專利名稱：對(duì)于具有三層掩膜的蝕刻線彎曲和傾斜的預(yù)防的制作方法
對(duì)于具有三層掩膜的蝕刻線彎曲和傾斜的預(yù)防
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)期間通過掩膜蝕刻蝕刻層。更具體地說，本發(fā)明涉及使用三層掩膜進(jìn)行的蝕刻。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)前述的內(nèi)容并依據(jù)本發(fā)明的目的，提供了一種在蝕刻層上蝕刻特征的方法。使用硬掩膜作為蝕刻掩膜，蝕刻有機(jī)的掩膜層。通過針對(duì)有機(jī)掩膜和蝕刻層選擇性地蝕刻硬掩膜，去除硬掩膜。使用有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜，將特征蝕刻在蝕刻層上。 在本發(fā)明的另一個(gè)公開聲明中，提供了一種在蝕刻層上蝕刻特征的方法，蝕刻層置于有機(jī)掩膜層下面，有機(jī)掩膜層置于硬掩膜層下面，硬掩膜層置于圖案化光刻膠掩膜下面。使用圖案化光刻膠掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻硬掩膜層以形成硬掩膜。使用硬掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻有機(jī)掩膜層，包括提供無氫有機(jī)蝕刻氣體，使無氫有機(jī)蝕刻氣體形成等離子體，以及使用等離子體蝕刻有機(jī)掩膜。通過針對(duì)有機(jī)掩膜和蝕刻層選擇性地蝕刻硬掩膜以去除硬掩膜。使用有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜，在蝕刻層上蝕刻特征。本發(fā)明的這些和其他特征將在本發(fā)明的具體實(shí)施方式
中結(jié)合附圖更具體地進(jìn)行說明。


在附圖中，本發(fā)明是通過示例的方法而不是通過約束的方法來說明，附圖中類似的參考數(shù)字指代類似的元素，其中圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式的流程2A-E是按照本發(fā)明的實(shí)施方式而被處理的堆疊的示意圖。圖3是可以用來進(jìn)行蝕刻的等離子處理室的示意圖。圖4圖示了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)適用于在本發(fā)明的實(shí)施方式中起到控制器的作用。圖5是使用含氫蝕刻氣體進(jìn)行處理的堆疊。圖6A-B是沒有首先去除硬掩膜而被處理的堆疊。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考如附圖中所闡釋的本發(fā)明的一些優(yōu)選的實(shí)施方式詳細(xì)描述本發(fā)明。在以下的描述中，提出許多具體細(xì)節(jié)以便對(duì)本發(fā)明有一個(gè)徹底的理解。然而對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯而易見，沒有這些具體細(xì)節(jié)的一些或者全部本發(fā)明也可以實(shí)現(xiàn)。在其它示例中，沒有詳細(xì)描述公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)以免不必要地使本發(fā)明難以理解。為了便于理解，圖I是用于本發(fā)明的實(shí)施方式中的處理過程的高階流程圖。提供了在蝕刻層中蝕刻特征的方法。將具有蝕刻層的晶片放入等離子處理室中，蝕刻層在有機(jī)層下面，有機(jī)層在硬掩膜層下面，硬掩膜層在光刻膠掩膜下面(步驟104)。使用光刻膠掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻硬掩膜層(步驟108)。使用硬掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻有機(jī)掩膜層(步驟112)。優(yōu)選地，使用無氫蝕刻氣體蝕刻有機(jī)掩膜層。選擇性地去除硬掩膜(步驟116)。然后蝕刻蝕刻層(步驟120)。將晶片從等離子體處理室中去除(步驟124)。
