專利名稱：溝槽型功率晶體管組件及其制作方法
溝槽型功率晶體管組件及其制作方法技術領域
本發(fā)明是涉及一種溝槽型功率晶體管組件及其制作方法，特別涉及一種具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件及其制作方法。
背景技術：
功率晶體管組件常應用于電源管理的部分，例如，切換式電源供應器、計算機中心或周邊電源管理1C、背光板電源供應器或馬達控制等等用途，其種類包含有絕緣閘雙極性晶體管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)、金氧半場效應晶體管(metal-oxi de-semi conductor field-effect transistor, M0SFET)與雙極結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)等組件。
請參考圖1，圖1為現(xiàn)有溝槽型功率晶體管組件的剖面示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有溝槽型功率晶體管組件10包含一 N型基材12、一 N型外延層14、多個溝槽16、一柵極絕緣層18、多個柵極20以及一源極金屬層22。N型外延層14設置于N型基材12上，且各溝槽16位于N型外延層14上。柵極絕緣層18覆蓋于各溝槽16的表面，且各柵極20填充于各溝槽16中。并且，柵極絕緣層18將各柵極20與源極金屬層22電隔離。N型外延層14上還形成多個P型基體摻雜區(qū)24，且各P型基體摻雜區(qū)24上還形成一 N型源極摻雜區(qū)26，而各P型基體摻雜區(qū)24中還植入一 P型接觸摻雜區(qū)28。各P型接觸摻雜區(qū)28通過一接觸插塞30電連接至源極金屬層22。此外，現(xiàn)有溝槽型功率晶體管組件10的漏極金屬層32是設置于N型基材12的下表面。
為了提高溝槽型功率晶體管組件的耐壓能力，已發(fā)展出在N型基材上形成P型外延層與N型外延層沿水平方向依序交替設置的結(jié)構(gòu)，這樣的功率晶體管組件又稱為超級接口功率晶體管組件。然而，溝槽型功率晶體管組件的柵極與作為漏極的N型外延層具有較大的重疊面積，且其間的柵極絕緣層具有較小的厚度，造成較高的米勒電容，進而導致較高的切換損失(switching loss),影響組件效能。
有鑒于此，降低溝槽型功率晶體管組件的米勒電容實為本領域的技術人員所努力的目標。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種溝槽型功率晶體管組件及其制作方法，以降低米勒電容，并增加耐壓。
為達上述的目的，本發(fā)明提供一種溝槽型功率晶體管組件，包括一基底、一外延層、一第一擴散摻雜區(qū)、一源極摻雜區(qū)、一柵極結(jié)構(gòu)、一第二擴散摻雜區(qū)以及一終端導電層?；拙哂幸坏谝粚щ婎愋?，且基底具有一有源區(qū)以及一終端區(qū)。外延層設于基底上，且具有不同于第一導電類型的一第二導電類型，其中外延層具有至少一第一穿孔以及至少一第二穿孔，分別貫穿外延層，第一穿孔位于有源區(qū)，且第二穿孔位于終端區(qū)。第一擴散摻雜區(qū)設于第一穿孔一側(cè)的外延層中，且與基底相接觸，其中第一擴散摻雜區(qū)具有第一導電類型。源極摻雜區(qū)設于第一擴散摻雜區(qū)的正上方的外延層中，且源極摻雜區(qū)具有第一導電類型。柵極結(jié)構(gòu)設于第一擴散摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)之間的第一穿孔中。第二擴散摻雜區(qū)設于第二穿孔一側(cè)的外延層中，且與基底相接觸，其中第二擴散摻雜區(qū)具有第一導電類型。終端導電層設于第二擴散摻雜區(qū)上方的第二穿孔中。
