專利名稱：一種amoled器件及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及主動型有機(jī)電致發(fā)光器件的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED器件及制作方法。
背景技術(shù)：
在主動型有機(jī)電致發(fā)光器件(AMOLED)制作時，傳統(tǒng)的TFT開關(guān)器件采用非晶硅薄膜作為溝道材料，但是非晶硅的本征載流子的遷移率很低(< Icm2V-1S-1);因而目前廣泛采用多晶硅以及微晶硅等載流子遷移率較高的硅薄膜，來取代非晶硅薄膜作為TFT器件的溝道材料，來滿足目前迅速發(fā)展的有機(jī)發(fā)光顯示的要求。
在實現(xiàn)上述技術(shù)方案的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題在制作AMOLED器件過程中，多晶硅薄膜只是作為TFT器件的溝道材料，采用ITO材料作為像素電極層材料，這樣，AMOLED器件結(jié)構(gòu)需要沉積硅和ITO兩層薄膜，并進(jìn)行相關(guān)的光刻、刻蝕工藝，增加了工藝流程和制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種AMOLED器件及制作方法，用于制備出全硅基的AMOLED器件，來降低成本提高產(chǎn)量。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一方面，本發(fā)明實施例提供一種AMOLED制作方法，包括在基板的一面上形成多晶硅層；對所述多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成有源區(qū)和像素電極區(qū)；通過構(gòu)圖工藝處理在所述有源區(qū)上形成柵絕緣層；通過構(gòu)圖工藝處理在所述基板上形成柵極，其中，所述柵極位于所述有源區(qū)上的柵絕緣層上；以所述柵極為掩膜對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，以使所述有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，使所述像素電極區(qū)形成像素電極層；在源極區(qū)、漏極區(qū)通過制備源極金屬電極和漏極金屬電極形成源極、漏極；通過薄膜沉積工藝在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上形成OLED器件?！矫?本發(fā)明實施例提供一種AMOLED器件,包括基板；基板上具有源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)和與所述漏極區(qū)連接的像素電極層，源極區(qū)、漏極區(qū)上分別具有漏極金屬電極和源極金屬電極形成的源極、漏極；形成在所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)上的柵絕緣層；形成在所述柵絕緣層上的柵極；形成在所述像素電極層上方的OLED器件層。本發(fā)明實施例提供一種AMOLED器件及制作方法，通過在緩沖層上將非晶硅材料制備成多晶硅層，并將多晶硅層根據(jù)所需圖形利用一次構(gòu)圖工藝，同時形成有源區(qū)和像素電極區(qū)，從而制備出全硅基的AMOLED器件，從而減少構(gòu)圖工藝，降低成本提高產(chǎn)量。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖一； 圖2為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖二 ；圖3為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖三；圖4為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖四圖5為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖五；圖6為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖六；圖7為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖七；圖8為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖八；圖9為本發(fā)明實施例提供的AMOLED的制作過程示意圖九；圖10為本發(fā)明實施例提供的制作完成的AMOLED的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例提供的制作完成的AMOLED的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記I-基板,2_緩沖層,3_非晶娃層,30-多晶娃層，301-有源區(qū),302-像素電極區(qū)，31-源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，32-像素電極層(陽極或陰極)，4-柵絕緣層，5-柵極，6-源漏極，7-鈍化層，8-像素界定層，9-0LED器件，91-空穴傳輸層，92-有機(jī)發(fā)光層，93-電子傳輸層，94-0LED頂部電極(透光或半透光陰極、陽極)，10-金屬反光層。