實(shí)施例在本發(fā)明的具體的實(shí)施例中，將具有蝕刻層的晶片放入等離子處理室，蝕刻層在有機(jī)層下面，有機(jī)層在硬掩膜層下面，硬掩膜層在光刻膠掩膜下面(步驟104)。圖2A是具有光刻膠掩膜216的堆疊200的橫截面示意圖，其中光刻膠掩膜216在硬掩膜層212上形成，硬掩膜層212在有機(jī)掩膜層210上形成，有機(jī)掩膜層210在蝕刻層208上形成，蝕刻層208在基底204上形成。諸如抗反射層之類的一個(gè)或者多個(gè)附加層可置于這個(gè)實(shí)施例中所述的層之間。另外，一個(gè)或多個(gè)層可置于蝕刻層208和基底204之間。蝕刻層208可以是諸如二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，或者低k介電材料制成的介電層，或者蝕刻層208也可以是諸如硅之類的導(dǎo)體。在這個(gè)實(shí)施例中，蝕刻層是氧化硅。在這個(gè)實(shí)施例中需要注意的是，圖案化光刻膠掩膜形成了多個(gè)窄線220和寬線224。在這個(gè)實(shí)施例中，寬線224的寬度比窄 線220的寬度寬至少四倍。圖3是等離子處理室300的示意圖，其可以在以下一個(gè)或多個(gè)步驟中使用等離子處理室300。等離子處理室300包括約束環(huán)302 (但是其他的實(shí)施方式可以用其他的約束裝置)，上部電極304，下部電極308，氣體源310和排氣泵320。在等離子體處理室300內(nèi)部，基底204放在下部電極308上面。下部電極308包括合適的基底卡緊裝置(例如，靜電的機(jī)械夾具或者類似物)用來控制基底204。反應(yīng)器頂308包括上部電極304，上部電極304直接置于下部電極308的對(duì)面。上部電極304，下部電極308和約束環(huán)302限定了約束等離子體容積340。氣體從氣體源310通過氣體入口 343供應(yīng)給約束等離子體容積340，并且通過排氣泵320經(jīng)由約束環(huán)302和排氣孔從約束等離子體容積排出。排氣泵320除了有助于排除氣體外，還有助于調(diào)節(jié)壓強(qiáng)。在這個(gè)實(shí)施方式中，氣體源310包括硬掩膜蝕刻氣體源312，有機(jī)層蝕刻氣體源314，硬掩膜去除氣體源316和蝕刻層蝕刻氣體源318。氣體源310可進(jìn)一步包括其他氣體源。射頻電源348與下部電極308電連接。室壁352圍繞約束環(huán)302，上部電極304和下部電極308?？纱嬖谶B接射頻電源和電極的不同組合方式。在優(yōu)選實(shí)施方式中，27兆赫茲、60兆赫茲和2兆赫茲的功率源組成與下部電極連接的射頻電源348，并且上部電極接地?？刂破?35可控地連接到射頻電源348、排氣泵320和氣體源310。處理室可以是電容耦合等離子體反應(yīng)器(CCP)或者電感耦合等離子體反應(yīng)器(ICP)。圖4是示出了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400的高階的方框圖，適合在本發(fā)明的實(shí)施方式當(dāng)中使用控制器335。所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以有許多實(shí)物形態(tài)，從集成電路，印刷電路板和小型的手持設(shè)備直至巨型的超級(jí)計(jì)算機(jī)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400包括一個(gè)或者多個(gè)處理器402，并且還能包括電子顯示設(shè)備404 (用來顯示圖象，文本和其他數(shù)據(jù))，主存儲(chǔ)器(例如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM))，存儲(chǔ)設(shè)備408 (例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器)，移動(dòng)式存儲(chǔ)設(shè)備410 (例如，光盤驅(qū)動(dòng)器)，用戶接口設(shè)備412 (例如，鍵盤，觸摸屏，數(shù)字小鍵盤，鼠標(biāo)或者其他指點(diǎn)器等等)和通信接口414(例如，無線網(wǎng)絡(luò)接口)。