專(zhuān)利名稱(chēng)：分布式高壓led模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及ー種分布式高壓LED模組。
背景技術(shù)：
目前，LED發(fā)光二極管由于具有耗電量低、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)而得到社會(huì)各界的廣泛關(guān)注和認(rèn)可，眾多相關(guān)的生產(chǎn)廠商積極響應(yīng)國(guó)家提出的節(jié)能減排政策，在LED的研發(fā)和推廣上做出了極大投入。單個(gè)LED發(fā)光二極管功率小、發(fā)光量少，為了解決這個(gè)問(wèn)題，市面上出現(xiàn)了由多個(gè) LED芯片組成的LED模組以獲得照明所需功率和光通量。然而，現(xiàn)有的LED模組均為集成式，其出光面通常只有ー個(gè)，不僅具有熱量集中、光效低等缺陷，而且在利用其制作燈具或者光源的時(shí)候不好配光，不能很好滿足市場(chǎng)需求。因此，有必要提供ー種分布式高壓LED模組以解決上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種分布式高壓LED模組以滿足市場(chǎng)需求。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為提供ー種分布式高壓LED模組，其包括基板、線路層及多個(gè)LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個(gè)LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個(gè)所述LED小模組包括多個(gè)LED芯片，該多個(gè)LED芯片之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進(jìn)行電性連接，所述多個(gè)LED小模組之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述基板為金屬基板，所述線路層上形成有多個(gè)用于排布所述LED小模組的鏤空區(qū)，所述LED芯片固定在所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面上。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面覆蓋有一反射層。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述反射層為銀層。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述LED小模組還包括ー圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，所述圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠。在本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，所述基板為金屬基板，所述線路層完全覆蓋所述基板的上表面，所述LED芯片固定在所述線路層上。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述LED小模組還包括ー圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上，其內(nèi)填充有封裝膠。在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，所述基板為陶瓷基板，所述LED芯片固定在所述陶瓷基板上，所述線路層為制作于所述陶瓷基板上的導(dǎo)電線路。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為每個(gè)所述LED小模組還包括ー圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述陶瓷基板上，其內(nèi)填充有封裝膠。其進(jìn)ー步技術(shù)方案為所述封裝膠為由硅膠和熒光粉混合而成的霧狀膠體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個(gè)LED小模組，而后間隔地排布在基板或線路層上并進(jìn)行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計(jì)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；減小芯片與芯片之間的影響，光效高。通過(guò)以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖I為本發(fā)明分布式高壓LED模組第一實(shí)施例的剖面示意圖。圖2為圖I所示分布式高壓LED模組中A部分的放大圖。圖3為圖I所示分布式高壓LED模組的俯視圖。