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實施例提供了上述AMOLED器件制作方法，包括Al、在基板I上形成多晶硅層30。進(jìn)一步地，為了簡化工藝，在此步驟中形成多晶硅層30前還包括在基板I上沉積緩沖層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成緩沖層2 ;通過薄膜沉積工藝在所述緩沖層2上形成非晶硅層3，對所述非晶硅層3進(jìn)行晶化工藝處理形成多晶硅層30。如圖I所示，在基板I上采用CVD方法沉積200nm的緩沖薄膜，利用薄膜沉積工藝形成緩沖層2。需要說明的是，所述基板可以是透明基板、陶瓷基板、金屬基板等任一形式的基板，本發(fā)明對此不作限制。如圖2所示，在所述基板I上形成非晶硅層3以覆蓋所述緩沖層2。
示 例性的，采用CVD方法沉積50nm厚的非晶硅層。也可以用上述方法沉積5nm-500nm間的非晶娃層3,本發(fā)明對次不做限制。如圖3所示，將所述非晶硅層3，在惰性氣體氛圍中進(jìn)行脫氫，之后采用準(zhǔn)分子激光晶化方式將非晶硅層進(jìn)行晶化工藝處理，得到多晶硅層30。A2、對所述多晶硅層30進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成有源區(qū)301和像素電極區(qū)302。如圖4所示，對所述多晶硅層30根據(jù)所需圖形進(jìn)行光刻、刻蝕工藝處理、形成有源區(qū)301和像素電極區(qū)302。A3、如圖5所示，通過沉積工藝和構(gòu)圖工藝處理在所述有源區(qū)上形成柵絕緣層。示例性的，如圖5所示，可以利用化學(xué)汽相沉積法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition, PECVD)在有源區(qū)上沉積厚度為IOOnm至150nm的柵極絕緣層4，通常柵絕緣層4使用的材料可以是SiNx或SiO2等。A4、通過沉積工藝和構(gòu)圖工藝處理在所述基板上形成柵極，其中，所述柵極位于所述有源區(qū)上的柵絕緣層上。示例性的，如圖6所示，可以使用磁控濺射方法，在形成有柵絕緣層的基板I上制備一層厚度200nm的金屬薄膜層。金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模版通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板I的一定區(qū)域上形成柵極5。A5、以所述柵極5為掩膜對所述有源區(qū)301和像素電極區(qū)302進(jìn)行摻雜工藝處理，以使所述有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)31，使所述像素電極區(qū)形成像素電極層32 ;其中，所述柵極5、有源層31、源極區(qū)31、漏極區(qū)31構(gòu)成TFT區(qū)域，且有源層位于源漏極區(qū)31間。示例性的，如圖7所示，以所述柵極5為掩膜對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，形成源漏極區(qū)31和像素電極層32 ;其中，對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，包括進(jìn)行p摻雜或n摻雜,摻雜后相應(yīng)的形成像素電極層的極性為陽極或陰極及薄膜晶體管的源漏極區(qū)31。具體的，以所述柵極為掩膜對多晶硅層3進(jìn)行p摻雜或n摻雜，并在快速退火爐中進(jìn)行活化，形成薄膜晶體管的源漏極區(qū)31及像素電極層32的陽極或陰極。其中，在對多晶硅層進(jìn)行P摻雜時，通常像素電極層32的極性為陽極，在對多晶硅層進(jìn)行n摻雜時，通常像素電極層32的極性為陰極。需要說明的是，在對多晶硅層進(jìn)行p摻雜時，像素電極層32的極性也可為陰極，在對多晶硅層進(jìn)行n摻雜時，像素電極層32的極性也可為陽極。但通常情況下選用前者，本發(fā)明對次不做限制。A6、在源極區(qū)、漏極區(qū)通過制備源極金屬電極和漏極金屬電極形成源極6、漏極6 ；其中，所述源漏極6與柵極5位于同一層上且位于柵極5兩側(cè)，漏極6與像素電極電連接。示例性的，如圖8所示，可以使用磁控濺射方法，在形成有柵金屬層的基板I上制備一層金屬薄膜層。金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鈦、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模版通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在源極區(qū)、漏極區(qū)通過制備源極金屬電極和漏極金屬電極形成源極6、漏極6 ;其中，所述源漏極6與柵極5位于同一層上且位于柵極5兩側(cè)，漏極6與像素電極電連接。進(jìn)一步地，通過沉積工藝在所述柵極5、源極6、漏極6上形成有鈍化層7。
