有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層，電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，第一堿金屬碳酸鹽的摻雜質(zhì)量百分濃度為3%~8%；電子注入層的材料包括主體材料及共同摻雜于主體材料中的n型材料和第二堿金屬碳酸鹽，第二堿金屬碳酸鹽的摻雜質(zhì)量百分濃度為5%~10%；其中，第一堿金屬碳酸鹽及第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。此外，還要提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。但是傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，所述電子傳輸層的材料中所述第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8% ;所述電子注入層的材料包括主體材料及共同摻雜于所述主體材料中的η型材料和第二堿金屬碳酸鹽，所述電子注入層的材料中所述第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為5%~?Ο% ;其中，所述電子傳輸材料與所述主體材料分別選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第一堿金屬碳酸鹽與所述第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種；所述η型材料選自氮化鋰、氟化銫、三氮化銫、氧化鋰及氟化鋰中的一種。
[0005]在其中一個實(shí)施例中，所述電子傳輸層的厚度為10納米~60納米；所述電子注入層的厚度為20納米~40納米；所述電子注入層的材料中所述η型材料的質(zhì)量百分濃度為259^35%。
[0006]在其中一個實(shí)施例中，所述陽極基底為銦錫氧化物玻璃、摻氟的氧化錫玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃及摻銦的氧化鋅玻璃中的一種；所述陽極基底的厚度為100納米~150納米。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的P型材料，所述空穴注入層的材料中所述P型材料的質(zhì)量百分濃度為25%~35% ；其中，所述主體材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺及1，1- 二 [4-[N，N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；所述P型材料為氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；所述空穴注入層的厚度為10納米~15納米。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及 1，1-二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；所述空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥摻雜的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述發(fā)光層的材料中所述三(2-苯基吡啶)合銥的質(zhì)量百分濃度為1%~10% ;所述發(fā)光層的厚度為10納米~20納米。
[0010]在其中一個實(shí)施例中，所述陰極層的材料為銀、鋁、鎂銀合金或金；所述陰極層的厚度為50納米~200納米。
[0011]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0012]清洗陽極基底；
[0013]在所述陽極基底上形成空穴注入層；
[0014]在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層；
[0015]在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；
[0016]在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層,所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，所述電子傳輸層的材料中所述第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8% ；
[0017]在所述電子傳輸層上形成電子注入層，所述電子注入層的材料包括主體材料及共同摻雜于所述主體材料中的η型材料和第二堿金屬碳酸鹽，所述電子注入層的材料中所述第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為59TlO% ;及
[0018]在所述電子注入層上形成陰極層；
[0019]其中，所述電子傳輸材料與所述主體材料分別選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第一堿金屬碳酸鹽與所述第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種；所述η型材料選自氮化鋰、氟化銫、三氮化銫、氧化鋰及氟化鋰中的一種。
[0020]在其中一個實(shí)施例中，形成所述空穴注入層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度為 8 X KT5Pa ~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s~ I A/s；
[0021]形成所述空穴傳輸層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度SXlO-5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/S ~ 2A/S；
[0022]形成所述發(fā)光層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3\10-4卩&，蒸發(fā)速度0.1人/5~1人作；
[0023]形成所述電子傳輸層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度SXlO-5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/S ~ 2A/S；
[0024]形成所述電子注入層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 /Vs ~ 2A/S;及[0025]形成所述陰極層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa?3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/S ~ Skh,
[0026]在其中一個實(shí)施例中，所述陽極基底清洗之后還包括對所述陽極基底的表面活化處理步驟。
[0027]上述有機(jī)電致發(fā)光器件，通過在電子注入層的主體材料中摻入第二堿金屬碳酸鹽和在電子傳輸層的電子傳輸材料中摻入第一堿金屬碳酸鹽，且第一堿金屬碳酸鹽與第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種，這五種物質(zhì)的給電子能力強(qiáng)，使電子轉(zhuǎn)移到主體材料的最低空軌道(LUMO)上，從而形成了能帶彎曲，提高載流子遷移率，而提高電子注入效率，且電子注入層中摻雜的第二堿金屬碳酸鹽和電子傳輸層中摻雜的第一堿金屬碳酸鹽使電子濃度增加，提高電子傳輸能力，使電子空穴更多地在發(fā)光層的材料中復(fù)合，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率，因此，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0030]圖3為實(shí)施例廣7制備的有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例I制備的結(jié)構(gòu)為ITO/CBP:V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq/BAlq: CsN3/Mg-Ag 的傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對有機(jī)電子發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0032]如圖1所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的陽極基底110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150、電子注入層160及陰極層170。
