專利名稱：一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及該發(fā)明公開了一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
自1993年率先在藍(lán)色GaN-LED技術(shù)上突破，繼而白色LED推向市場(chǎng)，引起了業(yè)內(nèi)外人士極大的關(guān)注。因?yàn)?，與傳統(tǒng)照明光源相比，白光LED有許多優(yōu)點(diǎn)，體積小、能耗少、響應(yīng)快、壽命長(zhǎng)、無(wú)污染等，因此被喻為第四代照明光源。目前傳統(tǒng)商業(yè)化的藍(lán)光LED芯片發(fā)射波長(zhǎng)在460nm左右，由于其發(fā)射波長(zhǎng)較長(zhǎng)，不可避免地存在著能量較低、光譜覆蓋范圍不夠?qū)?、顯色性較差等缺點(diǎn)。YAG = Ce熒光粉作為最為常用的商業(yè)藍(lán)光激發(fā)LED熒光粉由于生產(chǎn)時(shí)需要使用大量稀土，導(dǎo)致其成本高昂，并且發(fā)射光譜中缺少紅光成分，與藍(lán)光LED芯片匹配后顯色指數(shù)較低等，這些缺點(diǎn)極大的限制了藍(lán)光激發(fā)LED的應(yīng)用。針對(duì)如上問(wèn)題，人們正在把目光投向于波長(zhǎng)較短的紫光LED芯片。紫光LED芯片由于其自身發(fā)射波長(zhǎng)為400 450nm，以典型的420nm紫光激發(fā)LED芯片為例，在相同條件下其能量比藍(lán)光LED芯片高出20%，這就意味著與相應(yīng)熒光粉匹配后可獲得高效的白光發(fā)射；另一方面，由于紫光LED芯片發(fā)射波長(zhǎng)較短，與熒光粉匹配后光譜的覆蓋的范圍更寬，可獲得比藍(lán)光激發(fā)LED更好的顯色性。理論計(jì)算可知，與420nm紫光LED芯片匹配最佳的熒光粉發(fā)射光譜峰位應(yīng)為發(fā)射主峰在555nm附近的寬帶峰，匹配后可獲得色溫較低的暖白光。但是，目前能夠滿足這一要求的熒光粉非常少，一方面以傳統(tǒng)藍(lán)光激發(fā)熒光粉直接與紫光LED芯片結(jié)合，激發(fā)匹配問(wèn)題導(dǎo)致其發(fā)光效率極其低下；另一方面，市場(chǎng)上尚未出現(xiàn)能與紫光LED芯片有良好匹配的商業(yè)熒光粉。因此，目前LED研發(fā)方向?yàn)樘綄た杀蛔瞎釲ED芯片395nm 450nm有效激發(fā)的暖白光熒光粉。硅酸三鍶體系作為一種新型熒光基質(zhì)，具有很高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性、顯色性以及良好的溫度猝滅效應(yīng)。目前SivxSiO5:Ce,熒光體由于其發(fā)射光譜在530nm，缺少紅光成分，造成其與420nm紫光LED匹配后色溫偏高；其次，由于Ce3+對(duì)Sr2+取代造成熒光強(qiáng)度的不足，限制了實(shí)際的應(yīng)用。本專利中，針對(duì)如上問(wèn)題，使用B3+、Al3+、Ga3+與Eu2+對(duì)Sr3_xSi05: Cex3+進(jìn)行改性，使其發(fā)射強(qiáng)度有了明顯的提升并且使其顯色性得到了極大的改善。該熒光體可適用于日光色LED及暖白光LED照明多種用途，同時(shí)也有可能作為液晶顯示器背光源用熒光粉，填補(bǔ)了這一領(lǐng)域的空白。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種安全無(wú)毒，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、易長(zhǎng)期保存、熒光性能穩(wěn)定、可調(diào)光的紫光激發(fā)黃光發(fā)射的熒光材料，并提供一種成本低廉、工藝簡(jiǎn)捷，節(jié)能環(huán)保又易于工業(yè)化生產(chǎn)的制備方法。為達(dá)到上述目標(biāo)，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料，其特征在于，其化學(xué)表達(dá)式如下Sr3_(x+y)MzSihO5 = Cex3^Euy2+,其中 M 為 B3+、A13+ 和 Ga3+ 中的一種或兩種，O ^ x ^ O. I,O ^ y ^ O. I,