示例性的，如圖9示，采用和柵極絕緣層4相類似的方法，在所述TFT區(qū)域上沉積一層厚度在200nm到300nm的鈍化層7，其材料通常是SiNx或SiO2等。進(jìn)一步地，通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層及所述基板上形成像素界定層。具體的，如圖10所示,在鈍化層7上沉積亞克力系材料或有機(jī)樹脂材料并光刻、固化出像素界定層8 ;其中,像素界定層8的厚度可以在lum-2. 5um,優(yōu)選的,其厚度可以為
I.5um或2um,本發(fā)明對次不做限制。A7、通過薄膜沉積工藝在所述像素電極層32對應(yīng)的所述像素界定層8上形成OLED器件9。具體的，如圖10所示，在所述像素電極層32對應(yīng)的所述像素界定層8上形成OLED器件9,相應(yīng)的,利用薄膜沉積工藝依次形成空穴傳輸層91、有機(jī)發(fā)光層92、電子傳輸層93、OLED頂部電極94 (透光或半透光陰極、陽極)，形成OLED器件9。其中，在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層8上形成OLED器件9之前，需要對所述多晶硅層30的表面進(jìn)行處理，來改善多晶硅層30膜的表面性能。其中，所述多晶硅層30可采用等離子體處理，如H2, CF4等，也可采用液體處理如HCl，HF等，還可采用熱處理如退火爐退火方式等，對多晶硅層30進(jìn)行處理，也可采用其他方式進(jìn)行處理，本發(fā)明對此不作限制。再者，還可以采用低溫?zé)嵫趸椒?，鈍化多晶硅層30的表面，以增強其作為器件陽極的功能?？蛇x的，制備OLED部分時，可以采用下面方法1，可以將有機(jī)材料及陰極金屬薄層在0LED/EL-有機(jī)金屬薄膜沉積高真空系統(tǒng)中熱蒸發(fā)蒸鍍；在lxlO_5Pa的真空下依次熱蒸發(fā)蒸鍍空穴傳輸層91 (約170°C)、有機(jī)發(fā)光層92及電子傳輸層93 (約190°C )和透光陰極94 (約9000C )，其中空穴傳輸層91用約30-70納米厚的NPB (N，N，- 二苯基-N-N’二(I-萘基)-I，I’二苯基_4，4’- 二胺)；電子傳輸層93和有機(jī)發(fā)光層92合二為一，用約30-70納米厚的8-羥基喹啉鋁(AlQ);不透光陰極94采用LiF/Al層，LiF的蒸發(fā)速率為0. lnm/s,厚度為5-10nm ；A1層厚度為100-300nm。該AMOLED器件發(fā)綠光(發(fā)光峰位為522nm)，出光方式為底出光?？蛇x的，制備OLED部分時，也可以采用下面方法2，可以先沉積5-10nm的V2O5作為空穴注入層；空穴傳輸層91采用50納米厚的NPB(N，N’_ 二苯基-N-N’二(1_萘基二苯基-4，4’ - 二胺)；有機(jī)發(fā)光層92采用分像素區(qū)掩模蒸鍍工藝進(jìn)行，綠光、藍(lán)光和紅光像素區(qū)分別采用摻雜磷光材料的主體材料25nm厚的CBP: (ppy)2Ir (acac)、CBPiFIrpic和CBPiBtp2Ir (acac)；電子傳輸層93采用25納米厚的Bphen ;不透光陰極94用約200納米厚的Sm/Al層。該AMOLED器件為全彩發(fā)光，出光方式為底出光。需要說明的是，方法I和方法2中OLED頂部電極94，在像素電極層進(jìn)行p摻雜時，對應(yīng)形成的OLED頂部電極極性為陰極，具體的在方法1、2中為不透光的反射陰極?？蛇x的，制備OLED部分時，還可以采用下面方法3，在已進(jìn)行n型摻雜并活化的多晶硅像素區(qū)，沉積I-IOnm厚度的金屬Mg形成電子注入層，進(jìn)一步降低多晶硅膜層的表面功函數(shù)；電子傳輸層93、有機(jī)發(fā)光層92和空穴傳輸層91合為一體,米用旋涂方式沉積 MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4_苯撐乙烯撐)，約80nm;陽極94采用V2O5Au層，V2O5層厚度為5-10nm ；Au的蒸發(fā)速率為lnm/min，厚度為15_30nm。該AMOLED器件發(fā)紅光(發(fā)光峰位為565nm),出光方式為頂出光。需要說明的是，方法3中OLED頂部電極94，在像素電極層進(jìn)行n摻雜時，對應(yīng)形成的OLED頂部電極極性為陽極具體的在方法3中為透光陽極。具體的，如方法1、2或3中的有機(jī)發(fā)光層92中可以摻雜磷光材料，也可摻雜其他材料等。本發(fā)明對此不做限制，其中，所述AMOLED器件根據(jù)有機(jī)發(fā)光層92材料的不同，可以形成單色AM0LED、全彩AMOLED ;其中，單色AM0LED，可以為綠光、紅光、藍(lán)光等單色光；全色為紅光、藍(lán)光、綠光的組合。