專利名稱：Oled器件、amoled器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照明器件及顯示器件制造領(lǐng)域，尤其涉及ー種OLED器件、AMOLED器件及AMOLED器件的制造方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光顯示器件(Organic Light-Emitting Diode,0LED)的基本結(jié)構(gòu)包括陽極層，功能層和陰極層。其中功能層包括空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層。當(dāng)給陰極和陽極提供適當(dāng)電壓時，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，井分別經(jīng)過電子和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，空穴與電子在發(fā)光層中復(fù)合發(fā)光，從而實現(xiàn)OLED器件自身發(fā)光的特性。為了增加發(fā)光效率，OLED器件的陽極材料必需具有高功函數(shù)和可透光性，而陰極材料通常需要具有低功函數(shù)。所以具有4. 5eV-5. 3eV的功函數(shù)、性質(zhì)穩(wěn)定且透光的ITO透明導(dǎo)電膜被廣泛用作陽極材料。具有低功函數(shù)的Al、Ca、Li與Mg等金屬或低功函數(shù)的復(fù)合金屬通常用作陰極材料。但通常情況下，ITO薄膜和各種金屬自身的功函數(shù)是固定的，提高ITO薄膜的功函數(shù)或者降低金屬的功函數(shù)主要是通過對它們進行表面處理來實現(xiàn)的，因此對現(xiàn)有OLED器件電極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍是很有限的，這就限制了 OLED器件顯示效率的提聞。此外，有源矩陣有機發(fā)光顯示器件(Active Matrix Organic Light EmittingDiode,AMOLED)主要由薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)和 OLED 構(gòu)成。其中，TFT包括柵電極、柵絕緣層、TFT有源層、源漏電極、和像素電極層等結(jié)構(gòu)。OLED包括陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層等結(jié)構(gòu)。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)造成AMOLED器件的制造エ藝繁雜，生產(chǎn)成本高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供ー種OLED器件、AMOLED器件及AMOLED器件的制造方法，用以擴大OLED器件電極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍，同時提高OLED器件的發(fā)光效率；減少AMOLED器件的制造エ藝，降低生產(chǎn)成本。為達到上述目的，本發(fā)明實施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供ー種OLED器件，包括陽極層、功能層和陰極層，其特征在于，所述陰極層和/或所述陽極層由氧化物半導(dǎo)體銦鎵鋅氧IGZO材料制成。一方面，提供ー種AMOLED器件，包括TFT有源層、像素電極層及OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層；或者，所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層；且所述TFT有源層、像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝形成的。一方面，提供ー種AMOLED器件的制造方法，該方法包括，
在襯底上依次形成柵電極、柵絕緣層；沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層；依次形成源電極、漏電極和像素界定層；形成OLED器件。本發(fā)明實施例提供的OLED器件，陰極層和/或陽極層采用IGZO薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，OLED器件電極的功函數(shù)具有更寬的調(diào)節(jié)范圍，同時提高OLED器件的發(fā)光效率。本發(fā)明實施例提供AMOLED器件及AMOLED器件 的制造方法，TFT有源層和像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)一次沉積、光刻、刻蝕エ藝制成。該像素電極層同時作為OLED器件的陰極層或陽極層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了 AMOLED器件制造過程中像素電極的制造エ藝，從而降低AMOLDE器件的生產(chǎn)成本，縮短了生產(chǎn)時間。