[0033]陽極基底110為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)及摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)中的一種，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ITO)。陽極基底110的厚度為100納米?150納米。
[0034]空穴注入層120的材料包括主體材料及摻雜于主體材料中的P型材料?？昭ㄗ⑷雽?20的材料中ρ型材料的質(zhì)量百分濃度為25%?35%。其中，主體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-:(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)及1，1-二 [4-[N，N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種。P型材料為氧化鑰(Mo03)、三氧化鶴(WO3)、五氧化二fL (V2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種?？昭ㄗ⑷雽?20的厚度為10納米?15納米。
[0035]空穴傳輸層130的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’_二胺(NPB)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)及 1，1- 二 [4_[N，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的一種?？昭▊鬏攲?30的厚度為30納米~50納米。
[0036]發(fā)光層140的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。發(fā)光層140的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(IKppy)3)的質(zhì)量百分濃度為1%~10%。發(fā)光層140的厚度為10-20納米。[0037]電子傳輸層150的材料為包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽。電子傳輸層150的材料中第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8%。通過摻雜質(zhì)量百分濃度為3%~8%的第一堿金屬碳酸鹽能夠提高電子的傳輸。電子傳輸層150的厚度為10納米~60納米。
[0038]電子注入層160的材料包括主體材料及共同摻雜于所述主體材料中η型材料和第二堿金屬碳酸鹽。電子注入層160的材料中第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為5%~?Ο%。通過摻雜質(zhì)量百分濃度為59TlO%的第二堿金屬碳酸鹽能夠減少電子注入與傳輸層能級差異。電子注入層160的材料中η型材料的質(zhì)量百分濃度為25%~35%。質(zhì)量百分濃度為25%~35%的η型材料能夠提高電子注入能力。電子注入層160的厚度為20納米~40納米。
[0039]其中，電子傳輸材料與電子注入層160的主體材料分別選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉化?1^11)、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的一種。在具體的實(shí)施例中，電子傳輸材料與電子注入層160的主體材料可以相同，也可以不相同。第一堿金屬碳酸鹽與第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰(Li2C03)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸鉀(K2CO3 )、碳酸銣(Rb2CO3)及碳酸銫(Cs2CO3)中的一種。在具體的實(shí)施例中，第一堿金屬碳酸鹽與第二堿金屬碳酸鹽可以相同，也可以不相同。η型材料選自氮化鋰(Li3N)、氟化銫(CsF)、三氮化銫(CsN3)、氧化鋰(Li2O)及氟化鋰(LiF)中的一種。
[0040]陰極層170的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鎂銀合金(Mg-Ag)或金(Au)。其中，鎂銀合金中鎂(Mg)與銀(Ag)的摩爾比為10:1。陰極層170的厚度為50納米~200納米。
[0041]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過在電子注入層160的主體材料中摻入第二堿金屬碳酸鹽和在電子傳輸層150的電子傳輸材料中摻入第一堿金屬碳酸鹽,且第一堿金屬碳酸鹽與第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰(Li2C03)、碳酸鈉(Na2C03)、碳酸鉀(K2C03)、碳酸銣(Rb2CO3)及碳酸銫(Cs2CO3)中的一種，這五種物質(zhì)的給電子能力強(qiáng)，使電子轉(zhuǎn)移到主體材料的最低空軌道(LUMO)上，從而形成了能帶彎曲，提高載流子遷移率，而提高電子注入效率，且電子注入層160中摻雜的第二堿金屬碳酸鹽和電子傳輸層150中摻雜的第一堿金屬碳酸鹽使電子濃度增加，提高電子傳輸能力，使電子空穴更多地在發(fā)光層的材料中復(fù)合，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光效率，因此，上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率較高。
[0042]如圖2所示，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，包括如下步驟:
[0043]步驟S210:清洗陽極基底110。在具體的實(shí)施例中，陽極基底110的清洗步驟包括:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的陽極基底110烘干，即得到潔凈的陽極基底110。通過上述清洗去除陽極基底110表面的灰塵及有機(jī)物。
[0044]其中，清洗陽極基底110之后還包括對陽極基底110的表面活化處理步驟。在具體的實(shí)施例中，表面活化處理步驟為:將清洗后的陽極基底110用UV-OZONE處理30分鐘。通過對清洗后的陽極基底110的表面活化處理以增加陽極基底110表面的含氧量，從而提高其表面的功函數(shù)。
[0045]步驟S220:在陽極基底110上形成空穴注入層120。
[0046]其中，形成空穴注入層120的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度為8X KT5Pa ~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s ~lA/S,
[0047]步驟S230:在空穴注入 層120上形成空穴傳輸層130。
[0048]其中，形成空穴傳輸層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/s ~ 2A/s,
[0049]步驟S240:在空穴傳輸層130上形成發(fā)光層140。
[0050]其中，形成發(fā)光層140的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0JA/S ~ΙΑ/S?
