專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本公開涉及液晶顯示(IXD)裝置，更具體地涉及一種IXD裝置及其制造方法，其適于通過形成包括透明導電材料層和不透明金屬層的半透明多層電極而防止卡盤瑕疵并提高像素的透光率。
背景技術：
一般而言，IXD裝置使用電場來控制具有介電各向異性的液晶的透光率以顯示圖像。通常通過組合濾色器陣列基板和薄膜晶體管陣列基板并且在這兩個基板之間夾有液晶層，來制造IXD裝置。近來，為了解決IXD裝置視角窄的問題，已經開發(fā)了幾種新的工作原理的IXD裝置。具有寬視角的LCD裝置可以以其他模式中的面內切換(IPS)模式、光學補償雙折射(OCB)模式或邊緣場切換(FFS)模式工作。在具有寬視角的IXD裝置中，IPS模式的IXD裝置允許像素電極與公共電極設置在同一基板上，使得電極之間感應水平電場。在這樣的LCD裝置中，液晶分子的主軸相對于基板沿水平方向取向。因此，IPS模式的LCD裝置的視角比相關技術的TN (扭曲向列)模式的IXD裝置視角更寬。

發(fā)明內容
本實施方式涉及液晶顯示(LCD)裝置，其包括:以透明導電材料層和不透明金屬層的疊層結構形成的像素電極和公共電極。LCD裝置還可以包括:基板；設置為在基板上彼此交叉并限定像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線；和設置在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處的開關元件。像素電極和公共電極在像素區(qū)內設置為彼此交替且與數(shù)據(jù)線平行。疊層結構的透光率被設置為在用于制造LCD裝置的光刻處理期間防止形成缺陷的值。本實施方式還涉及一種液晶顯示裝置的制造方法。該方法包括:在基板上形成金屬層；使用第一掩模工序形成柵極、選通線和第一公共線；在設置有柵極的基板上形成柵絕緣膜；使用第二掩模工序形成溝道層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線；在設置有所述源極和所述漏極的所述基板上形成保護膜；使用第三掩模工序在保護膜中形成露出所述漏極的一部分的接觸孔；在設置有所述保護膜的所述基板上形成透明導電材料層和不透明金屬層；以及對所述不透明金屬層和所述透明導電材料層執(zhí)行根據(jù)第四掩模工序的蝕刻處理，以形成第二公共線、以多個狹縫條結構形成的像素電極和公共電極。像素電極和公共電極形成為透明導電材料層和不透明金屬層的疊層結構。所述透明導電材料層和所述不透明金屬層各個具有3.5μπι或更小的線寬。本公開的實施方式的優(yōu)點包括:例如，通過把電極形成為具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構來防止卡盤瑕疵。本公開的實施方式的優(yōu)點還包括:通過把電極形成為具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構來實現(xiàn)具有細的線寬的像素電極。
本發(fā)明的附加優(yōu)點和特征將在隨后的說明中進行闡述，而一部分根據(jù)描述會變得清楚，或者可以通過實踐實施方式而獲知。實施方式的優(yōu)點可以由在說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構來實現(xiàn)并獲得。其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點對于本領域技術人員在研究下面的圖和詳細說明后都是明顯的，或變得明顯。希望所有的這些附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點包含在本說明書中、在本公開的范圍內且被下面的權利要求所保護。本部分內容不應對那些權利要求的內容產生限制。另外的方面和優(yōu)點將結合實施方式在下面說明。應該理解的是，上文對本公開的概述與下文對本公開的詳述都是示例性和解釋性的，旨在提供對要求保護的本公開的進一步解釋。


