專利名稱：一種基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及自旋輸運(yùn)器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域的微波振蕩器。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)通信和衛(wèi)星通信的迅速發(fā)展，對器件小型化、集成化的要求越來越迫切。以手機(jī)為例，目前每個(gè)手機(jī)中約有幾百個(gè)無源電子元件，因此無源電子元件的小型化和集成化對手機(jī)產(chǎn)品的輕便化起決定性作用。同時(shí)，移動(dòng)通訊也向高頻化和寬頻化發(fā)展，早期的第一代移動(dòng)通信所用的頻段在800 MHz-900 MHz之間，以數(shù)字信號為主要特征的第二代移動(dòng)通信所用的頻段則在900 MHz和1.8 GHz左右，目前正在研究更高頻段的新技術(shù)。因此，尋找具有良好的高頻特性、寬頻可調(diào)、以及易于小型化和集成化的新型材料和器件是目前研究開發(fā)的一個(gè)重要目標(biāo)，市場需求也非常旺盛。近來研究發(fā)現(xiàn)，利用電子的自旋特性增加器件的功能可能滿足上述要求。當(dāng)自旋極化直流電流垂直通過納米尺寸的鐵磁性多層膜(自由層/隔離層/固定層)時(shí)，會產(chǎn)生自旋轉(zhuǎn)移力矩(spin transfer torque, STT)，在合適的條件下會引起自由層磁化發(fā)生磁阻振蕩，輸出高頻信號[S. I. Kiselev, et al.,《Nature》，425，380 (2003)]。這種通過磁阻振蕩將直流輸入信號轉(zhuǎn)換為微波輸出信號的微波振蕩器具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小(比現(xiàn)有技術(shù)的VCO振蕩器小50倍)、微波調(diào)制范圍寬(達(dá)O. I 100 GHz)、易集成、以及工作電壓低(〈O. 5V)等，近來成為研究的重要熱點(diǎn)。然而，目前，國際上對自旋微波振蕩器的制備和應(yīng)用方面所遇到的“瓶頸”問題是在絕大部分現(xiàn)有技術(shù)中，需要在施加外部磁場條件下才能實(shí)現(xiàn)微波輸出，這給器件的制作和今后實(shí)際應(yīng)用帶來了技術(shù)挑戰(zhàn)，并且現(xiàn)有技術(shù)制作的自旋微波器件的輸出功率低。因此，要滿足實(shí)際應(yīng)用要求，急需提高器件的輸出功率和解決微波輸出對磁場的依賴問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種基于垂直磁化自由層和面內(nèi)磁化固定層結(jié)構(gòu)的自旋微波振蕩器及其制造方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案
一種基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，包括磁性多層膜以及與所述磁性多層膜連接的電極，所述磁性多層膜包括
由非磁性金屬材料構(gòu)成的種子層；
形成于種子層上的，具有面內(nèi)平衡磁化狀態(tài)的第一磁性層；
形成于第一磁性層之上的非磁性隔離層；
形成于非磁性隔離層之上的具有垂直磁化的磁性自由層；
以及，形成于自由層之上的保護(hù)層。進(jìn)一步的講，所述非磁性隔離層優(yōu)選采用厚度為I. Onm 6. O nm的非磁性金屬層和/或厚度為O. 5 nm I. O nm的隧道絕緣層。所述非磁性隔離層優(yōu)選采用無機(jī)材料絕緣膜和/或有機(jī)材料絕緣膜，所述無機(jī)材料絕緣膜至少選自金屬氧化物絕緣膜、金屬氮化物絕緣膜、類金剛石薄膜、EuS薄膜和Ga2O3薄膜中的任意一種或兩種以上的組合。所述金屬氧化物或金屬氮化物是由能構(gòu)成絕緣層的金屬元素經(jīng)氧化或氮化形成，所述金屬元素至少選自Al、Ta、Zr、Zn、Sn、Nb和Mg中的任意一種或兩種以上的組合,但不限于此。所述第一磁性層主要由具有面內(nèi)平衡磁化狀態(tài)的磁性材料制成，所述磁性材料優(yōu)選采用具有磁性的合金和/或化合物。 所述磁性材料至少選自3d過渡族磁性金屬或其合金、4f稀土金屬或其合金和半金屬磁性材料中的任意一種或兩種以上的組合；
