發(fā)光二極管封裝方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝方法，包括步驟：提供一具有多個通孔的板材，所述通孔貫穿板材的上、下表面；在板材的下表面設(shè)置藍(lán)膜，使藍(lán)膜覆蓋各通孔在板材下表面一側(cè)的開口，以使藍(lán)膜與通孔內(nèi)壁共同形成朝向板材上表面開口的凹槽；從板材的上表面一側(cè)向凹槽內(nèi)注入混有熒光物質(zhì)的膠體；使膠體中的熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部的藍(lán)膜上；向每個凹槽內(nèi)嵌設(shè)發(fā)光二極管晶粒并使該發(fā)光二極管晶粒位于凹槽內(nèi)的頂部位置。該種方法制作的封裝結(jié)構(gòu)能夠避免使用過程中因高溫發(fā)光二極管晶粒將熱量直接傳給熒光物質(zhì)而對封裝結(jié)構(gòu)可靠性造成的不利影響。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。
[0003]現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括基板、位于基板上的電極、承載于基板上并與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片以及設(shè)置在發(fā)光二極管芯片上的的熒光層及封裝膠。
[0004]現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝方法通常先將發(fā)光二極管晶粒設(shè)置在基板上，然后采用注膠(injection)或者轉(zhuǎn)注成形(transfer molding)的方式在發(fā)光二極管晶粒上形成包含有熒光物質(zhì)的熒光層。但是該種封裝方法使得熒光物質(zhì)直接與發(fā)光二極管晶粒接觸，在使用過程中，發(fā)光二極管晶粒的高溫會使熒光物質(zhì)受熱過多而造成整個封裝結(jié)構(gòu)可靠性降低的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種能夠確保封裝結(jié)構(gòu)可靠性的發(fā)光二極管封裝方法。
[0006]一種發(fā)光二極管封裝方法，包括步驟:提供一具有多個通孔的板材，所述通孔貫穿板材的上、下表面；在板材的下表面設(shè)置藍(lán)膜，使藍(lán)膜覆蓋各通孔在板材下表面一側(cè)的開口，以使藍(lán)膜與通孔內(nèi)壁共同形成朝向板材上表面開口的凹槽；從板材的上表面一側(cè)向凹槽內(nèi)注入混有熒光物質(zhì)的膠體；使膠體中的熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部的藍(lán)膜上；向每個凹槽內(nèi)嵌設(shè)發(fā)光二極管晶粒并使該發(fā)光二極管晶粒位于凹槽內(nèi)的頂部位置。
[0007]該種發(fā)光二極管封裝方法將熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部、并在凹槽內(nèi)的頂部位置嵌設(shè)發(fā)光二極管晶粒，從而使得熒光物質(zhì)與發(fā)光二極管晶粒相互隔離，避免使用過程中因高溫發(fā)光二極管晶粒將熱量直接傳給熒光物質(zhì)而對封裝結(jié)構(gòu)可靠性造成的不利影響。此外，該封裝方法被用于封裝白光發(fā)光二極管時，其熒光物質(zhì)的設(shè)置方式還能夠增進(jìn)白光發(fā)光二極管的光輸出。
[0008]下面參照附圖，結(jié)合【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖廣圖12為本發(fā)明實施方式提供的發(fā)光二極管封裝方法的各步驟示意圖。
[0010]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝方法，包括以下步驟: 步驟一，提供一具有多個通孔的板材，所述通孔貫穿板材的上、下表面； 步驟二，在板材的下表面設(shè)置藍(lán)膜，使藍(lán)膜覆蓋各通孔在板材下表面一側(cè)的開口，以使藍(lán)膜與通孔內(nèi)壁共同形成朝向板材上表面開口的凹槽； 步驟三,從板材的上表面一側(cè)向凹槽內(nèi)注入混有熒光物質(zhì)的膠體； 步驟四，使膠體中的熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部的藍(lán)膜上；以及步驟五，向每個凹槽內(nèi)嵌設(shè)發(fā)光二極管晶粒并使該發(fā)光二極管晶粒位于凹槽內(nèi)的頂部位置； 步驟六，去除藍(lán)膜并切割板材以得到多個分離的發(fā)光二極管封裝體。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟一提供的板材的各通孔在板材上、下表面處分別形成橢圓形開口，所述通孔的口徑自下表面向上表面逐漸縮小。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟一和步驟二之間還包括步驟:在通孔內(nèi)壁上形成反光層。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟二和步驟三之間還包括步驟:在通孔內(nèi)壁上形成反光層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟三向凹槽中注入的膠體在凹槽內(nèi)的高度小于凹槽的深度。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟四和步驟五之間還包括步驟:用透明膠體填滿凹槽內(nèi)未被混有熒光物質(zhì)的膠體填滿的空間。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟五是將發(fā)光二極管晶粒嵌入所述透明膠體內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟四采用重力沉降的方法使膠體中的熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部的藍(lán)膜上。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟四采用離心沉降的方法使膠體中的熒光物質(zhì)沉淀至凹槽底部的藍(lán)膜上。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，所述步驟五向每個凹槽內(nèi)嵌設(shè)的發(fā)光二極管晶粒事先設(shè)置在一具有電路結(jié)構(gòu)的基板上并電連接至電路結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L33/50GK103515368SQ201210220867
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】林厚德 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司