通過蝕刻來生產(chǎn)rfid應(yīng)答器的方法
【專利摘要】一種用于生產(chǎn)射頻識別應(yīng)答器（100）的方法，包括：-提供由掩模層(M1,M2)覆蓋的導(dǎo)電薄片(70)；-利用激光束(LB1)來加工掩模層(M1)以便形成導(dǎo)電薄片（70）的加工部分(U2)，其中在射頻識別芯片（50）附連到導(dǎo)電薄片（70）上之后執(zhí)行所述加工；以及-蝕刻(ETCH1)所述暴露部分(U2)以便在導(dǎo)電薄片（70）中形成凹槽(C2)，其中所述凹槽(C2)限定應(yīng)答器（100）的天線元件（10a）的邊緣。
【專利說明】通過蝕刻來生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及RFID應(yīng)答器。

【背景技術(shù)】
[0002]射頻識別(RFID)標(biāo)簽可以附連到物品或者以其它方式與物品相關(guān)聯(lián)以識別物品和/或跟蹤物品的移動。存儲于標(biāo)簽中的信息可以通過使用便攜式或固定讀取器而以無線方式被讀取。
[0003]射頻識別標(biāo)簽包括應(yīng)答器，應(yīng)答器通過發(fā)射一種響應(yīng)而對詢問信號做出響應(yīng)。從標(biāo)簽發(fā)射到讀取器的響應(yīng)可以包含信息，其規(guī)定例如與標(biāo)簽相關(guān)聯(lián)的物品的識別號碼。標(biāo)簽可以通過可選的附連手段附連到物品。
[0004]RFID標(biāo)簽可以附連到物品以便提供物品的無線識別。RFID標(biāo)簽可以規(guī)定例如物品的序列號/物品的制造批次和/或物品價(jià)格。RFID標(biāo)簽可以包括應(yīng)答器,應(yīng)答器繼而可以包括一個(gè)或多個(gè)天線元件和RFID芯片。
[0005]參考圖1，天線元件10a、10b可以通過化學(xué)蝕刻在基板90上產(chǎn)生。基板90可以是例如PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)。在已蝕刻了天線元件10a、10b的最終形狀之后，RFID芯片50可以附連到天線元件，例如通過使用各向異性導(dǎo)電粘合劑。
[0006]可需要相對于天線元件10a、1b的終端部分12a、12b精確地定位RFID芯片的接觸元件52a、52b，以便確保一致的射頻性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種用于生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的方法。本發(fā)明的目的在于提供一種用于生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的設(shè)備。本發(fā)明的目的在于提供一種RFID應(yīng)答器。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備。
[0010]射頻識別(RFID)應(yīng)答器包括射頻識別(RFID)芯片和一個(gè)或多個(gè)天線元件。RFID芯片附連到天線元件。根據(jù)本發(fā)明，可在將芯片附連到導(dǎo)電薄片上之后，通過從導(dǎo)電薄片蝕刻而形成天線元件。
[0011]一種用于生產(chǎn)射頻識別應(yīng)答器(100)的方法，可包括:
-提供由掩模層(Ml，M2)覆蓋的導(dǎo)電薄片(70)；
-利用激光束(LBl)來加工掩模層(Ml)以便形成導(dǎo)電薄片(70)的暴露部分(U2)，其中在射頻識別芯片(50)已附連到導(dǎo)電薄片(70)上之后執(zhí)行所述加工；以及-蝕刻(ETCHl)所述暴露部分(U2)以便在導(dǎo)電薄片(70)中形成凹槽(C2)，
其中所述凹槽(C2)限定應(yīng)答器(100)的天線元件(1a)的邊緣。
[0012]導(dǎo)電薄片可以最初被掩模層覆蓋。可以利用激光束局部地移除掩模層來形成一個(gè)或多個(gè)暴露部分，在暴露部分，導(dǎo)電薄片的表面將向蝕刻化學(xué)品暴露。由隨后的蝕刻所形成的凹槽與激光束所形成的暴露部分相重合。
[0013]可以選擇掩模層的材料和厚度使得掩模層可以通過使用激光束而快速并且容易地移除。當(dāng)利用高功率激光器直接切穿導(dǎo)電薄片時(shí)可以更快地和/或以更低強(qiáng)度形成暴露部分。而且，當(dāng)激光束用于僅移除掩模層時(shí)，利用激光束損壞芯片的風(fēng)險(xiǎn)可能較低。
[0014]激光束的軌跡可以準(zhǔn)確地限定天線元件相對于芯片的位置。
[0015]天線元件的邊緣的位置可以通過對激光束的軌跡加以調(diào)整來選擇。因此，天線元件可以相對于芯片準(zhǔn)確定位。
[0016]由RFID標(biāo)簽的天線元件提供的電信號可以很弱。在芯片與天線元件之間的電接觸的阻抗可以是關(guān)鍵的。由于本發(fā)明，可以減小阻抗的變化并且對于一制造批次的應(yīng)答器可以提供更一致并且可靠的RFID操作。
[0017]通過已在附連所述芯片之后形成了所述天線元件，可以補(bǔ)償芯片定位的偏差。
[0018]可以檢測芯片的位置，并且天線元件可以形成于基于芯片的檢測位置而確定的位置處。因此，可以補(bǔ)償芯片的未對準(zhǔn)。
[0019]可以例如通過將涂層噴涂或?qū)雍系綄?dǎo)電薄片上形成掩模層。通過激光束局部移除掩模層可以是比通過激光印刷過程形成掩模層更廉價(jià)的方法，在激光印刷方法中，涂布區(qū)域與由激光束掃描的區(qū)域重合。
[0020]移除掩模層而不是向選定區(qū)施加/涂覆涂層可能在導(dǎo)電薄片的涂布區(qū)域的表面積大于暴露部分的表面積的情況下更快。在一實(shí)施例中，暴露部分的表面積可以例如小于由所述暴露部分限定的天線元件的表面積，優(yōu)選地小于天線元件表面積的20%。
[0021]蝕刻可以允許應(yīng)答器以較低成本大量生產(chǎn)。
[0022]在一實(shí)施例中，可以預(yù)期較低的制造成本。
[0023]由于在形成天線元件之前將芯片附連到導(dǎo)電薄片上，導(dǎo)電薄片可以在附連期間被牢固地保持就位。這也幫助最小化芯片未對準(zhǔn)的不利效果。
[0024]在蝕刻過程期間發(fā)生的橫向力通常很弱。在一實(shí)施例中，RFID應(yīng)答器的天線元件無需被覆蓋較厚的電介質(zhì)基板薄片以便在蝕刻期間防止變形(覆蓋著較厚基板可以增加機(jī)械強(qiáng)度)。例如，天線元件面積的至少90%可以僅被薄掩模層覆蓋，其中所述掩模層的厚度可以例如小于或等于0.2 mm，有利地小于或等于0.1mm,并且優(yōu)選地小于或等于0.05 mm。這種應(yīng)答器在本文中可以被稱作“無基板”RFID應(yīng)答器。
[0025]在一實(shí)施例中，可以生產(chǎn)基本上無基板的RFID應(yīng)答器。
[0026]無基板RFID應(yīng)答器可以隨后附連到物品，即物品表面可以被布置用以支承RFID應(yīng)答器的結(jié)構(gòu)。無基板RFID應(yīng)答器也可以嵌入于物品中。
[0027]由于無基板結(jié)構(gòu)，在制造RFID應(yīng)答器期間可以產(chǎn)生更少的浪費(fèi)材料。
[0028]在一實(shí)施例中，更廉價(jià)的面料和/或更廉價(jià)的覆蓋材料可以用于RFID標(biāo)簽。
[0029]當(dāng)生產(chǎn)并不附連到基板薄片的天線元件時(shí)必須解決某些問題。最有挑戰(zhàn)性的問題之一在于當(dāng)應(yīng)答器或半成品應(yīng)答器快速移動時(shí)維持天線元件的形式和尺寸。可以例如通過使用連桿，通過使用橋和/或通過使用合適保持構(gòu)件來維持天線元件的形式。
[0030]在一實(shí)施例中，天線元件可以通過連桿連接到導(dǎo)電薄片的外部。連桿幫助在移動半成品應(yīng)答器期間維持天線元件的正確形式。天線元件可以隨后與導(dǎo)電薄片的其余部分分離，例如通過使連桿破裂。
[0031]在一實(shí)施例中，由制造設(shè)備所生產(chǎn)的天線元件的尺寸和/或形狀可以快速變化。
[0032]在一實(shí)施例中，可以儲存包括附連到導(dǎo)電薄片的芯片的多個(gè)半成品(B卩，并非成品)的應(yīng)答器，并且可以形成天線元件的最終形式，例如，在芯片已附連到薄片之后數(shù)天的數(shù)小時(shí)之后。這可以改進(jìn)制造過程可適于快速生產(chǎn)具有不同天線形狀的應(yīng)答器的速度。多個(gè)半成品應(yīng)答器可以例如成卷儲存，其包括附連到相同基本上連續(xù)導(dǎo)電薄片的若干芯片。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]在下文的示例中，本發(fā)明的實(shí)施例將參考附圖更詳細(xì)地描述，在附圖中:
圖1以三維視圖示出了用于制造RFID標(biāo)簽的已知方法，
圖2以頂視圖示出了 RFID芯片相對于天線元件未對準(zhǔn)，
圖3以頂視圖示出了通過蝕刻來限定天線元件的邊緣以便補(bǔ)償RFID芯片的未對準(zhǔn)，
圖4a以截面?zhèn)纫晥D示出了通過激光束來局部移除掩模層，
圖4b以截面?zhèn)纫晥D示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻出凹槽，
圖4c以截面?zhèn)纫晥D示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻的凹槽，
圖5a以三維視圖示出了將RFID芯片附連到由第一掩模層覆蓋的導(dǎo)電薄片上，
圖5b以三維截面圖示出了將第二掩模層施加到導(dǎo)電薄片上，
圖5c以三維視圖示出了附連到導(dǎo)電薄片上的RFI D芯片，