O^ z ^ O. I0該突光材料在400nm 450nm的區(qū)間有很強(qiáng)的激發(fā),在發(fā)射峰主峰為在530nm 580nm的范圍有很強(qiáng)的發(fā)射，且發(fā)射光譜峰位可從530nm調(diào)節(jié) 至580nm。與420nm紫光LED芯片匹配后，色溫可從8500K調(diào)節(jié)至3700K，可制成冷白光至暖白光多種白光LED。上述紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，具體步驟如下I)按照Siv0^MzSihO5:Cex3+，Euy2+中除氧以外各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取鍶鹽，二氧化硅，鋁的化合物，鎵的化合物，鈰的化合物和銪的化合物；2)在室溫條件下將上述原料研磨混合均勻；3)在N2/H2氣氛下，以3 4°C的速度升溫至1300°C 1600°C，保溫4 8h，再次研磨即得到目標(biāo)產(chǎn)物。步驟I)所述鍶鹽選自碳酸鍶和硝酸鍶中的一種或兩種；所述鋁的化合物為三氧化二鋁、硝酸鋁、氟化鋁、氯化鋁中的一種或多種以任意比例混合；所述鎵的化合物為氧化鎵和硝酸鎵中的一種或兩種以任意比例混合；所述鈰的化合物為氧化鈰和硝酸鈰中的一種或兩種以任意比例混合；所述銪的化合物為氧化銪和硝酸銪中的一種或兩種以任意比例混
口 ο步驟2)中加入無(wú)水乙醇協(xié)助研磨，研磨完成后烘干料粉；無(wú)水乙醇的加入量為混合料質(zhì)量的20 50%。步驟3)中的N2/H2氣氛優(yōu)選95 % N2/5 % H2，保溫時(shí)間優(yōu)選8h。在本發(fā)明的熒光材料中，Sr3SiO5作為基質(zhì)，Ce3+所造成的晶格缺陷為發(fā)光中心；而少量的鎵、鋁、硼、中的一種或幾種可以摻雜入二氧化硅的晶格中，也可以游離態(tài)與硅酸三鍶并存；或一部分摻雜入二氧化硅的晶格中，另一部分與游離硅酸三鍶并存。鎵、鋁、硼、中的一種或幾種的摻雜可以增加Ce3+在可見光區(qū)的吸收，提高晶格的完整度，最終提高發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明中的銪離子摻雜入氧化鍶的格位，必須與鈰離子同時(shí)摻入形成第二發(fā)光中心；同時(shí)還必須摻雜硼、鋁、鎵中的一種或幾種。硼、鋁、鎵的摻雜可以提高鈰離子的發(fā)光強(qiáng)度，同時(shí)銪離子的摻入與發(fā)光強(qiáng)度提高的鈰離子間發(fā)生有效的能量傳遞，從而調(diào)節(jié)其發(fā)射光譜峰位，改善顯色性。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果I)首次制得了以硅酸三鍶為基質(zhì)的高亮度可調(diào)光熒光材料，該熒光材料的激發(fā)波長(zhǎng)在400nm 450nm，與420nm紫光LED芯片有著很好的匹配；本熒光材料發(fā)射峰主峰為在530nm 580nm的寬帶發(fā)射，且發(fā)射光譜主峰可從530nm調(diào)節(jié)至580nm、色溫從8500K調(diào)節(jié)至3700K的紫光激發(fā)黃光發(fā)射的高效熒光材料；該熒光材料正符合紫光LED的光轉(zhuǎn)換材料的吸收峰在400 450nm的要求，而且吸收強(qiáng)度較好，性能穩(wěn)定，在200°C溫度下，熒光強(qiáng)度為室溫下84%，是一種較理想的紫光激發(fā)LED熒光材料；2)本發(fā)明采用研磨法結(jié)合氫氣還原法，稍加研磨即可得到微細(xì)高效長(zhǎng)波段激發(fā)熒光粉末材料，具有安全無(wú)毒、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、易于長(zhǎng)期保存、熒光性能穩(wěn)定等；3)本發(fā)明的制備工藝簡(jiǎn)單易操作，原料價(jià)廉易得，安全無(wú)毒，反應(yīng)過(guò)程沒有工業(yè)三廢，具有綠色環(huán)保、高效益等特點(diǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)，特別是其紫光激發(fā)的良好性能使得該材料具有廣泛的應(yīng)用前景。


圖I為實(shí)施例1、4、7、10、13所制備的藍(lán)紫光激發(fā)的黃色熒光材料熒光的X射線衍射圖及Sr3SiO5標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDS No. 26-0984 ;其中，a)為實(shí)施例I所制得樣品X射線衍射圖，b)為實(shí)施例4所制得樣品X射線衍射圖，c)為實(shí)施例7所制得樣品X射線衍射圖，d)為實(shí)施例10所制得樣品X射線衍射圖，e)為實(shí)施例13所制得樣品X射線衍射圖。圖2實(shí)施例I 10所制備的無(wú)機(jī)熒光材料熒光光譜圖，其中a)為實(shí)施例l，b)為實(shí)施例2，c)為實(shí)施例3，d)為實(shí)施例4，e)為實(shí)施例8，f)為實(shí)施例5，g)為實(shí)施例9，h)為實(shí)施例6，i)為實(shí)施例10，j)為實(shí)施例7。圖3為商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YAG = Ce熒光粉和本發(fā)明實(shí)施例11 13所制備的無(wú)機(jī)熒光材料熒光光譜圖，其中a)為商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YAG: Ce熒光粉，b)為實(shí)施例11，c)為實(shí)施例12，d)為實(shí)施例13。