通信接口 414允許軟件和數(shù)據(jù)通過鏈接在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400和外部設(shè)備之間傳輸。所述系統(tǒng)還可包括通信基礎(chǔ)設(shè)施416 (例如，通信總線，交叉桿或者網(wǎng)絡(luò))，上述的裝置/模塊都和所述通信基礎(chǔ)設(shè)施416連接。通過通信接口 414傳輸?shù)男畔⒖梢允悄芡ㄟ^攜帶信號(hào)的通信鏈接由通信接口 414接收的諸如電子信號(hào)，電磁信號(hào)，光學(xué)信號(hào)或者其他信號(hào)等信號(hào)的形式存在，并且可以使用電線或者電纜、光纖、電話線、移動(dòng)電話連接、射頻連接和/或其他通信信道實(shí)現(xiàn)的。使用這樣的通信接口，可以預(yù)期在實(shí)行上述方法步驟的過程中，一個(gè)或者多個(gè)處理器402可以從網(wǎng)絡(luò)接收信息，或者可以向網(wǎng)絡(luò)輸出信息。而且，本發(fā)明的方法實(shí)施方式可以在處理器上單獨(dú)實(shí)行或者可以在網(wǎng)絡(luò)上實(shí)行，所述網(wǎng)絡(luò)諸如和遠(yuǎn)程處理器連接的互聯(lián)網(wǎng)，所述遠(yuǎn)程處理器分享處理過程的部分。術(shù)語“非瞬時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)” 一般被用來指諸如以下媒介主存儲(chǔ)器，輔助存儲(chǔ)器，可移動(dòng)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)裝置諸如硬盤，閃速存儲(chǔ)器，硬盤驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器，CD-ROM和其他形式的持久性存儲(chǔ)器，并且不應(yīng)當(dāng)解釋為暫時(shí)的主題，諸如載波或者信號(hào)。計(jì)算機(jī)編碼的實(shí)施例包括諸如由編譯程序產(chǎn)生的機(jī)器編碼，以及包含通過計(jì)算機(jī)使用翻譯器執(zhí)行的更高階的編碼的文檔。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)也可以是用包含在載波當(dāng)中的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)牟⑶掖砜捎商幚砥鲌?zhí)行的一系列指令的計(jì)算機(jī)編碼。等離子處理室300可以將圖案從光刻膠掩膜216傳輸?shù)接惭谀?12 (步驟108)。 圖2B是已經(jīng)蝕刻掉硬掩膜210后堆疊200的橫截面示意圖。通常，硬掩膜蝕刻氣體從硬掩膜蝕刻氣體源312流入等離子處理室。硬掩膜蝕刻氣體形成等離子體，從而蝕刻硬掩膜層。硬掩膜蝕刻氣流然后停止。然后將圖案從硬掩膜212傳輸?shù)接袡C(jī)掩膜層210，形成圖案化的有機(jī)掩膜(步驟112)。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式當(dāng)中，有機(jī)掩膜的蝕刻包括將來自有機(jī)蝕刻氣體源314的無氫有機(jī)蝕刻氣體注入等離子體處理室,使有機(jī)蝕刻氣體形成等離子體,用等離子體蝕刻有機(jī)掩膜層，然后停止有機(jī)蝕刻氣體流。更優(yōu)選地，所述無氫蝕刻氣體包括氧硫化碳(COS)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)或者氮?dú)?N2)中的至少一種。更優(yōu)選地，所述有機(jī)蝕刻氣體包括COS。一種蝕刻有機(jī)掩膜的特定配方提供有10毫托的壓強(qiáng)。含lOOsccm的N2、50sCCm的O2和15sccm的COS的無氫蝕刻氣體流入等離子體處理室中，中部氣體占比重為50%，其中無氫蝕刻氣體的50%在中部流入，另外的50%在邊緣流入。