為達上述的目的，本發(fā)明提供一種溝槽型功率晶體管組件的制作方法。首先，提供一基底，且基底具有一第一導電類型，其中基底具有一有源區(qū)以及一終端區(qū)。然后，于基底上形成一外延層，且外延層具有不同于第一導電類型的一第二導電類型。接著，于外延層中形成至少一第一穿孔與至少一第二穿孔，貫穿外延層，其中第一穿孔位于有源區(qū)，且第二穿孔位于終端區(qū)。隨后，于第一穿孔與第二穿孔中分別填入一摻質(zhì)來源層。之后，于第一穿孔一側(cè)的外延層中形成一第一擴散摻雜區(qū)以及于第二穿孔一側(cè)的外延層中形成一第二擴散摻雜區(qū)，且于第一穿孔中形成一柵極結(jié)構(gòu)，其中第一擴散摻雜區(qū)與第二擴散摻雜區(qū)具有第一導電類型。接下來，于第一穿孔的一側(cè)的外延層中形成一源極摻雜區(qū)，且源極摻雜區(qū)位于第一擴散摻雜區(qū)的上方，其中源極摻雜區(qū)具有第一導電類型，且柵極結(jié)構(gòu)位于第一擴散摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)之間。
綜上所述，本發(fā)明通過在第一穿孔中填入具有絕緣特性的摻質(zhì)來源層，且利用熱驅(qū)入工藝將其中具有導電特性的摻質(zhì)擴散至外延層中，以形成在垂直方向上與柵極導電層部分重疊的第一擴散摻雜區(qū)，且與具有第二導電類型的外延層形成一超級接口。此外，第一穿孔的底部填有具有絕緣特性的摻質(zhì)來源層，借此可減少溝槽型功率晶體管組件的柵極與漏極之間的寄生電容，進而降低米勒電容以及切換損失，且提升組件效能。
圖1為現(xiàn)有溝槽型功率晶體管組件的剖面示意圖。
圖2至圖9為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的溝槽型功率晶體管組件的制作方法示意圖。
其中，附圖標記說明如下:10溝槽型功率晶體管組件12 N型基材
14 N型外延層16 溝槽
18柵極絕緣層20 柵極
22源極金屬層24 P型基體摻雜區(qū)
26 N型源極摻雜區(qū)28 P型接觸摻雜區(qū)
30接觸插塞32 漏極金屬層
100 溝槽型功率晶體管組件102 基底
102a 有源區(qū)102b 終端區(qū)
104 外延層104a 第一穿孔
104b 第二穿孔106 井區(qū)
108 硬掩模層108a 第一開口
108b 第二開口110 摻質(zhì)來源層
IlOa 第一絕緣層IlOb 第二絕緣層
114 第三絕緣層114a 柵極絕緣層
116 第一擴散摻雜區(qū)118 第二擴散摻雜區(qū)
122導電層122a柵極導電層
122b終端導電層124柵極結(jié)構(gòu)
126圖案化光阻層128源極摻雜區(qū)
130介電層132接觸洞
134接觸摻雜區(qū)136源極金屬層
138漏極金屬層具體實施方式
請參考圖2至圖9，圖2至圖9為本發(fā)明一優(yōu)選實施例的溝槽型功率晶體管組件的制作方法示意圖，其中第9圖為本發(fā)明優(yōu)選實施例的溝槽型功率晶體管組件的剖面示意圖。如圖2所示，首先提供具有一第一導電類型的一基底102，且基底102具有用于設置主動組件的一有源區(qū)(active region) 102a以及用于設置終端結(jié)構(gòu)(termination structure)的一終端區(qū)(termination region) 102b。然后，利用一外延工藝，于基底102上形成一外延層104，且外延層104具有不同于第一導電類型的一第二導電類型。隨后，進行一沉積工藝，于外延層104上形成一氧化層(圖未示)。接著，進行一第二導電類型的離子注入工藝與一熱驅(qū)入工藝，以于外延層104中形成一井106，且井區(qū)106具有第二導電類型。然后，移除氧化層，并于外延層104上形成一硬掩模層108，例如氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2),且硬掩模層108具有至少一第一開口 108a與至少一第二開口 108b。第一開口 108a位于有源區(qū)102a中，且第二開口 108b位于終端區(qū)102b中。本實施例以第一導電類型為P型且第二導電類型為N型為例來作描述，但不限于此，第一導電類型與第二導電類型也可互換。P型基底102可為硅基板或硅晶圓，其可作為溝槽型功率晶體管組件的漏極。并且，本實施例的N型井區(qū)106是用于調(diào)整溝槽型功率晶體管組件的信道區(qū)的濃度，以控制溝槽型功率晶體管組件的臨界電壓(threshold voltage)。