所述3d過渡族磁性金屬或其合金優(yōu)選選自Fe、Co、Ni、CoFe, NiFe和CoFeB中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。所述半金屬磁性材料至少選自Fe304、CrO2> Laa7Sra3MnO3和Heussler合金中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。所述磁性自由層由具有垂直磁化的鐵磁性材料制成，所述鐵磁性材料至少選自Fe、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、Cu/Ni和TeFeCoAl中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。優(yōu)選的，所述的自旋微波振蕩器還包括反鐵磁性層，所述第一磁性層形成于該反鐵磁性層之上。所述反鐵磁性層優(yōu)選由反鐵磁合金和/或反鐵磁化合物形成；
所述反鐵磁合金至少選自Pt-Μη、Pd-Mn> Fe-Mn> Ir-Mn和Rh-Mn中的任意一種或兩種以上的組合，但不限于此。所述電極包括由非磁性金屬層構(gòu)成的上、下電極，所述非磁性金屬優(yōu)選采用CuN
坐寸ο所述磁性多層膜為橫向尺寸在100±50 nm的柱狀結(jié)構(gòu)或直徑為50 nm左右的點(diǎn)
接觸結(jié)構(gòu)。如上所述自旋微波振蕩器的制造方法采用磁控濺射方法在襯底上自下而上依次形成種子層、第一磁性層、非磁性隔離層、磁性自由層及保護(hù)層，再通過微電子工藝將形成的磁性多層膜加工為橫向尺寸在100±50納米的柱狀或點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)(尤其優(yōu)選采用直徑為50 nm左右的)，其后在磁性多層膜上設(shè)置上、下電極，形成目標(biāo)產(chǎn)物。所述襯底優(yōu)選采用Si/Si02襯底。所述微電子工藝包括依次進(jìn)行的電子束曝光、紫外曝光、薄膜沉淀以及剝離工序。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于該自旋微波振蕩器中固定層的初始磁化方向位于膜平面內(nèi)，而自由層的初始磁化方向垂直于膜平面，兩個(gè)磁性層的磁化方向呈90°，有利于獲得大的微波功率輸出，亦不需要外加磁場，同時(shí)還具有尺寸小、結(jié)構(gòu)簡單、寬頻可調(diào)和易集成等特點(diǎn)，此外，該自旋微波振蕩器制備方法簡單，易于實(shí)施，成本低廉。


圖I是本發(fā)明自旋微波振蕩器中磁性多層膜的結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明中基于納米柱方案的自旋微波振蕩器的結(jié)構(gòu)示意 圖3是本發(fā)明中基于納米點(diǎn)接觸方案的自旋微波振蕩器的結(jié)構(gòu)示意 圖4是本發(fā)明實(shí)施例2中自旋微波振蕩器的結(jié)構(gòu)示意 圖5是本發(fā)明實(shí)施例3中自旋微波振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例3中自旋微波振蕩器的零磁場下在不同外加直流電流下的微波輸出曲線。 圖7是本發(fā)明實(shí)施例4中自旋微波振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式概括的講，參閱圖1，本發(fā)明的基于垂直磁化自由層和面內(nèi)磁化固定層的自旋微波振蕩器包括如下核心薄膜結(jié)構(gòu)具有面內(nèi)平衡磁化的鐵磁性層或半金屬磁性層1(第一磁性層)，且其磁化方向相對固定；形成于前述磁性層之上的非磁性隔離層2，當(dāng)隔離層為非磁性金屬層時(shí)，其厚度在I. O 6. O nm之間，而當(dāng)隔離層為隧道絕緣層時(shí)，其典型厚度在O. 5nm I. 5 nm之間以滿足有足夠大的電流通過納米磁性隧道結(jié)；以及形成于隔離層之上的第二磁性層3 (磁性自由層)，其平衡磁化方向垂直于膜平面且其磁化方向可在小的外磁場作用下發(fā)生變化。一個(gè)穩(wěn)定的直流電流垂直通過所述納米磁性多層結(jié)構(gòu)產(chǎn)生自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)，引起自由層的磁矩矢量發(fā)生振蕩導(dǎo)致磁電阻的周期性變化，從而產(chǎn)生穩(wěn)定的微波振蕩。參閱圖2所示，作為本發(fā)明的典型實(shí)施方式之一，該自旋微波振蕩器包括一個(gè)具有面內(nèi)磁化的鐵磁性層或半金屬磁性層(如Co4ciFe4tlB2tl 2 nm)和一個(gè)具有垂直磁化的鐵磁性層(如Co2ciFe6ciB2ci I. 2 nm，當(dāng)該材料的厚度比較薄時(shí)其平衡磁化方向?yàn)榇怪蹦っ?