專利名稱：電感鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電感鎮(zhèn)流器，尤其涉及一種改進(jìn)其漏磁結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的電感鎮(zhèn)流器。
背景技術(shù)：
當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上生產(chǎn)的電感鎮(zhèn)流器產(chǎn)品絕大多數(shù)采用“EI”型疊片模式，其主要缺點(diǎn)是線圈產(chǎn)生的磁力線在鎮(zhèn)流器的兩端處于游離狀態(tài)，磁場(chǎng)分配不均衡，電磁效率較低。為了達(dá)到減少磁通密度從而減少磁損的目的，傳統(tǒng)的產(chǎn)品采用增加鐵芯片的疊厚，增大鐵芯截面積的辦法，但這增長(zhǎng)了線包銅線匝數(shù)的周長(zhǎng)和總長(zhǎng)，于是產(chǎn)生了用銅量的增大和直流電阻熱耗增大的問(wèn)題。例如，圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器的一個(gè)實(shí)施例的分解示意圖。如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器300主要包括:磁芯301、線圈302和磁軛303。其中，磁芯301為III形磁芯。線圈302套設(shè)于磁芯301的中間磁柱上。磁軛303水平地設(shè)置于磁芯301上。圖2b示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器的線圈中的磁力線。如圖所示，傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器因其鐵芯柱兩端面的磁力線202游離多，漏磁較大，導(dǎo)致鎮(zhèn)流器效率低功耗大。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明旨在提供一種電感鎮(zhèn)流器，其在原有傳統(tǒng)的“EI”型電感鎮(zhèn)流器的結(jié)構(gòu)上，改進(jìn)其漏磁設(shè)計(jì)來(lái)提高電磁轉(zhuǎn)換效率。具體地，本發(fā)明提出了一種電感鎮(zhèn)流器，包括:磁芯，所述磁芯是由水平底座部分和三個(gè)垂直磁柱共同構(gòu)成的III形磁芯,其中，所述磁芯由多個(gè)III形的第一磁芯片沿第一方向疊加構(gòu)成，其中，所述三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱的所述第一方向上的兩端處分別形成有一凹部，且所述凹部?jī)?nèi)填充有沿第二方向疊加的多個(gè)第二磁芯片，其中所述第二方向與所述第一方向相互垂直。較佳地，在上述的電感鎮(zhèn)流器中，還可以包括:線圈，套設(shè)于所述三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱上；以及磁軛，水平地設(shè)置于所述三個(gè)垂直磁柱上，與所述磁芯的水平底座部分相對(duì)。較佳地，在上述的電感鎮(zhèn)流器中，所述凹部為一立方體凹部。較佳地，在上述的電感鎮(zhèn)流器中，在所述第二方向上，所述立方體凹部位于所述中間磁柱的端部的中間位置。較佳地，在上述的電感鎮(zhèn)流器中，所述第二磁芯片為矩形磁芯片。較佳地，在上述的電感鎮(zhèn)流器中，所述第一磁芯片和所述第二磁芯片為硅鋼片。如上所述，傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器因其鐵芯柱兩端面的磁力線游離多，漏磁較大，導(dǎo)致鎮(zhèn)流器效率低功耗大。相比之下，本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的磁芯的中間磁柱兩端部分硅鋼片采用縱向疊制，使電感鎮(zhèn)流器的中心磁柱水平 呈夾心狀，使得磁柱的四側(cè)均能對(duì)磁力線有效地進(jìn)行吸收。因此，本發(fā)明克服了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“EI”型鐵芯柱兩端面磁力線游離多的弊端，提高了磁力線的利用率和電磁轉(zhuǎn)換效率。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明以上的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


包括附圖是為提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，它們被收錄并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與本說(shuō)明書(shū)一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。附圖中:圖1a示出了根據(jù)本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的一個(gè)實(shí)施例的分解示意圖。圖1b是III形磁芯的橫截面視圖。圖1c是示出III形磁芯的疊片結(jié)構(gòu)的示圖。圖2a示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的線圈中的磁力線。圖2b示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器的線圈中的磁力線。圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器的一個(gè)實(shí)施例的分解示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律V = -N(dO/dt) = -NBA ω，對(duì)本電感鎮(zhèn)流器的電磁轉(zhuǎn)換效率的有效提高作進(jìn)一步說(shuō)明。在公式中V為產(chǎn)生的電壓，N為線圈的匝數(shù)，(ΙΦ/dt為變化的磁場(chǎng)，B為磁場(chǎng)的強(qiáng)度,A為磁芯截面積,從而可知電壓V和磁場(chǎng)強(qiáng)度B磁芯截面積A的乘積成正比，電壓與線圈的匝數(shù)成正比，在設(shè)定的初級(jí)或次級(jí)電壓的情況下，線圈的匝數(shù)和磁芯截面積的乘積是一個(gè)設(shè)計(jì)的常熟，磁場(chǎng)強(qiáng)度越大，所產(chǎn)生的電壓(或電流)越大，磁芯截面積越大，所產(chǎn)生的電壓(或電流)也越大，電磁轉(zhuǎn)換效率也就越高。