專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體芯片和用于制造半導(dǎo)體芯片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片和一種用于制造半導(dǎo)體芯片的方法。
背景技術(shù)：
為了制造電子器件，半導(dǎo)體芯片可以被安裝在引線框(Ieadframe)上并且其接觸焊盤(pán)可以與引線框的相應(yīng)部分電連接。半導(dǎo)體芯片通常地通過(guò)使用例如像例如可以基于氰酸酯配方(cyanate-ester formulation)的環(huán)氧樹(shù)脂的粘合材料附到相對(duì)大的管芯焊盤(pán) (die pad)。在這些管芯附著材料的情況下主要問(wèn)題之一是所謂的“外溢(bleed)”、“溢出 (bleed out)”、“樹(shù)脂外溢(resin bleed)”或“閃蒸(flash off)”。這些術(shù)語(yǔ)描述在固化期間由于樹(shù)脂車(chē)與聚合物粘合劑的分離引起并且在氰酸酯配方的情況下單體閃蒸引起的樹(shù)脂在所附襯底上的過(guò)度擴(kuò)散。


附圖被包括用于提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)一步理解并且結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成該說(shuō)明書(shū)的部分。圖示出實(shí)施例并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋實(shí)施例的原理。在其他實(shí)施例和實(shí)施例的許多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參照以下詳述的描述變得更好地理解時(shí)，所述其他實(shí)施例和實(shí)施例的許多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)將容易地被領(lǐng)會(huì)。圖的元件不一定相對(duì)于彼此按比例制圖(scale)。同樣的參考數(shù)字表示相應(yīng)的相似部分。圖1A、B示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的示意性剖面?zhèn)纫晥D表示(圖Al)和頂視圖表示(圖1B)。圖2A、B示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的示意性剖面?zhèn)纫晥D表示(圖2A)和頂視圖表示(圖2B)。圖3A、B示出根據(jù)實(shí)施例的電子器件的示意性剖面?zhèn)纫晥D表示(圖3A)和頂視圖表示(圖3B)。圖4示出根據(jù)實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體芯片的方法的流程圖。圖5A-E示出示意性頂視圖(圖A)和剖面?zhèn)纫晥D表示(圖5B-5E)來(lái)闡明根據(jù)實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體芯片的方法。圖6示出根據(jù)實(shí)施例用于制造電子器件的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照?qǐng)D描述方面和實(shí)施例，其中同樣的參考數(shù)字通常被利用來(lái)始終指同樣的元件。在下面的描述中，為了解釋?zhuān)鄠€(gè)特定的細(xì)節(jié)被提出用以提供實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面的徹底理解。然而對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員可能顯然的是，實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面可以以特定細(xì)節(jié)的較小程度來(lái)實(shí)踐。在其他場(chǎng)合，已知的結(jié)構(gòu)和元件以示意性形式示出用以便于描述實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面。應(yīng)理解的是，可以利用其他實(shí)施例并且可以在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行結(jié)構(gòu)上或邏輯上的改變。另外應(yīng)該注意的是，圖不按比例制圖或者不一定按比例制圖。另外，雖然實(shí)施例的特定特征或方面可以關(guān)于幾個(gè)實(shí)施方式中的僅一個(gè)被公開(kāi)， 但是這樣的特征或方面可以與如可以被期望的或?qū)τ谌魏谓o定的或特定的應(yīng)用有利的其他實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)其他特征或方面相組合。此外，就術(shù)語(yǔ)“包含”、“具有”、“帶有”或其其他變型在詳述的說(shuō)明書(shū)或權(quán)利要求中被使用來(lái)說(shuō)，這樣的術(shù)語(yǔ)意圖以類(lèi)似于術(shù)語(yǔ)“包括”的方式被包含。