專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作方法，特別是涉及一種發(fā)光二極管的制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是一種由半導(dǎo)體材料制作而成的發(fā)光元件，具有耗電量低、元件壽命長、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，再加上體積小容易制成極小或陣列式元件的特性，因此近年來隨著技術(shù)不斷地進(jìn)步，其應(yīng)用范圍也由指示燈、背光源甚至擴(kuò)大到了照明領(lǐng)域。請參照圖1所示，其為現(xiàn)有制作發(fā)光二極管的流程示意圖。首先于一外延基板11形成具有一 n-GaN層121、一多重量子阱層122及一 ρ-GaN層123的外延結(jié)構(gòu)12，接著間隔形成具有鎳的一掩模層13及一光致抗蝕劑層14于外延結(jié)構(gòu)12上，具有鎳材質(zhì)的掩模層13可保護(hù)外延結(jié)構(gòu)12，避免后續(xù)的制作工藝損傷到外延結(jié)構(gòu)12。接續(xù)由掩模層13及光致抗蝕劑層14之間，以蝕刻方式去除外延結(jié)構(gòu)12直至暴露外延基板11，形成發(fā)光二極管元件的排氣通道，且通過排氣通道定義出單顆的發(fā)光二極管。之后，移除掩模層13及光致抗蝕劑層14，并以蒸鍍的方式形成一反射層15及一接合層16于外延結(jié)構(gòu)12上。接續(xù)，將導(dǎo)電基板17以接合的方式形成于接合層16，并以激光聚焦于與外延基板11相連接的n-GaN層121,使外延基板11與外延結(jié)構(gòu)12剝離(lift-off)。接下來，分別形成二電極18于相對的兩側(cè)，其中一電極18設(shè)置于n-GaN層121之上,另一電極18設(shè)置于導(dǎo)電基板17之下。最后，再以切割的方式形成多個(gè)發(fā)光二極管的管芯。在上述中的發(fā)光二極管的制作中，由于發(fā)光二極管排氣通道的設(shè)置，所以反射層15的周圍暴露于空氣中，容易使反射層15因化學(xué)藥劑及高溫制作工藝的影響，使反射層15的邊緣有劣化及受損的情形產(chǎn)生，以導(dǎo)致反射率下降。在另一現(xiàn)有制作發(fā)光二極管技術(shù)中，未在外延結(jié)構(gòu)上設(shè)置排氣通道，而設(shè)置反射層及接合層于完整的外延結(jié)構(gòu)上之后，接著以激光的方式聚焦于與外延基板相連接的n-GaN層，使外延基板與外延結(jié)構(gòu)玻璃剝離，最后再以蝕刻的方式去除部分外延結(jié)構(gòu)、反射層、接合層及導(dǎo)電基板，以定義出單顆的發(fā)光二極管。此技術(shù)的制作中，反射層可以得到較好的保護(hù)，不容易有劣化及受損的現(xiàn)象產(chǎn)生。但是另一方面，在此一現(xiàn)有技術(shù)由于未設(shè)置排氣通道于外延結(jié)構(gòu)中，因此外延結(jié)構(gòu)應(yīng)力無法得到釋放而使得外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)生翹曲現(xiàn)象，故當(dāng)以激光聚焦于外延結(jié)構(gòu)的n-GaN層，以分離外延結(jié)構(gòu)及外延基板時(shí)，外延層的應(yīng)力以及n-GaN解離的氣體，易使得外延結(jié)構(gòu)的邊緣破裂及受損。因此，如何提供一種發(fā)光二極管的制作方法，可改善外延結(jié)構(gòu)及反射層劣化受損情況，是業(yè)者一直努力的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管的制作方法，可減少外延結(jié)構(gòu)翹曲及反射層的劣化受損情形，以確保外延結(jié)構(gòu)及反射層的完整性，進(jìn)而提高整體發(fā)光二極管的品質(zhì)及發(fā)光效率。
為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制作方法包括形成一外延結(jié)構(gòu)于一外延基板的一第一側(cè)之上；形成一反射層于外延結(jié)構(gòu)之上；形成一第一接合層于反射層之上；提供一導(dǎo)電基板；形成一第二接合層于導(dǎo)電基板上，通過第一與第二接合層以接合導(dǎo)電基板于反射層上；由外延基板的一第二側(cè)移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以形成至少一通道；分離外延基板及外延結(jié)構(gòu)；以及形成一隔離溝槽于外延結(jié)構(gòu)，隔離溝槽暴露出反射層。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制作方法包括形成一外延結(jié)構(gòu)于一外延基板的一第一側(cè)之上；形成一反射層于外延結(jié)構(gòu)之上；形成一第一接合層于反射層之上；提供一導(dǎo)電基板；形成一第二接合層于導(dǎo)電基板上，通過第一接合層與第二接合層以接合導(dǎo)電基板于反射層上；同一道激光制作工藝移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以形成至少一通道；分離外延基板及外延結(jié)構(gòu)；以及形成一隔離溝槽于外延結(jié)構(gòu)，隔離溝槽暴露出反射層。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)具有一第一半導(dǎo)體層、一有源層及一第二半導(dǎo)體層。