圖5d以三維視圖示出了通過使用激光束來局部地移除第一掩模層，
圖5e以三維視圖示出了用于局部加工第一掩模層的設(shè)備，
圖5f以三維視圖示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻一個(gè)或多個(gè)凹槽，
圖5g以三維截面圖示出了包括通過蝕刻而形成的天線元件的應(yīng)答器，
圖5h以三維視圖示出了載體薄片和應(yīng)答器，
圖5i以三維視圖示出了附連到載體薄片上的應(yīng)答器，
圖6a以三維視圖示出了無基板RFID應(yīng)答器，
圖6b以三維視圖示出了附連到載體薄片上的RFID應(yīng)答器，
圖6c以三維視圖示出了附連到載體薄片上的RFID應(yīng)答器，
圖6d以三維視圖示出了層合于兩個(gè)載體薄片之間的RFID應(yīng)答器，
圖7a以三維視圖示出了利用多個(gè)連桿連接到導(dǎo)電薄片外部上的天線元件，
圖7b以截面?zhèn)纫晥D示出了圖7a的連桿，
圖7c以三維視圖示出了對圖7a的連桿進(jìn)行切割，
圖8以側(cè)視圖示出了通過蝕刻來生產(chǎn)RFID標(biāo)簽的設(shè)備，
圖9a以截面?zhèn)纫晥D示出了將RFID芯片附連到導(dǎo)電薄片，
圖9b以截面?zhèn)纫晥D示出了通過激光束來局部移除掩模層，
圖9c以截面?zhèn)纫晥D示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻的凹槽，
圖1Oa以截面?zhèn)纫晥D示出了將RFID芯片附連到導(dǎo)電薄片的暴露部分上，
圖1Ob以截面?zhèn)纫晥D示出了通過激光束來局部移除掩模層，
圖1Oc以截面?zhèn)纫晥D示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻的凹槽，
圖1la將RFID芯片附連到具有第一掩模層的導(dǎo)電薄片上，其中已局部移除第一掩模層以便將芯片結(jié)合到導(dǎo)電薄片上，
圖1lb以截面?zhèn)纫晥D示出了通過激光束來局部移除掩模層， 圖1lc以三維視圖示出了在導(dǎo)電薄片中蝕刻一個(gè)或多個(gè)凹槽，
圖1ld以三維截面圖示出了包括通過蝕刻而形成的天線元件的應(yīng)答器，
圖12a以三維截面圖示出了具有線圈天線的RFID應(yīng)答器，
圖12b以三維截面圖示出了具有線圈天線的RFID應(yīng)答器，線圈天線被實(shí)施為無跳線， 圖12c以頂視圖示出了為了生產(chǎn)線圈天線在導(dǎo)電薄片中蝕刻的凹槽，
圖12d以頂視圖示出了具有線圈天線的RFID應(yīng)答器，線圈天線被實(shí)施為無跳線，
圖13示出了 RFID應(yīng)答器的功能單元，
圖14以三維視圖示出了附連到物品上的RFID應(yīng)答器，
圖15a示出了偶極天線元件的區(qū)域和暴露部分的區(qū)域，
圖15b示出了線圈天線元件的區(qū)域和暴露部分的區(qū)域；以及圖16示出被布置為生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的設(shè)備的單元。

【具體實(shí)施方式】
[0034]參考圖2，在將芯片50的接觸元件52a、52b結(jié)合到天線元件10a、10b的終端部分12a、12b之前已形成天線元件10a、1b的情形下，射頻識別芯片50可以相對于天線元件10a、10b 錯(cuò)放。
[0035]SX、SY和SZ表示正交方向。導(dǎo)電薄片70可以(基本上)在由方向SX和SY限定的平面中。方向SZ可基本上垂直于導(dǎo)電薄片的平面。
[0036]由RFID標(biāo)簽的天線元件提供的電信號可以很弱。芯片50的角的和/或平移的未對準(zhǔn)可以對在芯片50與天線元件10a、10b之間的電接觸的阻抗具有不利效果。芯片50也可以相對于正確位置嚴(yán)重移位使得其防止應(yīng)答器100操作。
[0037]參考圖3，芯片50的位置錯(cuò)誤可至少部分地通過在已將芯片50附連到天線元件10a、10b的導(dǎo)電材料之后形成天線元件10a、10b的至少一部分來至少部分地補(bǔ)償。例如，第一天線元件1a的終端部分12a可以相對于第二天線元件1b的終端部分12b以距離CMPl移位以便補(bǔ)償芯片50的未對準(zhǔn)。
[0038]可以選擇終端部分12a的邊緣的位置以便補(bǔ)償芯片50的未對準(zhǔn)。終端部分12a的邊緣的位置可以由凹槽Cl和/或由凹槽C2限定。
[0039]Cl表示與芯片50重疊的凹槽。C2表示并不與芯片50重疊的凹槽。
[0040]在天線元件10a、1b的終端部分12a、12b通過蝕刻而形成之前，RFID芯片50的接觸元件52a、52b可以結(jié)合到導(dǎo)電薄片70。
[0041]導(dǎo)電薄片70可包括例如鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鐵(Fe)或銀(Ag)?？梢詢?yōu)選環(huán)保的低成本材料。特別地，導(dǎo)電薄片70可以由鋁或銅組成。導(dǎo)電薄片70的厚度可以例如在0.002 mm至0.02 mm的范圍，0.02 mm至0.08 mm的范圍或者0.08 mm至0.2mm的范圍。
[0042]芯片50的接觸元件52a、52b可以包括例如銅、鋁、錫、銀、鎳和/或金。
[0043]接觸元件52a、52b可以是接觸凸起。接觸元件52a、52b可以是接觸襯墊。
[0044]RFID芯片50可以包括多于兩個(gè)接觸元件52a、52b。特別地RFID芯片50可以具有四個(gè)接觸元件。特別地，接觸元件可以結(jié)合到同一天線元件以便提供更可靠的電接觸和/或以便提供機(jī)械更強(qiáng)的連接。
[0045]芯片50的最長尺寸可以例如小于或等于5mm，優(yōu)選地小于2mm。
[0046]圖4a至圖4c示出了在用于導(dǎo)電薄片70中形成一個(gè)或多個(gè)凹槽Cl (和/或用于形成凹槽C2)的步驟。半成品應(yīng)答器100S可以包括附連到導(dǎo)電薄片70的RFID芯片50。芯片50的接觸元件52a、52b可以結(jié)合到導(dǎo)電薄片70，例如通過熔焊、釬焊和/或通過各向異性導(dǎo)電粘合劑ACPI。
[0047]薄片70的第一側(cè)可以被覆蓋著第一掩模層Ml。薄片70的第二側(cè)可以被覆蓋著第二掩模層M2。
[0048]掩模層Ml和/或M2可以是例如聚合物層，聚合物層已被層合或噴涂到導(dǎo)電薄片的表面上。
[0049]可以選擇掩模層Ml和/或M2的材料使得掩模層在蝕刻期間基本上防止侵蝕掩模層下方的薄片70。掩模層Ml和/或M2可以包括例如聚對苯二甲酸乙二醇酯。
[0050]可以選擇掩模層Ml的材料使得可以通過使用激光束LBl來局部加工所述掩模層。通過使用激光束LBl來局部地加工掩模層使得掩模層Ml變得局部可滲透蝕刻物質(zhì)ECS1。所述加工可以包括例如利用激光束LBl的能量來加熱、熔化、蒸發(fā)、焚燒、消融、化學(xué)變換掩模層Ml和/或使掩模層Ml膨脹/溶脹。
[0051]利用激光束LBl的加工可從部分Ul (和/或U2)基本上完全移除掩模層Ml使得薄片70的(導(dǎo)電)表面變得可見。然而，這并非總是必需的。作為完全移除掩模層的替代，部分Ul (和/或U2)也可以通過將致密掩模層Ml局部地轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗫缀?或斷裂結(jié)構(gòu)而形成，這種多孔性和/或斷裂結(jié)構(gòu)可滲透蝕刻物質(zhì)ECSl。因此，掩模層可以從經(jīng)加工部分U1、U2完全移除或者經(jīng)加工部分U1、U2可以被覆蓋著轉(zhuǎn)變的材料層，這在蝕刻期間并不防止從下層薄片70移除材料。
[0052]術(shù)語“暴露部分U1”可以具有與術(shù)語“經(jīng)加工部分U1”相同的意義。術(shù)語“暴露部分U2”可以具有與術(shù)語“經(jīng)加工部分U2”相同的意義。
[0053]Ul表示與芯片50重疊的暴露部分。U2表示并不與芯片50重疊的暴露部分。
[0054]僅由激光束LBl加工掩模層的選定部分。部分Ul、U2被局部加工，這表示在所述加工之后掩模層Ml的大部分面積保持基本上不透蝕刻物質(zhì)ECSl。例如，導(dǎo)電薄片70 (在薄片70的激光加工側(cè)上)的超過50% (—側(cè))面積可以在所述加工之后保持被基本上不可滲透的掩模層Ml覆蓋。
[0055]掩模層Ml可以包括染料，染料有效地吸收激光束LBl波長的能量。
[0056]由激光束LBl加工在暴露部分Ul、U2處的掩模層Ml可以是比利用高功率激光束直接切割薄片70更快的操作。
[0057]利用激光束LBl加工在暴露部分Ul、U2處的掩模層Ml可以通過使用比利用高功率激光束直接切割薄片70更低強(qiáng)度和/或激光功率來進(jìn)行。
[0058]特別地，導(dǎo)電薄片70 (在芯片側(cè)處)的溫度可以在加工期間保持低于300°C，有利地低于200°C并且優(yōu)選地低于150°C。
[0059]由加工激光束LBl損壞芯片50的風(fēng)險(xiǎn)可以顯著地低于其中利用高功率激光束直接切割薄片70的情形。
[0060]由激光器250來提供激光束LBl。激光器250可以是準(zhǔn)分子激光器、半導(dǎo)體激光器、二氧化碳激光器或YAG激光器。
[0061]除了覆蓋所述薄片70之外，第二掩模層M2可選地也覆蓋芯片50和/或粘合劑層ADHl的側(cè)部。當(dāng)利用掩模層M2覆蓋半成品應(yīng)答器100S的薄片70時(shí)，其還可能比芯片50局部無掩模層M2的情況更容易覆蓋芯片50。