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例提供的OLED器件一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件的另ー種結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件制造方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件制造方法過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖ー；圖6為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件制造方法過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖ニ ；圖7為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件造方法過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖三；圖8為本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件制造方法過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖四；圖9本發(fā)明提供的AMOLED器件制造方法的第一實施例的流程圖；圖10本發(fā)明提供的AMOLED器件制造方法的第二實施例的流程圖；圖11本發(fā)明提供的AMOLED器件制造方法的第三實施例的流程圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供的OLED器件，如圖I所示，包括襯底11、陽極層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15和陰極層16。空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層15為功能層；其中，陽極層12、或者陰極層16、或者陽極層12和陰極層16采用IGZO(氧化物半導(dǎo)體銦鎵鋅氧，InGaZnO4)材料制成。進ー步的，可以對IGZO薄膜進行表面處理。示例性的，OLED器件的襯底11采用透明玻璃，陽極層12由厚度為5_10nm的Au金屬層和厚度為100-300nm的Al金屬層組成，空穴傳輸層13采用厚度為30_70nm的NPB (N，N' -ニ苯基-N-N' ニ(I-萘基)-1，I' ニ苯基-4，4' -ニ胺)，電子傳輸層15和發(fā)光層14合為ー層，采用厚度為30-70nm的8-羥基喹啉鋁(AlQ)，陰極層16采用厚度為IOOnm的IGZO薄膜。優(yōu)選的，IGZO陰極層16采用H2等離子體處理表面I分鐘。該OLED器件的陰極層采用IGZO薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)中陰極層采用的金屬材料相比，調(diào)節(jié)IGZO薄膜中銦、鎵、鋅和氧的元素組分可以調(diào)節(jié)IGZO薄膜的功函數(shù)，擴大OLED器件陰極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍。IGZO陰極層表面處理后，可以進一歩降低陰極層的功函數(shù)。從而可以提高OLED器件的發(fā)光效率。示例性的，OLED器件的襯底11采用石英 ，陽極層12采用厚度為50nm的IGZO薄膜；空穴傳輸層13采用厚度為50nm的NPB ;發(fā)光層14采用分像素區(qū)掩模蒸鍍エ藝制成。綠光、藍光和紅光像素區(qū)分別采用摻雜磷光材料的主體材料25nm厚的CBP: (ppy) 2Ir (acac)(4,4/ -N，N' - ニ咔唑-聯(lián)苯ニ(2-苯基吡啶)こ酰丙酮銥)、CBP:FIrpic(4，4' -N，N' - ニ咔唑-聯(lián)苯雙(4，6-ニ氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥)和CBP:Btp2Ir(acac)(4,4/ -N，N' - ニ咔唑-聯(lián)苯ニ(2-(2’-苯并[4，5-a]噻吩基)吡啶-N，C30)銥(こ酰丙酮))；電子傳輸層15采用厚度為25nm厚的Bphen (4, 7-ニ苯基-1,10-菲P羅啉)；陰極層16采用厚度為200nm的Sm和Al雙層金屬層；優(yōu)選的，陽極層12采用O2等離子體處理表面。該OLED器件的陽極層采用IGZO薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)中陽極層采用的ITO薄膜相比，調(diào)節(jié)IGZO薄膜的元素組分可以調(diào)節(jié)IGZO薄膜的功函數(shù)，擴大OLED器件陽極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍。IGZO陽極層表面處理后，可以進ー步提高陽極層的功函數(shù)。使得OLED器件的發(fā)光效
