專利名稱：鹵素摻雜azo導(dǎo)電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，尤其涉及一種鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電薄膜電極，是有機電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個器件的發(fā)光效率。其中，氧化銦錫(ITO)是最常用的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。而氧化鋁鋅(AZO)材料是研究最熱門的ITO替代材料，原料廉價，無毒環(huán)保，具有良好的光電性能。目前，AZO的導(dǎo)電性和透光性能已經(jīng)接近ΙΤ0，逐漸進入商品化的階段。但是要在OLED器件中作為陽極應(yīng)用，還要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而AZO的功函數(shù)一般只有4.2 4.5eV,經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4.7 5.1eV,與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7 6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙著發(fā)光效率的提高。。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題之一在于提供一種可以提高發(fā)光效率的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法。一種鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其制備工藝如下:S1、稱取A1203、ZnO和ZnR2粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得陶瓷靶材；其中，R選自F、Cl或Br ;A1203、ZnO和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為0.005 0.05mol、0.8 0.95mol 以及 0.05 0.2mol ；S2，將步驟SI·中得到的陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體設(shè)置為真空態(tài)；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ;接著進行制膜，得到所述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為ZnCVxRxIyAl3+ ;其中，R為摻雜元素，x的取值范圍為0.05 0.2, y的取值范圍為0.01 0.1。上述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜制備方法中:步驟SI中，優(yōu)選，Al2O3' ZnO和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為0.3mol、0.9mol以及0.lmol，相應(yīng)地，步驟S3中，X的取值范圍為0.l，y的取值范圍為0.06 ;所述靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C。步驟S3中，優(yōu)選，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25SCCm ;所述襯底溫度為500°C ;所述濺射功率為100W。本發(fā)明所要解決的問題之二在于提供一種采用上述制備方法制得的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，該齒素摻雜AZO導(dǎo)電膜包含薄膜通式為ZnOhRxIyAl3+ ;其中，R為摻雜兀素，R選自F、Cl或Br，X的取值范圍為0.05 0.2，y的取值范圍為0.01 0.1 ;優(yōu)選，x的取值范圍為0.l，y的取值范圍為0.06;上述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其方塊電阻范圍為20 100 Ω / □以及表面功函數(shù)為5.3 5.9eV0本發(fā)明的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85 % 90%，方塊電阻范圍20 100 Ω/ □，表面功函數(shù)5.3 5.9Ev，使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備制備鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其制備工藝簡單、易于控制。


圖1為實施例中鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備工藝流程圖；圖2為實施例1制得的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜樣品的透射光譜。
具體實施例方式本實施例中提供的一種齒素摻雜AZO導(dǎo)電膜,該齒素摻雜AZO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為ZnCVxRx: yAl3+ ;其中，R為摻雜元素，R選自F、C1或Br，x的取值范圍為0.05 0.2，y的取值范圍為0.01 0.1 ;優(yōu)選，X的取值范圍為0.1，y的取值范圍為0.06 ;所述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的方塊電阻范圍20 100 Ω / □以及表面功函數(shù)為5.3 5.9eV ^AZO導(dǎo)電膜是以Zn0:A13加AZO為透明導(dǎo)電基材，鹵素(如，F(xiàn)、Cl或Br)摻雜為功函數(shù)改性元素。本實施例中提供的上述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜制備方法，如圖1所示，其制備工藝如下:S1、陶瓷靶材的制備:稱取A1203、ZnO和ZnR2粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C (優(yōu)選1250°C )下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；其中`，R選自F、C1或Br ;Α1203、Ζη0和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為 0.005 0.05mol、0.8 0.95mol 以及 0.05 0.2mol ；S2、將步驟SI中的陶瓷靶材和襯底(如，玻璃)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，將真空腔體設(shè)置成真空態(tài)，真空態(tài)的真空度是采用機械泵和分子泵把腔體抽至1.0X KT3Pa 1.0X I(T5Pa,優(yōu)選真空度為 5.0X KT4Pa ；S3、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，優(yōu)選60mm ;襯底溫度為250°C 750°C，優(yōu)選500°C ;氬氣工作氣體的氣體流量10 35sccm，優(yōu)選25sccm ;磁控濺射工作壓強0.2 4Pa，優(yōu)選2.0Pa ;濺射功率為30 150W，優(yōu)100W ;工藝參數(shù)調(diào)整完畢后，接著進行制膜，制得到所述齒素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該齒素摻雜AZO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為ZnOhRxIyAl3+;其中，R為摻雜元素，x的取值范圍為0.05 0.2，y的取值范圍為0.01 0.1。上述制備方法的步驟SI中，優(yōu)選，Α1203、Ζη0和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為0.3mol、
0.9mol以及0.lmol，相應(yīng)地，步驟S3中，x的取值范圍為0.1，y的取值范圍為0.06。鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85 % 90 %，方塊電阻范圍20 100Ω/ □，表面功函數(shù)5.3 5.9eV，使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。采用磁控濺射設(shè)備制備鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其制備工藝簡單、易于控制。
下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。下述各實施例中的襯底均采用玻璃。實施例11、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnF2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為0.03mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.9mol, ZnF2的摩爾數(shù)為0.lmol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnO0.9F0.!: 0.06A13+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25 Ω / 口、表面功函數(shù)為5.8eV0圖2為實施例1制得的鹵素摻·雜AZO導(dǎo)電膜樣品的透射光譜；使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為250 SOOnm ;圖2中可知，薄膜在可見光范圍具有良好的透過性能，是優(yōu)秀的透明導(dǎo)電薄膜材料。實施例21、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnF2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.005mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.8mol, ZnF2的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnO0.8F0.2:0.0lAl3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍95 Ω / 口、表面功函數(shù)為5.9eV0實施例31、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnF2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.05mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.95mol, ZnF2的摩爾數(shù)為0.05mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；