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，反射層經(jīng)過蒸鍍以及合金制作工藝，以形成于外延結(jié)構(gòu)之上。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，第一接合層以蒸鍍方式形成于反射層之上。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，第一接合層與第二接合層為復(fù)合金屬層。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，在移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)的步驟前，還包括減薄外延基板。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，以研磨及拋光制作工藝的方式減薄外延基板。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以激光照射外延基板及外延結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，形成隔離溝槽的步驟前，還包括形成一掩模層于外延結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，形成隔離溝槽的步驟以蝕刻方式進(jìn)行。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，隔離溝槽與通道于相同位置。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，以隔離溝槽定義單顆的發(fā)光二極管管芯。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括形成一電流散布層于外延結(jié)構(gòu)之上。在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，制作方法還包括形成一第一電極于外延結(jié)構(gòu)之上；以及形成一第二電極于導(dǎo)電基板。承上所述，本發(fā)明發(fā)光二極管的制作方法于接合導(dǎo)電基板及接合層之后，減薄外延基板，并自外延基板的第二側(cè)以激光制作工藝的方式移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以形成通道，由此通道排放解離時(shí)所產(chǎn)生的氣體，并且因?yàn)橥ǖ涝O(shè)置于至少部分外延結(jié)構(gòu)中，原本在外延制作工藝后外延結(jié)構(gòu)會(huì)存在相當(dāng)大的應(yīng)力，而造成外延基板與外延結(jié)構(gòu)的翅曲現(xiàn)象，通過該些通道的設(shè)置可以協(xié)助改善因外延結(jié)構(gòu)應(yīng)力的問題而產(chǎn)生的翹曲現(xiàn)象，進(jìn)而可提高激光聚焦的精準(zhǔn)度。另外，本發(fā)明的制作方法于切割管芯時(shí)，才切穿反射層及接合層，據(jù)此于制作發(fā)光二極管的過程中，能降低反射層與空氣接觸的面積，有效保護(hù)反射層，避免因化學(xué)藥劑而使反射層產(chǎn)生劣化情形，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的品質(zhì)并延展其壽命。


圖1為現(xiàn)有制作發(fā)光二極管的流程示意圖；圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管制作方法的流程圖；圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管制作方法的另一流程圖；圖4至圖11為本發(fā)明較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管于制作中的示意圖；及圖12為本發(fā)明較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管的示意圖。主要元件符號說明11,21:外延基板12,22:外延結(jié)構(gòu)121: n-GaN 層122:多重量子阱層123:p-GaN 層13、28:掩模層14:光致抗蝕劑層15、23:反射層16:接合層17>25:導(dǎo)電基板18:電極2:發(fā)光二極管211:第一側(cè)212:第二側(cè)221:第一半導(dǎo)體層222:有源層223:第二半導(dǎo)體層24:第一接合層26:第二接合層27:通道29:隔離溝槽30:電流散布層31:第一電極32:第二電極SOl S09、S51、S81、S91 S94:步驟
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的制作方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。請參照圖2所示，其為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的制作方法流程圖。本實(shí)施例的制作方法包括步驟SOl至步驟S09。請同時(shí)參照圖2、圖4及圖5所示，其中圖4及圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管于制作中的示意圖。在步驟SOl中，形成一外延結(jié)構(gòu)22于一外延基板21的一第一側(cè)211之上。本實(shí)施例的外延基板21以藍(lán)寶石基板(Sapphire)為例。當(dāng)然外延基板21還可以是碳化硅、氧化鋁、氮化鎵、玻璃、石英、磷化鎵或砷化鎵基板等等。