本發(fā)明并不限需形成N型井區(qū)106,而也可未形成氧化層與N型井區(qū)。此外，第一開口 108a與第二開口 108b的數(shù)量不限為單一個，也可分別為多個。如圖3所示，以硬掩模層108為掩模，對第一開口 108a與第二開口 108b所曝露出的N型外延層104進行一蝕刻工藝，以于N型外延層104中形成至少一第一穿孔104a與至少一第二穿孔104b，貫穿N型外延層104。第一穿孔104a對應第一開口 108a，且位于有源區(qū)102a中。第二穿孔104b對應第二開口 108b，且位于終端區(qū)102b中。并且，第一穿孔104a與第二穿孔104b是通過第一開口 108a與第二開口 108b所形成，因此其數(shù)量也不限為單一個，而可分別為多個。此外，于本實施例中，第一穿孔與第二穿孔延伸至P型基底中。
如圖4所示，去除硬掩模層108，然后，于第一穿孔104a與第二穿孔104b中分別填入包含有多個P型摻質(zhì)的一摻質(zhì)來源層110。接著利用研磨回蝕刻方法去除N型外延層104上方的摻質(zhì)來源層110，以及第一穿孔104a與第二穿孔104b中的部分摻質(zhì)來源層110，使摻質(zhì)來源層110的上表面高于N型井區(qū)106的底部。于本實施例中，形成摻質(zhì)來源層110的材料包含有硼娃玻璃(Boron silicate glass, BSG),但不限于此。并且,本發(fā)明的摻質(zhì)來源層110的上表面并不限高于N型井區(qū)106的底部，也可約略與N型井區(qū)106的底部位于同一平面或稍微低于N型井區(qū)106的底部。于本發(fā)明的其它實施例中，于填入摻質(zhì)來源層的步驟之前也可選擇性地于第一穿孔與第二穿孔的表面形成一緩沖層，其中緩沖層可利用熱氧化工藝來形成，且其組成包含有氧化硅。并且，于填入摻質(zhì)來源層的步驟之后另可選擇性地進行一 N型離子注入工藝，以調(diào)整鄰近第一穿孔兩側(cè)的N型井區(qū)的摻雜濃度，進而控制溝槽型功率晶體管組件的臨界電壓。
如圖5所示，然后，進行一熱氧化工藝，于N型外延層104上方以及第一穿孔104a與第二穿孔104b的側(cè)壁形成一第三絕緣層114。同時，在進行熱氧化工藝中，位于摻質(zhì)來源層110中的P型摻質(zhì)也會受到熱氧化工藝影響而擴散至N型外延層104中，以于各第一穿孔104a兩側(cè)的N型外延層104中分別形成一 P型第一擴散摻雜區(qū)116，且于各第二穿孔104b兩側(cè)的N型外延層104中分別形成一 P型第二擴散摻雜區(qū)118。借此，P型第一擴散摻雜區(qū)116與P型第二擴散摻雜區(qū)118可與N型外延層104分別形成一 PN接面，即超級接口，且PN接面約略垂直N型基底102。并且，第一穿孔104a中的摻質(zhì)來源層110成為一第一絕緣層110a，且第二穿孔104b中的摻質(zhì)來源層110成為一第二絕緣層110b。隨后，利用一微影蝕刻工藝移除位于終端區(qū)102b的第三絕緣層114，且進行一沉積工藝，于終端區(qū)102b的N型外延層104與第二絕緣層IlOb上以及有源區(qū)102a的第一絕緣層IlOa與第三絕緣層114上形成一導電層122，且導電層122填入第一穿孔104a與第二穿孔104b中。于本實施例中，P型第一擴散摻雜區(qū)116與P型基底102相接觸，而可作為溝槽型功率晶體管組件的漏極。并且，第三絕緣層114是由氧化硅所構(gòu)成，但本發(fā)明并不限利用熱氧化工藝來形成第三絕緣層114，且形成第三絕緣層114的步驟與形成P型第一擴散摻雜區(qū)與P型第二擴散摻雜區(qū)的步驟不限同時進行。于本發(fā)明的其它實施例中，第三絕緣層114也可利用沉積工藝搭配光刻工藝來形成，且其材料也不限由氧化硅所構(gòu)成，而可為其它絕緣材料。并且，形成P型第一擴散摻雜區(qū)116以及P型第二擴散摻雜區(qū)118的步驟包括一熱驅(qū)入工藝，將P型摻質(zhì)擴散至N型外延層104中。另外，導電層122可為例如多晶硅等導電材料所構(gòu)成。