圖4為標(biāo)準(zhǔn)YAG = Ce商業(yè)粉、實(shí)施例11和實(shí)施例12所制備的熒光材料與420nm紫光LED芯片匹配CIE圖，a)為標(biāo)準(zhǔn)YAG:Ce商業(yè)粉，b)為實(shí)施例11，c)為實(shí)施例12圖5為實(shí)施例12所制備的無(wú)機(jī)熒光材料關(guān)于溫度-衰減性能測(cè)試圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。實(shí)施例I本實(shí)施例提供紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，具體步驟如下I)稱取 4. 3919g SrCO3 (29. 75mmol) ,0. 6008gSi02 (IOmmol)和 O. 043g(0. 25mmol)CeO2 ；2)在通風(fēng)櫥中，將前驅(qū)物混合，加入樣品總質(zhì)量的50%的乙醇液體，研磨混勻；3)在鼓風(fēng)干燥箱中，在80°C溫度下，烘干；4)以上粉末放入管式爐同時(shí)通入95% N2/5% H2混合氣氛，以3 4°C /min的速度升溫至140(TC，灼燒6h后稍加研磨即得目標(biāo)產(chǎn)物。圖2中a)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見其激發(fā)波長(zhǎng)420nm ;發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)260。實(shí)施例2本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟I) O. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5977g (9. 95mmol) SiO2 和 O. 00309g (O. 05mmol) H3BO30圖2中b)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位):300。
實(shí)施例3本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 1)0. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5947g(9. 9mmol)Si02 和 O. 00618g(0. lmmol)H3B03o圖2中c)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng) 度(任意單位)310。實(shí)施例4本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g(IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5857g(9. 75mmol)Si02 和 O. 0154g(0. 25mmol)H3BO30圖2中d)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)330。實(shí)施例5本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5977g (9. 95mmol) SiO2 和 O. 0025g (O. 025mmol)
Al2O3U圖2中f)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)390。實(shí)施例6本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g(IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5947g(9. 9mmol)Si02 和 O. 0051g(0. 05mmol) A1203。圖2中h)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位):472。實(shí)施例7本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a)O. 6008g(IOmmol)SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5857g(9. 75mmol)Si02 和 O. 0125g(0. 125mmol)
Al2O3U圖2中j)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)571。實(shí)施例8本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5977g(9. 95mmol)Si02 和 O. 00468g(0. 025mmol)
