專利名稱：用于光電子半導體芯片的載體和半導體芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及用于光電子半導體芯片的載體以及具有這樣的載體的半導體芯片。該專利申請請求德國專利申請102010054898.7的優(yōu)先權(quán)，它的公開內(nèi)容通過參考被包含于此。
背景技術(shù)：
為產(chǎn)生輻射而設(shè)置的半導體主體、例如發(fā)光二極管的半導體主體能夠設(shè)置在載體上，其中可從半導體芯片背側(cè)經(jīng)由引線(DurchfUhrung)穿過載體電氣接觸半導體主體。然而，這樣的引線相比而言具有高串聯(lián)電阻，這增加了高效運行發(fā)光二極管的難度。發(fā)明目的
本發(fā)明的目的是:給出用于光電子半導體芯片的載體，利用該載體，光電子半導體芯片具有改進的特性。該目的通過權(quán)利要求1所述的主題得到解決。拓展方案和改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。按照一實施方式,用于光電子半導體芯片的載體具有載體主體(TrjigerkSrper),所述載體主體帶有第一主面以及與第一主面位置相對的第二主面。在該載體主體中，構(gòu)成至少一個電氣導通孔(Durchkontaktierung),所述至少一個電氣導通孔從第一主面延伸至第二主面。在第一主面上設(shè)置絕緣層，該絕緣層僅局部地覆蓋該電氣導通孔。因此，在載體的俯視圖中，該絕緣層與所述電氣導通孔重疊，然而未完全覆蓋它。該絕緣層優(yōu)選至少局部地與載體的第一主 面直接相鄰。該絕緣層尤其是能夠具有凹槽，在載體的俯視圖中，凹槽在導通孔內(nèi)部構(gòu)成。借助該凹槽，載體區(qū)域的尺寸是可調(diào)節(jié)的，其中導通孔在第一主面那側(cè)是易于導電相連的。該導通孔適宜地延伸穿過載體主體中的穿孔(Durchbruch)。另外,該導通孔適宜地由導電材料組成、例如金屬或金屬合金。該穿孔的側(cè)壁優(yōu)選用第二絕緣層覆蓋。因此，該導通孔能夠構(gòu)成為與載體主體電絕緣。在一優(yōu)選的拓展方案中，在絕緣層的背向載體主體的側(cè)上構(gòu)成與導通孔導電式相連的連接面。該連接面設(shè)置成用于與光電子半導體芯片導電式相連、例如與為產(chǎn)生輻射而設(shè)置的半導體芯片導電式相連、例如與發(fā)光二極管導電式相連。在一優(yōu)選的改進方案中，在絕緣層的背向載體主體的側(cè)上構(gòu)成另一連接面，所述另一連接面局部地遮蓋導通孔。該另一連接面適宜地與所述連接面間隔開。在另一連接面中優(yōu)選構(gòu)成開口(Gffnung),在該開口中設(shè)置所述連接面。由于該絕緣層，所以開口的面可以小于導通孔的面，而導通孔和穿孔彼此不電氣相連。換句話說，開口的尺寸是可與導通孔尺寸無關(guān)地調(diào)節(jié)的。
因此，為了減少導通孔的串聯(lián)電阻，載體俯視圖中的導通孔的橫截面能夠被擴大，而不必擴大開口的橫截面。在一優(yōu)選的拓展方案中，該載體主體具有半導體材料。娃由于良好的可微結(jié)構(gòu)化性和低成本大規(guī)模的可用性而尤其適合。該載體主體優(yōu)選具有至少500 Ω cm的專用電阻，優(yōu)選在500 Ω cm(含500 Ωcm)至10000 Ω cm(含10000Ω cm)之間的專用電阻，特別優(yōu)選在1000 Ω cm(含1000 Ωcm)至 2000 Ω cm(含 2000 Ω cm)之間。利用這樣的高歐姆載體，能夠在安裝載體或安裝帶有這樣的載體的半導體芯片時避免電氣短路的危險。在載體主體的第二主面上優(yōu)選設(shè)置與導通孔導電式相連的接觸面。該接觸面設(shè)置成用于載體或帶有這樣的載體的半導體芯片的外部電氣接觸。另外，該載體優(yōu)選具有另一導通孔。