形成外延結(jié)構(gòu)22的主要外延方法有液相外延法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)、氣相外延法(Vapor Phase Epitaxy, VPE)及有機(jī)金屬氣相外延法(Metal-organic ChemicalVapor Deposition, M0CVD)。另外,外延結(jié)構(gòu)22以材料能隙來看,常用的III族-V族元素組成大至可分成四類，分別為:GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列。在此以具有一第一半導(dǎo)體層221、一有源層222及一第二半導(dǎo)體層223的結(jié)構(gòu)為例。通過靠近外延基板21至遠(yuǎn)離外延基板21依序?yàn)榈谝话雽?dǎo)體層221、有源層222及第二半導(dǎo)體層223。其中，第一半導(dǎo)體層221與第二半導(dǎo)體層223具不同電性，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層221為P型時(shí)，第二電性半導(dǎo)體層223為N型；而當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體221層為N型時(shí)，第二半導(dǎo)體層223則為P型。在此，第一半導(dǎo)體層221為N型氮化鎵(GaN)，有源層222為多重量子阱(Multiplequantum-well, MQff)結(jié)構(gòu)，而第二半導(dǎo)體層223為P型氮化鎵。在步驟S02中，形成一反射層23于外延結(jié)構(gòu)22之上。經(jīng)過電子槍蒸鍍或?yàn)R鍍制作工藝以將反射層23設(shè)置于外延結(jié)構(gòu)22上，并于325 550°C的溫度中進(jìn)行合金(annealing)步驟,通過合金步驟以熱量來減少外延結(jié)構(gòu)22與反射層23間的接觸電阻,并能提高反射層23對光線的反射率。另外，本實(shí)施例的反射層23為復(fù)合層，反射層23的材質(zhì)依蒸鍍順序可依序?yàn)殒?銀/鎳/鉬/金或鎳/銀/鈦/鉬/金。形成反射層23于外延結(jié)構(gòu)22之后，執(zhí)行步驟S03，形成一第一接合層24于反射層23之上。第一接合層24也以蒸鍍方式形成于反射層23之上。本實(shí)施例的第一接合層24為復(fù)合金屬層，其材質(zhì)例如依序?yàn)殂t/鉬/金或鈦/鉬/金，其中鉻或鈦是作為與反射層23接著之用，而鉬則作為阻擋層用以阻止鉻與金原子互相擴(kuò)散，金則是用以后續(xù)制作工藝的接合。接著參照圖2及圖6所示，圖6為本發(fā)明較佳實(shí)施的發(fā)光二極管于制作中的示意圖。于步驟S04及步驟S05，提供一導(dǎo)電基板25，并形成一第二接合層26于導(dǎo)電基板25上，通過第二接合層26與第一接合層24以接合導(dǎo)電基板25于反射層23上。更詳細(xì)來說，先將第二接合層26以例如蒸鍍的方式形成于導(dǎo)電基板25之上，再將第二接合層26接合于第一接合層24,以使得導(dǎo)電基板25接合于反射層23。其中,第二接合層26的材質(zhì)依序?yàn)殂t/鉬/金或鈦/鉬/金，通過將第一接合層24的金與第二接合層26的金加熱加壓而使第一接合層24與第二接合層26相接合，因此，第二接合層26的最下層的材質(zhì)為金，而第一接合層24的最上層的材質(zhì)也為金。請參照圖2、圖3、圖7及圖8所示，其中圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管制作方法的另一流程圖；圖7及圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管于制作中的示意圖。在接合導(dǎo)電基板25于反射層23之后，執(zhí)行步驟S51，減薄外延基板21。本實(shí)施例以研磨及拋光等制作工藝，減少外延基板21的厚度。原本外延基板21的厚度約為大于440 μ m，可先將外延基板21研磨至50 100 μ m,最后再以拋光制作工藝將外延基板21減薄至20 40 μ m。接續(xù)，在步驟S05或步驟S51之后，執(zhí)行步驟S06或步驟S07，其中步驟S06為，由外延基板21的一第二側(cè)212移除部分外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22，以形成至少一通道27。其中，通道27的作用將詳述于后。更詳細(xì)來說，步驟S06由外延基板21相對于設(shè)有外延結(jié)構(gòu)22的一側(cè)，也就是說由外延基板21的第二側(cè)212，移除部分外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22，由圖7的圖面來說，由下往上以直線方向移除外延基板21及部分外延結(jié)構(gòu)22，但未完全移除外延結(jié)構(gòu)22，由此形成通道27于外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22之間，且通道27與反射層23之間仍具有部分外延結(jié)構(gòu)22。另外，本實(shí)施例可例如以激光照射的方式移除部分外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22，然非限用于本發(fā)明。步驟S07為，同一道激光制作工藝移除部分外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22，以形成至少一通道27。其中，通道27的作用也詳述于后。