本發(fā)明涉及到一種多溝槽終端肖特基器件，本發(fā)明還涉及一種多溝槽終端肖特基器件的制備方法。

背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體器件被大量使用在電源管理和電源應(yīng)用上，特別涉及到肖特基結(jié)的半導(dǎo)體器件已成為器件發(fā)展的重要趨勢(shì)，肖特基器件具有正向開(kāi)啟電壓低開(kāi)啟關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管可以通過(guò)多種不同的布局技術(shù)制造，最常用的為平面布局，傳統(tǒng)的平面肖特基二極管具有較為復(fù)雜的制造工藝，需要三次光刻腐蝕工藝完成器件的生產(chǎn)制造。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題提出，提供一種多溝槽終端肖特基器件及其制備方法。一種多溝槽終端肖特基器件，其特征在于：包括：襯底層，為半導(dǎo)體材料；漂移層，為第一傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；多個(gè)溝槽，位于器件邊緣漂移層中，溝槽內(nèi)壁表面有絕緣材料，臨靠溝槽側(cè)壁區(qū)域設(shè)置有第二傳導(dǎo)類(lèi)型半導(dǎo)體材料；肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于漂移層表面。一種多溝槽終端肖特基器件的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：在襯底層上通過(guò)外延生產(chǎn)形成第一傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體材料層；在表面形成第一鈍化層，在待形成溝槽區(qū)域表面去除第一鈍化層；進(jìn)行雜質(zhì)摻雜；進(jìn)行刻蝕半導(dǎo)體材料，形成溝槽；在溝槽內(nèi)壁形成第二鈍化層，腐蝕去除器件表面第一鈍化層；在器件表面淀積金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件具有多個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)的終端，將浮空?qǐng)鱿蕲h(huán)加入到器件的溝槽終端結(jié)構(gòu)中，同時(shí)簡(jiǎn)化了器件的制造流程。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的一種多溝槽終端肖特基器件剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的第二種多溝槽終端肖特基器件剖面示意圖；圖3為本發(fā)明的第三種多溝槽終端肖特基器件剖面示意圖。其中，1、襯底層；2、二氧化硅；3、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；4、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料；5、肖特基勢(shì)壘結(jié)；10、上表面金屬層；11、下表面金屬層。具體實(shí)施方式實(shí)施例1圖1為本發(fā)明的一種多溝槽終端肖特基器件剖面圖，下面結(jié)合圖1詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種多溝槽終端肖特基器件，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過(guò)下表面金屬層11引出電極；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4，位于溝槽側(cè)壁和底部，為P傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料；肖特基勢(shì)壘結(jié)5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料與勢(shì)壘金屬形成的硅化物；二氧化硅2，位于溝槽內(nèi)壁；器件邊緣的溝槽間距為3um，溝槽深度為5um；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層3；第二步，表面淀積氮化硅，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分氮化硅；第三步，進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4；第四步，干法刻蝕，去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第五步，進(jìn)行熱氧化工藝，在溝槽內(nèi)壁形成二氧化硅2，腐蝕去除氮化硅；第六步，在半導(dǎo)體材料表面淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)5，然后在表面淀積金屬形成上表面金屬層10，進(jìn)行光刻腐蝕工藝腐蝕去除表面部分金屬；第七步，進(jìn)行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。實(shí)施例2圖2為本發(fā)明的一種多溝槽終端肖特基器件剖面圖，下面結(jié)合圖2詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種多溝槽終端肖特基器件，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過(guò)下表面金屬層11引出電極；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4，位于溝槽側(cè)壁和底部，為P傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料；肖特基勢(shì)壘結(jié)5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料與勢(shì)壘金屬形成的硅化物；二氧化硅2，位于溝槽內(nèi)壁；器件邊緣的溝槽間距為3um，溝槽深度為3um；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層3；第二步，表面淀積氮化硅，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分氮化硅；第三步，進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4；第四步，干法刻蝕，去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第五步，進(jìn)行熱氧化工藝，在溝槽內(nèi)壁形成二氧化硅2，腐蝕去除氮化硅；第六步，在半導(dǎo)體材料表面淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)5，然后在表面淀積金屬形成上表面金屬層10，進(jìn)行光刻腐蝕工藝腐蝕去除表面部分金屬；第七步，進(jìn)行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，器件結(jié)構(gòu)如圖2所示。實(shí)施例3圖3為本發(fā)明的一種多溝槽終端肖特基器件剖面圖，下面結(jié)合圖3詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。一種多溝槽終端肖特基器件，包括：襯底層1，為N導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E19/CM3，在襯底層1下表面，通過(guò)下表面金屬層11引出電極；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3，位于襯底層1之上，為N傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料，磷原子的摻雜濃度為1E16/CM3；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4，位于溝槽側(cè)壁和底部，為P傳導(dǎo)類(lèi)型的半導(dǎo)體硅材料；肖特基勢(shì)壘結(jié)5，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料3的表面，為半導(dǎo)體硅材料與勢(shì)壘金屬形成的硅化物；二氧化硅2，位于溝槽內(nèi)壁；器件邊緣的溝槽間距為1um，溝槽深度為3um；器件上表面附有上表面金屬層10，為器件引出另一電極。其制作工藝包括如下步驟：第一步，在襯底層1表面外延形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層3；第二步，表面淀積氮化硅，進(jìn)行光刻腐蝕工藝，半導(dǎo)體材料表面去除部分氮化硅；第三步，進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料4；第四步，干法刻蝕，去除部分裸露半導(dǎo)體硅材料形成溝槽；第五步，進(jìn)行熱氧化工藝，在溝槽內(nèi)壁形成二氧化硅2，腐蝕去除氮化硅；第六步，在半導(dǎo)體材料表面淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)5，然后在表面淀積金屬形成上表面金屬層10，進(jìn)行光刻腐蝕工藝腐蝕去除表面部分金屬；第七步，進(jìn)行背面金屬化工藝，在背面形成下表面金屬層11，器件結(jié)構(gòu)如圖3所示。通過(guò)上述實(shí)例闡述了本發(fā)明，同時(shí)也可以采用其它實(shí)例實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)例，因此本發(fā)明由所附權(quán)利要求范圍限定。