如圖6所示，然后，進行一回蝕刻工藝或一化學機械研磨工藝(chemicalmechanical polishing, CMP),移除位于第一穿孔104a與第二穿孔104b外的第三絕緣層114以及導電層122，以于第一穿孔104a中形成一柵極絕緣層114a以及一柵極導電層122a，且于第二穿孔104b中形成一終端導電層122b，其中位于第一穿孔104a中的柵極絕緣層114a與柵極導電層122a構(gòu)成一柵極結(jié)構(gòu)124,且柵極絕緣層114a位于柵極導電層122a與N型井區(qū)106之間。于本實施例中，位于第一穿孔104a的柵極導電層122a是通過柵極絕緣層114a以及第一絕緣層IlOa與P型第一擴散摻雜區(qū)116以及N型外延層104電隔離，而作為溝槽型功率晶體管組件的柵極。值得注意的是，柵極導電層122a的下方為第一絕緣層110a，從柵極導電層122a延伸至P型基底102，因此可大幅減少溝槽型功率晶體管組件的柵極與漏極之間的寄生電容，進而降低米勒電容以及切換損失(switching loss),且提升組件效能。并且，位于終端區(qū)102b的終端導電層122b、第二擴散摻雜區(qū)118以及N型外延層104構(gòu)成一終端結(jié)構(gòu),且終端導電層122b可作為一稱合導體(coupling conductor),使終端區(qū)102b的電壓維持平緩下降的趨勢，并且使電壓截止在特定區(qū)域。
如圖7所不,接著,于N型外延層104上形成一圖案化光阻層126,以暴露出第一穿孔104a兩側(cè)的N型外延層104的一部分以及柵極結(jié)構(gòu)124。然后，進行一 P型離子注入工藝，以于第一穿孔104a兩側(cè)的N型外延層104中分別形成兩個P型源極摻雜區(qū)128，作為溝槽型功率晶體管組件的源極，其中各P型源極摻雜區(qū)128為于各P型第一擴散摻雜區(qū)116的正上方的N型外延層104中。并且，柵極結(jié)構(gòu)124位于各P型第一擴散摻雜區(qū)116與其相對應的P型源極摻雜區(qū)128之間的第一穿孔104a中，且位于各P型第一擴散摻雜區(qū)116與其相對應的P型源極摻雜區(qū)128之間且鄰近柵極絕緣層114a的N型井區(qū)106是作為溝槽型功率晶體管組件的信道區(qū)，約略垂直P型基底102。由此可知，本實施例的功率晶體管組件為一垂直型功率晶體管組件。
如圖8所示，其后，移除圖案化光阻層126，并于N型外延層104與柵極結(jié)構(gòu)124上覆蓋一介電層130。接著，進行一光刻工藝，于有源區(qū)102a的介電層130中形成兩個接觸洞132，且各接觸洞分別暴露出N型外延層104以及各P型源極摻雜區(qū)128的一部分。繼以進行一 N型離子注入工藝，于各接觸洞132所暴露出的N型外延層104中形成一 N型接觸摻雜區(qū)134，且各N型接觸摻雜區(qū)134與各P型源極摻雜區(qū)128相接觸。接著，進行退火(anneal)處理，以活化N型接觸摻雜區(qū)134的N型摻質(zhì)。其中，上述N型接觸摻雜區(qū)134可提升金屬與半導體層接面的導電性，以利電流于接面的傳輸。
如圖9所示，接下來，于介電層130上與各接觸洞132中形成一金屬層。然后，進行一光刻工藝，移除中終端區(qū)102b的金屬層，以于行源區(qū)102a中形成一源極金屬層136。并且，于P型基底102下形成一漏極金屬層138。于本實施例中，形成源極金屬層136的步驟可包含進行等離子體濺鍍或電子束沉積等工藝，且源極金屬層136可包括鈦、氮化鈦、鋁、鎢等金屬或金屬化合物，但不限于此。至此已完成本實施例的溝槽型功率晶體管組件100。于本發(fā)明的其它實施例中，于形成源極金屬層之前也可先于接觸洞中形成接觸插塞，或先于接觸洞底部的N型外延層上形成一阻障層(圖未示)，其組成可包含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭等金屬或金屬化合物。阻障層乃用以避免接觸洞內(nèi)的金屬層電遷移(electro migration)或擴散至N型外延層。值得一提的是，本實施例的溝槽型功率晶體管組件100為P型功率晶體管組件，相較于N型功率晶體管組件而言，擁有優(yōu)選的順向偏壓安全操作區(qū)間以及抗單粒子燒毀的特性。且本實施例具有超級接口的P型溝槽型功率晶體管組件100也可以有效提高耐壓以及降低開啟電阻(Rdson)。