[0051]步驟S250:在發(fā)光層140上形成電子傳輸層150,電子傳輸層150的材料包括電子傳輸材料及摻雜于電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，電子傳輸層的材料中第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8%。
[0052]其中，形成電子傳輸層150的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3 X IO-4Pa,蒸發(fā)速度 0.1 Α/s ~ 2A/S.[0053]步驟S260:在電子傳輸層150上形成電子注入層160，電子注入層160的材料包括主體材料及共同摻雜于主體材料中的η型材料和第二堿金屬碳酸鹽，第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為59TlO%。其中，電子注入層160的材料中η型材料的質(zhì)量百分濃度為259^35%。
[0054]其中，電子傳輸材料與電子注入層160的主體材料分別選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7—二苯基一 1，10—鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的一種。第一堿金屬碳酸鹽與第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰(Li2CO3)、碳酸鈉(Na2CO3)、碳酸鉀(K2CO3)、碳酸銣(Rb2CO3)及碳酸銫(Cs2CO3沖的一種；n型材料選自氮化鋰(Li3N)、氟化銫(CsF)、三氮化銫(CsN3)、氧化鋰(Li2O)及氟化鋰(LiF)中的一種。
[0055]其中，形成電子注入層160的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~
3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S ~ IklSa
[0056]步驟S270:在電子注入層160上形成陰極層170。
[0057]其中，形成陰極層270的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~
3X IO-4Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S - 5A/S.[0058]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法簡單，容易操作，有利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0059]以下為具體實(shí)施例部分:
[0060]實(shí)施例1
[0061]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/NPB/TPB1:1r (ppy) JBphen: Li2C03/Bphen: Li3N: Li2C03/Ago
[0062]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:[0063](I)清洗ITO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的ITO陽極基底烘干，即得到潔凈的ITO陽極基底；將清洗后的ITO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。ITO陽極基底的厚度為100納米。
[0064](2)在ITO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為MoO3摻雜的 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為 NPBiMoO3,空穴注入層的材料中MoO3的質(zhì)量百分濃度為30% ;蒸鍍條件為:真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2人/s;空穴注入層的厚度為12納米。
[0065](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB);蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;空穴傳輸層的厚度為40納米。
[0066](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基批啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/s;發(fā)光層的厚度為15納米。
[0067](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸鋰(Li2CO3)摻雜的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，表示為Bphen = Li2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸鋰(Li2CO3)的質(zhì)量百分濃度為5%;蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.4A/S:電子傳輸層的厚度 為40納米。
[0068](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為氮化鋰(Li3N)與碳酸鋰(Li2CO3)共同摻雜的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，表示為BphemLi3NiLi2CO3,電子注入層的材料中氮化鋰(Li3N)的摻雜質(zhì)量百分濃度為30%，且碳酸鋰(Li2CO3)的質(zhì)量百分濃度為7% ;蒸鍍條件為:真空度5父10_^，蒸發(fā)速度0.2人/8;電子注入層的厚度為30納米。
[0069](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為銀(Ag);蒸鍍條件為:真空度5父10_^，蒸發(fā)速度1入/8;陰極層的厚度為100納米。
[0070]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/NPB:Mo03/NPB/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen:Li2CO3/Bphen: Li3N: Li2CO3Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]實(shí)施例2
[0072]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:FT0/TCTA:W03/TCTA/TPB1:1r (ppy) JBCP: Na2C03/BCP: CsF: Na2CO3Al。
[0073]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0074](I)清洗FTO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的FTO陽極基底烘干，即得到潔凈的FTO陽極基底；將清洗后的FTO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。FTO陽極基底的厚度為150納米。[0075](2)在FTO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為WO3摻雜的4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，表示為TCTA:WO3,空穴注入層的材料中WO3的質(zhì)量百分濃度為30% ;蒸鍍條件為:真空度為3 X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 Λ/s:空穴注入層的厚度為12納米。