術(shù)語(yǔ)“被耦合”和“被連接”連同衍生可以被使用。應(yīng)該理解的是，這些術(shù)語(yǔ)可以被用于指示兩個(gè)元件彼此合作或交互作用，無(wú)論他們是處于直接的物理或電接觸，還是他們不處于與彼此的直接接觸。同樣，術(shù)語(yǔ)“示范性的”僅僅意指例子，而不是最好的或最佳的。下面的詳述的描述因此不應(yīng)在限制的意義上來(lái)理解，并且本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求限定。用于制造半導(dǎo)體芯片的方法和半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例可以使用不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片或合并在半導(dǎo)體芯片中的電路，其中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號(hào)集成電路、傳感器電路、MEMS (微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical-System))、功率集成電路、 具有集成無(wú)源裝置(integrated passives)的芯片等。實(shí)施例也可以使用包括MOS晶體管結(jié)構(gòu)或像例如IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)結(jié)構(gòu)的垂直晶體管結(jié)構(gòu)或一般地如下晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片在所述晶體管結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)電接觸焊盤(pán)布置在半導(dǎo)體芯片的第一主面上和至少一個(gè)其他電接觸焊盤(pán)布置在與半導(dǎo)體芯片的第一主面相對(duì)的半導(dǎo)體芯片的第二主面上。在幾個(gè)實(shí)施例中，層或?qū)佣询B被施加給彼此或材料被施加或被沉積到層上。應(yīng)該領(lǐng)會(huì)的是，任何這樣的術(shù)語(yǔ)“被施加”或“被沉積”意指照字面意思涵蓋將層施加到彼此上的所有種類(lèi)和技術(shù)。尤其，這些術(shù)語(yǔ)意指涵蓋其中層作為整體立即被施加的技術(shù)，像例如層壓技術(shù)，以及其中層以順序方式被沉積的技術(shù)，像例如濺射、電鍍(PI at ing )、模制、CVD等。半導(dǎo)體芯片可以包括在其外部表面的一個(gè)或多個(gè)上的接觸元件或接觸焊盤(pán)，其中接觸元件用于電接觸半導(dǎo)體芯片。接觸元件可以具有任何期望的形式或形狀。所述接觸元件例如可以具有連接盤(pán)(land)的形式、也即半導(dǎo)體封裝的外部表面上的平坦接觸層。接觸元件或接觸焊盤(pán)可以由任何導(dǎo)電材料、例如由像例如鋁、金或銅的金屬或金屬合金，或者導(dǎo)電有機(jī)材料，或者導(dǎo)電半導(dǎo)體材料制成。在本申請(qǐng)中，用于制造半導(dǎo)體芯片或電子器件的方法的不同實(shí)施例尤其以流程圖的方式被描述為處理或測(cè)量的特定序列。應(yīng)該注意的是，實(shí)施例不應(yīng)被限制于所述的特定序列。不同處理或測(cè)量中的特定一個(gè)或全部也可以同時(shí)地或以任何其他有用的和適當(dāng)?shù)捻樞蜻M(jìn)行。圖IA和IB (總起來(lái)說(shuō)圖I)示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的示意性剖面?zhèn)纫晥D表示(圖1A)和頂視圖表示(圖1B)。半導(dǎo)體芯片10，尤其是基于硅的半導(dǎo)體芯片10，包括第一主面IOA和與第一主面IOA相對(duì)的第二主面IOB和連接第一和第二主面IOA和IOB的側(cè)面 IOCo側(cè)面IOC部分地用防EBO (anti epoxy bleed out (防環(huán)氧溢出))復(fù)合物11覆蓋。半導(dǎo)體芯片10被假設(shè)通過(guò)使用像例如環(huán)氧樹(shù)脂的粘附劑用其第一主面IOA附到載體上。側(cè)面IOC上的防EBO復(fù)合物11防止粘合劑在半導(dǎo)體芯片10的側(cè)面IOC上蔓延。 因此，防EBO復(fù)合物11被施加，使得側(cè)面IOC被覆蓋至少至與第一主面IOA相鄰的邊緣。在朝向第二主面IOB的方向上，側(cè)面IOC可以用防EBO復(fù)合物11覆蓋直到如在圖IA中所示的一定的高度水平。在圖IB的表示中，防EBO復(fù)合物11以相等的厚度在所有側(cè)面IOC上被涂布并且該防EBO復(fù)合物11可以以該相同的厚度在第二主面IOB上被涂布。然而，也可能的是，防EBO復(fù)合物11以不均勻的厚度在側(cè)面IOC上被涂布并且如果第二主面IOB也被覆蓋，則在側(cè)面IOC和第二主面IOB上被涂布。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，側(cè)面IOC完全被涂布有防EBO復(fù)合物11。