綜上所述，本發(fā)明通過于第一穿孔中填入具有絕緣特性的摻質(zhì)來源層，且利用熱驅(qū)入工藝將其中具有導電特性的摻質(zhì)擴散至外延層中，以形成超級接口。并且，具有絕緣特性的摻質(zhì)來源層可在柵極導電層的下方形成一厚絕緣層，借此可減少溝槽型功率晶體管組件的柵極與漏極之間的寄生電容，進而降低米勒電容以及切換損失，且提升組件效能。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。凡在本發(fā)明的精神和原則的內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍的內(nèi)。
權利要求
1.一種溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，包括: 一基底，具有一第一導電類型，且所述基底具有一有源區(qū)以及一終端區(qū)； 一外延層，設于所述基底上，且具有不同于所述第一導電類型的一第二導電類型，其中所述外延層具有至少一第一穿孔以及至少一第二穿孔，分別貫穿所述外延層，所述第一穿孔位于所述有源區(qū)，且所述第二穿孔位于所述終端區(qū)； 一第一擴散摻雜區(qū)，設于所述第一穿孔一側(cè)的所述外延層中，且與所述基底相接觸，其中所述第一擴散摻雜區(qū)具有所述第一導電類型； 一源極摻雜區(qū)，設于所述第一擴散摻雜區(qū)的正上方的所述外延層中，且所述源極摻雜區(qū)具有所述第一導電類型； 一柵極結(jié)構(gòu)，設于所述第一擴散摻雜區(qū)與所述源極摻雜區(qū)之間的所述第一穿孔中；一第二擴散摻雜區(qū)，設于所述第二穿孔一側(cè)的所述外延層中，且與所述基底相接觸，其中所述第二擴散摻雜區(qū)具有所述第一導電類型；以及 一終端導電層，設于所述第二擴散摻雜區(qū)上方的所述第二穿孔中。
2.如權利要求1所述的溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，還包括一第一絕緣層，設于所述柵極結(jié)構(gòu)下的所述第一穿孔中，且電絕緣所述第一擴散摻雜區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)。
3.如權利要求1所述的溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極導電層以及一柵極絕緣層，且所述柵極絕緣層設于所述柵極導電層與所述外延層之間。
4.如權利要求1所述的溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，還包括一井區(qū)， 設于所述第一擴散摻雜區(qū)與所述第二擴散摻雜區(qū)上的所述外延層中，且所述井區(qū)具有所述第二導電類型。
5.如權利要求1所述的溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，還包括一第二絕緣層，設于所述終端導電層下的所述第二穿孔中。
6.如權利要求1所述的溝槽型功率晶體管組件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，且所述第二導電類型為N型。
7.—種溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，包括: 提供一基底，且所述基底具有一第一導電類型，其中所述基底具有一有源區(qū)以及一終端區(qū)； 于所述基底上形成一外延層，且所述外延層具有不同于所述第一導電類型的一第二導電類型； 于所述外延層中形成至少一第一穿孔與至少一第二穿孔，貫穿所述外延層，其中所述第一穿孔位于所述有源區(qū)，且所述第二穿孔位于所述終端區(qū)； 于所述第一穿孔與所述第二穿孔中分別填入一摻質(zhì)來源層； 于所述第一穿孔一側(cè)的所述外延層中形成一第一擴散摻雜區(qū)以及于所述第二穿孔一側(cè)的所述外延層中形成一第二擴散摻雜區(qū)，其中所述第一擴散摻雜區(qū)與所述第二擴散摻雜區(qū)具有所述第一導電類型； 于所述第一穿孔中形成一柵極結(jié)構(gòu)；以及 于所述第一穿孔的一側(cè)的所述外延層中形成一源極摻雜區(qū)，且所述源極摻雜區(qū)位于所述第一擴散摻雜區(qū)的上方，其中所述源極摻雜區(qū)具有所述第一導電類型，且所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一擴散摻雜區(qū)與所述源極摻雜區(qū)之間。