[0076](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為4，4，，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA);蒸鍍條件為:真空度5父10-%1，蒸發(fā)速度2人/3;空穴傳輸層的厚度為40納米。
[0077](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為10% ;蒸鍍條件為:真空度3父10_>&，蒸發(fā)速度1人/5;發(fā)光層的厚度為15納米。
[0078](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸鈉(Na2CO3)摻雜的4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)，表示為BCP = Na2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸鈉(Na2CO3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度3X10_4Pa，蒸發(fā)速度2A/S;電子傳輸層的厚度為40納米。
[0079](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為CsF與碳酸鈉(Na2CO3)共同摻雜的4，7 —二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉(BCP)，表示為BCP:CsF:Na2C03,電子注入層的材料中CsF的質(zhì)量百分濃度為30%，且碳酸鈉(Na2CO3)的質(zhì)量百分濃度為7% ;蒸鍍條件為:真空度3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度2A/S;電子注入層的厚度為30納米。
[0080](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為鋁(Al);蒸鍍條件為:真空度3X 10_4Pa，蒸發(fā)速度5A/S;陰極層的厚度為100納米。
[0081]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為FT0/TCTA:W03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/BCP:Na2CO3/BCP:CsF:Na2CO3Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0082]實(shí)施例3
[0083]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/CBP: V205/CBP/TPB1:1r (ppy ) JBAlq: K2C03/BAlq: CsN3: K2C03/Mg_Ag。
[0084]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0085](I)清洗ITO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的ITO陽極基底烘干，即得到潔凈的ITO陽極基底；將清洗后的ITO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。ITO陽極基底的厚度為100納米。
[0086](2)在ITO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為V2O5摻雜的4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為CBP = V2O5,空穴注入層的材料中V2O5的質(zhì)量百分濃度為30% ;蒸鍍條件為:真空度為5\10_中&，蒸發(fā)速度0.2人片;空穴注入層的厚度為12納米。
[0087](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S.，空穴傳輸層的厚度為40納米。
[0088](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;發(fā)光層的厚度為15納米。
[0089](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸鉀(K2CO3)摻雜的4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，表示為BAlq = K2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸鉀(K2CO3)的質(zhì)量百分濃度為1% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.4A/S;電子傳輸層的厚度為40納米。
[0090](6 )在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為CsN3與碳酸鉀(K2CO3)共同摻雜的4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，表示為BAlq: CsN3:K2CO3,電子注入層的材料中CsN3的質(zhì)量百分濃度為30%，且碳酸鉀(K2CO3)的質(zhì)量百分濃度為7% ;蒸鍍條件為:真空度5\10_午&，蒸發(fā)速度0.2人/5;電子注入層的厚度為30納米。
[0091](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為鎂銀合金(Mg-Ag)(摩爾比為10:1);蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;陰極層的厚度為100納米。
[0092]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/CBP:V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq:K2CO3/BAlq: CsN3: K2C03/Mg-Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0093]實(shí)施例4
[0094]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IZ0/TPD:Re03/TPD/TPB1:1r (ppy) JAlq3: Rb2C03/Alq3: Li2O: Rb2CO3Au ο
[0095]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0096](I)清洗IZO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的IZO陽極基底烘干，即得到潔凈的IZO陽極基底；將清洗后的IZO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。IZO陽極基底的厚度為100納米。
[0097](2)在IZO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為ReO3摻雜的N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))，表示為TPD = ReO3，空穴注入層的材料中ReO3的質(zhì)量百分濃度為25% ;蒸鍍條件為:真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
0.3Α/S;空穴注入層的厚度為10納米。
[0098](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD);蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/S；空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0099](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度OJA/S;發(fā)光層的厚度為10納米。