3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnO0.95F0.05:0.1Al3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍22 Ω / 口、表面功函數(shù)為5.5eV。實施例41、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnCl2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為0.03mol、ZnO的摩爾數(shù)為0.9mol, ZnCl2的摩爾數(shù)為0.lmol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強為2.0Pa;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnOa 9C10.!: 0.06A13+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍50 Ω / □、表面功函數(shù)為5.9eV0實施例51、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnCl2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.05mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.8mol, ZnCl2的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnOa8Cla2:0.1Al3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍30Ω/ 口、表面功函數(shù)為5.4eV。實施例61、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnCl2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.005mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.95mol，ZnF2的摩爾數(shù)為0.05mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnO0.95C10.05:0.0IAl3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25 Ω / □、表面功函數(shù)為5.7eV。實施例71、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnBr2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.03mol、ZnO的摩爾數(shù)為0.9mol, ZnBr2的摩爾數(shù)為0.lmol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強為2.0Pa;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnOa 9Br0.!: 0.06A13+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍40 Ω / □、表面功函數(shù)為5.6eV0實施例81、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnBr2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.005mol、ZnO的摩爾數(shù)為0.8mol, ZnBr2的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強為0.2Pa ;襯底溫度為25 0 °C，濺射功率為150W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為ZnOa 8Br0.2:0.0 IAl3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍100 Ω / □、表面功函數(shù)為5.3eV。
實施例91、選用純度分別為99.99%的A1203、ZnO和ZnBr2粉體(其中，Al2O3的摩爾數(shù)為
0.05mol、Zn0的摩爾數(shù)為0.95mol，ZnBr2的摩爾數(shù)為0.05mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強為4.0Pa ;襯底溫度為750 V，濺射功率為30W ;接著進行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為Zn00.95Br0.05:0.1Al3+的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍70 Ω / □、表面功函數(shù)為5.5eV。應(yīng)當理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范 圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟如下: S1、稱取Al2O3、ZnO和Znr2粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得陶瓷靶材;其中，R選自F、C1或Br ;Α1203、Ζη0和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為0.005 0.05mol、0.8 0.95mol 以及 0.05 0.2mol ； S2，將步驟SI中得陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體設(shè)置成真空態(tài)； S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ;接著進行制膜，得到所述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜；該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為ZnOhRxIyAl3+;其中，R為摻雜元素，x的取值范圍為0.05 0.2，y的取值范圍為0.01 0.1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，Al2O3、ZnO和ZnR2粉體的摩爾數(shù)分別為0.3mol、0.9mol以及0.1mol，相應(yīng)地，步驟S3中，X的取值范圍為0.1，y的取值范圍為0.06。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，所述靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述真空狀態(tài)的真空度為1.0 X KT3Pa 1.0 X 10_5Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述真空狀態(tài)的真空度為5.0X10_4Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25sccm ;所述襯底溫度為500°C ;所述濺射功率為100W。
7.一種采用權(quán)利要求1所述的制備方法制得的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其特征在于，該鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜包含薄膜通式為ZnCVxRx:yAl3+ ;其中，R為摻雜元素，R選自F、Cl或Br，X的取值范圍為0.05 0.2，y的取值范圍為0.01 0.1。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其特征在于，X的取值范圍為0.1，y的取值范圍為0.06。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其特征在于，所述鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜的方塊電阻范圍為20 100 Ω / 口以及表面功函數(shù)為5.3 5.9eV。
全文摘要
本發(fā)明屬于導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，其公開了一種鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜及其制備方法；該導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為ZnO1-xRx:yAl3+；其中，R為摻雜元素，R選自F、Cl或Br，x的取值范圍為0.05～0.2，y的取值范圍為0.01～0.1。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備鹵素摻雜AZO導(dǎo)電膜，其在450～790nm波長范圍可見光透過率85％～90％，方塊電阻范圍20～100Ω/□，表面功函數(shù)5.3～5.9eV。
文檔編號H01L51/52GK103243297SQ20121003018
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司