提供800瓦60兆赫茲的射頻。在熄滅等離子體和停止無氫蝕刻氣體流之前處理過程持續(xù)20秒。另一個(gè)實(shí)施例配方提供了 15毫托的壓強(qiáng)。含IOOsccm的氧氣和IOsccm的COS的無氫蝕刻氣體流入等離子體處理室。提供800瓦60兆赫茲的射頻。在熄滅等離子體和停止無氫蝕刻氣體流之前處理過程持續(xù)50秒。圖2C是有機(jī)掩膜層210已經(jīng)蝕刻后堆疊200的橫截面示意圖。有選擇性地去除硬掩膜212(步驟116)。優(yōu)選地，用低偏壓去除硬掩膜212以便蝕刻最小數(shù)量的蝕刻層。優(yōu)選地，偏電壓低于500伏特。更優(yōu)選地，偏壓低于200伏特。優(yōu)選地，針對(duì)蝕刻層，采用至少2 I的選擇比有選擇性地蝕刻硬掩膜。更優(yōu)選地，選擇比是至少是4 I。通常，硬掩膜去除氣體從硬掩膜去除氣體源316流入等離子體處理室。硬掩膜去除氣體形成等離子體，該等離子體去除硬掩膜。然后，停止硬掩膜去除氣體流。用于去除硬掩膜的實(shí)施例配方提供了 70毫托的壓強(qiáng)。含80SCCm的四氟甲烷(CF4)和lOOsccm的三氟甲烷(CHF3)的硬掩膜去除氣體流入等離子體處理室，中部氣體比重占50%。提供800瓦60兆赫茲的射頻。在熄滅等離子體和停止硬掩膜去除氣體流之前處理過程持續(xù)10秒。圖2D是去除硬掩膜后堆疊200的橫截面示意圖。硬掩膜的選擇性去除完全去除了硬掩膜。通過只提供60兆赫茲的射頻功率，偏置功率保持足夠低以使在沒有顯著蝕刻蝕刻層的情況下去除硬掩膜。
使用有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻蝕刻層(步驟120)。通常，讓蝕刻層蝕刻氣體從蝕刻層蝕刻氣體源318流入等離子體處理室。蝕刻層蝕刻氣體形成等離子體以蝕刻蝕刻層。停止蝕刻層蝕刻氣體流。在這個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)蝕刻層是氧化硅基蝕刻層的時(shí)候，使用針對(duì)有機(jī)材料選擇性地蝕刻二氧化硅的蝕刻方法。這樣配方的一個(gè)實(shí)施例給等離子體處理室提供了 30毫托的壓強(qiáng)。含300sccm的気氣(Ar)、12sccm的八氟環(huán)丁燒(C4F8)和16sccm的氧氣的蝕刻層蝕刻氣體流入等離子體處理室中，中部氣體重量占35%，其中占蝕刻層蝕刻氣體重量的35%從中部流入和65%從邊緣流入。提供900瓦60兆赫茲的射頻，以及提供900瓦27兆赫茲的射頻，以及提供600瓦2兆赫茲的射頻。圖2E是已經(jīng)蝕刻蝕刻層208后的堆疊200的橫截面示意圖。優(yōu)選地，對(duì)于窄線220來說，有小于50nm的關(guān)鍵尺寸(CD)；對(duì)于寬線224來說，有大于300nm的⑶。更優(yōu)選地，寬窄線都有不超過30nm的⑶。另外，窄線有高寬比，即線的高度和寬度之比。優(yōu)選地，窄線的高寬比至少為2 I。更優(yōu)選地，窄線的高寬比至少為4 I。將晶片從等離子處理室去除(步驟124)。在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施方式當(dāng)中，等離子體處理室可以用于以下步驟蝕刻硬掩膜，蝕刻有機(jī)掩膜層，去除硬掩膜和蝕刻蝕刻層。在 其他實(shí)施方式中，可能會(huì)將不同的等離子體處理室用于不同的蝕刻步驟。本發(fā)明提供的一個(gè)好處是本發(fā)明減少了傾斜。另外，本發(fā)明減少了窄線靠近寬線處的傾斜。當(dāng)特征尺寸減少和高寬比增加的時(shí)候，線的彎曲/傾斜在線和空間的蝕刻應(yīng)用中成為了一個(gè)嚴(yán)重的問題，特別是對(duì)于具有三層(光刻膠掩膜層/硬掩膜層/有機(jī)掩膜層)的正緊靠寬線的第一窄線。不受理論的束縛，普遍認(rèn)為靠近寬線的線的彎曲/傾斜是來自寬線到第一窄線的幾何加載作用(loading effect)。圖5是具有基底504，蝕刻層508，有機(jī)掩膜層510以及具有窄線520和寬線524的硬掩膜512的堆疊500的示意圖。用提供蝕刻掩膜的硬掩膜層512蝕刻有機(jī)層510，其中顯示了有機(jī)蝕刻等離子體離子/自由基流528，其中基于氫的有機(jī)蝕刻層蝕刻化學(xué)物形成有機(jī)蝕刻等離子體。