[0062]參考圖4b，導(dǎo)電薄片70的材料可以由蝕刻物質(zhì)ECSl從暴露部分Ul局部移除。導(dǎo)電薄片70的材料可以由蝕刻物質(zhì)ECSl局部移除以便形成一個(gè)或多個(gè)凹槽Cl?？梢杂晌g刻物質(zhì)ECSl來局部侵蝕導(dǎo)電薄片70的材料。凹槽Cl的位置可以與圖4a所示的暴露部分Ul的位置匹配。圖4c所示的凹槽Cl可以與圖4a所示的暴露部分Ul重合。
[0063]蝕刻物質(zhì)ECSl可以呈液體形式。銅箔可以被蝕刻,例如通過使用水性氯化鐵溶液?？梢岳缤ㄟ^使用氫氧化鈉水溶液來蝕刻鋁箔。使用呈液體形式的蝕刻物質(zhì)ECSl可以提供用于在薄片70中形成凹槽的快速并且具有成本效益的方法。在液體物質(zhì)ECSl中溶解和/或化學(xué)結(jié)合的材料可以相當(dāng)容易地再循環(huán)。
[0064]可以加熱蝕刻物質(zhì)ECSl以增加蝕刻速度。蝕刻速度的單位可以是例如g ^nT2S'(即，每單位時(shí)間每單位表面積的克數(shù))或m.單位時(shí)間的單位長度)。
[0065]蝕刻物質(zhì)ECSl也可以呈氣態(tài)形式?？梢酝ㄟ^等離子體蝕刻形成凹槽。
[0066]在一實(shí)施例中，薄片70的相反側(cè)在蝕刻期間也可以被保留而無掩模層M2。可以通過其它手段來防止或減小對薄片70的反側(cè)的侵蝕。例如，薄片70的反側(cè)可以利用保護(hù)性液體來沖洗以便減小或防止對薄片70反側(cè)的侵蝕。
[0067]圖4c示出了在導(dǎo)電薄片70中蝕刻的凹槽Cl。凹槽Cl優(yōu)選地延伸穿過導(dǎo)電薄片。凹槽Cl也可以被稱作狹縫或狹槽。
[0068]留在薄片70上的殘余蝕刻物質(zhì)ECSl可能侵蝕應(yīng)答器100。殘余蝕刻物質(zhì)ECSl可能造成耦合阻抗的時(shí)間相關(guān)性漂移。殘余蝕刻物質(zhì)ECSl可能使得可視外觀降級和/或可能使得薄片70的表面具有粘性。
[0069]凹槽C1、C2和/或應(yīng)答器100可以可選地在蝕刻之后被洗滌以便移除殘余蝕刻物質(zhì) ECSl。
[0070]作為洗滌的替代或補(bǔ)充，殘余蝕刻物質(zhì)ECSl也可以通過氣體射流而被移除(吹走或吸走)。
[0071]作為洗滌的替代或補(bǔ)充，殘余蝕刻物質(zhì)ECSl也可以通過添加合適化學(xué)物質(zhì)而被中和或滅活/減除活性。
[0072]可在洗滌步驟之后可選地干燥應(yīng)答器100。
[0073]圖5a示出了通過使用由芯片保持器260生成的壓縮力F3而將芯片50附連到導(dǎo)電薄片70上?？梢杂蓧|襯支承件262同時(shí)生成反作用力F4。在附連所述芯片50期間可以由張力FX1、FX2保持薄片70就位。
[0074]在附連所述芯片50之前，薄片70的一側(cè)可以被覆蓋一掩模層Ml。在附連之前，薄片70的另一表面(即，芯片側(cè))應(yīng)在將與接觸元件52a、52b、52c、52d相接觸的一些位置處至少局部暴露。
[0075]圖5b示出了將第二掩模層M2附連到導(dǎo)電薄片70上。第二掩模層M2可以例如通過將保護(hù)層層合到薄片70上或者通過向薄片70噴涂漆而被施加/涂覆。例如，層合可以包括通過使用壓縮輥和/或加熱而施加一種聚合物膜。例如，一種可紫外線固化漆可以被噴涂到薄片70上。漆可以由紫外光固化。
[0076]圖5c示出了半成品應(yīng)答器100S，其包括芯片50和導(dǎo)電薄片70，其中薄片70的側(cè)部受到掩模層Ml、M2保護(hù)。
[0077]若干芯片50可以附連到同一導(dǎo)電薄片70，S卩，若干半成品應(yīng)答器100S可以在這個(gè)階段聯(lián)合/結(jié)合在一起。
[0078]芯片50的封裝可以被暴露，或者芯片50可以被覆蓋著掩模層M2。
[0079]參考圖5d，暴露部分U1、U2可以通過使用一個(gè)或多個(gè)激光束LBl以局部地加工掩模層M1、M2而形成。SPl表不激光光斑。Ul表不與芯片50重疊的暴露部分。U2表不并不與芯片50重疊的暴露部分。
[0080]經(jīng)加工部分Ul、U2可以限定一個(gè)或多個(gè)天線元件10a、1b的形式。特別地，部分U1、U2可以限定天線元件10a、10b的終端部分12a、12b的邊緣。
[0081]ORl表示外部。外部ORl可以包圍天線元件10a、10b。
[0082]圖5e示出了設(shè)備200，設(shè)備200包括激光加工單元MDU6。激光加工單元MDU6可以被布置成利用激光束LBl局部加工掩模層Ml。特別地，掩模層Ml可以由激光束LBl局部移除。
[0083]設(shè)備200可以可選地包括監(jiān)視單元MDU7，以檢測芯片50的位置。芯片50的位置可以通過使用監(jiān)視單元MDU7來監(jiān)視。監(jiān)視單元MDU7可以包括例如攝像機(jī)CAMl，其具有視野 F0V。
[0084]應(yīng)答器100的制造可以包括在已附連所述芯片50之后檢測芯片50的位置，并且基于芯片50的檢測位置來選擇暴露部分Ul和/或U2的位置。
[0085]由監(jiān)視單元MDU7提供的信息可以用于控制激光束LBl的位置、功率和/或掃描速度。掃描速度表示激光束LBl的光斑SPl相對于導(dǎo)電薄片70的相對速度。
[0086]激光加工單元MDU6還可以包括束轉(zhuǎn)向單元。在形成暴露部分Ul、U2期間，激光束LBl的光斑SPl可以例如由束轉(zhuǎn)向單元相對于導(dǎo)電薄片70移動。例如，束轉(zhuǎn)向單元可以包括平移臺。激光器250可以附連到平移單元420，平移單元420可以被布置成在方向SY上沿著引導(dǎo)件430移動。束轉(zhuǎn)向單元也可以包括第二平移臺以用于使激光器250在方向SX上移動。然而，如果導(dǎo)電薄片70在方向SX上例如通過一對滾筒而移動，第二平移臺可以被省略。導(dǎo)電薄片可以例如相對于激光光斑SPl以速度Vl移動。束轉(zhuǎn)向單元可以包括例如一個(gè)或多個(gè)可以移動的平面鏡、棱鏡、透鏡、衍射元件和/或掩模以用于改變激光光斑SPl在導(dǎo)電薄片70上的位置。換言之，并非必需使激光器250移動。束LBl可以是固定的并且薄片70可以移動。束和薄片都可以移動。若干激光束可以用于基本上同時(shí)形成若干暴露部分 U1、U2。
[0087]圖5f示出了浸沒于蝕刻物質(zhì)ECSl中的半成品應(yīng)答器100S。制造設(shè)備200可以包括蝕刻單元MDU8。蝕刻單元MDU8可以包括容器800，容器800繼而容納一種蝕刻物質(zhì)ECSl0蝕刻物質(zhì)ECSl可以例如呈液體形式。
[0088]可以在導(dǎo)電薄片70的材料從暴露部分Ul、U2局部侵蝕時(shí)形成凹槽Cl、C2?？梢酝ㄟ^化學(xué)反應(yīng)和/或由蝕刻物質(zhì)ECSl造成的溶解來侵蝕材料。凹槽Cl、C2可以與由激光束LBl所形成的暴露部分Ul、U2重合。
[0089]圖5g示出了應(yīng)答器100，其中天線元件10a、1b的邊緣由凹槽Cl、C2限定。
[0090]在這個(gè)階段，導(dǎo)電外部ORl可以包圍應(yīng)答器100的天線元件10a、1b中的一個(gè)或多個(gè)。外部ORl可以形成導(dǎo)電回路，這可能會干擾應(yīng)答器100的操作?？梢杂欣匾瞥蚺懦獠繀^(qū)域0R1。外部區(qū)域ORl可以例如從應(yīng)答器100剝除。應(yīng)答器100可以遠(yuǎn)離外部區(qū)域ORl而被剝除?？梢晕g刻掉外部區(qū)域0R1。一個(gè)或多個(gè)凹槽可以形成于外部區(qū)域ORl中以便打破導(dǎo)電回路。第一應(yīng)答器和第二相鄰應(yīng)答器100可以形成于同一導(dǎo)電薄片70上使得外部區(qū)域ORl并不包圍第一應(yīng)答器100。可以蝕刻凹槽C2使得完全不形成外部區(qū)域ORl。
[0091]參考圖5h，可以使載體薄片靠近在保持器300上所支承的應(yīng)答器。載體薄片81可以例如由張力FX3、FX4保持在正確位置。
[0092]在這個(gè)階段，可能已形成使應(yīng)答器100與外部ORl分離開的一個(gè)或多個(gè)凹槽C2。然而，應(yīng)答器100仍在與外部ORl相同的平面中，并且應(yīng)答器100可以通過掩模層M2機(jī)械地聯(lián)結(jié)到外部ORl (或者到相鄰應(yīng)答器100)。
[0093]應(yīng)答器100可以遠(yuǎn)離外部ORl移動，例如通過包括向天線元件10a、10b但不向外部ORl上選擇性地施加粘合劑的方法。當(dāng)使載體薄片81與應(yīng)答器100接觸時(shí)，應(yīng)答器100可以粘附到載體薄片8，并且應(yīng)答器100可以與載體薄片81 —起遠(yuǎn)離外部ORl移動。
[0094]作為替代或補(bǔ)充，粘合劑可以僅選擇性地施加/涂覆到將與天線元件10a、10b相接觸的載體薄片81的那些部分上?？梢允古c外部ORl和與凹槽C2重合的載體薄片81的那些部分沒有粘合劑。
[0095]用于將應(yīng)答器100固定到載體薄片81上的粘合劑可以例如是壓敏粘合劑或熱熔粘合劑。
[0096]粘合劑的粘合力可以較高使得當(dāng)應(yīng)答器100與載體薄片81 —起提升時(shí)第二掩模層M2也可以容易地破裂。導(dǎo)電薄片70的拉伸強(qiáng)度可以高于掩模層M2的拉伸強(qiáng)度。
[0097]參考圖5i，可以通過將載體薄片81用作保持器件來使應(yīng)答器100遠(yuǎn)離外部ORl移動。特別地，應(yīng)答器100可以與載體薄片81 —起移位到不同于外部區(qū)域ORl高度的高度。載體薄片81可以被保持和移動到所希望的位置，例如通過使用張力FX3、FX4。一旦載體薄片81已粘附到應(yīng)答器100，載體薄片81可以使天線元件10a、1b相對于彼此的位置穩(wěn)定使得應(yīng)答器100耐受例如提升和快速移動。
[0098]可以選擇第二掩模層M2的材料使得第二掩模層M2可以被相對較小的機(jī)械力破
m
? ο