，在兩磁性層之間夾有厚度為一到幾個(gè)納米的非磁性金屬層或絕緣勢壘層(如MgO 0.8 nm)。所述振蕩器還包括上、下兩層非磁性金屬層(如CuN)充當(dāng)上、下電極。進(jìn)一步的，所述磁性多層膜還可采用微電子加工技術(shù)制備磁性納米柱(通常尺寸在100 nm左右)的結(jié)構(gòu)。一個(gè)穩(wěn)定的直流電流垂直通過所述納米柱，當(dāng)電流在一定值時(shí)由于自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)引起自由層的磁矩矢量發(fā)生振蕩，并導(dǎo)致磁性多層電阻的周期性變化，從而產(chǎn)生穩(wěn)定的微波振蕩。這種方法稱之為納米柱結(jié)構(gòu)方案[S. I. Kiselev, et al. , Nature 425, 380 (2003)]。參閱圖3所示，作為本發(fā)明的典型實(shí)施方式之二，該振蕩器的磁性多層膜結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式一類似。采用微電子加工技術(shù)制備納米點(diǎn)接觸，其磁性多層膜保持完整，點(diǎn)接觸的直徑優(yōu)選在50 nm左右(圖中氧化鋁層10起絕緣作用，以使電流只有通過點(diǎn)接觸注入到磁性多層膜中)。直流電流通過納米點(diǎn)接觸垂直注入到磁性多層膜中，當(dāng)電流在一定值時(shí)由于自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)引起自由層的磁矩矢量發(fā)生振蕩，并導(dǎo)致磁性多層電阻的周期性變化，從而產(chǎn)生穩(wěn)定的微波振蕩。這種方法稱之為納米點(diǎn)接觸方案[W. H. Rippard, et al.，Phys. Rev. Lett. 92, 027201 (2004)]。以下結(jié)合若干較佳實(shí)施例及附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說明。實(shí)施例I參閱圖2，該基于垂直磁化自由層和面內(nèi)磁化固定層結(jié)構(gòu)的自旋微波振蕩器結(jié)構(gòu)如下首先在基片上形成一個(gè)CuN種子層9;然后在CuN種子層上形成一個(gè)下部鐵磁性Co4ciFe4tlB2tl層，其厚度為2 nm,且該層的磁化方向平行于薄膜表面的；一個(gè)形成于鐵磁性Co4ciFe4tlB2tl層之上的隔離層，即厚度O. 8 nm的MgO勢壘層；一個(gè)形成于隔離層之上的另一個(gè)磁性Co2tlFe6tlB2tl層以及一個(gè)形成于第二鐵磁性層之上的CuN保護(hù)層。Co2tlFe6tlB2tl層的磁化方向垂直于薄膜平面，與第一個(gè)磁性材料層在沒有磁場作用下大約成90度角，Co20Fe60B20層的磁化方向的改變是對一個(gè)作用的磁場作出反應(yīng)以及旋轉(zhuǎn)形成的。然后通過電子束曝光、離子束刻蝕、剝離等微電子加工技術(shù)制備磁性納米柱器件。應(yīng)當(dāng)注意到，前述種子層也可由Ta、Ru、Cu等非磁性金屬構(gòu)成；前述隔離層也可由Au、Cu和Cr等非磁性金屬、或金屬氧化物絕緣膜、或金屬氮化物絕緣膜、有機(jī)或無機(jī)材料絕緣膜、或類金剛石薄膜、或EuS等材料構(gòu)成。第一磁性層也可選自于3d過渡族鐵磁性金屬或4f稀土金屬及其合金,如Fe、CoFe> CoFeB、Heusler合金；第二磁性層也可由Fe、CoFeB、Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、Cu/Ni、TeFeCoAl等具有垂直磁化的材料構(gòu)成；保護(hù)層也可由Au、Pt等金屬材料構(gòu)成。 實(shí)施例2在前述實(shí)施例中，第一磁性層的平衡磁化方向由材料的面內(nèi)磁化決定，其方向是相對固定的。但當(dāng)其矯頑力較小時(shí)，其磁化方向在可以在較小的外場作用發(fā)生翻轉(zhuǎn)，進(jìn)而影響微波振蕩器的微波性能。針對上述問題，本實(shí)施例進(jìn)一步提出一種屬于釘扎型微波振蕩器，其結(jié)構(gòu)如圖4所示，S卩首先在基片上形成一個(gè)種子層；然后在種子層上形成一個(gè)反鐵磁性層，在反鐵磁性層之上形成下部鐵磁性層或半金屬層(參考層)，參考層的平衡磁化方向由于反鐵磁性的釘扎作用而相對固定的；一個(gè)形成于參考層之上的非磁性隔離層；一個(gè)形成于非磁性隔離層之上的另一個(gè)鐵磁性層(敏感層)以及一個(gè)形成于敏感層之上的保護(hù)層。