率提高。示例性的，OLED器件的襯底11采用石英。陽極層12采用厚度為50nm的IGZO薄膜，空穴傳輸層13由30-70nm厚的NPB制成，電子傳輸層15和發(fā)光層14合為ー層，由30-70nm厚的8-羥基喹啉鋁(AlQ)制成，陰極層16采用厚度為IOOnm的IGZO薄膜。優(yōu)選的，IGZO陰極層16采用H2等離子體處理表面I分鐘。IGZO陽極層12采用O2等離子體處
理表面。該OLED器件的陰極層和陽極層采用IGZO薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)相比，OLED器件陰極和陽極的功函數(shù)具有更寬的調(diào)節(jié)范圍。提高了 OLED器件的發(fā)光效率。需要說明的是，上述各OLED器件的功能層也可以進一歩的包括空穴注入層、空穴阻擋層、電子注入層、電子阻擋層、鈍化層、保護層等結(jié)構(gòu)。各層可采用有機小分子材料、有機聚合物材料，也可采用無機材料，以及復(fù)合摻雜材料等。對IGZO薄膜的表面處理方式可包括等離子體處理，如H2, CF4等；也包括液體處理如HC1，HF等。IGZO薄膜也可采用含有IGZO薄膜的復(fù)合薄膜，如A1/IGZ0復(fù)合薄膜作為陰極，Ag/IGZO復(fù)合薄膜作為陽極?？梢栽贗GZO薄膜上刻蝕圖形，實現(xiàn)光學(xué)特性改善。本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件，如圖2所示，該AMOLED器件包括襯底21、柵電極22、柵絕緣層23、TFT有源層24和像素電極層25、刻蝕阻擋層26、源電極27、漏電極28、像素界定層29和OLED器件30。其中，TFT有源層24和像素電極層25是由同一層IGZO薄膜經(jīng)光刻、刻蝕形成的。OLED器件30包括陽極層305和空穴傳輸層304、發(fā)光層303、電子傳輸層302。其中，電子傳輸層302、發(fā)光層303、空穴傳輸層304為功能層。像素電極層25是OLED器件30的陰極層301。或者，如圖3，OLED器件30包括陰極層315、電子傳輸層314、發(fā)光層313、和空穴傳輸層312。像素電極層25是OLED器件30的陽極層311。本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件，TFT有源層、像素電極層由同一層IGZO薄膜制成，該像素電極層即作為OLED器件的陰極層或陽極層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了 AMOLED器件制造過程中沉積、光刻、刻蝕像素電極層的エ藝，從而降低AMOLDE器件的生產(chǎn)成本。此夕卜，調(diào)節(jié)IGZO薄膜的元素組分可以調(diào)節(jié)OLED器件的陰極層或陽極層的功函數(shù)，擴大OLED器件陰極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍。提高AMOLED器件的顯示效率。本發(fā)明另一實施例提供的AMOLED器件，可以在圖I所示的AMOLED器件的基礎(chǔ)上，陽極層305采用IGZO材料制成；也可以在圖7 所示的AMOLED器件的基礎(chǔ)上，陰極層315采用IGZO材料制成。這樣，AMOLED器件的陰極層和陽極層均采用IGZO材料，同時調(diào)節(jié)陰極層和陽極層IGZO材料的元素組分以降低陰極層的功函數(shù)，提高陽極層的功函數(shù)，可以提高AMOLED器件的發(fā)光效率。下面通過圖3-圖8對本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件的制造方法進行說明。如圖4所示,該方法包括401、在襯底上依次形成柵電極、柵絕緣層。示例性的，該步驟包括清洗襯底21 ;采用濺射、蒸鍍等方法沉積柵極金屬井光亥IJ、刻蝕，得到柵電極22 ;采用化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積等方法沉積柵極絕緣層23。如圖5所示。當(dāng)然，在清洗襯底后可以沉積緩沖層，防止襯底21中的雜質(zhì)對位于襯底21上部結(jié)構(gòu)的損傷。402、沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層。如圖6，采用濺射等方法沉積IGZO薄膜層，光刻、刻蝕，得到的有源層24和像素電極層25。通過該步驟，經(jīng)一次沉積、光刻、刻蝕エ藝同時得到有源層24和像素電極層25，減少了現(xiàn)有技術(shù)中沉積、光刻、刻蝕像素發(fā)光層的エ藝。優(yōu)選的，步驟402后還可以進行如下步驟，在所述TFT有源層上形成刻蝕阻擋層。采用濺射、蒸鍍等方法沉積、光刻、刻蝕形成刻蝕阻擋層26。如圖7所示?？涛g阻擋層26可以避免源、漏電極的刻蝕エ藝對IGZO有源層的損傷。403、依次形成源電極、漏電極和像素界定層。采用濺射、蒸鍍等方法沉積、光刻、刻蝕形成源電極27、漏電極28。旋涂沉積亞克力系材料或樹脂材料，井光刻、固化出像素界定層29。如圖8所示。當(dāng)然，在本步驟中還可以加入鈍化層。至此，形成TFT背板部分。優(yōu)選的，步驟403后還可以進行如下步驟，對制作完成所述像素界定層之后的襯底表面進行表面處理。示例性的，當(dāng)步驟402的像素電極層25作為步驟406中OLED器件的陰極401時，可采用H2, CF4等離子體表面處理，也可采用HCl，HF等液體表面處理。當(dāng)步驟402的像素發(fā)光區(qū)25作為步驟406中OLED器件的陽極311時，可采用O2等離子體表面處理。通過本步驟可以進一歩降低或提高IGZO薄膜表面功函數(shù)。404、形成 OLED 器件。