根據(jù)上述原理，本發(fā)明開(kāi)發(fā)出了一種電感鎮(zhèn)流器，其在原有傳統(tǒng)的“ΕΙ”型電感鎮(zhèn)流器的結(jié)構(gòu)上，改進(jìn)其漏磁設(shè)計(jì)來(lái)提高電磁轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示，本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器100主要包括:磁芯101、線圈102和磁軛103。在該實(shí)施例中，磁芯101是由水平底座部分104和三個(gè)垂直磁柱105-1 105-3共同構(gòu)成的III形磁芯。此外，線圈102套設(shè)于三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱105-2上。磁軛103水平地設(shè)置于三個(gè)垂直磁柱105-1 105-3上，與磁芯101的水平底座部分104相對(duì)?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖lc，其示出III形磁芯的疊片結(jié)構(gòu)的示圖。如圖所示，本發(fā)明的磁芯101由多個(gè)III形的第一磁芯片沿第一方向A疊加構(gòu)成。例如，圖1b也可以看作是上述III形的第一磁芯片的主視圖。特別是，根據(jù)本發(fā)明，三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱105-2的第一方向A上的兩端處分別形成有一凹部106，請(qǐng)參考圖1a lc。該凹部106內(nèi)填充有沿第二方向B(如圖1c所/Jn )疊加的多個(gè)第二磁芯片，其中該第二方向B與前述的第一方向A相互垂直。在圖1a-圖1c所示的優(yōu)選實(shí)施例中，凹部106為一立方體凹部，且該立方體凹部位于所述中間磁柱102的端部的中間位置。因此，第二磁芯片也就是與該立方體的橫截面形狀相符的矩形磁芯片。但，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以根據(jù)實(shí)際需要而對(duì)該凹部的形狀和位置進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，上述調(diào)整顯然也在本發(fā)明的請(qǐng)求保護(hù)的范圍之內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的第一磁芯片和第二磁芯片均為娃鋼片。圖2a示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的線圈中的磁力線。圖2b示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感鎮(zhèn)流器的線圈中的磁力線。如上所述，傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器因其鐵芯柱兩端面的磁力線202游離多，漏磁較大，導(dǎo)致鎮(zhèn)流器效率低功耗大，如圖2b所示。相比之下，本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的磁芯的中間磁柱兩端部分硅鋼片采用縱向疊制，使電感鎮(zhèn)流器的中心磁柱水平呈夾心狀，使得磁柱的四側(cè)均能對(duì)磁力線201有效地進(jìn)行吸收，如圖2a所示。因此，本發(fā)明克服了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“EI”型鐵芯柱兩端面磁力線游離多的弊端，提高了磁力線的利用率和電磁轉(zhuǎn)換效率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可顯見(jiàn)，可對(duì)本發(fā)明的上述示例性實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變型而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，旨在使本發(fā)明覆蓋落在所附權(quán)利要求書(shū)及其等效技術(shù)方案范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，包括: 磁芯，所述磁芯是由水平底座部分和三個(gè)垂直磁柱共同構(gòu)成的ΠΙ形磁芯， 其中，所述磁芯由多個(gè)ΠΙ形的第一磁芯片沿第一方向疊加構(gòu)成， 其中，所述三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱的所述第一方向上的兩端處分別形成有一凹部，且所述凹部?jī)?nèi)填充有沿第二方向疊加的多個(gè)第二磁芯片，其中所述第二方向與所述第一方向相互垂直。
2.如權(quán)利要求1所述的電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，還包括: 線圈，套設(shè)于所述三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱上；以及 磁軛，水平地設(shè)置于所述三個(gè)垂直磁柱上，與所述磁芯的水平底座部分相對(duì)。
3.如權(quán)利要求1所述的電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述凹部為一立方體凹部。
4.如權(quán)利要求3所述的電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，在所述第二方向上，所述立方體凹部位于所述中間磁柱的端部的中間位置。
5.如權(quán)利要求4所述的電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第二磁芯片為矩形磁芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的電感鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第一磁芯片和所述第二磁芯片為硅鋼片。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種電感鎮(zhèn)流器，包括磁芯，所述磁芯是由水平底座部分和三個(gè)垂直磁柱共同構(gòu)成的Ш形磁芯，其中，所述磁芯由多個(gè)Ш形的第一磁芯片沿第一方向疊加構(gòu)成，其中，所述三個(gè)垂直磁柱中的中間磁柱的所述第一方向上的兩端處分別形成有一凹部，且所述凹部?jī)?nèi)填充有沿第二方向疊加的多個(gè)第二磁芯片，其中所述第二方向與所述第一方向相互垂直。本發(fā)明的電感鎮(zhèn)流器的磁芯的中間磁柱兩端部分硅鋼片采用縱向疊制，使電感鎮(zhèn)流器的中心磁柱水平呈夾心狀，使得磁柱的四側(cè)均能對(duì)磁力線有效地進(jìn)行吸收。
文檔編號(hào)H01F38/10GK103198919SQ201210006270
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者張乃銚, 談?wù)饔?申請(qǐng)人:上海億亞電器有限公司, 談?wù)饔?br>