附圖被包括進來以提供對本實施方式的進一步的理解并被并入且構成本申請的一部分，附圖示出了本公開的實施方式，并且與說明書一起用于解釋本公開的原理。在附圖中:圖1是示出了 IPS模式的IXD裝置的典型結構的截面圖。圖2是例示了通過常規(guī)制造工藝形成IXD裝置的電極時卡盤瑕疵的原因的截面圖。圖3是示出了根據(jù)一個實施方式的IXD裝置內的像素結構的平面圖。圖4是示出了根據(jù)一個實施方式沿圖3中1-1’線截取的IXD裝置的截面圖。圖5是示出根據(jù)一個實施方式在層疊透明導電材料層和不透明金屬層后形成寬度窄的細電極的處理的截面圖。圖6是例示了透明導電材料單層或不透明金屬單層以及透明導電材料和不透明金屬兩者的雙層的透光率特性的數(shù)據(jù)圖。圖7A和圖7B是示出了根據(jù)一個實施方式用于形成寬度窄的細電極的蝕刻處理的結果的視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細闡述本公開的實施方式，在附圖中示出了這些實施方式的示例。提供以下所介紹的實施方式作為示例向本領域普通技術人員傳遞本發(fā)明的精神。因此，這些實施方式可以按照不同的形式實施，而不限于本文描述的實施方式。為了方便說明，在附圖中，裝置的尺寸、厚度等可以放大。只要可能，在包括附圖的本公開中使用相同的標號來表示相同或相似的部件。圖1是示出了面內切換(IPS)模式的IXD裝置的典型結構的截面圖。IPS模式的IXD裝置包括陣列基板34和濾色器基板32。通過在第一基板IOa上形成薄膜晶體管(未示出)、像素電極21和公共電極22，然后在第一基板IOa的整個表面涂敷第一配向膜20，獲得陣列基板34。與陣列基板34面對的濾色器基板32包括在第二基板IOb上形成的濾色器層(未示出)和在濾色器層上形成的第二配向膜30。陣列基板34與濾色器基板32彼此面對，在陣列基板34與濾色器基板32之間夾有液晶層25。在這樣的IXD裝置中，在像素電極21和公共電極22之間施加電壓差時，在像素電極21和公共電極22之間產生水平電場。該水平電場使得液晶層25內的液晶分子的軸平行于第一基板IOa和第二基板IOb取向。以這種方式，IPS模式的IXD裝置可以實現(xiàn)比傳統(tǒng)扭曲向列(TN)模式的LCD裝置更寬的視角。陣列基板34還包括使進入液晶層25的光偏振的第一偏振器層50a。濾色器基板32也包括使穿過液晶層25的光偏振的第二偏振器層50b。第一偏振器層50a與第二偏振器層50b相結合，控制穿過濾色器基板32發(fā)出的光。通常，像素電極21由透明導電材料形成，而公共電極22由不透明金屬形成。這樣，像素區(qū)的透光率取決于像素電極21和公共電極22的寬度Wl以及像素電極21和公共電極22之間的距離LI。本文透光率是指在380至530nm的光波長范圍內的光的平均透光率。為了滿足用戶對高分辨率的需求，在新開發(fā)的LCD裝置中，每個像素的尺寸都在減小，而薄膜晶體管占用的非透光區(qū)相對于像素的尺寸都在增大。像素尺寸的減小已經開始需要更高的透光率。然而，由于在光刻處理中曝光工具的特性，難以形成在臨界寬度下的像素電極21和公共電極22。圖2是例示了通過常規(guī)制造處理形成IXD裝置的電極時卡盤瑕疵的原因的截面圖。在IXD裝置制造處理期間，基板84放置在卡盤80上，執(zhí)行光刻處理。在基板上形成透明導電材料層85。在將基板84放置在卡盤80上后，在透明導電材料層85上涂敷光刻膠。接著，對光刻膠膜順序執(zhí)行曝光處理和顯影處理，以在透明導電材料層85上形成用于光刻處理的光刻膠圖案90，并對基板84上的透明導電材料層85進行構圖。為了提高像素區(qū)的透光率，像素電極21和公共電極22可以由透明導電材料形成。在該情況中，由于已知的“卡盤瑕疵”缺陷，難以形成具有小于4.3μπι的寬度的光刻膠圖案90。在光刻處理期間，照射在光刻膠膜上的部分光會穿過曝光區(qū)中的透明導電材料和基板84。這部分穿過的光被卡盤80反射，造成在曝光區(qū)中光刻膠膜的下部被反射光再次曝光。光刻膠膜的下部的這樣的再曝光形成了對光刻膠膜的不希望的曝光，最終在基板上形成的電極中導致不規(guī)則形狀。隨著光刻膠圖案90的寬度減小，這種卡盤瑕疵會變得更明顯。一般來說，由于卡盤瑕疵，難以形成寬度小于4.3 μ m的光刻膠圖案90。同時,光刻膠圖案90之間的距離通常小于9.8 μ m。圖3是示出根據(jù)一個實施方式的IXD裝置內的像素結構的平面圖。根據(jù)圖3，IPS模式的LCD裝置的像素區(qū)(或子像素區(qū))可以包括選通線101和與選通線101交叉的數(shù)據(jù)線103。