[0099]可以選擇掩模層M2的厚度和/或材料使得掩模層M2的拉伸強(qiáng)度小于導(dǎo)電薄片70的拉伸強(qiáng)度。
[0100]可以例如通過使用一個(gè)或多個(gè)切割刀片，通過加熱所述應(yīng)答器100使得掩模層M2的強(qiáng)度降級，通過使用移除掩模層M2的溶劑，和/或通過激光切割來輔助使第二掩模層M2破裂。
[0101]保持器(B卩，保持器件)300可以具有基本上平面形式(如附圖所示)，或者其可以具有彎曲表面。特別地，保持器300可以是輥。特別地，保持器300可是旋轉(zhuǎn)輥，其中導(dǎo)電薄片70可以例如通過張力FX1、FX2而被牽拉抵靠保持器300的彎曲表面。也可以由一個(gè)或多個(gè)輔助(旋轉(zhuǎn))輥或(滑動)壓制單元來抵靠保持器300而壓制導(dǎo)電薄片70。
[0102]在制造期間，芯片50和導(dǎo)電薄片70的組合(即，半成品應(yīng)答器100S)可以由保持構(gòu)件300支承。
[0103]當(dāng)外部ORl與應(yīng)答器100分離時(shí)，應(yīng)答器100可以由保持構(gòu)件300保持。應(yīng)答器100可以由壓差保持。
[0104]當(dāng)外部ORl與應(yīng)答器100分離時(shí)，外部ORl可以由保持構(gòu)件300保持。外部ORl
可以由壓差保持。
[0105]保持構(gòu)件300或保持器300可以包括例如多個(gè)孔(未圖示)，多個(gè)孔用于通過壓差(“真空”)牽拉導(dǎo)電薄片70抵靠保持器300。這些孔可以連接到低壓單元(未圖示)。由這些孔形成的壓差VACl (“真空”)可以將天線元件10a、10b牢固地緊固抵靠住保持構(gòu)件300的表面。
[0106]低壓單元可以是泵(未圖示)。特別地，低壓單元可包括抽吸泵和真空罐以提供基本上恒定低壓，和用于接通和斷開在孔中的低壓(真空)的一個(gè)或多個(gè)閥。
[0107]保持構(gòu)件300可以具有彎曲保持表面。特別地，保持構(gòu)件300可以是輥，其包括連接到低壓單元的多個(gè)孔。薄片70可以通過壓差抵靠輥表面而被保持。輥可以被稱作例如“真空輥”或“吸力輥/抽吸輥”。特別地，輥形保持構(gòu)件300可以用于輥對輥加工中。
[0108]圖6a示出了包括一個(gè)或多個(gè)天線元件10a、1b和芯片50的自立的無基板RFID應(yīng)答器100。
[0109]應(yīng)答器100可以附連到載體薄片以便提供RFID標(biāo)簽。
[0110]替代地，RFID應(yīng)答器100可以直接附連到物品700a上(參看圖14)。物品700a可以是例如紙板箱或者用于電子裝置的電池。RFID應(yīng)答器100可以附連到物品700a的表面上或者RFID應(yīng)答器100可以嵌入于物品700a中。
[0111]圖6b示出了附連到載體薄片81上以便提供RFID標(biāo)簽110或RFID嵌體110的應(yīng)答器100。天線元件10a、10b的終端部分12a、12b可以位于芯片50與載體薄片81之間。
[0112]圖6c示出了附連到載體薄片82上以便提供RFID標(biāo)簽110或RFID嵌體110的應(yīng)答器100。芯片50可以位于終端部分12a、12b與載體薄片82之間。
[0113]圖6d示出了層合于兩個(gè)薄片81、82之間以便提供RFI D標(biāo)簽110或RFI D嵌體110的應(yīng)答器100。
[0114]載體薄片81和/或82可以包括例如塑料、紙或紙板。載體薄片81、82可以電絕緣。薄片81、82的厚度可以例如在0.03mm至Imm的范圍。載體薄片81或82可以可選地用粘合劑層作內(nèi)襯。粘合劑層可以可選地被覆蓋著釋放層。
[0115]圖7a至圖8示出了形成多個(gè)凹槽C2使得天線元件10a、1b通過一個(gè)或多個(gè)連桿72連接到外部0R1。連桿72可以由薄片70的導(dǎo)電材料組成。連桿72可以在將應(yīng)答器100與外部ORl分離之前幫助保持天線元件10a、10b和終端部分12a、12b就位。
[0116]可以通過在由暴露部分U2限定的位置處進(jìn)行蝕刻來形成狹槽C2。多個(gè)連桿72可以保持在狹槽C2之間。連桿72包括導(dǎo)電薄片70的材料。連桿72可以暫時(shí)地支承天線元件10a、1b和芯片50。至少在隨后的階段，可通過使連桿72破裂而使天線元件10a、10b與導(dǎo)電薄片70的外部ORl完全分離。連桿也可以被稱作撐條/支撐件(brace)。
[0117]圖7a以頂視圖示出了經(jīng)蝕刻的狹槽C2。
[0118]圖7b以截面?zhèn)纫晥D示出了狹槽C2。截面與圖7a所示的線A-A有關(guān)。
[0119]可以選擇連桿72的寬度L72使得天線元件10a、10b可以容易地與導(dǎo)電薄片70的外部ORl分開。連桿的厚度d72可例如基本上等于導(dǎo)電薄片70的厚度(V
[0120]圖7c示出了用于將天線元件10a、1b與導(dǎo)電薄片70的外部ORl分離的方法。在蝕刻之后，元件10a、1b可以通過連桿72附連到外部ORl?？梢允惯B桿72破裂以便將這些元件與外部分離。元件10a、10b可以遠(yuǎn)離外部被牽拉或推動以便使連桿72破裂。
[0121]在這個(gè)階段，導(dǎo)電薄片70的反側(cè)仍可以被覆蓋著第二掩模層M2。當(dāng)應(yīng)答器100與外部ORl分離時(shí)，也可以使第二掩模層M2與連桿72 —起破裂。
[0122]可以通過圍繞彎曲構(gòu)件202張緊所述薄片70來使薄片70的一部分彎曲。彎曲構(gòu)件可以例如通過輥202。因此，元件1b的末端部分可以相對于薄片70的彎曲部分突伸。分離構(gòu)件301可以被布置成當(dāng)彎曲薄片70相對于彎曲構(gòu)件202移動時(shí)推動所述突伸天線元件1b遠(yuǎn)離薄片70的外部。分離構(gòu)件301可以是楔狀物。
[0123]可以選擇連桿72的位置使得當(dāng)薄片70彎曲時(shí)，天線元件1b的末端可以相對于薄片70的外部突伸。
[0124]可以選擇連桿72或橋接元件72的尺寸使得通過牽拉或推動天線元件而使天線元件可以與外部ORl分離，即無需使用切割刀片302。
[0125]然而，若需要，該設(shè)備還可包括用于切割連桿72的一個(gè)或多個(gè)切割刃302。切割刃可以是可移動的或固定的。滾筒202可以包括一個(gè)或多個(gè)切割刃。
[0126]作為連桿72的替代，或者作為連桿72的補(bǔ)充，天線元件10a、1b可以通過多個(gè)橋接元件(未圖示)暫時(shí)連接到外部0R1。橋接元件可以例如通過向薄片70施加膠帶而形成。
[0127]圖8示出了用于生產(chǎn)層合RFID標(biāo)簽的設(shè)備200?？梢杂奢?01、204a、204b、204c、202,203來移動半成品應(yīng)答器100S的幅材。幅材可以包括附連到導(dǎo)電薄片70的若干芯片50。導(dǎo)電薄片70的兩側(cè)可以被覆蓋著掩模層Ml、M2。
[0128]芯片50可以通過芯片附連單元而結(jié)合到導(dǎo)電薄片70。芯片附連單元可以包括例如保持器260 (圖5a)。設(shè)備200可以包括芯片附連單元(參看圖16)。
[0129]掩模層Ml和/或M2可以例如通過層合、噴涂和/或浸涂施加。設(shè)備200可以包括用于施加掩模層Ml和/或M2的層合單元和/或噴涂單元(參看圖16)。
[0130]該設(shè)備200包括用于形成暴露部分U1、U2的激光加工單元MDU6。一個(gè)或多個(gè)暴露部分U1、U2可以通過利用一個(gè)或多個(gè)激光束LBl加工掩模層Ml和/或M2而形成。
[0131]該設(shè)備200可包括用于檢測芯片50位置的監(jiān)視單元MDU7。
[0132]可以通過在蝕刻單元MDU8中蝕刻而形成天線元件10a、10b。蝕刻單元MDU8可以包括例如容納蝕刻物質(zhì)ECSl的儲罐或腔室800。
[0133]在蝕刻之后，可以通過洗滌單元從幅材移除殘余蝕刻液體。殘余洗滌液體和/或殘余蝕刻物質(zhì)可以可選地在干燥單元中干燥。該設(shè)備200可以包括洗滌單元和/或干燥單元(參看圖16)。
[0134]可以通過使薄片圍繞輥202彎曲并且通過利用分離構(gòu)件301推動天線元件來使應(yīng)答器100與薄片70的外部分離。
[0135]第一薄片81可以由輥221、222、223移動。第二薄片82可以由輥231、232、223移動。薄片81、82可以基本上以與導(dǎo)電薄片70相同速度移動。
[0136]輥222、232可以形成輥隙，輥隙抓住天線元件的末端并且牽拉RFID應(yīng)答器100使得其可以層合在薄片81、82之間?？梢酝ㄟ^使用壓力輥241、242來輔助層合。若需要，用于層合的熱HRl可以由加熱單元280提供。
[0137]層合RFID應(yīng)答器100可以圍繞輥223而被收集。層合RFID應(yīng)答器100可以作為卷繞于卷軸中的薄片而被遞送。薄片可以包括RFID應(yīng)答器100的一維或二維陣列。個(gè)別RFID應(yīng)答器100或RFID標(biāo)簽110可以在后來的階段與薄片分離，例如通過模切或沿著穿孔而分離。
[0138]REMl表示其中形成暴露部分Ul、U2的區(qū)。ETCHl表示其中蝕刻了凹槽Cl、C2的區(qū)。SEPl表示其中RFID應(yīng)答器100與導(dǎo)電薄片70的外部分離的區(qū)。LAMl表示其中RFID應(yīng)答器100層合于保護(hù)薄片81、82之間的區(qū)。
[0139]可以由控制單元400來控制設(shè)備200的操作?？刂茊卧?00可以被配置成控制例如薄片70、81、82的速度，激光束的移動，和激光功率。
[0140]在圖16中還示出了應(yīng)答器制造設(shè)備200的功能單元。