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片10的第二主面IOB也至少部分地被涂布有防EBO復(fù)合物11。在特定的實(shí)施例中，第二主面IOB完全被涂布有防EBO復(fù)合物11。術(shù)語(yǔ)防EBO或可替代地防RBO (anti resin bleed out (防樹(shù)脂溢出))在本領(lǐng)域中是眾所周知的。例如，在本領(lǐng)域中已知提供具有防EBO涂層的引線框來(lái)防止在芯片附著過(guò)程期間在引線框的芯片焊盤(pán)上的環(huán)氧樹(shù)脂溢出。根據(jù)圖I的實(shí)施例，芯片側(cè)面IOC被涂布有防ΕΒ0，使得可以有效地避免或至少最小化在芯片側(cè)面IOC上的任何環(huán)氧溢出和蔓延。 商業(yè)上可用的防EBO復(fù)合物的例子在商品名T13 (由安美特(Atotech)生產(chǎn)和銷(xiāo)售)和BA-9 (由日本礦業(yè)金屬(Nippon Mining & Metals)有限公司生產(chǎn)和銷(xiāo)售)下是已知的。術(shù)語(yǔ)防 EBO復(fù)合物也包括基本上擁有與前述物質(zhì)相同的功能和性質(zhì)的其他物質(zhì)。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，防EBO復(fù)合物11能夠減小芯片側(cè)面IOC的表面?zhèn)}tfi。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，防EBO復(fù)合物11包括疏水性質(zhì)。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，側(cè)面IOC被涂布有防EBO復(fù)合物的層。尤其，該層包括處于O. 5nm_200nm、更特別地O. 5nm_100nm、更特別地O. 5nm_50nm、更特別地
O.5nm-20nm、更特別地O. 5nm-10nm、更特別地O. 5nm-5nm的范圍中的厚度。處于O. 5nm數(shù)量
級(jí)的厚度實(shí)際上意指一個(gè)原子層厚度。根據(jù)圖I的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，防EBO復(fù)合物11在溶劑內(nèi)溶解并且防EBO復(fù)合物在溶劑內(nèi)的濃度處于O. 5%-5%、更特別地2%-5%的范圍內(nèi)。圖2A和2B (總起來(lái)說(shuō)圖2)示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的剖面?zhèn)纫晥D表示(圖 2A)和頂視圖表不(圖2B)。圖2的半導(dǎo)體芯片20包括第一主面20A和與第一主面20A相對(duì)的第二主面20B和連接第一和第二主面20A和20B的側(cè)面20C。側(cè)面20C至少部分地用表面能量減少?gòu)?fù)合物21覆蓋。復(fù)合物21這樣被選擇，使得當(dāng)被沉積時(shí)該復(fù)合物包括少于未被覆蓋的側(cè)面20C的表面能量的表面能量。如在圖2A中所示，復(fù)合物21被涂布向下至與第一主面20A相鄰的邊緣，使得如果芯片20用其第一主面20A被附到載體上，粘合劑的溢出有效地被最小化。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，表面能量復(fù)合物21包括疏水性質(zhì)。復(fù)合物21的一個(gè)例子是上述眾所周知的防EBO復(fù)合物之一。然而，也可能使用無(wú)機(jī)材料作為復(fù)合物21。例如，已知的是,類(lèi)金剛石碳(DLC (diamond like carbon))層可以被沉積并且被制備用于擁有特定的期望的表面能量，例如通過(guò)摻雜氟或硅。DLC層例如可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD )來(lái)沉積。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，側(cè)面20c完全用表面能量減少?gòu)?fù)合物21覆蓋。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，第二主面20B部分地或完全地用復(fù)合物覆蓋。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，側(cè)面20c用表面能量減少?gòu)?fù)合物21的層覆蓋。 尤其，該層包括處于O. 5nm_200nm、更特別地O. 5nm_100nm、更特別地O. 5nm_50nm、更特別地0.5nm-20nm、更特別地0. 5nm-10nm、更特別地0. 5nm_5nm范圍中的厚度。處于0. 5nm數(shù)量級(jí)