IPS模式的IXD裝置還可以包括設置在選通線101和數(shù)據(jù)線103交叉處并用作開關元件的薄膜晶體管TFT。另外，第一公共線105相對于選通線101平行地設置在像素區(qū)的相對側。在像素區(qū)內，第二像素電極161與公共電極171以固定間隔按照交替方式設置。第二像素電極161與公共電極171具有不大于3.5μπι的細的線寬，如下面參照圖5描述的。在一個實施方式中，第二像素電極161各個形成為狹縫條的形狀。在像素區(qū)中，第二像素電極161從第一像素電極160分支出去，第一像素電極160電連接到薄膜晶體管TFT的漏極。類似的，公共電極171各個形成為狹縫條的形狀。在像素區(qū)中，公共電極171從第二公共線170分支出去，第二公共線170電連接到第一公共線105。第二像素電極161和公共電極171以它們的頂部和底部相對于像素區(qū)中的與選通線101平行的中線Α-Α’對稱的方式彎曲。
可以通過層疊透明導電材料層和金屬層，來形成第一像素電極160、第二像素電極161、第二公共線170和公共電極171。這里，減少金屬層以降低電極的整體透光率，如下面詳述的。透明導電材料層可以由諸如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)和銦錫鋅氧化物(ITZO)的材料形成。金屬層可以由鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al或它們的合金(例如，包括鑰Mo和鈦Ti的合金)形成。薄膜晶體管TFT使用選通線101作為柵極。這樣薄膜晶體管TFT包括形成在柵極上的溝道層、源極和漏極。實施方式不僅允許光刻膠圖案(在像素區(qū)內形成的且用于形成第二像素電極161和公共電極171)各具有3.5μπι的寬度(與圖2的4.3 μ m相比)，而且允許光刻膠圖案之間的距離變?yōu)?4.3μπι或更大(與圖2的9.8μπι相比)。如果使用具有上述寬度的光刻膠圖案作為掩模來形成第二像素電極161和公共電極171，那么電極的蝕刻臨界尺寸變?yōu)榇蠹s
1.5 μ m，這將導致具有3.5 μ m或更小寬度的電極。此外，通過層疊透明導電材料層和不透明金屬層來形成第二像素電極161和公共電極171。不透明金屬層可以做得薄，以獲得足夠的透光率。例如，第二像素電極161和公共電極171可以形成為具有ITO層和鑰鈦合金層的疊層結構。在這種情況下，當鑰鈦合金層沉積約50 A的厚度時，電極區(qū)域的透光率可以變?yōu)?0%，該透光率低得足以防止形成卡盤瑕疵。電極區(qū)域是指LCD裝置中形成電極的部分。電極區(qū)域的透光率大于70%，趨于形成卡盤瑕疵。盡管通常優(yōu)選的是為了視角更寬而增加電極區(qū)域的透光率，但是卡盤瑕疵卻成為增加電極區(qū)域透光率的障礙。實施方式涉及通過層疊透明導電材料層和不透明金屬層來形成具有固定透光率的半透明電極。透明導電材料層和不透明金屬層的層疊順序沒有限制，因此，透明導電材料層和不透明金屬層的層疊順序可以顛倒。根據(jù)實施方式的LCD裝置及其制造方法允許形成具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構的電極。因此，可以在防止卡盤瑕疵的同時增加像素區(qū)的透光率。而且，根據(jù)實施方式的LCD裝置及其制造方法可以提供具有細的線寬的像素電極。根據(jù)實施方式的LCD裝置及其制造方法允許形成具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構的電極。因此，可以在曝光處理中不會導致卡盤瑕疵的同時增加像素區(qū)的整體透光率。而且根據(jù)實施方式的LCD裝置及其制造方法可以允許像素電極具有細的線寬。圖4是示出了根據(jù)一個實施方式沿圖3中1-1’線截取的IXD裝置的截面圖。例如使用濺射處理，在由透明絕緣材料形成的下基板100上沉積金屬膜。接著，根據(jù)第一掩模工序，對金屬膜執(zhí)行蝕刻處理。在第一掩模工序中，在沉積的金屬膜上形成相當于感光材料的光刻膠。使用限定了透光區(qū)和非透光區(qū)的掩模對光刻膠進行曝光和顯影，從而形成光刻膠圖案。隨后，使用光刻膠圖案作為蝕刻掩模來蝕刻金屬膜，從而形成選通線、柵極101和第一公共線(圖3中的“105”)。使用選通線作為電極，來實施柵極?？梢酝ㄟ^層疊以下材料中的至少一種來形成選通線(由圖3中的標號101所示):鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al以及它們的合金。