[0141]參考圖9a，掩模層M2可以從一個(gè)或多個(gè)區(qū)域局部移除以便形成暴露部分U52。芯片50的接觸元件52a、52b可以隨后結(jié)合到暴露部分U52。暴露部分U52有利地完全暴露，這意味著導(dǎo)電薄片70的金屬表面在暴露部分U52處局部可見。
[0142]可以通過例如利用激光束或利用機(jī)械裝置移除掩模層M2來形成暴露部分U52。機(jī)械裝置可以是例如噴砂嘴、刮刀或旋轉(zhuǎn)刀片(銑刀)。噴砂嘴可以被布置成提供流體射流，流體射流局部移除掩模層。例如，噴砂嘴可以被布置成提供研磨粒子流，研磨粒子流移除掩模層。粒子可以是例如由高速氣體射流或者由高速液體射流載運(yùn)的陶瓷或金屬粒子。
[0143]將芯片50粘附到導(dǎo)電薄片70上可以通過使用粘合劑ADHl而改進(jìn)。特別地，在接觸元件52a與導(dǎo)電薄片70之間的電連接可以通過使用各向異性導(dǎo)電的粘合劑ADHl而形成。
[0144]當(dāng)芯片50已附連到薄片70上時(shí)，包圍著接觸元件52a、52b的粘合劑層ADHl也可以作為掩模層而操作，掩模層保護(hù)導(dǎo)電(金屬)部分避免蝕刻物質(zhì)ECSl的侵蝕效果。
[0145]芯片50可以包括封裝，其耐受蝕刻物質(zhì)ECSl的侵蝕效果。
[0146]參考圖9b,可通過加工掩模層Ml形成一個(gè)或多個(gè)暴露部分Ul (和/或U2)。可以利用激光束LBl來加工掩模層Ml。特別地，掩模層Ml可以由激光束LBl移除。
[0147]當(dāng)激光束LBl和芯片50在導(dǎo)電薄片70的不同側(cè)上時(shí)，由束LBl形成的暴露部分Ul可以與芯片50重疊。
[0148]而且，可以通過利用激光束LBl加工掩模層Ml而形成一個(gè)或多個(gè)非重疊部分U2，其在薄片70的與芯片50不同的側(cè)部上。部分U2并不與芯片50重疊。
[0149]暴露部分U1、U2可以在例如通過使用監(jiān)視單元MDU7已測量了芯片50相對于薄片70的位置之后形成。
[0150]參考圖9c，凹槽Cl可以通過利用蝕刻而從暴露部分Ul移除材料來形成。一個(gè)或多個(gè)非重疊凹槽C2可以通過利用蝕刻從暴露部分U2移除材料而形成。
[0151]圖1Oa至圖1ld示出了形成天線元件使得在芯片附連到薄片70之前已經(jīng)形成了初步凹槽。
[0152]參考圖10a，芯片50可以附連到導(dǎo)電薄片70使得芯片50與凹槽Cl重疊。優(yōu)選地，凹槽Cl的兩端應(yīng)在芯片50已附連之后可見(也參看圖1la和圖lib)。
[0153]在此情況下，芯片的定位準(zhǔn)確度應(yīng)高于不存在初步凹槽時(shí)。然而，在某種程度上，仍可能補(bǔ)償芯片的錯(cuò)誤位置。
[0154]參考圖10b，暴露部分U2現(xiàn)可以通過使用激光束LBl而形成，其在與芯片50相同的導(dǎo)電薄片70的側(cè)部上。因此，相同攝像機(jī)CAMl (圖5e)也可以用于例如監(jiān)視激光束LBl的位置。攝像機(jī)CAMl也可以用于監(jiān)視是否已將掩模層Ml加工到充分程度。在此情況下，激光束LBl不能容易碰撞芯片50下方的一部分。由束LBl形成的暴露部分U2并不與芯片
50重疊。
[0155]粘合劑ADHl可能在蝕刻之前密封初步凹槽Cl。
[0156]參考圖10c，可以通過在由暴露部分U2限定的位置處蝕刻而形成一個(gè)或多個(gè)凹槽C2,從而形成天線元件10a、10b。
[0157]圖1la示出了將芯片50附連到暴露部分U52上使得芯片50與初步凹槽Cl重疊。
[0158]圖1lb示出加工一個(gè)或多個(gè)暴露部分U2以便限定(多個(gè))天線元件10a、10b的位置。
[0159]圖1lc示出了蝕刻一個(gè)或多個(gè)凹槽C2。
[0160]圖1ld示出了附連到外部ORl的應(yīng)答器100。應(yīng)答器100可以通過上文所述的方法之一與外部ORl分尚(參看，例如關(guān)于圖5a和圖7c的討論)。
[0161]當(dāng)芯片50與初步凹槽Cl重疊時(shí)，無需利用激光束LBl加工在導(dǎo)電薄片70的反側(cè)上的掩模層M2。換言之，加工激光束LBl和芯片50可以在薄片70的相同側(cè)上。
[0162]然而，將芯片50附連于初步凹槽Cl上可需要比將芯片50附連到并不具有初步凹槽Cl的薄片70而更準(zhǔn)確定位。
[0163]圖2至圖1ld和圖15a示出了用于生產(chǎn)應(yīng)答器100的制造步驟，應(yīng)答器100具有偶極天線。所述制造步驟也可以適合于生產(chǎn)包括線圈天線CAl的應(yīng)答器100 (參看圖12a至圖12d和圖15b)。所述制造步驟也可以適合于生產(chǎn)包括三個(gè)或更多個(gè)天線元件的應(yīng)答器100。所述制造步驟也可能適合于生產(chǎn)包括除了芯片和天線之外的一個(gè)或多個(gè)電氣零件的應(yīng)答器100。例如，應(yīng)答器可以包括了對于電池和/或?qū)τ趥鞲衅鞯拇鄹臋z測回路。傳感器可以是例如溫度傳感器、濕度傳感器、化學(xué)傳感器或應(yīng)變傳感器。在所有這些情況下，應(yīng)答器100的導(dǎo)電部分可以通過利用激光束LBl加工掩模層Ml或M2的一部分U2、和通過在相對應(yīng)位置處蝕刻凹槽C2而形成。特別地，暴露部分U2的位置可以基于芯片50的檢測位置而進(jìn)行選擇。
[0164]圖12a示出了包括與芯片50連接的線圈天線CAl的應(yīng)答器100。天線元件CAl的第一端可以直接連接到芯片50，線圈天線CAl的第二端(例如，內(nèi)部)可以通過跳線JMPl連接到芯片50。應(yīng)答器100可以附連到載體薄片81以便制成RFID標(biāo)簽。
[0165]圖12b示出了應(yīng)答器100，其中線圈天線的一匝或多匝被布置成在芯片50的連接元件之間傳遞。換言之，線圈天線的一匝或多匝被布置成在線圈天線CA的終端部分12a、12b之間傳遞。因此，無需圖12a所示的外部跳線JMPl。
[0166]圖12c示出了凹槽部分Cla、Clb、Clc、Cld，其可以用于限定圖12b、圖12d和圖15b所示的線圈天線CAl的形式。凹槽部分Cla、Clb、Clc、Cld可以通過利用蝕刻而從暴露部分移除材料來產(chǎn)生。
[0167]兩個(gè)或更多個(gè)凹槽部分Cla、Clb、Clc、Cld可以被布置成在芯片50的第一連接元件52a與第二連接元件52b之間傳遞。凹槽部分Cla、Clb、Clc、Cld可以是相同螺旋凹槽的部分。
[0168]參考圖Ud，保留在凹槽部分Cla、Clb之間的導(dǎo)電薄片70的一部分可以例如作為線圈天線CAl的第三匝TRN3的一部分而操作。保留在凹槽部分Clb與Clc之間的部分可以作為第二匝TRN2的一部分而操作。保留在凹槽部分Clc與Cld之間的部分可以作為第一匝TRNl的一部分而操作。
[0169]特別地，用于生產(chǎn)RFID應(yīng)答器的方法可包括:
-將芯片50附連到導(dǎo)電薄片70上；
-加工位于芯片50的第一連接元件52a與第二連接元件52b之間的掩模層Ml的一區(qū)域以便形成暴露部分Ul,
-通過蝕刻而在暴露部分Ul的位置處形成凹槽Cl以便形成線圈天線CA1，線圈天線CAl以電流方式(galvanically)連接到第一連接元件52a和第二連接元件52b。
[0170]特別地，芯片50可以利用粘合劑ADHl附連到導(dǎo)電薄片70，其準(zhǔn)確地固定由凹槽部分Cla、Clb、Clc、Cld限定的薄導(dǎo)電部分的位置。
[0171]圖12d示出了線圈天線CAl的匝TRN1、TRN2、TRN3可以如何通過在終端部分12a、12b之間的空間。匝TRN4的末端形成終端部分12a。包括線圈天線CAl的應(yīng)答器100可以是無基板的或者其可以固定到載體薄片81上以便提供RFID標(biāo)簽/嵌體。
[0172]圖12c示出了圖12d的天線的細(xì)節(jié)。
[0173]參考圖13，射頻識別應(yīng)答器100可以被布置成向詢問信號ROG發(fā)送響應(yīng)RSP。詢問信號ROG可以從便攜式或固定讀取器900發(fā)送。
[0174]應(yīng)答器100可包括經(jīng)由端子Tl、T2連接到一個(gè)或多個(gè)天線元件10a、10b的通信塊。端子Tl、T2可以電流方式(galvanically)連接到芯片50的接觸元件52a、52b。
[0175]通信塊可以實(shí)施于RFID芯片50中。通信塊可包括射頻單元RXTX1、控制單元CNTl和存儲器MEMl。射頻單元RXTXl可包括信號接收器RXl和信號發(fā)射器TXl。
[0176]射頻單元RXTX1、控制單元CNTl和存儲器MEMl可以實(shí)施于同一半導(dǎo)體芯片50上。
[0177]接收器RXl可以基于所接收的詢問信號ROG提供輸入信號SIN。控制單元CNTl可以被布置成例如當(dāng)輸入信號Sin包含正確口令代碼時(shí)能允許發(fā)射信息INF1。
[0178]由應(yīng)答器100發(fā)射的響應(yīng)RSP可包括信息INFl。信息INFl可包括例如電子物品代碼(EPC)。信息INFl可以由控制單元CNTl從存儲器MEMl檢索/取回?？刂茊卧狢NTl可以向射頻單元RXTXl發(fā)送輸出信號SQUT。輸出信號Squt可以包括信息INFl。發(fā)射器TXl可以基于輸出信號Sot生成射頻響應(yīng)RSP。
[0179]射頻單元RXTXl可以包括電壓供應(yīng)VREGl，其被布置成從進(jìn)來的射頻信號提取操作功率。
[0180]圖14示出了多個(gè)帶標(biāo)簽的物品700a、700b、700c。RFID應(yīng)答器10a可附連到物品700a，RFID應(yīng)答器10b可附連到物品700b，并且RFID應(yīng)答器10c可以附連到物品700c。