敏感層的磁化方向垂直于薄膜平面，與第一個(gè)磁性材料層在沒有磁場作用下大約成90度角。采用電子束曝光、薄膜沉淀、剝離等微電子加工技術(shù)制作成納米柱或納米點(diǎn)接觸型的自旋微波振蕩器。本實(shí)施例中的種子層4、下部磁性層I、隔離層2、磁性層3和保護(hù)層5的材料與第一實(shí)施例相似，故省略其描述。前述反鐵磁性層4由Pt-Μη、Pd-Mn、Fe-Mn、Ir-Mn, Rh-Mn或NiO等反鐵磁合金構(gòu)成。實(shí)施例3在前述實(shí)施例2中，反鐵磁性層4釘扎鐵磁性或半金屬層I也可由反鐵磁性層4與鐵磁性層/非磁性金屬層/鐵磁性層(FM/NM/FM)復(fù)合多層膜構(gòu)成，其中FM/NM/FM復(fù)合多層膜形成人工反鐵磁性耦合層，從而使磁性層I的磁化方向固定。這里FM與實(shí)施例I中的下部磁性層I材料類似，匪由Ru、Cu、Ag等非磁性金屬構(gòu)成,其厚度在O. 8 nm左右，滿足FM/NM/FM復(fù)合多層膜形成人工反鐵磁性耦合的條件，其基本結(jié)構(gòu)如圖5所示。這里給出一個(gè)具體材料的實(shí)施例，在Si/Si02襯底上，通過磁控濺射方法自而下依次沉淀種子層(3 nm Ta /10 nm CuN /5 nm Ta)、反鐵磁性層4 (15 nm IrMn)、人工反鐵磁稱合層FM/NM/NM (2. 5 nm Co70Fe30/0. 85 nm Ru /2. 5 nm Co20Fe60B20)、非磁性隔離層 2 (O. 8 nm Mg。)、鐵磁性自由層(I. 6 nm Co2tlFe6tlB2tl)以及保護(hù)層(10 nm Cu/5 nm Ta)。然后通過電子束曝光、紫外曝光、薄膜沉淀、以及剝離等微電子加工技術(shù)制成橢圓形的納米柱(150 nm X 60nm)器件。這種納米磁性隧道結(jié)器件具有80%的磁電阻變化率。圖6示出了零磁場下在不同外加直流電流下的微波輸出曲線，微波輸出頻率在IGHz左右，并且微波頻率可通過電流進(jìn)行調(diào)制。其輸出功率在30 nW左右，可以進(jìn)一步采用若干個(gè)這樣的微波振蕩串聯(lián)來實(shí)現(xiàn)同步振蕩來實(shí)現(xiàn)高功率輸出。實(shí)施例4在以上實(shí)施例中給出的均只有一個(gè)非磁性隔離層和一個(gè)固定層，稱之為單自旋閥結(jié)構(gòu)。也可設(shè)計(jì)成雙自旋閥結(jié)構(gòu)，如圖7所示在自由層3之再形成一層非磁性隔離層6，另一面內(nèi)磁化固定層7形成于非磁性隔離層6之上，以及第二層反鐵磁性形成于固定層7之上。這里，非磁性隔離層6與非磁性隔離層2類似；固定層7的材料與固定層I相似，反鐵磁性層8與反鐵磁性層4類似。本實(shí)施例中的種子層、下部磁性層I、非磁性隔離層2、鐵磁性層3、反鐵磁性層4、保護(hù)層5的材料與第一實(shí)施例相似,故省略其描述。 需要指出的是，上述較佳實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，包括磁性多層膜以及與所述磁性多層膜連接的電極，其特征在于，所述磁性多層膜包括 由非磁性金屬材料構(gòu)成的種子層； 形成于種子層上的，具有面內(nèi)平衡磁化狀態(tài)的第一磁性層(I); 形成于第一磁性層(I)之上的非磁性隔離層(2); 形成于非磁性隔離層(2)之上的具有垂直磁化的磁性自由層(3)； 以及，形成于自由層(3)之上的保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述非磁性隔離層優(yōu)選采用厚度為I. Onm 6. O nm的非磁性金屬層和/或厚度為O. 5 nm I. Onm的隧道絕緣層。
3.如權(quán)利要求I或2所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述非磁性隔離層優(yōu)選采用無機(jī)材料絕緣膜和/或有機(jī)材料絕緣膜，所述無機(jī)材料絕緣膜至少選自金屬氧化物絕緣膜、金屬氮化物絕緣膜、類金剛石薄膜、EuS薄膜和Ga2O3薄膜中的任意一種或兩種以上的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述金屬氧化物或金屬氮化物是由能構(gòu)成絕緣層的金屬元素經(jīng)氧化或氮化形成，所述金屬元素至少選自Al、Ta、Zr、Zn、Sn、Nb和Mg中的任意一種或兩種以上的組合。
5.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述第一磁性層(I)主要由具有面內(nèi)平衡磁化狀態(tài)的磁性材料制成，所述磁性材料優(yōu)選采用具有磁性的合金和/或化合物。