如上所述，在下基板100上形成諸如柵極101的層之后，使用第二掩模工序，來形成柵絕緣膜102和溝道層114(包括非晶硅膜、摻雜(η+或ρ+)非晶硅膜)以及源/漏極117a和117b，第二掩模工序采用衍射掩?；虬肷{掩模。同時，也形成數(shù)據(jù)線。源極/漏極117a和117b可以由諸如鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al以及它們的合金的材料形成。另選的是，源極/漏極117a和117b可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導電材料形成。另外，根據(jù)環(huán)境，可以通過層疊至少兩層金屬膜來形成源極/漏極117a和117b。之后，在設置有溝道層114的下基板100上形成保護膜109。使用第三掩模工序在保護膜109中形成露出部分漏極117b的接觸孔。當如上所述地完成接觸孔的形成后，在下基板100的整個表面上層疊透明導電材料層和不透明金屬層。接著，針對此疊層進行第四掩模工序，從而形成第一像素電極160、第二像素電極161和公共電極171。第一像素電極160與漏極117b電連接。透明導電材料層可以包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)之一。不透明金屬層可以包括諸如鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al以及它們的合金的材料。另夕卜，透明導電材料層和不透明金屬層可以按照顛倒的順序層疊。在層疊透明導電材料層和不透明金屬層之后，如圖5所示，使用曝光處理形成具有3.5 μ m或更小的線寬W2的光刻膠圖案。此時，由于被曝光區(qū)內存在不透明金屬層，降低了透光率，所以不會產生卡盤瑕疵。注意，在僅透明導電材料層用于形成電極的情況下，即使光刻膠圖案具有4.3 μ m以下的線寬W1，也會由于透光率較高而產生卡盤瑕疵。針對透明導電材料層和不透明金屬層，使用具有3.5 μ m或更小線寬W2的光刻膠圖案作為蝕刻掩模(如圖5所示)，來執(zhí)行蝕刻處理，以形成第一像素電極160、第二像素電極161和公共電極171 (參見圖4)。第一像素電極160包括層疊在下基板100頂部的第一像素圖案部160a和第二像素圖案部160b。第二像素電極161包括層疊在下基板100頂部的第一像素電極圖案部161a和第二像素電極圖案部161b。公共電極171包括層疊在下基板100頂部的第一公共電極圖案171a和第二公共電極圖案171b。實際上，由于蝕刻處理中蝕刻劑的側面入侵(lateral intrusion),第二像素電極161和公共電極171以比光刻膠圖案的線寬(比如，3.5 μ m)窄的線寬形成。圖7A和圖7B是示出了根據(jù)一個實施方式用于形成寬度窄的細電極的蝕刻處理的視圖。圖5是示出根據(jù)一個實施方式在層疊透明導電材料層和不透明金屬層之后形成線寬細的電極的處理的截面圖。如上參考圖5所述，在基板184放在卡盤180上后，透明導電材料層280和不透明金屬層281順序形成在設置有陣列層270的基板(或下基板)184上，在陣列層270中層疊并形成有薄膜晶體管和絕緣層。透明導電材料層280和不透明金屬層281的形成順序可以彼此互換。在一個實施方式中，不透明金屬層281上的光刻膠圖案190具有3.5μπι的線寬W2。例如，使用24.1mJ的曝光量來形成光刻膠圖案190。在這種情況下，光刻膠圖案190之間的距離變?yōu)?4.3 μ m，通過在透明導電材料層上層疊的不透明金屬層得到70%的透光率。對于防止卡盤瑕疵，70%的透光率足夠低。例如，如果不透明金屬層由鑰鈦(Mo-Ti)合金形成，則不透明金屬層具有50 \至100人的厚度，以實現(xiàn)這樣的透光率。由ΙΤ0、IZO和ITZO之一形成的透明導電材料層280可以具有83%的透光率。同時，不透明金屬層281由于其本身的蔽光特性，通常具有低的透光率。這些實施方式使得不透明金屬層281較薄，以為不透明金屬層281提供73%的透光率。例如，當5θΑ厚度的不透明金屬層281是鑰鈦合金時，不透明金屬層281和透明導電材料層280的組合透光率變?yōu)?0%ο透明導電材料層280的厚度可以是500A,....