Ga2O3 ο圖2中e)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位):360。實(shí)施例9本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5947g (9. 9mmol) SiO2 和 O. 00936g (O. 05mmol) Ga2O30圖2中g(shù))為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)441。實(shí)施例10本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) O. 6008g (IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5857g (9. 75mmol) SiO2 和 O. 0234g (O. 125mmol)
Ga2O3 ο圖2中i)為本實(shí)施例所制備的熒光材料熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)535nm ;熒光強(qiáng)度(任意單位)504。實(shí)施例11本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a) 4. 3919g SrCO3 (29. 75mmol)轉(zhuǎn)變?yōu)?4. 3843g SrCO3 (29. 7mmol)，將 0. 6008g (IOmmol)SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?0. 5857g(9. 75mmol)Si02 和 0. 0125g(0. 125mmol)Al2O3,將 0. 043g(0. 25mmol)CeO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?0. 043g(0. 25mmol)Ce02 與 0. 00875g(0. 025mmol) Eu2O30圖3中b)為本實(shí)施例所制備的無(wú)機(jī)熒光材料的熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)540nm。實(shí)施例12本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在 步驟 a) 4. 3919gSrC0s (29. 75mmol)轉(zhuǎn)變?yōu)?4. 3769g SrCO3 (29. 65mmol)，將 0. 6008g (IOmmol)SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?0. 5857g(9. 75mmol)Si02 和 0. 0125g(0. 125mmol)Al2O3,將 0. 043g(0. 25mmol)CeO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?0. 043g(0. 25mmol)Ce02 與 0. 0175g(0. 05mmoI)Eu2O30圖3中c)為本實(shí)施例所制備的無(wú)機(jī)熒光材料的熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)555nm。圖4為標(biāo)準(zhǔn)YAG = Ce商業(yè)粉、實(shí)施例11和實(shí)施例12所制備的熒光材料與420nm紫光LED芯片匹配CIE圖，a)為標(biāo)準(zhǔn)YAG:Ce商業(yè)粉，b)為實(shí)施例11，c)為實(shí)施例12。可以看出專利所述樣品均比商業(yè)熒光粉YAG:Ce色溫低，光色更偏向暖白光，為藍(lán)紫光激發(fā)黃光發(fā)射材料增添了一個(gè)新品種。本實(shí)施例所制備的無(wú)機(jī)熒光材料關(guān)于溫度-衰減性能測(cè)試如圖5所示?？梢钥闯鲈?00°C時(shí)其熒光強(qiáng)度為室溫下時(shí)的90%，擁有良好的溫度猝滅性能。實(shí)施例13本實(shí)施例的制備方法與本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例I所述相同，不同之處是在步驟 a)4.3919g SrCO3(29. 75mmol)轉(zhuǎn)變?yōu)?4. 3621g SrCO3(29. 55mmol),將