離子/自由基流528顯示，可提供均勻的離子/自由基流528，從而在窄線520上提供均勻的離子/自由基流528。在寬線524上時(shí)，離子/自由基流528側(cè)向流入以致于更多數(shù)量的離子/自由基流流入寬線524和最靠近寬線524的窄線520之間的空間。在寬線和最靠近寬線524的窄線520之間的空間使得在最靠近寬線524的窄線520的一邊更快速蝕刻最靠近寬線524的窄線520，從而引起最靠近寬線524的窄線520面向?qū)捑€524彎曲或者傾斜，這證實(shí)了如同所示的幾何加載作用?；跉涞挠袡C(jī)層蝕刻化學(xué)物因?yàn)榈陀惭谀みx擇比引起彎曲/傾斜，從而導(dǎo)致朝向第一單元線側(cè)壁的顯著的離子攻擊。本發(fā)明提供了將幾何加載作用最小化的方法。意外地發(fā)現(xiàn)，通過提供無氫有機(jī)蝕刻氣體，可以成功減少幾何加載作用。通常認(rèn)為去除氫減少了來自有機(jī)蝕刻氣體的等離子體對(duì)側(cè)壁的攻擊。本發(fā)明的實(shí)施方式可以使用含氫氣體，以在使用無氫有機(jī)蝕刻氣體對(duì)有機(jī)層進(jìn)行隨后的蝕刻之前形成鈍化側(cè)壁。本發(fā)明的使用包含COS的蝕刻氣體的另一實(shí)施方式被意外地發(fā)現(xiàn)可以阻止有機(jī)層的側(cè)壁附著，從而阻止彎曲或者傾斜，并且不要求形成鈍化側(cè)壁。圖6A是堆疊600的示意圖，堆疊600具有基底604，蝕刻層608，有機(jī)掩膜層610，和具有窄線620和寬線624的硬掩膜612。已使用提供有蝕刻掩膜的硬掩膜層612蝕刻有機(jī)層610，其中阻止了彎曲或者傾斜。離子和聚合物流628使用硬掩膜612和有機(jī)掩膜610作為蝕刻掩膜蝕刻蝕刻層608?？商峁┚鶆虻碾x子和聚合物流628，從而在窄線620上提供均勻的離子和聚合物流628。在寬線624上，離子和聚合物流628從側(cè)向流入以致更多數(shù)量的離子和聚合物流流入寬線624和最靠近寬線624的窄線620之間的空間。位于寬線和最靠近寬線624的窄線620之間的空間內(nèi)的這更多數(shù)量的離子和聚合物流628使得在最靠近寬線624的窄線620的一邊更快速蝕刻最靠近寬線624的窄線620并且沉積更多的聚合物，從而引起最靠近寬線624的窄線620面向?qū)捑€624彎曲或者傾斜，這證實(shí)了如同圖6B中所示的幾何加載作用。如同所示，靠近寬線624產(chǎn)生的特征由于彎曲逐漸減少。本發(fā)明提供了將幾何加載作用最小化的方法。意外地發(fā)現(xiàn)，通過在蝕刻蝕刻層之前去除硬掩膜，減少了幾何加載作用。人們認(rèn)為，去除硬掩膜減少了來自寬線的離子散射，從而減少或者消除了彎曲或者傾斜。通常，制成硬掩膜層的材料比制成有機(jī)掩膜層的材料更耐蝕刻。這樣的硬掩膜層可以是非晶碳。更優(yōu)選地，硬掩膜層用無機(jī)材料制成。更優(yōu)選地，硬掩膜層用含硅材料制成。更優(yōu)選地，硬掩膜層用氧化硅或者氮化硅基材料制成更好。最優(yōu)選地，硬掩膜是通過旋制氧化硅制成的。
盡管本發(fā)明已依據(jù)幾個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施方式
進(jìn)行了描述，但是存在落入本發(fā)明范圍之內(nèi)的改變、組合、和替代等同方式。需要注意的是，有許多實(shí)施本發(fā)明中的方法和裝置的可供選擇的方式。因此，意圖將下述所附權(quán)利要求解釋為落入本發(fā)明的真實(shí)意旨和范圍內(nèi)的改變、組合、和替代等同方式。
權(quán)利要求
1.在蝕刻層上蝕刻特征的方法，包括 使用硬掩膜作為蝕刻掩膜，蝕刻有機(jī)掩膜層； 針對(duì)所述有機(jī)掩膜和蝕刻層通過選擇性地蝕刻所述硬掩膜去除所述硬掩膜； 使用所述有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜，在所述蝕刻層上蝕刻特征。
2.如權(quán)利要求I中所述的方法，其中所述去除所述硬掩膜使用小于200伏特的偏壓。
