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薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜的制作方法

文檔序號(hào):7124280閱讀:175來源:國知局
專利名稱:薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽能發(fā)電的技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜。
背景技術(shù)
伴隨著傳統(tǒng)能源的日漸枯竭、環(huán)境污染問題 的日益加劇,新能源的開發(fā)和應(yīng)用已經(jīng)成為人類研究的熱點(diǎn)。取之不盡用之不竭、綠色無污染的太陽能是新能源開發(fā)利用的重點(diǎn)之一 O太陽能熱發(fā)電是大規(guī)模開發(fā)利用太陽能的一個(gè)重要技術(shù)途徑,目前有塔式、槽式、碟式系統(tǒng),其中以槽式和塔式系統(tǒng)商業(yè)應(yīng)用較多,特別是槽式太陽能熱發(fā)電,是迄今為止世界上唯一經(jīng)過20年商業(yè)化運(yùn)行的成熟技術(shù),其造價(jià)遠(yuǎn)低于光伏發(fā)電。光熱轉(zhuǎn)化效率是關(guān)鍵指標(biāo),往往一個(gè)百分點(diǎn)的提高都是盡力追求的。太陽能電池光伏發(fā)電是一種清潔、安全的可再生能源,由于受到原理、結(jié)構(gòu)以及材料等諸多方面的限制,傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)太陽能電池效率的提升面臨著重大挑戰(zhàn)。硅作為最常見、最重要的半導(dǎo)體材料,不僅是電子芯片、集成電路的基礎(chǔ)材料,也在光伏產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著絕對(duì)的主導(dǎo)作用。由于硅太陽電池將長期處于統(tǒng)治地位,因此開展提高硅太陽電池對(duì)光的利用效率的研究具有極其重要的意義。然而由于受到半導(dǎo)體硅帶隙的制約作用,大約有30%的太陽光輻射能量因熱損失而浪費(fèi),這成為制約太陽電池效率提高的瓶頸之一。即當(dāng)電池吸收高能光子產(chǎn)生“熱”載流子,“熱”載流子弛豫導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂,這部分能量以晶格熱的形式損失,即為熱損失。透明薄膜由于與硅太陽電池工藝兼容且具有高透明性,因此該材料在降低硅太陽電池?zé)峄?yīng)、提高光電轉(zhuǎn)換效率方面具有重要應(yīng)用價(jià)值。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題中存在的上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于提供一種能有效提高硅基太陽能薄膜電池工作效率的透明薄膜。一種薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜,其特征在于所述的透明薄膜為Y參雜的二氧化錫薄膜,其中Y的含量為O. 25-0. 50 Wt%0其中,所述透明薄膜的厚度為100-200 nm。其中,所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備。其中,所述磁控濺射方法包括以下步驟
利用參雜Y的二氧化錫為陶瓷靶材,利用磁控濺射方法制備薄膜材料以硅片或石英為襯底,通入純度為99. 99%的O2,襯底溫度為300 400°C,工作氣壓為O. 5 10Pa。與現(xiàn)有技術(shù)相比所述的參雜有稀土元素的透明薄膜對(duì)波長為300-900nm的電磁波透過率超過90%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽電池上表面,能夠降低硅太陽電池的熱化效應(yīng),提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
采用參雜有O. 5wt%Y的二氧化錫為靶材,采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅片為襯底,首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗,烘干后裝入鍍膜室中,通入純度為99. 99%的02,流量為150 sccm,電壓為800 V,電流為20 A,襯底溫度為300°C,工作氣壓為O. 5Pa。實(shí)施例2
采用參雜有O. 5wt%Y的二氧化錫為靶材,采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍 膜。以硅片為襯底,首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗,烘干后裝入鍍膜室中,通入純度為99. 99%的02,流量為150 sccm,電壓為700 V,電流為30 A,襯底溫度為350°C,工作氣壓為O. 5Pa。實(shí)施例3
采用參雜有O. 8wt%Y的二氧化錫為靶材,采用中頻反應(yīng)立式磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行鍍膜。以硅片為襯底,首先對(duì)硅片進(jìn)行清洗,烘干后裝入鍍膜室中,通入純度為99. 99%的02,流量為100 sccm,電壓為600 V,電流為30 A,襯底溫度為400°C,工作氣壓為O. 8Pa。
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜,其特征在于所述的透明薄膜為Y參雜的二氧化錫薄膜,其中Y的含量為O. 25-0. 50 wt%0
2.權(quán)利要求I所述的透明薄膜,其特征在于所述透明薄膜的厚度為100-200nm。
3.權(quán)利要求I所述的透明薄膜,其特征在于所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜太陽能電池光吸收透明薄膜,其中所述的透明薄膜為Y參雜的二氧化錫薄膜,其中Y的含量為0.25-0.50wt%。本發(fā)明所述的參雜有稀土元素的透明薄膜對(duì)波長為300-900nm的電磁波透過率超過90%。將本發(fā)明所述的透明薄膜沉積在硅太陽電池上表面,能夠降低硅太陽電池的熱化效應(yīng),提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/032GK102723386SQ20121021953
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者葛波 申請(qǐng)人:蘇州嘉言能源設(shè)備有限公司
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