[0181]每個(gè)應(yīng)答器100a、100b、10c可以被布置成發(fā)射對于詢問信號ROG的響應(yīng)RSP。由應(yīng)答器10a發(fā)射的響應(yīng)可以包括與物品700a相關(guān)聯(lián)的信息INFla。由應(yīng)答器10b發(fā)射的響應(yīng)可以包括與物品700b相關(guān)聯(lián)的信息INFlb。由應(yīng)答器10c發(fā)射的響應(yīng)可以包括與物品700c相關(guān)聯(lián)的信息INFlc。
[0182]信息INFl可例如包括每個(gè)應(yīng)答器100的識別數(shù)據(jù)使得可以計(jì)數(shù)物品700a、700b、700c的數(shù)量，并且可以識別物品的類型。
[0183]讀取器900可包括主體910和用戶界面920。用戶界面920可包括例如用于顯示由應(yīng)答器100，100a、100b、10c所發(fā)送的信息的視覺顯示器。用戶界面920可以包括用于接收數(shù)據(jù)和/或命令的鍵盤。
[0184]射頻單元RXTXl可以包括信號接收器RXl和信號發(fā)射器TXl。接收器RXl也可以被稱作信號解調(diào)器。發(fā)射器TXl也可以被稱作信號調(diào)制器。射頻單元RXTXl也可以被稱作模擬射頻接口。
[0185]射頻單元RXTXl可包括連接端子T1、T2，其可以連接到至少一個(gè)天線10a、10b。至少一個(gè)天線可以是偶極天線，其包括一對天線元件10a、10b。第一端子Tl可以連接到第一元件10a，并且第二端子T2可以連接到第二元件10b。替代地，第一端子Tl可以連接到天線10a，而第二端子T2可以連接到電接地(未圖示)。替代地，端子Tl、T2可以連接到線圈天線CAl (圖17b)。
[0186]特別地，信息INFl可包括電子物品代碼(EPC)。分配給物品的獨(dú)特電子物品代碼可以作為二進(jìn)制數(shù)存儲于應(yīng)答器100中。特別地，位串可以包括關(guān)于物品的信息，諸如其零售價(jià)格、制造商、物品類型、序列號。
[0187]輸入信號Sin和輸出信號Smjt可以是數(shù)字信號。
[0188]讀取器900和應(yīng)答器100可以被布置成根據(jù)遠(yuǎn)場通信協(xié)議通信。讀取器900和應(yīng)答器100可以被布置成根據(jù)同一 RFID通信標(biāo)準(zhǔn)通信。特別地，讀取器900和應(yīng)答器100可以被布置成根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)中的一個(gè)或多個(gè)通信:
ISO/1 EC 18000-2A (頻帶 125/134.2 kHz，讀取距離例如多達(dá) 2 m)
IS0/IEC 18000-2B (頻帶 125/134.2 kHz)
ISO 18000-3(頻帶13.56 MHz，讀取距離例如多達(dá)3 m)
ISO 18000-7(頻帶 433 MHz)
ISO 18000-6A (頻帶860-960MHz，讀取距離例如多達(dá)3 m)
ISO 18000-6B (頻帶 860-960MHz)
ISO 18000-6C (頻帶 860-960MHz)
EPCglobal O 類(頻帶 860_960MHz)
EPCglobal I 類(頻帶 860_960MHz)
EPCglobal I 類 2 代(頻帶 860_960MHz)
ISO 18000-4(頻帶2.45 GHz、讀取范圍例如多達(dá)12米)
(參考如2011年12月29日生效的標(biāo)準(zhǔn)的最新版本)。
[0189]讀取器900和應(yīng)答器100可以被布置成根據(jù)近場通信協(xié)議(NFC)通信。特別地，讀取器900和標(biāo)簽100可以被布置成根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)之一通信:
感應(yīng)卡(Proximity card): IS0/IEC 14443 (頻帶 13.56 MHz,讀取距離例如多達(dá) 12.5
cm)
近距型卡(Vicinity card): IS0/IEC 15693 (頻帶13.56 MHz,讀取距離例如多達(dá)1.5 m)
(參考如2011年12月29日生效的標(biāo)準(zhǔn)的最新版本)。
[0190]射頻單元RXTXl可包括電壓供應(yīng)VREGl，其被布置成從進(jìn)來的射頻信號提取操作功率。特別地，電壓供應(yīng)VREGl可以被布置成從詢問信號ROG提取操作功率。操作功率可以分配到控制單元CNT1、到存儲器MEMl和/或到射頻單元RXTXl本身。
[0191]應(yīng)答器100可以是并不包括電池的無源裝置。應(yīng)答器100可以例如通過從讀取器900發(fā)射的電磁能來供電。特別地，天線結(jié)構(gòu)10a、10b、CAl與應(yīng)答器100的射頻單元RXTXl的組合可以被布置成通過從進(jìn)來的電磁信號ROG提取能量來提供應(yīng)答器100的操作功率。
[0192]偶極天線10a、10b可以通過反向散射將來自應(yīng)答器100的信息INFl發(fā)射到讀取器900。替代地，可以使用感應(yīng)天線。應(yīng)答器100的線圈天線CAl可以造成對于讀取器900的負(fù)荷的調(diào)制。這種調(diào)制可以用于從應(yīng)答器100向讀取器900發(fā)射數(shù)據(jù)。
[0193]應(yīng)答器100可以是有源裝置，其包括用于向射頻單元RXTXl提供操作功率的電池。
[0194]應(yīng)答器100可以是電池輔助的，即，由電池供電，可以用于處理信息和/或在存儲器MEMl中存儲信息，并且響應(yīng)RSP可以通過使用詢問信號ROG的反射功率來發(fā)射(通過使用無源反射功率)。
[0195]應(yīng)答器100可包括電容器或者可再充電的電池來用于存儲從詢問信號ROG提取的操作能量。
[0196]以無線方式發(fā)射的電磁詢問信號ROG通過天線元件10a、10b轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?。電信號?jīng)由連接端子Tl和T2連接到射頻單元RXTXl的接收器RX1。電信號是射頻信號，其以與電磁信號相同的頻率振蕩。
[0197]芯片50可包括由集成電路實(shí)施的應(yīng)答器100。天線元件10a、10b、CAl和芯片50可以被支承于載體薄片81、82上。載體薄片81、82可以是例如紙張、紙板或塑料膜。
[0198]標(biāo)簽110或應(yīng)答器100的總厚度(在方向SZ上)可以小于或等于1mm。標(biāo)簽110或應(yīng)答器100可以是柔性的。標(biāo)簽110還可包括粘合劑層(未圖示)。標(biāo)簽110還可以包括釋放層，其保護(hù)粘合劑層。可以在將標(biāo)簽I1利用粘合劑層附連到物品(例如700a)上之前移除釋放層。
[0199]標(biāo)簽110或應(yīng)答器100可以附連到物品700a或者與物品700a相關(guān)聯(lián)(參看圖14)。物品700a可以是產(chǎn)品，例如電視、移動電話、汽車配件。物品700a可以是容納物品的包裝，容納食品的包裝、容納藥品的包裝、容納化學(xué)物質(zhì)的包裝。
[0200]在一實(shí)施例中，物品700a可以比RFID應(yīng)答器100或RFID標(biāo)簽110顯著更厚。物品700a的厚度可以例如大于或等于10mm。在一實(shí)施例中，RFID應(yīng)答器100可以嵌入于物品700a或者以其它方式附連到物品700a，使得在(多個(gè))天線元件與物品700a之間無需使用基板膜。因此，材料的使用可以以環(huán)保的方式最小化。
[0201]多個(gè)帶標(biāo)簽的物品700a、700b、700c可以儲存于儲存裝置中，并且用戶可以通過接收所述信息INFl而快速清點(diǎn)/盤點(diǎn)儲存于所述儲存裝置中的物品700a、700b、700c。
[0202]有利地，芯片50包括封裝(B卩，外殼)。芯片50的外表面的兩個(gè)或更多個(gè)部分可以是導(dǎo)電的使得它們可以用作接觸元件52a、52b。接觸元件52a、52b在它們電連接到天線部分10a、10b之前是暴露的。
[0203]接觸元件52a、52b可以從(電介質(zhì))封裝突伸。
[0204]RFID芯片的接觸元件52a、52b可以例如通過激光熔焊或者通過激光釬焊而結(jié)合到天線元件10a、10b。
[0205]激光熔焊可以包括利用激光束LBO將接觸元件52b的表面加熱到高于導(dǎo)電薄片70的熔點(diǎn)的溫度。
[0206]接觸元件52b可以包括被涂布釬焊材料的芯。釬焊材料的熔化溫度可以低于芯的熔點(diǎn)以便在結(jié)合期間維持接觸元件52b的尺寸。激光釬焊可以包括利用激光束LBO加熱接觸元件52b的表面到比釬焊材料熔化溫度更高但比導(dǎo)電薄片70的熔化溫度更低的溫度。
[0207]在一實(shí)施例中，在接觸元件52a、52b與天線元件10a、10b之間的電接觸可以通過導(dǎo)電粘合劑形成，即不使用激光熔焊或釬焊。特別地，粘合劑可以是各向異性導(dǎo)電粘合劑(各向異性導(dǎo)電膏，ACP)。
[0208]芯片50可以通過在芯片50與天線元件10a、10b之間使用粘合劑ADHl而更牢固地緊固到天線元件10a、10b上。
[0209]封裝可以被布置成機(jī)械地保護(hù)芯片50的電子部件和/或防止電子部件的侵蝕。特別地，封裝可以保護(hù)電子部件避免潮濕。潮濕可能引起侵蝕并且可能對于電子部件的電性質(zhì)造成不利影響。封裝可包括例如聚合物材料和/或陶瓷材料。聚合物材料可包括例如熱塑性聚合物、熱固性聚合物或彈性體。芯片50的電子部件可以是例如實(shí)施于半導(dǎo)體材料層上的晶體管、二極管、電容器和電阻器。
[0210]芯片50有利地受到封裝、一個(gè)或多個(gè)掩模層和/或粘合劑ADHl保護(hù)使得芯片50可以在蝕刻期間浸沒于蝕刻物質(zhì)ECSl中而不會損壞芯片50。