示例性的，當(dāng)步驟402的像素發(fā)光區(qū)25作為步驟404中OLED器件的陰極301吋，在真空條件下依次熱蒸發(fā)蒸鍍電子傳輸層302、有機發(fā)光層303、空穴傳輸層304和陽極層305。得到如圖3所示的AMOLED器件。當(dāng)步驟402的像素電極層25作為步驟404中OLED器件的陽極311吋，依次沉積空穴傳輸層312、有機發(fā)光層313、電子傳輸層314和陰極層315。得到如圖3所示的AMOLED器件。當(dāng)然，本步驟中可以加入電極修飾層、空穴注入層、電子注入層、光學(xué)增透層等。本發(fā)明實施例提供的AMOLED器件的制造方法，TFT有源層和像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)一次沉積、光刻、刻蝕エ藝制成。該像素電極層即作為OLED器件的陰極層或陽極層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了 AMOLED器件制造過程中像素電極層的制備エ藝，從而降低AMOLDE器件的生產(chǎn)成本。此外，調(diào)節(jié)IGZO薄膜 的元素組分可以調(diào)整其作為OLED電極的功函數(shù)，從而提高OLED器件的發(fā)光效率。下面通過具體實施例對本發(fā)明提供的AMOLED器件的制造方法做具體說明。作為本發(fā)明提供的AMOLED器件的制造方法的第一實施例，如圖9，該方法包括如下步驟，501、清洗襯底21。采用CVD方法沉積厚度為200nm的SiO2薄膜作為緩沖層。采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬Mo，光刻、刻蝕得到柵電極22。采用CVD方法在370°C下沉積厚度為150nm的SiO2作為柵絕緣層23。502、采用濺射方法沉積厚度為50nm的IGZO薄膜層，光刻、刻蝕得到有源層24和像素電極層25。503、采用濺射方法沉積厚度為50nm的SiO2層，光刻、刻蝕得到阻擋層26。504、米用派射方法沉積厚度為200nm的金屬層，該金屬層是由Mo和Al組成的雙層金屬層。井光刻、刻蝕得到源電極27、漏電極28。旋涂沉積亞克力系材料井光刻、固化得到厚度為I. 5nm的像素界定層29。至此形成TFT背板部分。505、采用H2等離子體處理TFT的背板表面，同時鈍化表面層。506、在IxKT5Pa的真空、190°C下依次熱蒸發(fā)蒸鍍電子傳輸層302、發(fā)光層303,在IxKT5Pa的真空、170°C下熱蒸發(fā)蒸鍍空穴傳輸層304，在IxKT5Pa的真空、900°C下熱蒸發(fā)蒸鍍陽極層305。其中，電子傳輸層302和發(fā)光層303合為ー層,用厚度為30_70nm的8_輕基喹啉鋁(AlQ)制成?？昭▊鬏攲?04用厚度為30-70nm的NPB制成。陽極層305采用Au和Al雙層結(jié)構(gòu)。Au層的蒸發(fā)速率為lnm/min，厚度為5-10nm。Al層的厚度為100_300nm。上述方法制造的AMOLED器件發(fā)綠光(發(fā)光峰位為522nm)，出光方式為底出光。作為本發(fā)明提供的AMOLED器件的制造方法的第二實施例，如圖10，該方法包括如下步驟，601、清洗襯底21。采用CVD方法沉積厚度為200nm的SiO2薄膜作為緩沖層。采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬Cr，光刻、刻蝕得到柵電極22。采用CVD方法在390°C下沉積厚度為120nm的SiO2和SiNx作為柵絕緣層23。602、采用濺射方法沉積厚度為50nm的IGZO薄膜層，在400°C純氧環(huán)境下退火lh，光刻、刻蝕得到有源層24和像素電極層25。
603、采用濺射方法沉積厚度為50nm的SiO2層，光刻、刻蝕得到阻擋層26。604、采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬層，該金屬層是由Mo和Ti組成的雙層金屬層。光刻、刻蝕得到源電極27、漏電極28。旋涂沉積有機樹脂材料井光刻、固化得到厚度為2um的像素界定層29。至此形成TFT背板部分。605、采用O2等離子體處理TFT的背板表面。606、沉積厚度為5-10nm的V2O5作為空穴增強層。沉積厚度為50nm的NPB作為空穴傳輸層312。采用分像素區(qū)掩模蒸鍍エ藝制造發(fā)光層313;其 中，綠光、藍光和紅光像素區(qū)分別采用摻雜磷光材料的主體材料厚度為25nm的CBP: (ppy) 2Ir (acac)、CBPiFIrpic和CBP :Btp2Ir (acac)。沉積厚度為25nm的Bphen作為電子傳輸層314。沉積厚度為200nm的Sm和Al層作為陰極層315。該方法制造的AMOLED器件為全彩發(fā)光，出光方式為底出光。作為本發(fā)明的提供的AMOLED器件的制造方法的第三實施例，如圖11，該方法包括如下步驟，701、清洗襯底21。在襯底21背面蒸鍍厚度為150_300nm的Al層作為反射鏡。采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬Mo，光刻、刻蝕得到柵電極22。