專利名稱：槽式太陽能集熱管用減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能發(fā)電的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種槽式太陽能集熱管用減反射膜。
背景技術(shù)：
伴隨著傳統(tǒng)能源的日漸枯竭、環(huán)境污染問題的日益加劇，新能源的開發(fā)和應(yīng)用已經(jīng)成為人類研究的熱點。取之不盡用之不竭、綠色無污染的太陽能是新能源開發(fā)利用的重點之一。降低成本和提高轉(zhuǎn)換效率是太陽能電池研究的重點方向。硅太陽能電池由于原料來源廣泛，成本較低，占據(jù)太陽能電池市場的主導(dǎo)地位。減少電池受光面上入射陽光的反射 是提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的手段之一。常用的減反射措施主要有刻蝕硅襯底，在硅襯底表面或電池的受光面沉積二氧化鋁、氮化硅、二氧化硅等減反射膜?，F(xiàn)有技術(shù)有研究使用表面的織構(gòu)化來降低一部分反射，一般是通過腐蝕處理，增加鋁片表面的粗糙度，但是反射率的降低并不明顯，特別是對于多晶硅，使用各向異性的酸法制絨，產(chǎn)生的黑線容易破壞PN結(jié)，使太陽能電池片的漏電流增大?，F(xiàn)有技術(shù)普遍使用的是在鋁片表面覆蓋一層折射率適中的透光介質(zhì)膜，從而降低鋁片表面反射?，F(xiàn)有工藝化的減反射膜一般為一層，也有研究在鋁片表面制備兩層折射率不同的減反射膜。納米薄膜材料的減反射膜由于工藝復(fù)雜、成本較高且難控制，并不利于大規(guī)模生產(chǎn)。同時這種多層減反射膜由于每層的折射率和厚度較難控制，且折射率變化太大，鋁片表面對光的反射率降低效果并不理想，同時由于減反射膜的減反射效果與對鋁片的表面和體鈍化的效果是相互矛盾，相互制約的，因此此種減反射膜對鋁片的表面和體鈍化效果較差，制備的太陽能電池片的性能仍然不能滿足現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題中存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能有效提高硅基太陽能薄膜電池工作效率的槽式太陽能集熱管用減反射膜。一種槽式太陽能集熱管用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為AlNg，其中X=O. 15-0. 35。其中，所述減反射薄膜的厚度為100-200 nm。其中，所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備，所述磁控濺射方法包括以下步驟 利用純鋁片作為靶材，利用磁控濺射方法制備薄膜材料以硅為襯底，通入純度
為99. 99 %的N2，襯底溫度為100-150°C，工作氣壓為I 10Pa，之后在還原氣氛下于200-300°C退火處理 30-90 min。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的減反射膜對波長為300-900nm的電磁波平均反射率降低到了 2. 5-3. 5%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽電池上表面，能夠降低硅太陽電池的熱化效應(yīng)，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
具體實施例方式實施例I
采用純鋁片為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅晶圓為襯底，首先對鋁片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的N2,流量為50-100 sccm,電壓為800 V，電流為20 A，襯底溫度為100°C，工作氣壓為10Pa，濺射沉積完成之后在還原 氣氛下于300°C退火處理30 min。實施例2
采用純鋁片為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅晶圓為襯底，首先對鋁片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的N2，流量為50-100 sccm,電壓為800 V，電流為20 A，襯底溫度為150°C，工作氣壓為10Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于200°C退火處理90 min。實施例3
采用純鋁片為靶材，采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅晶圓為襯底，首先對鋁片進(jìn)行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99. 99%的N2，流量為50-100 sccm,電壓為800 V，電流為20 A，襯底溫度為150°C，工作氣壓為10Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于250°C退火處理30 min。
權(quán)利要求
1.一種槽式太陽能集熱管用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為AlNg，其中X=O. 15-0. 35。
2.權(quán)利要求I所述的減反射膜，其特征在于所述減反射薄膜的厚度為100-200nm。
3.權(quán)利要求I所述的減反射膜，其特征在于所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備，所述磁控濺射方法包括以下步驟利用純鋁片作為靶材，利用磁控濺射方法制備薄膜材料以硅為襯底，通入純度為99. 99%的N2，襯底溫度為100-150°C，工作氣壓為I 10 Pa，之后在還原氣氛下于200-300°C退火處理30-90 min。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種槽式太陽能集熱管用減反射膜，其中所述的減反射膜為AlN1-X，其中X=0.15-0.35。本發(fā)明的減反射膜對波長為300-900nm的電磁波平均反射率降低到了2.5-3.5%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽電池上表面，能夠降低硅太陽電池的熱化效應(yīng)，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/0216GK102723377SQ20121022047
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者葛波 申請人:蘇州嘉言能源設(shè)備有限公司