[0211]圖4a至圖4c、圖7b、圖9a至圖1Oc中示出的陰影線表示截面。在圖1至圖3、圖5a至圖6c、圖7a、圖1la至圖lid、圖12c、圖12d中示出的陰影線表示掩模層。在圖1至圖3、圖5a至圖6c、圖7a、圖1la至圖lid、圖12c、圖12d中示出的陰影線并不表示截面。
[0212]參考圖15a，Al表示第一天線元件1a的面積。A2表示第二天線元件1b的面積。AO表示限定天線元件10a、10b的形式的暴露部分Ul、U2的總面積。
[0213]暴露部分Ul、U2的面積AO可以例如小于或等于應(yīng)答器100的小于(一個(gè)或多個(gè))天線元件10a、1b的總計(jì)面積(A1+A2)的80%。面積AO可以小于或等于總計(jì)面積的50%。有利地，面積AO可以小于或等于總計(jì)面積的20%。優(yōu)選地，面積AO可以小于或等于總計(jì)面積的10%。
[0214]當(dāng)與天線元件的面積相比暴露部分的面積較小時(shí)，這可以增加生產(chǎn)率，因?yàn)樾枰眉す馐鳯Bl加工更小的面積。而且,可以減小蝕刻物質(zhì)ECSl的消耗。
[0215]組合的面積A3表示面積A0、A1和A2之和(B卩，A3=A0+A1 +A2)。外部ORl可以包圍著組合面積A3使得外部ORl并不與組合面積A3重疊。面積A0、A1、A2、A3為一側(cè)面積，這表不著并未考慮導(dǎo)電薄片70的反側(cè)的表面積。
[0216]參考圖15b，可以通過激光加工和隨后蝕刻使得線圈天線CAl由外部ORl包圍而形成線圈天線CA1。殘余部分1e可以形成于線圈天線CAl的中部。鄰接的暴露部分U2、Ula、Ulb、Uld、Uld限定線圈天線CAl的形式。AO表示暴露部分U2、Ula、Ulb、UlcU Uld的合計(jì)面積。Al表示線圈天線CAl的面積。A4表示殘余部分1e的面積。A5表示暴露部分、線圈天線和殘余部分的組合面積，即A5 = A0+A1 +A4。
[0217]暴露部分的面積AO可以例如小于或等于應(yīng)答器100的天線元件CAl的面積Al的80%。暴露部分的面積AO可以例如小于或等于應(yīng)答器100的天線元件CAl的面積Al的50%。有利地，面積AO可以小于或等于面積Al的20%。優(yōu)選地，面積AO可以小于或等于面積Al的 10% ο
[0218]當(dāng)考慮殘余部分1e的面積A4時(shí)，暴露部分的面積AO可以例如小于或等于面積Al和A4之和的80%。暴露部分的面積AO可以小于或等于面積Al和A4之和的50%。有利地，暴露部分的面積AO可以小于或等于面積Al和A4之和的20%。優(yōu)選地,暴露部分的面積AO可以小于或等于面積Al和A4之和的20%。
[0219]參考圖16，用于生產(chǎn)RFID應(yīng)答器100的設(shè)備200包括至少一激光加工單元MDU6和蝕刻單元MDU8。
[0220]設(shè)備200還可包括控制單元400、初步凹槽形成單元MDU1、覆蓋單元MDU2、接觸區(qū)域揭露單元MDU3、芯片附連單元MDU4、覆蓋單元MDU5、監(jiān)視單元MDU7、洗滌單元MDU9、干燥單元MDU10、分離單元MDU11、測試單元MDU12、調(diào)諧單元MDU13、和/或?qū)雍蠁卧狹DU14。
[0221]單元MDUl至MOD 14的操作可以受到控制單元400控制。
[0222]圖16的水平箭頭指示信息傳遞。特別地，圖16的水平箭頭可以指示信號。圖16的豎直箭頭指示材料的傳遞。特別地，圖16的豎直箭頭可以指示半成品應(yīng)答器100S從一個(gè)單元向另一個(gè)單元的傳遞。
[0223]PHIl表示從激光單元MDU6獲得的物理信息。PHIl可以表示當(dāng)半成品應(yīng)答器100S位于激光單元MDU6中時(shí)從半成品應(yīng)答器100S獲得的物理信息。物理信息PHIl可以例如由從芯片50反射的光和/或從激光光斑SPl反射的光承載/攜載。
[0224]PHI2表示基于物理信息PHIl確定的數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)信號PHI2可以規(guī)定例如芯片50的位置和/或激光光斑SPl的位置。數(shù)據(jù)信號PHI2可以規(guī)定例如芯片50相對于激光光斑SPl或者相對于參考部位的位置。數(shù)據(jù)信號PHI2可以是位置信號。
[0225]存儲器MEM3可以存儲計(jì)算機(jī)程序代碼PR0G1，其當(dāng)由控制單元400執(zhí)行時(shí)用于通過激光加工和通過蝕刻來生產(chǎn)應(yīng)答器100。存儲器MEM2可以存儲用于控制激光加工和/或用于控制蝕刻的一個(gè)或多個(gè)操作參數(shù)PAR1。操作參數(shù)可以限定例如激光功率、激光束LBl的強(qiáng)度、激光光斑SPl的寬度、激光光斑SPl相對于薄片70的速度、或蝕刻時(shí)間(向蝕刻物質(zhì)ECSl暴露的持續(xù)時(shí)間)。
[0226]初步凹槽形成單元MDUl可以被布置成在附連所述芯片50之前形成初步凹槽Cl。初步凹槽形成單元MDUl是可選的，并且如果芯片50和加工激光束LBl在薄片70的不同側(cè)上則可以省略初步凹槽形成單元MDUl。
[0227]覆蓋單元MDU2可以被布置成向?qū)щ姳∑?0覆蓋掩模層Ml和/或M2。掩模層Ml和/或M2可以例如通過噴涂、層合或浸涂來施加。
[0228]接觸區(qū)域揭露單元MDU3可以被布置成局部地移除掩模層Ml和/或M2以形成一個(gè)或多個(gè)暴露區(qū)域U52。暴露區(qū)域U52可以結(jié)合到芯片50的接觸元件52a、52b上。接觸區(qū)域揭露單元MDU3是可選的，并且如果當(dāng)附連所述芯片50時(shí)薄片70尚未被掩模層覆蓋的情況下則可以省略接觸區(qū)域揭露單元MDU3。
[0229]芯片附連單元MDU4可以被布置成將芯片50附連到導(dǎo)電薄片70上。芯片附連單元MDU4可以被布置成將芯片50的接觸元件52a、52b結(jié)合到導(dǎo)電薄片70上。芯片附連單元MDU4可以被布置成在芯片50與導(dǎo)電薄片70之間施加粘合劑ADHl。
[0230]覆蓋單元MDU5可以被布置成利用掩模層Ml和/或M2覆蓋導(dǎo)電薄片70。覆蓋單元MDU5是可選的，并且例如如果薄片的兩側(cè)已經(jīng)被單元MDU2覆蓋則可以省略覆蓋單元MDU5。[0231 ] 激光加工單元MDU6可以被布置成通過激光加工來形成區(qū)域Ul、U2。激光單元MDU6包括一個(gè)或多個(gè)激光器250，激光器250被布置成提供一個(gè)或多個(gè)激光束LBl。
[0232]監(jiān)視單元MDU7可以被布置成基于物理信息PHll提供信號PHI2。監(jiān)視單元MDU7可以被布置成基于芯片50的檢測位置提供信號PHI2?？刂茊卧?00可以被布置成基于信號PHI2控制激光束LBl的位置。監(jiān)視單元MDU7可以包括例如接近傳感器以檢測芯片50的位置。特別地，監(jiān)視單元MDU7可以包括例如攝像機(jī)CAMl以檢測芯片50的位置和/或激光束LBl的位置。信號PHI2可以是位置信號。
[0233]當(dāng)形成用于生產(chǎn)第一應(yīng)答器的暴露部分Ul、U2時(shí)，控制單元400可以被布置成基于從第二 (不同)應(yīng)答器測量的數(shù)據(jù)來控制激光束LBl的位置。從第二 (不同)應(yīng)答器測量的數(shù)據(jù)可以由測試單元MDU12提供。數(shù)據(jù)可以例如為第二應(yīng)答器的射頻性能數(shù)據(jù)。
[0234]蝕刻單元MDU8可以被布置成通過蝕刻來自一個(gè)或多個(gè)加工區(qū)域Ul、U2的導(dǎo)電薄片70的材料來形成一個(gè)或多個(gè)凹槽Cl、C2。
[0235]蝕刻單元MDU8可包括容器800，容器800繼而可包括蝕刻物質(zhì)ECSl。蝕刻單元MDU8可以可選地包括例如用于加熱蝕刻物質(zhì)ECSl的加熱單元。蝕刻單元MDU8可以可選地包括例如攪拌單元(例如，旋轉(zhuǎn)槳狀物)用于增加蝕刻速度。蝕刻單元MDU8可以可選地包括過濾單元，其用于從蝕刻物質(zhì)ECSl移除雜質(zhì)。蝕刻單元MDU8可以可選地包括回收單元，其用于從蝕刻物質(zhì)ECSl移除溶解的材料。蝕刻單元MDU8可以可選地包括分析單元，其用于監(jiān)視蝕刻物質(zhì)ECSl的化學(xué)組成。
[0236]洗滌單元MDU9可以被布置成在蝕刻之后從應(yīng)答器100移除殘余蝕刻物質(zhì)ECSl。特別地，應(yīng)答器可以利用水和/或乙醇清洗。
[0237]干燥單元MDUlO可以被布置成例如通過加熱和/被吹以氣體射流來從應(yīng)答器100移除殘余洗滌液體。
[0238]分離單元MDUl I可以被布置成將應(yīng)答器100與外部ORl和/或與殘余部分1e機(jī)械地分離。
[0239]制造設(shè)備200可以包括RF性能監(jiān)視器MDU12 (射頻性能監(jiān)視器)用于監(jiān)視RFID應(yīng)答器的RF性能。如果檢測到與理想性能的偏差，設(shè)備200的控制單元400可以被配置成調(diào)整一個(gè)或多個(gè)過程參數(shù)PARl從而可以獲得最佳性能。
[0240]可以在線執(zhí)行控制(S卩，RF調(diào)諧)?？梢曰诜答亖砜刂萍す馐鳯Bl的軌跡。用于對本應(yīng)答器進(jìn)行控制加工的反饋可以通過測量先前加工的應(yīng)答器的性質(zhì)來獲得。換言之，可以基于從第二 RFID應(yīng)答器獲得的信息來選擇第一 RFID應(yīng)答器的天線元件的位置(通過利用激光束和利用隨后蝕刻來局部移除掩模)。