[0100](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸銣(Rb2CO3)摻雜的8-羥基喹啉鋁(Alq3),表示為Alq3 = Rb2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸銣(Rb2CO3)的質(zhì)量百分濃度為3% ;蒸鍍條件為:真空度5父10_七1，蒸發(fā)速度0,1人/3;電子傳輸層的厚度為10納米。
[0101](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為氧化鋰(Li2O)與碳酸銣(Rb2CO3)共同摻雜的8-羥基喹啉鋁(Alq3),表示為Alq3: Li2O: Rb2CO3,電子注入層的材料中氧化鋰(Li2O)的質(zhì)量百分濃度為25%，且碳酸銣(Rb2CO3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5父10_午&，蒸發(fā)速度0.11/8;電子注入層的厚度為20納米。
[0102](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為金(Au);蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5人/S;陰極層的厚度為50納米。
[0103]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IZ0/TPD:Re03/TPD/TPB1:1r (ppy) 3/Alq3:Rb2CO3/Alq3: Li2O: Rb2CO3Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0104]實(shí)施例5 [0105]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:AZ0/TAPC:Mo03/TAPC/TPB1:1r (ppy) JTAZ: Cs2C03/TAZ: LiF: Cs2C03/A1。
[0106]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0107](I)清洗AZO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的AZO陽極基底烘干，即得到潔凈的AZO陽極基底；將清洗后的AZO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。AZO陽極基底的厚度為100納米。
[0108](2)在AZO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為MoO3摻雜的1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，表示為TAPC = MoO3，空穴注入層的材料中MoO3的質(zhì)量百分濃度為35% ;蒸鍍條件為:真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.3A/S;空穴注入層的厚度為15納米。
[0109](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC);蒸鍍條件為:真空度5 X KT5Pa,蒸發(fā)速度0.4A/S;空穴傳輸層的厚度為50納米。
[0110](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.4A/S;發(fā)光層的厚度為20納米。
[0111](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸銫(Cs2CO3)摻雜的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，表示為TAZ = Cs2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸銫(Cs2CO3)的質(zhì)量百分濃度為8% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.6人.__?:電子傳輸層的厚度為60納米。[0112](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為LiF與碳酸銫(Cs2CO3)共同摻雜的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，表示為TAZ:LiF:Cs2CO3,電子注入層的材料中LiF的質(zhì)量百分濃度為35%，碳酸銫(Cs2CO3)的質(zhì)量百分濃度為10% ;蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.4A/S;電子注入層的厚度為40納米。
[0113](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為鋁(Al);蒸鍍條件為:真空度5父10_中&，蒸發(fā)速度2人/3;陰極層的厚度為200納米。
[0114]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為:AZ0/TAPC:Mo03/TAPC/TPB1:1r(ppy)3/TAZ:Cs2CO3/TAZ:LiF:Cs2CO3AI的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0115]實(shí)施例6
[0116]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/NPB: W03/NPB/TPB1:1r (ppy ) JTPB1: Na2C03/TPB1: LiF: Na2CO3Ag0
[0117]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0118](I)清洗ITO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的ITO陽極基底烘干，即得到潔凈的ITO陽極基底；將清洗后的ITO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。ITO陽極基底的厚度為100納米。
[0119](2)在ITO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為WO3摻雜的 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為 NPBiffO3,空穴注入層的材料中WO3的質(zhì)量百分濃度為25% ;蒸鍍條件為:真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.3Α/s;空穴注入層的厚度為10納米。
[0120](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-=K(NPB);蒸鍍條件為:真空度5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/S;空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0121](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/s:發(fā)光層的厚度為10納米。
[0122](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸鈉(Na2C03)摻雜的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPBI = Na2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸鈉(Na2CO3)的質(zhì)量百分濃度為3%;蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;電子傳輸層的厚度為20納米。