圖4為本發(fā)明分布式高壓LED模組第二實(shí)施例的剖面示意圖。圖5至圖7展示了為本發(fā)明分布式高壓LED模組的多種電路連接方式。圖8本發(fā)明分布式高壓LED模組第三實(shí)施例的部分放大圖。圖中各附圖標(biāo)記說(shuō)明如下第一實(shí)施例分布式高壓LED模組 10基板11線路層12LED小模組 13圍壩裝置131封裝膠132金屬導(dǎo)線133LED芯片134第二實(shí)施例分布式高壓LED模組 20基板21線路層22LED小模組 23第三實(shí)施例分布式高壓LED模組 30基板31導(dǎo)電線路32LED小模組 3具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，附圖中類(lèi)似的組件標(biāo)號(hào)代表類(lèi)似的組件。顯然，以下將描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。首先請(qǐng)參照?qǐng)DI至圖3，其展示了本發(fā)明分布式高壓LED模組的第一實(shí)施例。本較佳實(shí)施例中，所述分布式高壓LED模組10包括基板11、線路層12及多個(gè)LED小模組13，其中，所述基板11為金屬基板，所述線路層12通過(guò)貼合的方式固定在基板11上，所述線路層12上形成有多個(gè)圓柱狀的鏤空區(qū)。本實(shí)施例中，每個(gè)LED小模組13包括圍壩裝置131、封裝膠132、金屬導(dǎo)線133及多個(gè)LED芯片134，本實(shí)施例中，每個(gè)LED小模組13包括多于18顆的藍(lán)光芯片。所述LED芯片134通過(guò)固晶膠固定在鏤空區(qū)內(nèi)的基板11上，LED芯片134固定在金屬基板的設(shè)計(jì)可為L(zhǎng)ED芯片134帶來(lái)更好的散熱效果，優(yōu)選地，位于鏤空區(qū)內(nèi)的基板11表面還鍍有一反射層(未標(biāo)示)以增強(qiáng)反射效果，本實(shí)施例選用具有高反射率的銀層來(lái)作為反射層。參照?qǐng)D2，本實(shí)施例的多個(gè)LED芯片134之間以及末端LED芯片134與線路層12之間均用金屬導(dǎo)線133進(jìn)行連接，線路層12上設(shè)置有中空?qǐng)A柱狀的圍壩裝置131，該圍壩裝置131固定在所述線路層12上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，其內(nèi)填充有封裝膠132，本實(shí)施例的封裝膠132選用由硅膠和熒光粉混合而成的霧狀膠體，從而可大大增加LED器件的可視角度。參照?qǐng)D3，本實(shí)施例的多個(gè)LED小模組13以一定的排列方式排布在基板11上，例如可設(shè)計(jì)為圖3所示的矩陣式，也可根據(jù)具體實(shí)際需要設(shè)計(jì)為放射式等其它排布方式)，相應(yīng)地，線路層12上的鏤空區(qū)是根據(jù)LED小模組13所需排布方式而進(jìn)行相應(yīng)的設(shè)計(jì)。 參照?qǐng)D5至圖7，對(duì)于LED小模組13內(nèi)LED芯片134之間及LED小模組13之間的電路連接可通過(guò)以下方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，但并不限于以下方式(每個(gè)虛線框內(nèi)的所有器件組成一個(gè)LED小模組13):方式一如圖5所示，每個(gè)LED小模組13里面的LED芯片134全部進(jìn)行串聯(lián)，每?jī)蓚€(gè)LED小模組13再串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時(shí)，整個(gè)模組的電壓可以達(dá)到IlOV以上。方式二 如圖6所示，每個(gè)LED小模組13里面的LED芯片134先串聯(lián)成三串再將其并聯(lián)在一起，每?jī)蓚€(gè)LED小模組13相互串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時(shí)，整個(gè)模組的電壓可以達(dá)到IlOV以上。方式三如圖7所示，每個(gè)LED小模組13里面的LED芯片134全部進(jìn)行串聯(lián)，每四個(gè)LED小模組13再串聯(lián)在一起，多組串聯(lián)而成的模組再相互并聯(lián)，采用此連接方式時(shí)，整個(gè)模組的電壓可以達(dá)到220V以上。以此類(lèi)推，本發(fā)明的分布式高壓LED模組可采用多種不同的連接方式來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的高壓以滿足用戶或客戶的不同需求。圖4展示了本發(fā)明分布式高壓LED模組的第二實(shí)施例。參照?qǐng)D4，本實(shí)施例分布式高壓LED模組20與第一實(shí)施例的區(qū)別點(diǎn)在于所述線路層22完全覆蓋在所述金屬基板21的上表面，每個(gè)LED小模組23是設(shè)置在線路層22上，即每個(gè)LED小模組23內(nèi)的LED芯片是固定在線路層22上的，采用該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相比第一實(shí)施例可方便電路連接，但散熱效果不如第一實(shí)施例。圖8展示了本發(fā)明分布式高壓LED模組的第三實(shí)施例。參照?qǐng)D8，本實(shí)施例分布式高壓LED模組30與第一和第二實(shí)施例的區(qū)別點(diǎn)在于所述基板31為陶瓷基板，陶瓷基板31的上表面通過(guò)蒸鍍、印刷或者濺射等方式制作有導(dǎo)電線路32。在本實(shí)施例中，LED小模組33內(nèi)的LED芯片是固定在陶瓷基板上31，每個(gè)小模組內(nèi)上下均設(shè)置有導(dǎo)電線路，由多個(gè)LED芯片連接而成的LED串的兩端用金屬導(dǎo)線與導(dǎo)電線路連接。