優(yōu)選的是，不透明金屬層281和透明導電材料層280的組合透光率是50%以上。低于50%的組合透光率會導致像素亮度降低，可能造成明顯的視角變窄。圖6是例示相對于各種光波長，單層ITO (500 A)膜、雙層ITO (500 A) /Cu (200A)膜、雙層 ITO (500 A), /Cu (100A)膜、雙層 ITO (500 A) /MoTi (150A)膜、雙層 ITO (500A) /MoTi (100A)膜和雙層ITO|(500A)./MoTi (20A)膜的透光率特征的曲線圖。從圖6看出，如果不透明金屬層281和透明導電材料層280層疊，則可以確定適于提供70%透光率的設計規(guī)范。該設計規(guī)范包括不透明金屬層和透明導電材料層的厚度和用于曝光處理的光波長。同樣，當根據(jù)確定的設計規(guī)范執(zhí)行電極形成處理時，可以形成具有3.5μπι或更小的細的線寬的電極，同時防止諸如卡盤瑕疵的缺陷。更具體地說，當不透明金屬層281和透明導電材料層280的疊層結構具有70%的透光率和50%的反射率時，可以在不產生卡盤瑕疵的情況下避免由于使用不透明金屬層281導致的透光率惡化。換句話說，如果疊層結構的透光率大于70%，那么產生卡盤瑕疵的幾率就相應增大。因此，疊層結構優(yōu)選地具有70%以下的透光率。以下，使用光刻膠圖案作為蝕刻掩模，對不透明金屬層281和透明導電材料層280進行蝕刻處理，以形成像素電極，各個光刻膠圖案具有3.5μπι或更小的線寬W2并且彼此之間分開14.3 μ m或更大的固定距離L2。從圖7A和圖7B看出，光刻膠圖案PR和使用蝕刻劑蝕刻出的電極圖案EP之間的蝕刻臨界尺寸(CD)偏差隨蝕刻時間而增大。圖中所示的“AL”表示陣列層。圖7A示出了被蝕刻了 0.3μπι的電極圖案EP，而圖7B示出了被蝕刻了 Iym的電極圖案ΕΡ。蝕刻距離的不同是由于蝕刻時間的增加導致的。同樣，當使用3.5 μ m或更小的光刻膠圖案進行蝕刻處理時，由于蝕刻臨界尺寸，實際形成的電極的線寬可能變窄。如果不透明金屬層由MoTi合金形成，那么不透明金屬層的透光率會隨著沉積時間的流逝而降低，而不透明金屬層的反射率會隨著沉積時間的流逝而提高。假設不透明金屬層具有這樣的特性并且透明導電材料層具有83%以上的透光率，當不透明金屬層配置為具有50%以上的透光率和25%以下的反射率時，這種疊層結構展現(xiàn)出70%的透光率特性。這種70%的透光率特性防止卡盤瑕疵。以這種方式，本實施方式允許以透明導電材料層和不透明金屬層的疊層結構形成的電極具有70%以下的透光率和50%以下的反射率，獲得了防止卡盤瑕疵的期望透光率。根據(jù)本公開的實施方式的IXD裝置及其制造方法允許電極形成為具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構。因此，在制造LCD裝置的曝光處理期間防止卡盤瑕疵的同時，可以提高像素區(qū)的透光率。另外，根據(jù)實施方式的LCD裝置及其制造方法可以提供分別具有細的線寬的像素電極。盡管僅根據(jù)上述實施方式而有限度地說明了本發(fā)明，但本領域普通技術人員將理解，本發(fā)明不限于這些實施方式，而是在不偏離本公開的精神的情況下可以有各種變型或修改。因此，本公開的范圍僅由所附權利要求書及其等同物確定。相關申請的交叉參考本申請要求2011年12月15日提交的韓國專利申請N0.10-2011-0135654和2012年4月10日提交的韓國專利申請N0.10-2012-0037395的優(yōu)先權，由此以引用的方式將其全部內容并入本文。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括: 基板； 在基板上的選通線和與所述選通線交叉的數(shù)據(jù)線，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線限定了像素區(qū)； 開關元件，其位于所述選通線和所述數(shù)據(jù)線的交叉點處； 一個或更多個像素電極，其位于所述像素區(qū)內且與所述數(shù)據(jù)線平行，所述一個或更多個像素電極是通過層疊透明導電材料層和不透明金屬層而形成的；以及 一個或更多個公共電極，其位于所述像素區(qū)內，以與所述一個或更多個像素電極交替，所述一個或更多個公共電極與所述數(shù)據(jù)線平行并且是通過層疊所述透明導電材料層和所述不透明金屬層而形成的； 其中，層疊的所述透明導電材料層和所述不透明金屬層被構造為把與所述像素電極和所述公共電極相對應的區(qū)域的透光率設置為一個值或者低于該值，以防止在用于制造所述液晶顯示裝置的光刻處理期間在所述液晶顯示裝置中形成缺陷。