[0123]( 6 )在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為氟化鋰(LiF)與碳酸鈉(Na2CO3)共同摻雜的I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯(TPBI)，表示為TPBI = LiF = Na2CO3，電子注入層的材料中氟化鋰(LiF)的質(zhì)量百分濃度為25%，且碳酸鈉(Na2CO3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s;電子注入層的厚度為20納米。[0124](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為銀(Ag);蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.8A/S;陰極層的厚度為80納米。
[0125]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/NPB:W03/NPB/TPB1:1r (ppy) 3/TPB1:Na2CO3/TPB1:LiF:Na2C03/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]實(shí)施例7
[0127]本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:W03/TAPC/TPB1:1r (ppy) JBCP: Na2C03/TPB1: LiF: K2CO3Ag0
[0128]該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0129](I)清洗ITO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的ITO陽極基底烘干，即得到潔凈的ITO陽極基底；將清洗后的ITO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。ITO陽極基底的厚度為100納米。
[0130](2)在ITO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為WO3摻雜的 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，表示為 NPBiffO3,空穴注入層的材料中WO3的質(zhì)量百分濃度為25% ;蒸鍍條件為:真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;空穴注入層的厚度為10納米。
[0131](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC);蒸鍍條件為:真空度5父10-午&，蒸發(fā)速度1人/5;空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0132](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;發(fā)光層的厚度為10納米。
[0133](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料為碳酸鈉(Na2CO3)摻雜的4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)，表示為BCP = Na2CO3,電子傳輸層的材料中碳酸鈉(Na2CO3)的質(zhì)量百分濃度為4% ;蒸鍍條件為:真空度5父10_%1，蒸發(fā)速度11^;電子傳輸層的厚度為20納米。
[0134](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為氟化鋰(LiF)與碳酸鉀(K2CO3)共同摻雜的I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:LiF:K2CO3,電子注入層的材料中氟化鋰(LiF)的質(zhì)量百分濃度為25%，且碳酸鉀(K2CO3)的質(zhì)量百分濃度為6% ;蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度1A/S;電子注入層的厚度為20納米。
[0135](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為銀(Ag);蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度3A/S;陰極層的厚度為150納米。
[0136]最后，得到本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)為IT0/NPB:W03/TAPC/TPB1:1r (ppy) 3/BCP:Na2CO3/TPB1:LiF:K2CO3Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0137]對比例I[0138]傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:IT0/CBP:V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq/BAlq: CsNg/Mg-Ago
[0139]該傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下:
[0140](I)清洗ITO陽極基底:首先采用洗潔精在超聲波中清洗5分鐘，然后采用去離子水在超聲波中清洗5分鐘，接著采用丙酮在超聲波中清洗5分鐘，最后采用乙醇在超聲波中清洗5分鐘，每次清洗完后停止5分鐘；按照上述順序清洗三次，將清洗后的ITO陽極基底烘干，即得到潔凈的ITO陽極基底；將清洗后的ITO陽極基底用UV-OZONE處理30分鐘。ITO陽極基底的厚度為100納米。 [0141](2)在ITO陽極基底上真空蒸鍍形成空穴注入層，其中，空穴注入層的材料為V2O5摻雜的4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，表示為CBP = V2O5,空穴注入層的材料中V2O5的質(zhì)量百分濃度為30% ;蒸鍍條件為:真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;空穴注入層的厚度為12納米。
[0142](3)在空穴注入層上真空蒸鍍形成空穴傳輸層，其中，空穴傳輸層的材料為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);蒸鍍條件為:真空度5 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度0.2A/S;空穴傳輸層的厚度為40納米。
[0143](4)在空穴傳輸層上真空蒸鍍形成發(fā)光層，其中，發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)摻雜的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，表示為TPB1:1r (ppy)3，發(fā)光層的材料中三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)的質(zhì)量百分濃度為5% ;蒸鍍條件為:真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;發(fā)光層的厚度為15納米。
[0144](5)在發(fā)光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層，其中，電子傳輸層的材料4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq);蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度
0.4/\.|_S:電子傳輸層的厚度為40納米。
[0145](6)在電子傳輸層上真空蒸鍍形成電子注入層，其中，電子注入層的材料為CsN3摻雜的4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，表示為BAlq: CsN3，電子注入層的材料中CsN3的摻雜質(zhì)量百分濃度為30% ;蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度
0.2人/S;電子注入層的厚度為30納米。