的厚度實(shí)際上意指一個(gè)原子層厚度。根據(jù)圖2的半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例，表面能量減少?gòu)?fù)合物21在溶劑中溶解并且復(fù)合物在溶劑中的濃度處于0. 5%-5%、更特別地2%-5%的范圍內(nèi)。圖3A和3B(總起來(lái)說(shuō)圖3)示出根據(jù)實(shí)施例的電子器件的剖面?zhèn)纫晥D表示(圖3A) 和頂視圖表示(圖3B)。圖3的電子器件100包括載體120和半導(dǎo)體芯片110。半導(dǎo)體芯片 110包括第一主面110A、第二主面IlOB和連接第一和第二主面IlOA和IlOB的側(cè)面110C。 半導(dǎo)體芯片110利用其第一主面IlOA通過(guò)粘合劑層130被附到載體120。半導(dǎo)體芯片110 的側(cè)面IlOC至少部分地和載體120至少部分地用復(fù)合物140覆蓋，所述復(fù)合物140由防 EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物組成。粘合劑層130例如可以由環(huán)氧樹(shù)脂組成。載體例如可以由引線框組成。在圖3中，同一個(gè)附圖標(biāo)記140已被用于指覆蓋在半導(dǎo)體芯片110和載體120上的防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物。然而，這不必然意味著對(duì)于半導(dǎo)體芯片110和載體120使用這些復(fù)合物中的同一種。另外，不同的復(fù)合物可以被用于覆蓋半導(dǎo)體芯片面和載體表面。如果被認(rèn)為沒(méi)有必要，也可能不用任何防EBO復(fù)合物覆蓋載體表面。如果認(rèn)為適當(dāng)，則載體可以代替地包括防變色涂層。
110的側(cè)面IlOC完全用復(fù)合物140覆
110的第二主面IlOB也部分地或完全
地用復(fù)合物140覆蓋。根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，在半導(dǎo)體芯片110的側(cè)面IlOC上提供的防EBO復(fù)合物140能夠減少芯片面的表面能量。根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，在引線框表面上提供的防EBO復(fù)合物140能夠減少引線框表面的表面能量。根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，側(cè)面用防EBO復(fù)合物的層覆蓋。尤其，該層包括處于 0. 5nm-200nm、更特別地 0. 5nm-100nm、更特別地 0. 5nm-50nm、更特別地 0. 5nm-20nm、更特別地0. 5nm_10nm、更特別地0. 5nm_5nm范圍中的厚度。根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，復(fù)合物140在溶劑中溶解并且防EBO復(fù)合物在溶劑內(nèi)的濃度處于0. 5%-5%、更特別地2%-5%的范圍內(nèi)。尤其，對(duì)于要被用于芯片110和載體 120的復(fù)合物可以使用不同的濃度，即使復(fù)合物本身(as such)是相同的?？赡苁且韵虑闆r一些剩余物溢出將會(huì)發(fā)生。通過(guò)選擇不同的濃度，該剩余物溢出可以適當(dāng)?shù)乇黄胶猓沟貌粫?huì)發(fā)生在芯片和載體上蔓延的不均衡。參照?qǐng)D4，流程圖闡明根據(jù)實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體芯片的方法。該方法包括提供半導(dǎo)體芯片(Si)，該半導(dǎo)體芯片包括第一主面、與第一主面相對(duì)的第二主面和連接第一和第二主面的側(cè)面；和至少部分地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋側(cè)面(s2)。根據(jù)圖4的方法的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片的側(cè)面完全地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋。根據(jù)圖4的方法的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片的第二主面也部分地或完全地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋。這些復(fù)合物的例子已經(jīng)在以前的實(shí)施例中給出。根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片
至 Jhl o根據(jù)圖3的電子器件的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片