O.6008g(IOmmol) SiO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?O. 5857g(9. 75mmol)Si02 和 0. 0125g(0. 125mmol) Al2O3,將0. 043g (0. 25mmol) CeO2 轉(zhuǎn)變?yōu)?0. 043g (0. 25mmol) CeO2 與 0. 0351g (0. ImmoI) Eu2O30圖3中d)為本實(shí)施例所制備的無(wú)機(jī)熒光材料的熒光光譜圖；由圖可見發(fā)射主峰波長(zhǎng)570nm ;另外，實(shí)驗(yàn)證明所述摻雜元素的無(wú)機(jī)鹽可以是碳酸鍶、硝酸鍶、氧化鋁、硝酸鋁、氟化鋁、氯化鋁、氧化鎵、硝酸鎵、氧化硼、硼酸、氧化鈰、硝酸鈰、氧化銪、硝酸銪中任何幾種以任何比例形成的組合物。使用本發(fā)明的無(wú)機(jī)熒光材料可以用于白光LED熒光粉和液晶顯示器背光源熒光粉。上述實(shí)施例應(yīng)理解為僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。在閱讀了本發(fā)明記載的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等效變化和修飾同樣落入本發(fā)明權(quán)利要求所限定的范圍。
權(quán)利要求
1.一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料，其特征在于，其化學(xué)表達(dá)式如下Sr3_(x+y)MzSihO5 = Cex3^Euy2+,其中 M 為 B3+、A13+ 和 Ga3+ 中的一種或兩種，O ^ x ^ O. I,O ^ y ^ O. I,O ^ z ^ O. I0
2.權(quán)利要求I所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，其特征在于，具體步驟如下1)按照Siv0^MzSihO5= CexiEuy2+中除氧以外各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取鍶鹽，二氧化硅，鋁的化合物，鎵的化合物，鈰的化合物和銪的化合物；2)在室溫條件下將上述原料研磨混合均勻；3)在N2/H2氣氛下，以3 4°C的速度升溫至1300°C 1600°C，保溫4 8h，再次研磨即得到目標(biāo)產(chǎn)物。
3.權(quán)利要求2所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，其特征在于，步驟I)所述鍶鹽選自碳酸鍶和硝酸鍶中的一種或兩種；所述鋁的化合物為三氧化二鋁、硝酸鋁、氟化鋁、氯化鋁中的一種或多種以任意比例混合；所述鎵的化合物為氧化鎵和硝酸鎵中的一種或兩種以任意比例混合；所述鈰的化合物為氧化鈰和硝酸鈰中的一種或兩種以任意比例混合；所述銪的化合物為氧化銪和硝酸銪中的一種或兩種以任意比例混合。
4.權(quán)利要求2所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，其特征在于，步驟2)中加入無(wú)水乙醇協(xié)助研磨，研磨完成后烘干料粉。
5.權(quán)利要求4所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，其特征在于，無(wú)水乙醇的加入量為混合料質(zhì)量的20 50%。
6.權(quán)利要求2所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法，其特征在于，步驟3)中的N2/H2氣氛為95% N2/5% H2，保溫時(shí)間為8h。
7.權(quán)利要求I所述的紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料用于制備白光LED和液晶顯示器背光源熒光粉。
全文摘要
該發(fā)明公開了一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料及其制備方法，該材料其化學(xué)表達(dá)式如下Sr3-(x+y)MzSi1-zO5:Cex3+，Euy2+，其中M為B3+、Al3+和Ga3+中的一種或兩種，0≤x≤0.1，0≤y≤0.1，0≤z≤0.1，在400nm～450nm的區(qū)間有很強(qiáng)的激發(fā)，在發(fā)射峰主峰為在530nm～580nm的范圍有很強(qiáng)的發(fā)射，且其發(fā)射主峰位置可從530nm調(diào)節(jié)至580nm，色坐標(biāo)可從(0.342，0.518)調(diào)節(jié)至(0.415，0.486)；與420nm紫光LED芯片匹配后，色溫可從8500K調(diào)節(jié)至3700K，可根據(jù)實(shí)際需求制成冷白光至暖白光多種白光LED，在相同發(fā)射強(qiáng)度下，其原料成本不到標(biāo)準(zhǔn)YAG:Ce3+的1/10；且在200℃下熒光強(qiáng)度為室溫下的85％，可用于白光LED照明熒光粉，也可用于液晶顯示器背光源熒光粉，使得該材料具有廣泛的應(yīng)用前景。
文檔編號(hào)H01L33/50GK102618262SQ20121006904
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月15日
發(fā)明者任快俠, 余錫賓, 羅宏德, 許博, 鄭霄, 韓麗仙 申請(qǐng)人:上海師范大學(xué)