更詳細(xì)來說，步驟S07以激光制作工藝的方法同時(shí)移除部分的外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22，由圖7的圖面來說，自外延基板21的第二側(cè)212由下往上，以激光的方式移除外延基板21及部分外延結(jié)構(gòu)22，但未完全移除外延結(jié)構(gòu)22，由此形成通道27于外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22之間，且通道27與反射層23之間仍具有部分外延結(jié)構(gòu)22。值得注意的是，以實(shí)質(zhì)上垂直外延結(jié)構(gòu)22的堆積方向來說，步驟S06及S07移除外延基板21至部分外延結(jié)構(gòu)22，其中移除外延結(jié)構(gòu)22的厚度范圍并非限用于限制本發(fā)明，可依據(jù)實(shí)施例的不同，而移除不同厚度的外延結(jié)構(gòu)22,例如但不限于3μηι或5μηι等，以不切穿外延結(jié)構(gòu)22為最佳。另外，本實(shí)施例的通道27由如圖7的俯視方向來看的話，可以形成于預(yù)設(shè)的發(fā)光二極管管芯的周圍，以形成至少一多邊形為例，然非限用于本發(fā)明，在其他實(shí)施例中，可依設(shè)計(jì)及應(yīng)用的環(huán)境不同，而將通道形成不同尺寸及形狀，如長方形或圓形
坐寸ο參照圖2、圖3、圖7、圖9至圖11所示，其中圖9至圖11為本發(fā)明的發(fā)光二極管于制作中的示意圖。接續(xù)，在步驟S08中，分離外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22。本實(shí)施例以激光聚焦于外延結(jié)構(gòu)22的第一半導(dǎo)體層靠近外延基板21的一側(cè)，通過激光聚焦解離部分的第一半導(dǎo)體層，以分離外延基板21及外延結(jié)構(gòu)22。由于，以激光聚焦于半導(dǎo)體層而造成解離時(shí)會(huì)產(chǎn)生氣體，而這些氣體則可以通過通道27將氣體排出。接續(xù)，于步驟S81，形成一掩模層28于外延結(jié)構(gòu)22。其中，掩模層28可通過光刻、蒸鍍與浮離(lift-off)等制作工藝而間隔設(shè)置于外延結(jié)構(gòu)22，通道27于掩模層28之間，并未被掩模層28覆蓋。在此,掩模層28的材質(zhì)例如可包含鈦、鎳或兩者的組合。接續(xù)，在步驟S09中，形成一隔離溝槽29于外延結(jié)構(gòu)22，隔離溝槽29暴露出反射層23。更詳細(xì)來說，利用蝕刻制作工藝且以掩模層28為蝕刻掩模，以移除未被掩模層28所覆蓋的部分外延結(jié)構(gòu)22，直至暴露反射層23，而形成于后續(xù)可定義發(fā)光二極管管芯的隔離溝槽29。在本實(shí)施例中由于通道27位于掩模層28之間，亦即由通道27以蝕刻方式移除部分外延結(jié)構(gòu)22，進(jìn)而延長了通道27的深度而形成隔離溝槽29，其中，通道27與隔離溝槽29可設(shè)置于相同位置。此外，通過隔離溝槽29的形成可以定義出單顆的發(fā)光二極管管芯。以垂直方向來說，隔離溝槽29切穿外延結(jié)構(gòu)22直至暴露部分反射層23。其中，蝕刻的技術(shù)可為感應(yīng)稱合等離子體離子蝕刻(Inductively Coupled Plasma Reactive 1n Etch,ICP-RIE)。于步驟S91及步驟S92，先移除掩模層28，再形成一電流散布層30于外延結(jié)構(gòu)22。其中，可以光刻、蒸鍍與浮離制作工藝的方式形成電流散布層30。本實(shí)施例的電流散布層30為一銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電膜。 接著，步驟S93，形成一第一電極31于外延結(jié)構(gòu)22之上及形成一第二電極32于導(dǎo)電基板25。更詳細(xì)來說，第一電極31及第二電極32分別設(shè)置于發(fā)光二極管的相對兩側(cè)，第一電極31形成于電流散布層30之上；而第二電極32形成于導(dǎo)電基板25之下。其中，第一電極31及第二電極32也為復(fù)合金屬層，其材質(zhì)為鈦/鉬/金或鉻/鉬/金。請參照圖3及圖12所示，圖12為本發(fā)明較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管的示意圖。最后，步驟S94，切割發(fā)光二極管2以形成多個(gè)發(fā)光二極管管芯。本實(shí)施例的發(fā)光二極管2為垂直導(dǎo)通式。綜上所述，本發(fā)明發(fā)光二極管的制作方法于接合導(dǎo)電基板及接合層之后，減薄外延基板，并自外延基板的第二側(cè)以激光制作工藝的方式移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以形成通道，由此通道排放解離時(shí)所產(chǎn)生的氣體，并且因?yàn)橥ǖ涝O(shè)置于至少部分外延結(jié)構(gòu)中，原本在外延制作工藝后外延結(jié)構(gòu)會(huì)存在相當(dāng)大的應(yīng)力，而造成外延基板與外延結(jié)構(gòu)的翅曲現(xiàn)象，通過該些通道的設(shè)置可以協(xié)助改善因外延結(jié)構(gòu)應(yīng)力的問題而產(chǎn)生的翹曲現(xiàn)象，進(jìn)而可提高激光聚焦的精準(zhǔn)度。另外，本發(fā)明的制作方法于切割管芯時(shí)，才切穿反射層及接合層，據(jù)此于制作發(fā)光二極管的過程中，能降低反射層與空氣接觸的面積，有效保護(hù)反射層，避免因化學(xué)藥劑而使反射層產(chǎn)生劣化情形，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的品質(zhì)并延展其壽命。