專利名稱:一種基于憶阻器的電位器的制作方法
技術領域:
本發(fā)明屬于憶阻器技術領域。具體涉及一種基于憶阻器的電位器。
背景技術:
憶阻器(Memristor)是電阻、電容和電感之外的第四種基本的電路元件,1971年蔡少棠首次提出了憶阻器的概念并論證了其存在的科學依據(jù)。2008年HP實驗室發(fā)現(xiàn)了一種具有記憶功能的納米雙端電阻,其電氣特性與蔡少棠教授預測的憶阻器特性相符,從而證實了憶阻器的存在。由于憶阻器的阻值與流過憶阻器的電荷有關,即當電荷從一個方向流過時,電阻會增加,當電荷反方向流過時,電阻就會減小。根據(jù)憶阻器的這一特性可以設計一種新的電位器。一直以來,電位器在電子電路中就得到了廣泛的應用,例如,它可以用于校正系統(tǒng)中、也可以用來調(diào)節(jié)放大器內(nèi)的偏移電壓或者增益。機械式電位器是靠滑動端與靜止端之間的相對滑動來改變電阻值的,其阻值擁有良好的線性度,但也存在一定的局限,比如機械磨損、電阻漂移、對振動和濕度敏感以及不易于控制等。數(shù)字電位器采用數(shù)字信號控制電位器滑動端的位置,采用集成電路工藝生產(chǎn),具有很高的穩(wěn)定性。但數(shù)字電位器的阻值為離散值,其精度有限,這在很大程度上限制了它的應用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在克服上述電位器的缺陷,目的是提供一種阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的基于憶阻器的電位器。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術方案是該電位器由第一模擬開關、憶阻器和第二模擬開關組成。第一模擬開關的輸出端Yl與憶阻器的端子Rp連接,第一模擬開關的輸入端Xl外接控制電路的輸出端Vp ;第二模擬開關的輸出端Y2與憶阻器的端子Rn連接,第二模擬開關的輸入端X2外接控制電路的輸出端Vn ;第一模擬開關的輸入端Cl和第二模擬開關的輸入端C2外接控制電路的輸出端Vc,憶阻器的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對應的輸出端A和B。由于采用上述技術方案,本發(fā)明采用第一模擬開關和第二模擬開關實現(xiàn)了基于憶阻器的電位器的阻值控制。當?shù)谝荒M開關和第二模擬開關均斷開時,由于憶阻器兩端的電壓小于憶阻器的閾值電壓,因而不會引起憶阻器的阻值變化;當?shù)谝荒M開關和第二模擬開關均閉合時,利用幅值高于憶阻器閾值電壓的控制信號可以改變憶阻器的阻值,阻值的變化取決于施加在憶阻器兩端的控制信號的極性和持續(xù)時間。因此,基于憶阻器的電位器具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點。
圖I是本發(fā)明的一種結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明做進一步的描述,并非對本發(fā)明保護范圍的限制。一種基于憶阻器的電位器。該電位器的結構如圖I所示,由第一模擬開關I、憶阻器2和第二模擬開關3組成。第一模擬開關I的輸出端Yl與憶阻器2的端子Rp連接,第一模擬開關I的輸入端Xl外接控制電路4的輸出端Vp ;第二模擬開關3的輸出端Y2與憶阻器2的端子Rn連接,第二模擬開關3的輸入端X2外接控制電路4的輸出端Vn ;第一模擬開關I的輸入端Cl 和第二模擬開關3的輸入端C2外接控制電路4的輸出端Vc,憶阻器2的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對應的輸出端A和B。本具體實施方式
采用第一模擬開關I和第二模擬開關3實現(xiàn)了基于憶阻器的電位器的阻值控制。當?shù)谝荒M開關I和第二模擬開關3均斷開時,由于憶阻器兩端的電壓小于憶阻器的閾值電壓,因而不會引起憶阻器的阻值變化;當?shù)谝荒M開關I和第二模擬開關 3均閉合時,利用幅值高于憶阻器閾值電壓的控制信號可以改變憶阻器的阻值,阻值的變化取決于施加在憶阻器兩端的控制信號的極性和持續(xù)時間。因此,本具體實施方式
具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點。
權利要求
1.一種基于憶阻器的電位器,其特征在于該電位器由第一模擬開關(I)、憶阻器(2)和第二模擬開關(3)組成;第一模擬開關(I)的輸出端Yl與憶阻器(2)的端子Rp連接,第一模擬開關(I)的輸入端Xl外接控制電路⑷的輸出端Vp ;第二模擬開關(3)的輸出端Y2與憶阻器⑵的端子Rn連接,第二模擬開關(3)的輸入端X2外接控制電路(4)的輸出端Vn ;第一模擬開關(I)的輸入端Cl和第二模擬開關(3)的輸入端C2外接控制電路(4)的輸出端Vc,憶阻器 ⑵的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對應的輸出端A和B。
全文摘要
本發(fā)明具體涉及一種基于憶阻器的電位器。其技術方案是該電位器由第一模擬開關(1)、憶阻器(2)和第二模擬開關(3)組成。第一模擬開關(1)的輸出端Y1與憶阻器(2)的端子Rp連接,第一模擬開關(1)的輸入端X1外接控制電路(4)的輸出端Vp;第二模擬開關(3)的輸出端Y2與憶阻器(2)的端子Rn連接,第二模擬開關(3)的輸入端X2外接控制電路(4)的輸出端Vn;第一模擬開關(1)的輸入端C1和第二模擬開關(3)的輸入端C2外接控制電路(4)的輸出端Vc,憶阻器(2)的端子Rp和Rn為基于憶阻器的電位器對應的輸出端A和B。本發(fā)明具有阻值連續(xù)變化、易于控制和精度高的特點。
文檔編號H01C10/00GK102610345SQ20121010037
公開日2012年7月25日 申請日期2012年4月9日 優(yōu)先權日2012年4月9日
發(fā)明者段宗勝, 甘朝暉, 蔣旻, 陳波 申請人:武漢科技大學