進(jìn)一步地，如方法2或3中在形成空穴傳輸層91前可以利用薄膜沉積工藝在像素界定層與OLED器件間形成空穴注入層或電子注入層，也可以加入電子阻擋層、空穴阻擋層等，其中，空穴注入層可采用V2O5制作，也可用其他材料制作，本發(fā)明對此不做限制，具體的，空穴注入層位于空穴傳輸層91的下層，電子注入層位于電子傳輸層93與OLED頂部電極94間。需要說明的是，在OLED器件9的制作過程中，本發(fā)明實施例采用了小分子材料作 為各有機(jī)層結(jié)構(gòu)，實施例3是采用了大分子聚合物作為有機(jī)層的樣，但本發(fā)明并不限于此，也可以采用其他適合的材料。例)進(jìn)一步地，如圖11所示，在所述基板I的TFT區(qū)域的對側(cè)涂布150 300nm的金
屬形成金屬反射層10。具體的,在基板背面蒸鍍150nm到300nm厚的金屬Al,形成金屬反射層10,其中，通過形成金屬反射層10來實現(xiàn)AMOLED器件OLED器件方法3中的頂層發(fā)光。本發(fā)明實施例提供一種AMOLED制造方法，通過在緩沖層上將非晶硅材料制備成多晶硅層，并將多晶硅層根據(jù)所需圖形利用一次構(gòu)圖工藝，同時形成有源區(qū)和像素電極區(qū)從而制備出全硅基的AMOLED器件，減少了 AMOLED器件制作的構(gòu)圖工藝，降低了制作成本，提聞了廣量。本發(fā)明實施例提供了一種AMOLED器件,如圖10所不，包括基板I ;基板I上具有源極區(qū)31、有源層31、漏極區(qū)31和與所述漏極區(qū)連接的像素電極層32，源極區(qū)31、漏極區(qū)31上分別具有漏極金屬電極和源極金屬電極形成的源極6、漏極6 ;形成在源極區(qū)31、有源層31、漏極區(qū)31上的柵絕緣層4 ;形成在柵絕緣層4上的柵極5、形成在像素電極層32上方形成OLED器件層9。此處，所述源極區(qū)31、半導(dǎo)體有源層31、漏極區(qū)31、像素電極層32的材料為同一工藝制備的多晶硅材料。這樣在制作AMOLED的源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)31，像素電極層32時就可以在一次構(gòu)圖工藝中形成源極區(qū)31、有源層31、漏極區(qū)31和像素電極層32，這樣就可以減少構(gòu)圖工藝，從而降低成本，提高產(chǎn)量。進(jìn)一步地，所述AMOLED器件還包括在所述基板I和所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)31以及像素電極層32之間的緩沖層2以及在所述像素電極層32和OLED器件9層之間的像素界定層8。其中，所述像素界定層8位于整個基板I上。進(jìn)一步地，所述OLED器件層包括空穴注入層、空穴傳輸層91、發(fā)光層92、電子傳輸層93、電子注入層、OLED頂部電極94，其中，空穴注入層可采用V2O5制作，也可用其他材料制作，本發(fā)明對此不做限制，具體的，空穴注入層位于空穴傳輸層91的下層，電子注入層位于電子傳輸層93與OLED頂部電極94間。進(jìn)一步地，如圖11所示，在所述基板I的形成TFT區(qū)域的另一側(cè)上，形成有150 300nm的金屬反射層10。具體的，通過在所述基板I的形成TFT區(qū)域的另一側(cè)上，形成有150 300nm的金屬反射層10,利用金屬反射層10來實現(xiàn)AMOLED器件的頂出光。本發(fā)明實施例提供一種AMOLED器件，通過在緩沖層上將非晶硅材料制備成多晶硅層，并將多晶硅層根據(jù)所需圖形利用一次構(gòu)圖工藝，同時形成有源區(qū)和像素電極區(qū)，從而制備出全硅基的AMOLED器件，減少了 AMOLED器件制作的構(gòu)圖工藝，降低了制作成本，提高
了產(chǎn)量。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此 ，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括 在基板的一面上形成多晶娃層； 對所述多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成有源區(qū)和像素電極區(qū)； 通過構(gòu)圖工藝處理在所述有源區(qū)上形成柵絕緣層； 通過構(gòu)圖工藝處理在所述柵絕緣層上形成柵極，其中，所述柵極位于所述有源區(qū)上的柵絕緣層上； 以所述柵極為掩膜對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，以使所述有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，使所述像素電極區(qū)形成像素電極層； 在源極區(qū)、漏極區(qū)通過制備源極金屬電極和漏極金屬電極形成源極、漏極； 