參照?qǐng)D5A-5E，示意性頂視圖(圖A)和剖面?zhèn)纫晥D表示(圖5B-5E)闡明根據(jù)實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體芯片的方法。在半導(dǎo)體晶片上制造了多個(gè)半導(dǎo)體芯片或管芯之后，芯片被分離(Singulate)并且被附到可擴(kuò)展的帶上。該帶被固定在晶片框架內(nèi)。圖5A示出由容納帶52的晶片框架51和多個(gè)附到帶52上的半導(dǎo)體芯片53組成的組件50的頂視圖。圖5B在上半部分示出組件50的剖面?zhèn)纫晥D表示和在下半部分示出以液體形式包含防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物的槽60的示意性表示。箭頭指示組件50被浸入到槽60中，使得復(fù)合物將粘附在半導(dǎo)體芯片53的暴露的表面處。另外，也可能將超聲波饋送到液態(tài)防EBO中以便改善防EBO到芯片53之間的中間空間的滲透。圖5C在上半部分示出組件50的剖面表示并且在下半部分示出水槽70的示意性表示，其中箭頭指示通過(guò)將組件50浸入到水槽70中來(lái)執(zhí)行凈化步驟。圖示意性示出干燥步驟，其中組件50被暴露于熱，以便被干燥。最后，圖5E示出組件50，其中芯片53在其側(cè)面和其第二主面上用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物的層覆蓋。芯片的第一主面被附到帶上并且不需要用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋，因?yàn)樾酒瑢⒗闷湎鄳?yīng)的第一主表面被附到引線框上。圖6示出根據(jù)實(shí)施例的用于制造電子器件的方法的流程圖。該方法包括提供諸如引線框的載體(Si)。也提供包括第一主面和與第一主面相對(duì)的第二主面和連接第一和第二主面的側(cè)面的半導(dǎo)體芯片(s2)。至少部分地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋側(cè)面(s3)和將半導(dǎo)體芯片利用其第一主面附到載體上(s4)。根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，側(cè)面完全地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆
至 JHL ο根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片的第二主面也用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋。根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，載體也至少部分地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋。例如，僅載體的上表面可以用復(fù)合物覆蓋。也可能的是，載體完全地用復(fù)合物覆蓋。對(duì)于載體可以使用與對(duì)于芯片所使用的相同的或不同的復(fù)合物。根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂被附到引線框上。根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上所涂布的防EBO復(fù)合物能夠減少芯片面的表面能量，并且在防EBO復(fù)合物也被涂布在載體上的情況下，于是該復(fù)合物能夠減少載體表面的表面能量。根據(jù)圖6的方法的實(shí)施例，該方法還包括提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片，將半導(dǎo)體芯片附到承載物(support)上，并且將承載物浸入由防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物組成的液體中。承載物可以由可擴(kuò)展的帶組成，所述帶可以被固定在晶片框架內(nèi)。根據(jù)該方法的另一實(shí)施例，該方法還包括在浸潰之后在水中凈化承載物并且必要時(shí)在凈化之后干燥承載物。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片,包括第一主面；與所述第一主面相對(duì)的第二主面；連接所述第一和第二主面的側(cè)面；和至少部分地覆蓋所述側(cè)面的防EBO復(fù)合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述第二主面至少部分地用防EBO復(fù)合物覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述防EBO復(fù)合物能夠減少所述側(cè)面的表面能量。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述防EBO復(fù)合物包括疏水性質(zhì)。
5.—種半導(dǎo)體芯片,包括第一主面；與所述第一主面相對(duì)的第二主面；連接所述第一和第二主面的側(cè)面；至少部分地覆蓋所述側(cè)面的表面能量減少?gòu)?fù)合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述第二主面至少部分地用所述復(fù)合物覆至 JHL ο
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述表面能量減少?gòu)?fù)合物包括疏水性質(zhì)。
