專利名稱：半導體激光器芯片的散熱結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光電技術領域中的半導體激光器，具體涉及一種半導體激光器芯片的散熱結構。
背景技術：
半導體激光器芯片的散熱一直是行業(yè)內的一個難題，在半導體激光器使用過程中，當芯片的熱量累積到一定程度時，半導體激光器就會由于芯片過熱，導致激光簇滅，限制了高功率激光輸出，而現(xiàn)有芯片的散熱結構散熱效果不好，不能夠滿足芯片的散熱要求
發(fā)明內容
針對上述技術問題，本發(fā)明提供一種半導體激光器芯片的散熱結構，其能夠對半導體激光器芯片的底面及側面進行同時散熱，散熱效果好，滿足半導體激光器芯片的散熱要求，能夠使半導體激光器具有穩(wěn)定的高功率激光輸出。實現(xiàn)本發(fā)明的技術方案如下半導體激光器芯片的散熱結構，該散熱結構包括下底座，在下底座的中部開設有凹槽，半導體激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部設置有散熱管，所述散熱管上設置有導熱基板，所述半導體激光器芯片設置在導熱基板的上端面，所述凹槽的內壁周圍開設有插槽，插槽內插有散熱片，在散熱片插入插槽后，散熱片與半導體激光器芯片的外壁接觸，以及設置在下底座上對半導體激光器芯片上端面邊緣進行壓緊的壓緊裝置。所述壓緊裝置包括均布在下底座上的多個壓緊塊，以及將壓緊塊固定在下底座上的螺釘，所述壓緊塊的壓緊端壓在半導體激光器芯片上端面邊緣。所述散熱管盤設在凹槽底部，散熱管的一端為進口端，另一端為出口端，所述散熱管的進口端、出口端分別穿過下底座露在下底座的外部。所述散熱片為散熱鋁片。采用了上述方案，散熱片能夠對半導體激光器芯片側面產生的熱量散發(fā)出去，而設置在芯片下端的散熱管能夠對芯片的下部進行散熱，從而提高散熱效率，完全滿足半導體激光器芯片的散熱要求，能夠使半導體激光器具有穩(wěn)定的高功率激光輸出。


圖I為本發(fā)明的結構示意圖；圖中，I為下底座,2為凹槽,3為半導體激光器芯片,4為散熱管,5為導熱基板,6為插槽，7為散熱片，8為壓緊塊，9為螺釘，10為壓緊塊的壓緊端，11為進口端，12為出口端。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進一步說明。
參見圖1，半導體激光器芯片的散熱結構，該散熱結構包括下底座1，在下底座的中部開設有凹槽2，半導體激光器芯片3放置于凹槽2中，在凹槽的底部設置有散熱管4，散熱管4上設置有導熱基板5，導熱基板與凹槽的內部緊密配合，在導熱基板安裝到位后，導熱基板的下表面與散熱管貼合，上表面為一平整的安裝面；半導體激光器芯片設置在導熱基板的上端面，凹槽的內壁周圍開設有若干個插槽6，每個插槽內插有一散熱片7，在散熱片插入插槽后，散熱片與半導體激光器芯片的外壁接觸，散熱片均勻的分布在半導體激光器芯片的周圍，以及設置在下底座上對半導體激光器芯片上端面邊緣進行壓緊的壓緊裝置，壓緊裝置包括均布在下底座上的多個壓緊塊8，以及將壓緊塊固定在下底座上的螺釘9，壓緊塊的壓緊端10壓在半導體激光器芯片3上端面邊緣。 其中，散熱管4盤設在凹槽底部，散熱管的一端為進口端11，另一端為出口端12，散熱管的進口端、出口端分別穿過下底座露在下底座的外部；具體實施時，散熱片為散熱鋁片。
權利要求
1.半導體激光器芯片的散熱結構，其特征在于該散熱結構包括下底座，在下底座的中部開設有凹槽，半導體激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部設置有散熱管，所述散熱管上設置有導熱基板，所述半導體激光器芯片設置在導熱基板的上端面，所述凹槽的內壁周圍開設有插槽，插槽內插有散熱片，在散熱片插入插槽后，散熱片與半導體激光器芯片的外壁接觸，以及設置在下底座上對半導體激光器芯片上端面邊緣進行壓緊的壓緊裝置。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體激光器芯片的散熱結構，其特征在于所述壓緊裝置包括均布在下底座上的多個壓緊塊，以及將壓緊塊固定在下底座上的螺釘，所述壓緊塊的壓緊端壓在半導體激光器芯片上端面邊緣。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的半導體激光器芯片的散熱結構，其特征在于所述散熱管盤設在凹槽底部，散熱管的一端為進口端，另一端為出口端，所述散熱管的進口端、出口端分別穿過下底座露在下底座的外部。
4.根據(jù)權利要求I或2所述的半導體激光器芯片的散熱結構，其特征在于所述散熱片為散熱鋁片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體激光器芯片的散熱結構，該散熱結構包括下底座，在下底座的中部開設有凹槽，半導體激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部設置有散熱管，散熱管上設置有導熱基板，半導體激光器芯片設置在導熱基板的上端面，凹槽的內壁周圍開設有插槽，插槽內插有散熱片，在散熱片插入插槽后，散熱片與半導體激光器芯片的外壁接觸，及設置在下底座上對半導體激光器芯片上端面邊緣進行壓緊的壓緊裝置，散熱片能夠對半導體激光器芯片側面產生的熱量散發(fā)出去，而設在芯片下端的散熱管能夠對芯片的下部進行散熱，從而提高散熱效率，完全滿足半導體激光器芯片的散熱要求，能夠使半導體激光器具有穩(wěn)定的高功率激光輸出。
文檔編號H01S5/024GK102769247SQ201210226270
公開日2012年11月7日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權日2012年6月29日
發(fā)明者黃方 申請人:無錫中鉑電子有限公司