[0146](7)在電子注入層上真空蒸鍍形成陰極層，陰極層的材料為鎂銀合金(Mg-Ag)(摩爾比為10:1);蒸鍍條件為:真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s;陰極層的厚度為100納米。
[0147]最后，得到對比例I 制備的結(jié)構(gòu)為 ITO/CBP: V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq/BAlq:CsN3/Mg-Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0148]圖3為實(shí)施例廣7制備的有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例I制備的結(jié)構(gòu)為ITO/CBP:V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq/BAlq: CsN3/Mg-Ag 的傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率曲線圖。表1表示的是實(shí)施例1~7制備的有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例I制備的結(jié)構(gòu)為IT0/CBP:V205/CBP/TPB1:1r (ppy) 3/BAlq/BAlq: CsN3/Mg-Ag 的傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件在不同亮度時的發(fā)光效率。
[0149]表1
[0150]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，所述電子傳輸層的材料中所述第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8% ;所述電子注入層的材料包括主體材料及共同摻雜于所述主體材料中的η型材料和第二堿金屬碳酸鹽，所述電子注入層的材料中所述第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為59TlO% ;其中，所述電子傳輸材料與所述主體材料分別選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酌基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1，2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第一堿金屬碳酸鹽與所述第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種；所述η型材料選自氮化鋰、氟化銫、三氮化銫、氧化鋰及氟化鋰中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為10納米飛O納米；所述電子注入層的厚度為20納米~40納米；所述電子注入層的材料中所述η型材料的質(zhì)量百分濃度為25%~35%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極基底為銦錫氧化物玻璃、摻氟的氧化錫玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃及摻銦的氧化鋅玻璃中的一種；所述陽極基底的厚度為100納米~150納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括主體材料及摻雜于所述主體材料中的P型材料，所述空穴注入層的材料中所述P型材料的質(zhì)量百分濃度為25%~35% ;其中，所述主體材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺及 1，1-二 [4_[Ν，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；所述ρ型材料為氧化鑰、三氧化鎢、五氧化二釩及三氧化錸中的一種；所述空穴注入 層的厚度為10納米~15納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺及1，1- 二 [4-[Ν，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種；所述空穴傳輸層的厚度為30納米~50納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為三(2-苯基吡啶)合銥摻雜的1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述發(fā)光層的材料中所述三(2-苯基吡啶)合銥的質(zhì)量百分濃度為1%~10% ;所述發(fā)光層的厚度為10納米~20納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層的材料為銀、鋁、鎂銀合金或金；所述陰極層的厚度為50納米~200納米。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 清洗陽極基底； 在所述陽極基底上形成空穴注入層； 在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的第一堿金屬碳酸鹽，所述電子傳輸層的材料中所述第一堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為3%~8% ； 在所述電子傳輸層上形成電子注入層，所述電子注入層的材料包括主體材料及共同摻雜于所述主體材料中的η型材料和第二堿金屬碳酸鹽，所述電子注入層的材料中所述第二堿金屬碳酸鹽的質(zhì)量百分濃度為59TlO% ;及在所述電子注入層上形成陰極層； 其中，所述電子傳輸材料與所述主體材料分別選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4Η-1, 2，4-三唑及1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種；所述第一堿金屬碳酸鹽與所述第二堿金屬碳酸鹽分別選自碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銣及碳酸銫中的一種；所述η型材料選自氮化鋰、氟化銫、三氮化銫、氧化鋰及氟化鋰中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 形成所述空穴注入層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度為SXlO-5Pa~3 X IO-4Pa,蒸發(fā)速度 0.1A S -1Λ: S ； 形成所述空穴傳輸層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度SXlO-5Pa~3 X IO-4Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S ~ 2A/S； 形成所述發(fā)光層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.lA/s~ iA/s;· 形成所述電子傳輸層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/s ~ 2A/S； 形成所述電子注入層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度SXlO-5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 Α/s ~ 2A/S;及 形成所述陰極層的方法為真空蒸鍍法，蒸鍍條件為:真空度8X10_5Pa~3X10_4Pa，蒸發(fā)速度0.丨A/s~5A/s,
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極基底清洗之后還包括對所述陽極基底的表面活化處理步驟。
【文檔編號】H01L51/54GK103579508SQ201210256107
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月23日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司