專利名稱：氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及ー種氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB的衰減片。
背景技術(shù)：
目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片則只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地作出判斷，對設(shè)備沒有保護作用。集合了三種電阻設(shè)計的衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率并在高頻電路上調(diào)整功率電平，對相關(guān)設(shè)備起到了保護作用。由于氮化鋁陶瓷仍然屬于新興行業(yè)，故在產(chǎn)品線上沒有呈現(xiàn)多祥化的格局。同時市場上存在的衰減片其衰減精度大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制。而市場對衰減精度的要求很高，我們希望的衰減器是ー個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。目前市場上的衰減片當使用頻段高于2G時，其衰減精度達不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供ー種阻抗?jié)M足50±1.5Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為27±ldB，駐波要求輸入端在1.2以內(nèi)，輸出端在I. 25以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片，其包括一尺寸為5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述導線連接所述膜狀電阻連接形成TT型衰減電路。優(yōu)選的，所述膜狀電阻上印刷有透明耐高溫電阻保護膜。優(yōu)選的，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片讓衰減電路處于ー個完全対稱的狀態(tài)，體積小，高頻特性好，性能穩(wěn)定可靠安裝方便，無鉛環(huán)保、阻值精度和衰減精度高，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖I所示，該氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片包括一尺寸為5*5*1MM的氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有背導層，氮化鋁基板I的正面印刷有導線2及電阻R1、R2、R3，電阻R1、R2、R3通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿氮化鋁基板的中心線對稱，衰減電路的輸出端與一焊盤5連接，輸入端與ー焊盤6連接，兩個焊盤5、6沿氮化鋁基板的中心線對稱。電阻R1、 R2、R3上印刷有玻璃保護膜3，導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導線2及電阻Rl、R2、R3形成保護。該氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 ± I. 5 Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1. 5Ω。信號輸入端進入衰減片，經(jīng)過電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號，該氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片以尺寸為5*5*1MM的氮化鋁陶瓷作為基板，讓衰減電路處于ー個完全対稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，同時客戶在使用時不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端，兩個焊盤5、6均可作為輸入端或輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產(chǎn)中因為輸入輸出端焊接錯誤導致不良品的產(chǎn)生。也打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)，填補了國內(nèi)的空白。同時不同衰減值的系列產(chǎn)品線擴大了使用范圍，給市場多種的選擇。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片，其特征在于其包括一尺寸為5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述導線連接所述膜狀電阻連接形成TT型衰減電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片，其特征在于所述膜狀電阻上印刷有透明耐高溫電阻保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片，其特征在于所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對稱。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氮化鋁陶瓷基板30瓦27dB衰減片，其包括一5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述導線連接所述膜狀電阻連接形成他TT型衰減電路。該衰減片在案設(shè)計上充分考慮了各項性能指標，體積小，高頻特性好，性能穩(wěn)定可靠安裝方便，無鉛環(huán)保、阻值精度和衰減精度高，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，同時延伸了30瓦固定膜狀電阻式衰減片的系列產(chǎn)品線。
文檔編號H01P1/22GK102709640SQ20121021651
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者陳建良 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司