如上所述，本發(fā)明提供的分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個(gè)LED小模組，而后排布在基板或線路層上并進(jìn)行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計(jì)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；可達(dá)到110 V以上高壓，方便驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)；減小芯片與芯片之間的影響，光效高；減少硅膠和熒光粉的使用量，降低成本。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明分布式高壓LED模組中，金屬基板可選用銅基板、鋁基板 等金屬基板；線路層除了貼合方式外，還可通過(guò)印刷、蒸鍍或?yàn)R射等方式來(lái)制作在基板上；對(duì)于封裝膠，也可單獨(dú)選用透明的環(huán)氧樹(shù)脂膠或硅膠來(lái)實(shí)現(xiàn)。以上結(jié)合最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明并不局限于以上揭示的實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各 種根據(jù)本發(fā)明的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
權(quán)利要求
1.一種分布式高壓LED模組，其特征在于包括基板、線路層及多個(gè)LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個(gè)LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個(gè)所述LED小模組包括多個(gè)LED芯片，該多個(gè)LED芯片之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進(jìn)行電性連接，所述多個(gè)LED小模組之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。
2.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為金屬基板，所述線路層上形成有多個(gè)用于排布所述LED小模組的鏤空區(qū)，所述LED芯片固定在所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述鏤空區(qū)內(nèi)的基板表面覆蓋有一反射層。
4.如權(quán)利要求3所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述反射層為銀層。
5.如權(quán)利要求2所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上且位于所述鏤空區(qū)的邊緣，所述圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠。
6.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為金屬基板，所述線路層完全覆蓋所述金屬基板的上表面，所述LED芯片固定在所述線路層上。
7.如權(quán)利要求6所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述線路層上，其內(nèi)填充有封裝膠。
8.如權(quán)利要求I所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述基板為陶瓷基板，所述LED芯片固定在所述陶瓷基板上，所述線路層為制作于所述陶瓷基板上的導(dǎo)電線路。
9.如權(quán)利要求8所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述LED小模組還包括一圍壩裝置，所述圍壩裝置設(shè)置在所述陶瓷基板上，其內(nèi)填充有封裝膠。
10.如權(quán)利要求5、7或9所述的分布式高壓LED模組，其特征在于所述封裝膠為由硅膠和熒光粉混合而成的霧狀膠體。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種分布式高壓LED模組，其包括基板、線路層及多個(gè)LED小模組，所述線路層固定在所述基板上，所述多個(gè)LED小模組間隔地排布在所述基板或所述線路層上，每個(gè)所述LED小模組包括多個(gè)LED芯片，該多個(gè)LED芯片之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接后與所述線路層進(jìn)行電性連接，所述多個(gè)LED小模組之間進(jìn)行串聯(lián)和/或并聯(lián)連接。本發(fā)明分布式高壓LED模組將LED芯片封裝成多個(gè)LED小模組，而后排布在基板或線路層上并進(jìn)行串并聯(lián)連接，基于該設(shè)計(jì)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)熱量分散，提高LED使用壽命；發(fā)光面分散，方便燈具配光；可達(dá)到110Ｖ以上高壓，方便驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)；減小芯片與芯片之間的影響，光效高。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102738136SQ20121020456
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月20日
發(fā)明者何剛, 何海生, 夏鼎智, 張鐵鐘, 朱慶山, 郭倫春, 鐘雄, 龔靖 申請(qǐng)人:深圳市九洲光電科技有限公司