8.一種電子器件，包括載體；和包括第一主面、與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面的半導(dǎo)體芯片；其中所述半導(dǎo)體芯片用其第一主面被附到載體上；和其中所述半導(dǎo)體芯片的所述側(cè)面至少部分地用復(fù)合物覆蓋，所述復(fù)合物包括防EBO復(fù)合物和/或表面能量減少?gòu)?fù)合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中所述載體的上表面也至少部分地用所述復(fù)合物覆蓋。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中所述第二主面至少部分地用所述復(fù)合物覆至 JHL ο
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中所述復(fù)合物包括能夠減少側(cè)面的表面能量的防EBO復(fù)合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其中所述復(fù)合物包括疏水性質(zhì)。
13.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括第一主面、與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面；和至少部分地用復(fù)合物覆蓋所述側(cè)面，所述復(fù)合物包括防EBO復(fù)合物和/或表面能量減少?gòu)?fù)合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括至少部分地用所述復(fù)合物覆蓋所述第二主面。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述復(fù)合物包括能夠減少側(cè)面的表面能量的防 EBO復(fù)合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述復(fù)合物包括疏水性質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中提供半導(dǎo)體芯片包括提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其中該方法還包括將所述半導(dǎo)體芯片附到承載物上；和其中至少部分地覆蓋所述側(cè)面包括將具有半導(dǎo)體芯片的承載物浸入由所述復(fù)合物組成的液體中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在浸潰之后在水中凈化所述承載物。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在凈化之后干燥所述承載物。
20.一種用于制造電子器件的方法，該方法包括提供載體；提供包括第一主面、與所述第一主面相對(duì)的第二主面和連接所述第一和第二主面的側(cè)面的半導(dǎo)體芯片；至少部分地用復(fù)合物覆蓋所述側(cè)面，所述復(fù)合物包括防EBO復(fù)合物和/或表面能量減少?gòu)?fù)合物；和將所述半導(dǎo)體芯片的所述第一面附到所述載體上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括至少用所述復(fù)合物覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括至少部分地用防EBO復(fù)合物或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋所述載體。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述復(fù)合物包括能夠減少側(cè)面的表面能量的防 EBO復(fù)合物。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述復(fù)合物包括疏水性質(zhì)。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中提供半導(dǎo)體芯片包括提供多個(gè)半導(dǎo)體芯片；其中所述方法還包括將所述半導(dǎo)體芯片附到承載物上；和其中至少部分地覆蓋所述側(cè)面包括將所述承載物浸入到由所述復(fù)合物組成的液體中。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括在浸潰之后在水中凈化所述承載物。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，還包括在凈化之后干燥所述承載物。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片和用于制造半導(dǎo)體芯片的方法。半導(dǎo)體芯片包括第一主面和與所述第一主面相對(duì)的第二主面。側(cè)面連接第一和第二主面。所述側(cè)面至少部分地用防EBO復(fù)合物和/或表面能量減少?gòu)?fù)合物覆蓋。
文檔編號(hào)H01L23/00GK102593070SQ201210009559
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者M.沃佩爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司