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的發(fā)光二極管的制作方法，可降低外延結(jié)構(gòu)及反射層的毀損及劣化情形，以確保外延結(jié)構(gòu)及反射層的完整性，進(jìn)而提高整體發(fā)光二極管的品質(zhì)及發(fā)光效率。以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的制作方法，包括: 形成一外延結(jié)構(gòu)于一外延基板的一第一側(cè)之上； 形成一反射層于該外延結(jié)構(gòu)之上； 形成一第一接合層于該反射層之上； 提供一導(dǎo)電基板； 形成一第二接合層于該導(dǎo)電基板上，通過該第一接合層與該第二接合層以接合該導(dǎo)電基板于該反射層上； 由該外延基板的一第二側(cè)移除部分該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)，以形成至少一通道； 分離該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)；以及 形成一隔離溝槽于該外延結(jié)構(gòu)，該隔離溝槽暴露出該反射層。
2.一種發(fā)光二極管的制作方法，包括: 形成一外延結(jié)構(gòu)于一外延基板的一第一側(cè)之上； 形成一反射層于該外延結(jié)構(gòu)之上； 形成一第一接合層于該反射層之上； 提供一導(dǎo)電基板； 形成一第二接合層于該導(dǎo)電基板上，通過該第一接合層與該第二接合層以接合該導(dǎo)電基板于該反射層上； 同一道激光制作工藝移除部分該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)，以形成至少一通道； 分離該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)；以及 形成一隔離溝槽于該外延結(jié)構(gòu)，該隔離溝槽暴露出該反射層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中該外延結(jié)構(gòu)具有第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中該反射層經(jīng)過蒸鍍以及合金制作工藝，以形成于該外延結(jié)構(gòu)之上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中該第一接合層以蒸鍍方式形成于該反射層之上。
6.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中該第一接合層與該第二接合層分別為復(fù)合金屬層。
7.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中移除部分該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)的步驟前，還包括: 減薄該外延基板。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其中以研磨及拋光制作工藝的方式減薄該外延基板。
9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中移除部分該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)，以激光照射該外延基板及該外延結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中形成隔離溝槽的步驟前，還包括: 形成一掩模層于該外延 結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中形成該隔離溝槽的步驟，以蝕刻方式進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中該隔離溝槽與該通道于相同位置。
13.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其中以該隔離溝槽定義單顆的發(fā)光二極管管芯。
14.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，還包括: 形成一電流散布層于該外延結(jié)構(gòu)之上。
15.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，還包括: 形成一第一電極于該外延結(jié)構(gòu)之上；以及 形成一第二電極于該導(dǎo)電基板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管的制作方法，其包括形成一外延結(jié)構(gòu)于一外延基板的一第一側(cè)之上；形成一反射層于外延結(jié)構(gòu)之上；形成一第一接合層于反射層之上；提供一導(dǎo)電基板；形成一第二接合層于導(dǎo)電基板上，通過第一接合層與第二接合層以接合導(dǎo)電基板于反射層上；由外延基板的一第二側(cè)移除部分外延基板及外延結(jié)構(gòu)，以形成至少一通道；分離外延基板及外延結(jié)構(gòu)；以及形成一隔離溝槽于外延結(jié)構(gòu)，隔離溝槽暴露出反射層。
文檔編號H01L33/00GK103165768SQ20121012696
公開日2013年6月19日 申請日期2012年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者林忠欣 申請人:奇力光電科技股份有限公司, 佛山市奇明光電有限公司