通過薄膜沉積工藝在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上形成OLED器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成多晶硅層之前還包括在基板上沉積緩沖層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成緩沖層； 所述在基板上形成多晶硅層包括 通過薄膜沉積工藝在所述緩沖層上形成非晶硅層； 對所述非晶硅層進(jìn)行晶化工藝處理形成多晶硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理包括 對所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行P摻雜或n摻雜工藝處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括 通過沉積工藝在所述柵極、源極、漏極上形成有鈍化層； 通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層及所述像素電極層上形成像素界定層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一所述的制作方法，其特征在于，在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上形成的OLED器件包括 在形成有所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上制作空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上制作OLED頂部電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上形成的OLED器件還包括在制作空穴傳輸層前在所述像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上制作空穴注入層； 在制作OLED頂部電極時，在電子傳輸層上制作電子注入層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至4、6任一所述的制作方法，其特征在于，還包括 在所述基板的另一面上涂布反射金屬層。
8.一種AMOLED器件，其特征在于，包括 基板； 基板上具有源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)和與所述漏極區(qū)連接的像素電極層，源極區(qū)、漏極區(qū)上分別具有源極金屬電極和漏極金屬電極形成的源極、漏極； 形成在所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)上的柵絕緣層； 形成在所述柵絕緣層上的柵極；形成在所述像素電極層上方的OLED器件層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于， 在所述基板和所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)以及像素電極層之間還包括緩沖層； 在所述像素電極層和OLED器件層之間還包括像素界定層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，所述OLED器件層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、OLED頂部電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于， 在所述基板的另一面上形成有金屬反射層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種AMOLED器件及制作方法，涉及主動型有機(jī)電致發(fā)光器件的制造領(lǐng)域，用于制備出全硅基的AMOLED器件，以降低成本提高產(chǎn)量。該方法，包括在基板上形成多晶硅層；對多晶硅層進(jìn)行處理，形成有源區(qū)和像素電極區(qū)；在有源區(qū)上形成柵絕緣層；在基板上形成位于有源區(qū)上的柵絕緣層上的柵極；以柵極為掩膜對有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，以使所述有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，使所述像素電極區(qū)形成像素電極層；通過薄膜沉積工藝在像素電極層對應(yīng)的所述像素界定層上形成OLED器件。本發(fā)明用于制造AMOLED器件。
文檔編號H01L27/32GK102655118SQ201210006389
公開日2012年9月5日 申請日期2012年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者姜春生, 李延釗, 王東方, 王剛 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司