3.如權(quán)利要求I中所述的方法，其中所述蝕刻所述有機(jī)掩膜，使用所述硬掩膜作為蝕刻掩膜，包括 提供無氫有機(jī)蝕刻氣體； 使所述無氫有機(jī)蝕刻氣體形成等離子體；以及 使用所述等離子體蝕刻所述有機(jī)掩膜。
4.如權(quán)利要求3中所述的方法，其中將所述硬掩膜置于圖案化光刻膠掩膜下面，進(jìn)一步包括通過所述圖案化光刻膠掩膜蝕刻所述硬掩膜。
5.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述有機(jī)蝕刻氣體包括COS或者C02。
6.如權(quán)利要求5中所述的方法，其中所述有機(jī)蝕刻氣體進(jìn)一步包括CO或N2。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，進(jìn)一步包括 提供側(cè)壁形成氣體，該氣體包括含氫成分； 使所述側(cè)壁形成氣體形成等離子體；以及 在蝕刻有機(jī)掩膜之前停止所述側(cè)壁形成氣體流。
8.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述硬掩膜包括氧化硅。
9.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述硬掩膜通過旋制氧化硅形成。
10.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述蝕刻層是二氧化硅基層。
11.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述硬掩膜限定了寬線以及鄰近所述寬線的窄線，并且其中在所述蝕刻所述蝕刻層期間所述去除所述硬掩膜減少傾斜。
12.如權(quán)利要求11中所述的方法，其中所述窄線具有小于50nm的CD。
13.如權(quán)利要求12中所述的方法，其中從所述蝕刻層形成的所述窄線具有大于2 I的高寬比。
14.如權(quán)利要求4中所述的方法，進(jìn)一步包括 提供圖案化光刻膠掩膜，該光刻膠掩膜置于硬掩膜上面，該硬掩膜置于有機(jī)掩膜層上面，該有機(jī)掩膜層置于晶片上的蝕刻層上面，該晶片被放入等離子體處理室中；以及在該蝕刻層上蝕刻特征后將該晶片從該等離子處理室中去除。
15.如權(quán)利要求4中所述的方法，其中所述去除所述無機(jī)掩膜使用小于500伏特的偏壓。
16.在蝕刻層上蝕刻特征的方法，該蝕刻層置于有機(jī)掩膜層下面，該有機(jī)掩膜層置于硬掩膜層下面，該硬掩膜層置于圖案化光刻膠掩膜下面，包括 使用所述圖案化光刻膠掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻所述硬掩膜層從而形成硬掩膜； 使用所述硬掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻所述有機(jī)掩膜層，包括 提供無氫有機(jī)蝕刻氣體； 使無氫有機(jī)蝕刻氣體形成等離子體；以及 使用所述等離子體蝕刻所述有機(jī)掩膜；針對(duì)有機(jī)掩膜和蝕刻層通過選擇性地蝕刻所述硬掩膜而去除所述硬掩膜；以及 使用所述有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜在所述蝕刻層上蝕刻特征。
17.如權(quán)利要求14中所述的方法，其中所述去除所述無機(jī)掩膜使用小于200伏特的偏壓。
18.如權(quán)利要求14中所述的方法，其中所述無氫有機(jī)蝕刻氣體包括COS或者C02。
19.如權(quán)利要求16中所述的方法，其中所述無氫有機(jī)蝕刻氣體進(jìn)一步包括CO或者N2。
全文摘要
一種對(duì)于具有三層掩膜的蝕刻線彎曲和傾斜的預(yù)防。提供了一種在蝕刻層上蝕刻特征的方法。用硬掩膜作為蝕刻掩膜，蝕刻有機(jī)掩膜層。通過針對(duì)所述有機(jī)掩膜和蝕刻層選擇性地蝕刻所述硬掩膜，從而去除硬掩膜。用所述有機(jī)掩膜作為蝕刻掩膜，在所述蝕刻層上蝕刻特征。
文檔編號(hào)H01L21/027GK102760646SQ20121012935
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者安云今, 竹下健二, 高橋仁 申請(qǐng)人:朗姆研究公司