8.如權利要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述第一擴散摻雜區(qū)與所述第二擴散摻雜區(qū)的步驟包括于所述第一穿孔中形成一第一絕緣層以及于所述第二穿孔中形成一第二絕緣層。
9.如權利要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括: 于所述外延層上以及所述第一穿孔與所述第二穿孔的側(cè)壁上形成一第三 絕緣層； 移除位于所述終端區(qū)的所述第三絕緣層； 于所述第三絕緣層上以及所述終端區(qū)的所述外延層上形成一導電層，且所述導電層填入所述第一穿孔與所述第二穿孔中；以及 移除位于所述第一穿孔與所述第二穿孔外的所述第三絕緣層以及所述導 電層，以于所述第一穿孔中形成所述柵極結(jié)構(gòu)，且于所述第二穿孔中形 成一終端導電層。
10.如權利要求9所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，所述第三絕緣層與所述第一擴散摻雜區(qū)以及所述第二擴散摻雜區(qū)是同時形成。
11.如權利要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，所述摻質(zhì)來源層包含有具有所述第一導電類型的多個摻質(zhì)，且形成所述第一擴散摻雜區(qū)與所述第二擴散摻雜區(qū)的步驟包括進行一熱驅(qū)入工藝，將所述摻質(zhì)擴散至所述外延層中，以形成所述第一擴散摻雜區(qū)與所述第二擴散摻雜區(qū)。
12.如權利要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，所述摻質(zhì)來源層包含有砸娃玻璃。
13.如權利要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，形成所述外延層的步驟與形成所述第一穿孔與所述第二穿孔的步驟之間，所述制作方法另包括于所述外延層中形成一井區(qū)，且所述井區(qū)具有所述第二導電類型。
14.如權利 要求7所述的溝槽型功率晶體管組件的制作方法，其特征在于，所述第一導電類型為P型，且所述第二導電類型為N型。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種溝槽型功率晶體管組件包括一基底、一外延層、一擴散摻雜區(qū)、一源極摻雜區(qū)以及一柵極結(jié)構(gòu)?；住U散摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)具有一第一導電類型，且基底具有一有源區(qū)以及一終端區(qū)。外延層設于基底上，且具有一第二導電類型，其中外延層具有位于有源區(qū)的一穿孔。擴散摻雜區(qū)設于穿孔一側(cè)的外延層中，且與基底相接觸。源極摻雜區(qū)設于擴散摻雜區(qū)的正上方的外延層中，且柵極結(jié)構(gòu)設于擴散摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)之間的穿孔中。
文檔編號H01L21/336GK103107194SQ201210016219
公開日2013年5月15日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權日2011年11月15日
發(fā)明者林永發(fā), 徐守一, 吳孟韋, 陳面國, 張家豪, 陳家偉 申請人:茂達電子股份有限公司