采用CVD方法在390°C下沉積厚度為120nm的SiO2和SiNx作為柵絕緣層23。702、采用濺射方法沉積厚度為50nm的IGZO薄膜層，光刻、刻蝕得到有源層24和像素電極層25。703、采用濺射方法沉積厚度為50nm的SiO2層，光刻、刻蝕得到阻擋層26。704、采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬層，該金屬層是由Mo和Ti組成的雙層金屬層。光刻、刻蝕得到源電極27、漏電極28。沉積SiO2和SiNx復(fù)合層，光刻、刻蝕得到鈍化層。旋涂沉積有機樹脂材料井光刻、固化得到厚度為2um的像素界定層29。至此形成TFT背板部分。705、采用CF4等離子體處理TFT的背板表面。同時鈍化表面層。706、采用旋涂沉積厚度為80nm的MEH-PPV將有機電子傳輸層302、發(fā)光層303和空穴傳輸層304合為ー層。沉積V2O5和Au復(fù)合層作為陽極層305。其中，V2O5層厚度為5-10nm ；Au的蒸發(fā)速率為lnm/min,厚度為15_30nm。該方法制造的AMOLED器件發(fā)紅光，出光方式為頂出光。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種OLED器件，包括陽極層、功能層和陰極層，其特征在于，所述陰極層和/或所述陽極層由氧化物半導(dǎo)體銦鎵鋅氧IGZO材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED器件，其特征在于，所述陰極層和/或所述陽極層是經(jīng)過等離子體表面處理或液體表面處理過的IGZO薄膜。
3.—種AMOLED器件，包括TFT有源層、像素電極層及OLED器件，其特征在干，所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層；或者，所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層； 且所述TFT有源層、像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AMOLED器件，其特征在干， 在所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層的情況下，所述OLED器件的陰極層由IGZO材料制成； 在所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層的情況下，所述OLED器件的陽極層由IGZO材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的AMOLED器件，其特征在于，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層設(shè)置在所述TFT有源層上。
6.ー種AMOLED器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括，在襯底上依次形成柵電極、柵絕緣層； 沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層； 依次形成源電極、漏電極和像素界定層； 形成OLED器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在干， 所述形成OLED器件包括， 依次沉積功能層和陽極； 或者，依次沉積功能層和陰扱。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述依次形成源電極、漏電極和像素界定層之后，還包括， 對制作完成所述像素界定層之后的襯底表面進行表面處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在干， 在所述沉積IGZO薄膜層，并經(jīng)光刻、刻蝕得到TFT有源層和像素電極層之后，還包括， 在所述TFT有源層上形成刻蝕阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種OLED器件、AMOLED器件及其制造方法，屬于照明器件及顯示器件制造領(lǐng)域，用以擴大OLED器件電極功函數(shù)的調(diào)節(jié)范圍，提高OLED器件的發(fā)光效率；減少AMOLED器件的制造工藝，降低生產(chǎn)成本。其中AMOLED器件包括，TFT有源層、像素電極層及OLED器件，所述OLED器件包括陰極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陽極層；或者，所述OLED器件包括陽極層和功能層，所述像素電極層作為所述OLED器件的陰極層；且所述TFT有源層、像素電極層由同一層IGZO薄膜經(jīng)過構(gòu)圖工藝形成的。本發(fā)明實施例適用于照明器件及顯示器件制造。
文檔編號H01L51/52GK102651455SQ20121004881
公開日2012年8月29日 申請日期2012年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月28日
發(fā)明者張立, 李延釗, 李禹奉, 王剛 申請人:京東方科技集團股份有限公司