6.如權(quán)利要求5所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述磁性材料至少選自3d過渡族磁性金屬或其合金、4f稀土金屬或其合金和半金屬磁性材料中的任意一種或兩種以上的組合； 所述3d過渡族磁性金屬或其合金至少選自Fe、Co、Ni、CoFe、NiFe和CoFeB中的任意一種或兩種以上的組合； 所述半金屬磁性材料至少選自Fe304、CrO2> Laa7Sra3MnO3和Heussler合金中的任意一種或兩種以上的組合。
7.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述磁性自由層(L2)由具有垂直磁化的鐵磁性材料制成，所述鐵磁性材料至少選自Fe、CoFeB,Co/Pt、Co/Pd、Co/Ni、Cu/Ni和TeFeCoAl中的任意一種或兩種以上的組合。
8.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，它還包括反鐵磁性層，所述第一磁性層(I)形成于該反鐵磁性層之上。
9.如權(quán)利要求8所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述反鐵磁性層優(yōu)選由反鐵磁合金和/或反鐵磁化合物形成； 所述反鐵磁合金至少選自Pt-Μη、Pd-Mn> Fe-Mn> Ir-Mn和Rh-Mn中的任意一種或兩種以上的組合。
10.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述電極包括由非磁性金屬層構(gòu)成的上、下電極。
11.如權(quán)利要求I所述的基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器，其特征在于，所述磁性多層膜為橫向尺寸在100 ±50 nm的柱狀結(jié)構(gòu)或點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求I所述基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器的制造方法，其特征在，該方法為采用磁控濺射方法在襯底上自下而上依次形成種子層、第一磁性層(I)、非磁性隔離層(2)、磁性自由層(3)及保護(hù)層，再通過微電子工藝將形成的磁性多層膜加工為橫向尺寸在100±50 nm的柱狀或50 nm左右的點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，其后在磁性多層膜上設(shè)置上、下電極，形成目標(biāo)產(chǎn)物。
13.如權(quán)利要求12所述基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器的制造方法，其特征在于，所述襯底優(yōu)選米用Si/Si02襯底。
14.如權(quán)利要求12所述基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器的制造方法，其特征在 于，所述微電子工藝包括依次進(jìn)行的電子束曝光、紫外曝光、薄膜沉淀以及剝離工序。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于垂直磁化自由層的自旋微波振蕩器及其制造方法。該自旋微波振蕩器包括磁性多層膜以及與其連接的電極，磁性多層膜包括種子層；形成于種子層上的，具有面內(nèi)平衡磁化狀態(tài)的第一磁性層；形成于第一磁性層之上的非磁性隔離層；形成于非磁性隔離層之上的具有垂直磁化的磁性自由層；以及形成于自由層之上的保護(hù)層。其制造方法為采用磁控濺射方法在襯底上依次形成磁性多層膜，再通過微電子工藝將磁性多層膜加工為納米柱狀或點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)，并在磁性多層膜上設(shè)置上、下電極，形成目標(biāo)產(chǎn)物。該自旋微波振蕩器可獲得大的微波功率輸出，亦無需外加磁場，同時(shí)還具有尺寸小、結(jié)構(gòu)簡單、寬頻可調(diào)和易集成等特點(diǎn)，且易于制備，成本低廉。
文檔編號H01P11/00GK102637939SQ20121012973
公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者張寶順, 曾中明 申請人:中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所