[0241]測試單元MDU12可以被布置成在蝕刻之后測量應(yīng)答器的射頻性能。控制單元400可以被布置成基于由測試單元MDU12提供的信息來提供統(tǒng)計(jì)性能數(shù)據(jù)。控制單元400可以被布置成提供與制造批次相關(guān)聯(lián)的統(tǒng)計(jì)性能數(shù)據(jù)。
[0242]調(diào)諧單元MDU13可以被布置成基于所測量的應(yīng)答器的射頻性能來改變應(yīng)答器的操作參數(shù)。特別地，調(diào)諧單元MDU13可以包括激光器，激光器被布置成基于應(yīng)答器100的測量的射頻性能來改變天線元件10a、10b、CAl的尺寸。調(diào)諧單元MDU13可以被布置成提供激光束，激光束通過激光切割從天線元件移除材料。調(diào)諧可以在蝕刻之后進(jìn)行。調(diào)諧可以基于從測試單元MDU12獲得的信號來進(jìn)行。
[0243]層合單元MDU14可以被布置成將應(yīng)答器附連到一個(gè)或多個(gè)載體薄片81、82。
[0244]導(dǎo)電薄片可以被預(yù)先涂布使得可以省略一個(gè)或兩個(gè)覆蓋單元MDU2、MDU4。
[0245]相同的覆蓋單元MDU2或MDU4可以施加兩個(gè)掩模層Ml、M2。
[0246]如果芯片50結(jié)合到已經(jīng)裸露的導(dǎo)電薄片70的表面上，接觸區(qū)域揭露單元MDU3可以省略。
[0247]如果至少一個(gè)加工激光束LBl在與芯片50不同的導(dǎo)電薄片70的側(cè)部上，設(shè)備200無需包括初步凹槽形成單元MDUl。
[0248]半成品應(yīng)答器100S也可以被提供為例如預(yù)先制成的卷或薄片，其包括附連到導(dǎo)電薄片70上的RFID芯片50，其中，薄片70已經(jīng)被覆蓋著一個(gè)或兩個(gè)掩模層Ml、M2。因此，單元MDU1、MDU2、MDU3、MDU4、MDU5中的一個(gè)或多個(gè)也可以遠(yuǎn)離設(shè)備200。設(shè)備200無需包括單元MDU1、MDU2、MDU3、MDU4、MDU5中的一個(gè)或多個(gè)。
[0249]如果能夠耐受殘余蝕刻物質(zhì)和/或洗滌液體的侵蝕和/或阻抗變化效果，洗滌單元MDU9和/或干燥單元MDUlO可以被省略。
[0250]例如，如果在蝕刻期間已經(jīng)移除了外部ORl和/或殘余部分10e，則可以省略分離單元MDU11。如果外部ORl和/或殘余部分1e并未使應(yīng)答器的射頻性能顯著降級，則可以省略分離單元MDU11。如果形成了天線元件使得并不形成外部ORl和/或殘余部分10e，則可以省略分離單元MDUlI。
[0251]如果很可能的情況是應(yīng)答器100的射頻性能已經(jīng)滿足了預(yù)定射頻性能規(guī)范而無需額外調(diào)諧，測試單元MDU12和/或調(diào)諧單元MDU13可以省略。
[0252]例如，如果應(yīng)答器100作為無基板應(yīng)答器使用和/或儲存，則可以省略層合單元MDU14。
[0253]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯然，可以設(shè)想到對根據(jù)本發(fā)明的裝置和方法做出修改和變化。附圖只是示意性的。上文參考附圖所描述的特定實(shí)施例只是說明性的并且并不意味著限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于生產(chǎn)射頻識別應(yīng)答器(100)的方法，所述應(yīng)答器(100)包括射頻識別芯片(50)和一個(gè)或多個(gè)天線元件(10a，10b, CA1)， 所述方法包括: -提供由掩模層(Ml，M2)覆蓋的導(dǎo)電薄片(70)； -利用激光束(LBl)來加工所述掩模層(Ml)以便形成所述導(dǎo)電薄片(70)的經(jīng)加工部分(U1，U2)，其中在所述射頻識別芯片(50)已附連到所述導(dǎo)電薄片(70)上之后執(zhí)行所述加工；以及 -蝕刻(ETCHl)所述經(jīng)加工部分(U1，U2)以便在所述導(dǎo)電薄片(70)中形成凹槽(Cl，C2)， 其中所述凹槽(Cl，C2)限定所述應(yīng)答器(100)的天線元件(1a)的邊緣的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于包括:監(jiān)視所述芯片(50)的位置；以及基于所述芯片(50)的檢測到的位置來選擇所述經(jīng)加工部分(U1，U2)的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，其包括:在已將所述芯片(50)附連到所述導(dǎo)電薄片(70 )上之后利用掩模層(M2 )來覆蓋所述導(dǎo)電薄片(70 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在將所述芯片(50)附連到所述導(dǎo)電薄片(70 )上之前已利用第一掩模層(Ml)來覆蓋所述導(dǎo)電薄片(70 )的第一側(cè)，且其中在將所述芯片(50 )附連到所 述導(dǎo)電薄片(70 )上之前已利用第二掩模層(M2 )來覆蓋所述導(dǎo)電薄片(70)的第二側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，其包括:從與所述芯片(50)的連接元件(52a, 52b)相接觸的一部分(U52)局部地移除掩模層(Ml，M2)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述激光束(LBl)和所述芯片(50)在所述導(dǎo)電薄片(70 )的不同側(cè)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述激光束(LBl)和所述芯片(50)在所述導(dǎo)電薄片(70 )的相同側(cè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，已選擇掩模層(M2)的厚度和/或所述掩模層(M2)的材料使得所述掩模層(M2)的拉伸強(qiáng)度小于所述導(dǎo)電薄片(70)的所述拉伸強(qiáng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述芯片(50)利用粘合劑(ADHl)附連到所述導(dǎo)電薄片(70)上，并且所述粘合劑(ADHl)也布置成在所述蝕刻(ETCHl)期間作為保護(hù)掩模而操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過利用所述激光束(LBl)的能量來加熱和/或燒蝕所述掩模層(Ml)來加工所述掩模層(Ml，M2)以便形成所述經(jīng)加工部分(Ul, U2)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，限定天線元件(10a，10b,CAl)的形式的一個(gè)或多個(gè)經(jīng)加工部分(U1，U2)的組合面積小于或等于所述天線元件(1a)的面積的50%，有利地小于所述天線元件(1a)的面積的20%。
12.一種用于生產(chǎn)射頻識別應(yīng)答器(100)的設(shè)備(200)，所述應(yīng)答器(100)包括射頻識別芯片(50)和一個(gè)或多個(gè)天線元件(10a，10b, CA1)，所述設(shè)備(200)包括: -保持器(201，300)，其用于保持利用掩模層(Ml，M2)覆蓋的導(dǎo)電薄片(70)，-激光器(250)，其布置成在已將所述射頻識別芯片(50)附連到所述導(dǎo)電薄片(70)上之后通過利用激光束(LB1)對所述掩模層(M1，M2)進(jìn)行加工來形成所述導(dǎo)電薄片(70)的經(jīng)加工部分(U1，U2);以及 -蝕刻單元(MDU8)，其布置成通過蝕刻所述經(jīng)加工部分(U1，U2)來在所述導(dǎo)電薄片(70)中形成凹槽(C1，C2)，其中所述凹槽(C1，C2)限定所述應(yīng)答器(100)的天線元件(1a)的邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的設(shè)備(200)，其特征在于，其包括:監(jiān)視單元(MDU7)，其布置成檢測所述芯片(50)的位置，其中所述設(shè)備(200)布置成形成所述經(jīng)加工部分(U1，U2)到根據(jù)所述芯片(50)的所述檢測位置所確定的位置。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的設(shè)備(200)，其特征在于，其包括:芯片保持器(260)，其布置成將所述芯片(50)附連到所述導(dǎo)電薄片(70)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(200)，其特征在于，其包括:涂布單元(MDU2, MDU5)，其布置成利用掩模層(M1，M2)來涂布所述導(dǎo)電薄片(70)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(200)，其特征在于:所述激光束(LB1)和所述芯片(50)在所述導(dǎo)電薄片(70)的不同側(cè)上。
17.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的設(shè)備(200)，其特征在于，其包括:層合單元(MDU14)，其布置成通過組合所述應(yīng)答器(100)與載體薄片(81，82)來形成射頻識別標(biāo)簽或嵌體(110)。
【文檔編號】H01Q1/38GK104137123SQ201180076474
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月29日
【發(fā)明者】J.維坦恩 申請人:斯馬特拉克 Ip 有限公司