專利名稱：密封片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及密封片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，詳細而言，涉及用于光學(xué)用途的發(fā)光二極管裝置、其制造方法、以及用于其的密封片。
背景技術(shù)：
近年來，作為能發(fā)出高能量的光的發(fā)光裝置，已知有白色發(fā)光裝置。在白色發(fā)光裝置中，例如設(shè)有發(fā)出藍色光的LED (發(fā)光二極管)、能夠?qū)⑺{色光轉(zhuǎn)換成黃色光的被覆LED的熒光體層、以及與熒光體層鄰接配置的、密封LED的密封層。這種白色發(fā)光裝置通過將如下光混色而發(fā)出高能量的白色光由被密封層密封的LED發(fā)出的、透射密封層和熒光體層的藍色光，以及在熒光體層中藍色光的一部分經(jīng)波長轉(zhuǎn)換而得到的黃色光。作為這種白色發(fā)光裝置，例如提出了一種陣列封裝(ArrayPackage)，其在搭載有 藍色LED芯片的陣列基板上，將具備由有機硅樹脂形成的第二樹脂層、以及位于其上的、含有有機硅彈性體和黃色熒光體的第一樹脂層的半導(dǎo)體密封用片以第二樹脂層與藍色LED芯片相接的方式配置(例如參照日本特開2010-123802號公報。)。在日本特開2010-123802號公報的陣列封裝中，通過第二樹脂層來密封藍色LED芯片，另一方面，將從發(fā)光二極管發(fā)出的光之中的透射第一樹脂層的藍色光與通過第一樹脂層而被波長轉(zhuǎn)換的黃色光混色，從而發(fā)出白色光。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在日本特開2010-123802號公報的陣列封裝中，由于從藍色LED芯片發(fā)出的光以放射狀傳播，因此根據(jù)所發(fā)出的光相對于陣列基板的角度的不同，除了透過第一樹脂層的光以外，還會存在透過第二樹脂層但不透過第一樹脂層的光。存在這種光時，會出現(xiàn)從陣列封裝發(fā)出的光的色度偏差增加的不良情況。本發(fā)明的目的在于，提供可以提高對發(fā)光二極管的密封性、并降低色度的偏差的密封片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。本發(fā)明的密封片的特征在于，其為貼附在安裝有發(fā)光二極管的基板處的、用于密封前述發(fā)光二極管的密封片，其具備劃分有從一個側(cè)面埋設(shè)前述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和在前述密封材料層的另一個側(cè)面層疊的第一熒光體層、和在前述密封材料層的一個側(cè)面以與前述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。另外，在本發(fā)明的密封片中，前述密封材料層的25 °C下的拉伸彈性模量為0. OlMPa以上是適宜的。另外，在本發(fā)明的密封片中，進一步具備在前述第二熒光體層的表面層疊的粘接劑層是適宜的。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的特征在于，其為將密封片貼附于安裝有發(fā)光二極管的基板而密封前述發(fā)光二極管的發(fā)光二極管裝置的制造方法，前述密封片具備劃分有從一個側(cè)面埋設(shè)前述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和在前述密封材料層的另一個側(cè)面層疊的第一熒光體層、和在前述密封材料層的一個側(cè)面以與前述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。另外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，通過如下方式將前述密封片貼附于前述基板是適宜的前述密封材料層中與厚度方向垂直的方向的端部通過加熱滲出到外側(cè)而貼附于前述基板。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的特征在于，其包括基板、和安裝于前述基板的表面的發(fā)光二極管、和貼附于前述基板的表面、密封前述發(fā)光二極管的上述密封片。另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的特征在于，其包括基板、和安裝于前述基板的表面的發(fā)光二極管、和貼附于前述基板的表面、密封前述發(fā)光二極管的密封片，前述密封片具備劃分有從一個側(cè)面埋設(shè)前述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和在前述密封材料層的另一個側(cè)面層疊的第一熒光體層、和在前述密封材料層的一個側(cè)面以與前述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。
對本發(fā)明的密封片而言，由于第二熒光體層與埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置，因此防止了第二熒光體層與埋設(shè)區(qū)域接觸，密封材料層的埋設(shè)區(qū)域可以確實地埋設(shè)發(fā)光二極管。因此，該密封片可以提高對密封材料層的發(fā)光二極管的密封性。并且，本發(fā)明的密封片的第一熒光體層在密封材料層的另一個側(cè)面層疊、且第二熒光體層在密封材料層的一個側(cè)面層疊。因此，在該貼附有密封片的發(fā)光二極管裝置中，從發(fā)光二極管以放射狀傳播的光也會通過第二熒光體層而被波長轉(zhuǎn)換，因此可以減少不透過突光體層的光。該結(jié)果可以降低從發(fā)光二極管裝置發(fā)出的光的色度偏差。另外，使用本發(fā)明的密封片的本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法可以確實地密封發(fā)光二極管，由此可以確實地得到本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置。


