襯底、制造半導(dǎo)體晶體襯底的方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、電源裝置和放大器不限于本文所述的具體實(shí)施方案，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶體襯底，包括 襯底；和 通過在所述襯底的表面上施加氮化物形成的保護(hù)層，其中所述保護(hù)層在所述襯底的外周部分處的周邊區(qū)域中處于非晶態(tài)，以及所述保護(hù)層的位于所述保護(hù)層的所述周邊區(qū)域以內(nèi)的所述保護(hù)層的內(nèi)部區(qū)域中是結(jié)晶的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶體襯底，其中 使用包含AlN的材料形成所述保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶體襯底，其中 所述保護(hù)層的所述周邊區(qū)域比所述保護(hù)層的所述內(nèi)部區(qū)域包含更多的氧。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶體襯底，其中 所述襯底包含硅、藍(lán)寶石、碳化硅和氮化鎵中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶體襯底，其中 所述襯底是硅襯底，以及 所述襯底的所述表面是(111)表面。
6.—種制造半導(dǎo)體晶體襯底的方法，所述方法包括 在襯底的表面上使用包含氮化物的材料形成保護(hù)層； 在所述保護(hù)層的位于所述襯底的外周部分處的周邊區(qū)域中注入氧；以及在所述周邊區(qū)域中注入氧之后，在以下溫度加熱所述襯底在所述保護(hù)層的除所述周邊區(qū)域之外的內(nèi)部區(qū)域中使所述保護(hù)層結(jié)晶的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中， 在周邊區(qū)域中進(jìn)行所述注入氧包括 在所述保護(hù)層上在所述內(nèi)部區(qū)域中形成掩模層； 在其上形成掩模層的表面上輻照氧等離子體或者在其上形成掩模層的所述表面中離子注入氧，以在所述保護(hù)層的所述周邊區(qū)域中注入氧，以及移除所述掩模層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中 使用包含AlN的材料形成所述保護(hù)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中 所述襯底包括硅、藍(lán)寶石、碳化硅和氮化鎵中的任意一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中 使用包含SiN的材料形成所述掩模層。
11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括 在襯底的表面上使用包含氮化物的材料形成保護(hù)層； 在所述保護(hù)層的位于所述襯底的外周部分處的周邊區(qū)域中注入氧； 在所述周邊區(qū)域中進(jìn)行所述注入氧之后，在以下溫度加熱所述襯底在所述保護(hù)層的除所述周邊區(qū)域之外的內(nèi)部區(qū)域中使所述保護(hù)層結(jié)晶的溫度；以及 在加熱所述襯底之后，通過外延生長(zhǎng)來形成緩沖層、電子傳輸層和電子供給層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在周邊區(qū)域中進(jìn)行所述注入氧包括 在所述保護(hù)層上在所述內(nèi)部區(qū)域中形成掩模層； 在其上形成所述掩模層的表面上輻照氧等離子體或者在其上形成所述掩模層的所述表面中離子注入氧，以在所述保護(hù)層的所述周邊區(qū)域中注入氧，以及移除所述掩模層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含AlN的材料形成所述保護(hù)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，還包括 在通過外延生長(zhǎng)形成所述緩沖層、所述電子傳輸層和所述電子供給層之后，在所述電子供給層上形成柵電極、源電極和漏電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含SiN的材料形成所述掩模層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 通過MOCVD形成所述緩沖層、所述電子傳輸層和所述電子供給層。
17.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含AlGaN的材料形成所述緩沖層。
18.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含GaN的材料形成所述電子傳輸層。
19.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含AlGaN的材料形成所述電子供給層。
20.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 使用包含InAlN的材料形成所述電子供給層。
21.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中 所述半導(dǎo)體器件為HEMT， 使用包含AlGaN的材料形成所述電子供給層，以及 使用包含GaN的材料形成所述電子傳輸層。
22.一種電源裝置，包括 通過根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。
23.—種放大器,包括 通過根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶體襯底、半導(dǎo)體晶體襯底的制造方法、半導(dǎo)體器件的制造方法、電源裝置和放大器。所述半導(dǎo)體晶體襯底包括襯底；以及通過在襯底的表面上施加氮化物來形成的保護(hù)層。所述保護(hù)層在所述襯底的外周部分處的周邊區(qū)域中處于非晶態(tài)，以及所述保護(hù)層在位于所述保護(hù)層的所述周邊區(qū)域內(nèi)的所述保護(hù)層的內(nèi)部區(qū)域中是結(jié)晶的。
文檔編號(hào)H01L29/778GK103000684SQ20121026683
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者苫米地秀一 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社