2.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，形成所述像素電極和所述公共電極的所述透明導電材料層和所述不透明金屬層各具有3.5μπι或更小的線寬。
3.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述透明導電材料層包括從由銦錫氧化物ΙΤΟ、銦錫鋅氧化物ITZO和銦鋅氧化物IZO組成的組中選擇的材料。
4.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述不透明金屬層是從由鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al以及它們的合金組成的組中選擇的材料。
5.根據(jù)權利要求 1所述的液晶顯示裝置，其中，像素電極和相鄰的公共電極之間的距離是14.3μπι或更大。
6.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述值是50%到70%。
7.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述缺陷包括卡盤瑕疵。
8.一種液晶顯示裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟: 在基板上形成金屬膜； 使用第一掩模工序形成柵極、選通線和第一公共線； 在形成有所述柵極的所述基板上形成柵絕緣膜； 使用第二掩模工序在所述基板上形成溝道層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線； 在形成有所述源極和所述漏極的所述基板上形成保護膜； 使用第三掩模工序在所述保護膜中形成接觸孔，以露出所述漏極的一部分； 在形成有所述保護膜的所述基板上形成透明導電材料層和不透明金屬層；以及對所述不透明金屬層和所述透明導電材料層執(zhí)行根據(jù)第四掩模工序的蝕刻處理，以形成具有疊層結構的像素電極和公共電極， 其中，所述疊層結構被構造為把與所述像素電極和所述公共電極相對應的區(qū)域的透光率設置為一個值或低于該值，以防止在光刻處理期間在所述液晶顯示裝置中形成缺陷。
9.根據(jù)權利要求8所述的制造方法，其中，所述透明導電材料層和所述不透明金屬層各具有3.5μπι或更小的線寬。
10.根據(jù)權利要求8所述的制造方法，其中， 所述像素電極和所述公共電極設置為彼此交替；并且像素電極和相鄰的公共電極之間的距離是14.3μπι或更大。
11.根據(jù)權利要求8所述的制造方法，其中，所述透明導電材料層由從由銦錫氧化物ΙΤΟ、銦錫鋅氧化物ITZO和銦鋅氧化物IZO組成的組中選擇的材料形成。
12.根據(jù)權利要求8所述的制造方法，其中，所述不透明金屬層由從由鑰Mo、鈦T1、鉭Ta、鎢W、銅Cu、鉻Cr、鋁Al以及它們的合金組成的組中選擇的材料形成。
13.根據(jù)權利要求8所述的制造方法，其中，所述值是50%到70%。
14.根據(jù)權利要求8所述的制造 方法，其中，所述缺陷包括卡盤瑕疵。
全文摘要
公開一種液晶顯示裝置及其制造方法。液晶顯示裝置包括基板；設置為在基板上彼此交叉并限定了像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線；設置在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處的開關元件；以及在像素區(qū)內彼此交替地設置且平行于數(shù)據(jù)線的像素電極和公共電極。像素電極和公共電極形成為具有透明導電材料層和不透明金屬層的疊層結構，透明導電材料層和不透明金屬層各具有3.5μm或更小的線寬。這樣的液晶顯示裝置通過把電極形成為具有透明導電材料層和不透明金屬層的雙層結構，可以提高像素區(qū)的透光率同時防止卡盤瑕疵。
文檔編號H01L21/77GK103163693SQ20121018330
公開日2013年6月19日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權日2011年12月15日
發(fā)明者金江一, 李正一, 孫正浩 申請人:樂金顯示有限公司