圖I為說明制造本發(fā)明的密封片的一個實施方式的方法的工序圖，(a)表不準備脫I旲基材的工序、(b)表示形成第二熒光體層的工序、(C)表示形成密封材料層的工序、(d)表不層疊第一突光體層工序。圖2為說明使用圖I的(d)所示的密封片密封發(fā)光二極管來制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，(a)表示準備密封片和發(fā)光二極管的工序、(b)表示在基板處貼附密封片來密封發(fā)光二極管的工序。圖3為說明在密封圖2的(b)的發(fā)光二極管的工序中，密封材料層的周端部通過加熱滲出到外側(cè)而貼附于基板的方式的剖視圖。圖4為說明使用本發(fā)明的密封片的另一實施方式(設(shè)置有粘接劑層的方式)密封發(fā)光二極管來制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，(a)表示準備密封片和發(fā)光二極管的工序、(b)表示介由粘接劑層在基板處粘接密封片來密封發(fā)光二極管的工序。
圖5為說明使用比較例的密封片密封發(fā)光二極管來制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，(a)表示準備密封片和發(fā)光二極管的工序、(b)表示在基板處貼附密封片來密封發(fā)光二極管的工序。圖6為說明在實施例的評價中發(fā)光二極管裝置的CIE色度指標(y值)的測定的示意圖。
具體實施例方式圖I為說明制造本發(fā)明的密封片的一個實施方式的方法的工序圖，圖2為說明使用圖I的(d)所示的密封片密封發(fā)光二極管來制造發(fā)光二極管裝置的方法的工序圖，圖3為說明在密封圖2的(b)的發(fā)光二極管的工序中，密封材料層的周端部通過加熱滲出到外側(cè)而貼附于基板的方式的剖視圖。 該密封片I如圖I的(d)及圖2的(a)所示，具備密封材料層2、和在密封材料層2的上表面(厚度方向另一個側(cè)面)及下表面(厚度方向一個側(cè)面)層疊的熒光體層3。密封材料層2形成為大致平板片形狀。形成密封材料層2的密封材料例如為透明樹脂，具體而言，可列舉出例如有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂組合物；例如丙烯酸樹脂等熱塑性樹脂組合物等密封樹脂組合物等。作為密封材料，可優(yōu)選列舉出熱固化性樹脂組合物，從耐久性的觀點出發(fā)，進一步優(yōu)選列舉出有機硅樹脂。有機硅樹脂包括有機硅彈性體，可列舉出例如熱固化型有機硅樹脂，作為這種熱固化型有機硅樹脂，可列舉出例如有機硅樹脂組合物、含硼化合物有機硅樹脂組合物、含鋁化合物有機硅樹脂組合物等。有機硅樹脂組合物是可以進行縮合反應(yīng)和加成反應(yīng)(具體而言為氫化硅烷化反應(yīng))的樹脂，更具體而言，為可通過加熱進行縮合反應(yīng)，成為B階狀態(tài)(半固化狀態(tài))，接著，可以通過進一步加熱進行加成反應(yīng)，成為固化(完全固化)狀態(tài)的樹脂。有機娃樹脂組合物例如含有兩末端為娃醇的聚娃氧燒、含稀基燒氧基娃燒、含環(huán)氧基烷氧基硅烷、有機氫硅氧烷、縮合催化劑和加成催化劑。其中，兩末端為硅醇的聚硅氧烷、含烯基烷氧基硅烷和含環(huán)氧基烷氧基硅烷為縮合原料(供給縮合反應(yīng)的原料)，含烯基烷氧基硅烷和有機氫硅氧烷為加成原料(供給加成反應(yīng)的原料)。兩末端為硅醇的聚硅氧烷是在分子的兩末端含有硅醇基(SiOH基)的硅烷化合物，具體而言，如下式(I)所示?；瘜W(xué)式I
權(quán)利要求
1.一種密封片，其特征在于，其為貼附在安裝有發(fā)光二極管的基板上的、用于密封所述發(fā)光二極管的密封片，其具備 劃分有從一個面埋設(shè)所述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和 在所述密封材料層的另一個面層疊的第一熒光體層、和 在所述密封材料層的一個面以與所述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的密封片，其特征在于，所述密封材料層在25°C下的拉伸彈性模量為O. OlMPa以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的密封片，其特征在于，其進一步具備在所述第二熒光體層的表面層疊的粘接劑層。
4.一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于，其為將密封片貼附于安裝有發(fā)光二極管的基板上而密封所述發(fā)光二極管的發(fā)光二極管裝置的制造方法， 所述密封片具備 劃分有從一個面埋設(shè)所述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和 在所述密封材料層的另一個面層疊的第一熒光體層、和 在所述密封材料層的一個面以與所述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于，通過如下方式將所述密封片貼附于所述基板所述密封材料層中與厚度方向垂直的方向的端部通過加熱溢出到外側(cè)而貼附于所述基板。
6.一種發(fā)光二極管裝置，其特征在于，其包括 基板、和 安裝于所述基板的表面的發(fā)光二極管、和 貼附于所述基板的表面、密封所述發(fā)光二極管的密封片，所述密封片具備 劃分有從一個面埋設(shè)所述發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和 在所述密封材料層的另一個面層疊的第一熒光體層、和 在所述密封材料層的一個面以與所述埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。
全文摘要
本發(fā)明提供密封片、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。密封片貼附在安裝有發(fā)光二極管的基板處，密封發(fā)光二極管。密封片具備劃分有從一個側(cè)面埋設(shè)發(fā)光二極管的埋設(shè)區(qū)域的密封材料層、和在密封材料層的另一個側(cè)面層疊的第一熒光體層、和在密封材料層的一個側(cè)面以與埋設(shè)區(qū)域隔著間隔配置的方式層疊的第二熒光體層。
文檔編號H01L33/50GK102738360SQ20121009805
公開日2012年10月17日 申請日期2012年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月5日
發(fā)明者木村龍一, 河野廣希, 片山博之 申請人:日東電工株式會社