該另一導通孔優(yōu)選在載體主體的第二主面上與另一接觸面導電式相連。另外，該另一導通孔優(yōu)選在載體主體的第一主面上與另一連接面導電式相連。因此，對于帶有這樣的載體的半導體芯片的外部電氣接觸，半導體芯片的背側(cè)上有兩個接觸面供使用。因此，半導體芯片的前側(cè)能夠簡單地構(gòu)成為沒有接觸面。在一優(yōu)選的改進方案中，在載體的第二主面和接觸面之間設(shè)置第三絕緣層。術(shù)語絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層并非必然意味著這些層以不同的制造步驟制成。相反，兩個或多個所描述絕緣層能夠以共同的制造步驟制成且相應(yīng)表示共同層的部分。在一優(yōu)選的拓展方案中，該載體具有二極管結(jié)構(gòu)。該二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)選在載體主體中構(gòu)成。換句話說，該二極管結(jié)構(gòu)集成在載體主體中。該二極管結(jié)構(gòu)例如能夠設(shè)置成用于針對靜電放電(electrostatic discharge, ESD)進行保護。該二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)選與載體主體的第二主面相鄰。該二極管結(jié)構(gòu)尤其是適宜地借助所述接觸面和另一接觸面導電式相連，使得該二極管結(jié)構(gòu)在第一接觸面和另一接觸面之間形成優(yōu)選單向的電荷載流子路徑。在一優(yōu)選的拓展方案中，該二極管結(jié)構(gòu)具有第一導電類型(Leistungstyp)的第一分區(qū)。在該載體的俯視圖中，該第一分區(qū)優(yōu)選與該載體的側(cè)面間隔開。另外，該二極管結(jié)構(gòu)優(yōu)選具有不 同于第一導電類型的第二導電類型的第二分區(qū)，其中，在半導體芯片的俯視圖中，第一分區(qū)優(yōu)選包圍第二分區(qū)。第一分區(qū)尤其是能夠作為盆狀的分區(qū)在載體主體的內(nèi)部構(gòu)成，其中該第二分區(qū)完全在第一分區(qū)內(nèi)部構(gòu)成。因此，該第二分區(qū)通過第一分區(qū)與載體主體的其余部分完全隔開。該載體優(yōu)選以載體復合結(jié)構(gòu)(Trjigerverbund)構(gòu)成,載體復合結(jié)構(gòu)為了制造多個帶有來自載體復合結(jié)構(gòu)的相應(yīng)載體的半導體芯片而設(shè)置。也就是說，在半導體芯片的半導體主體已經(jīng)固定在相應(yīng)的載體上之后，制造半導體芯片時，半導體芯片的載體來自于載體復合結(jié)構(gòu)的分割。帶有所描述載體的半導體芯片優(yōu)選具有半導體主體，該半導體主體在第一主面那側(cè)設(shè)置在載體上且與所述連接面導電式相連。該半導體主體例如能夠具有為產(chǎn)生輻射或接收輻射而設(shè)置的有源區(qū)。在一優(yōu)選的拓展方案中，去除了用于半導體主體的半導體層序列的生長襯底。在載體上固定半導體主體后，該載體用于在機械上使半導體主體穩(wěn)定，使得不再為此需要生長襯底且可去除生長襯底。在一優(yōu)選的拓展方案中，載體主體的側(cè)面是暴露的。這樣的半導體芯片可簡單地制成，這是因為來自于載體復合結(jié)構(gòu)的載體在分割后在側(cè)面上不再必須進行涂層。


其他特征、拓展方案和目的從下文結(jié)合附圖對實施例的描述中得出。其中:
圖1A和IB以示意性俯視圖(圖1B)和所屬的剖視圖(圖1A)示出載體的第一實施
例；
圖2以示意性剖視圖示出帶有載體的半導體芯片的實施例；和 圖3示出按照圖2中示出的實施例的半導體芯片的可能的電流路徑的示意圖。
具體實施例方式在附圖中，相同的、類型相同的或作用相同的部件用相同的附圖標記表示。

這些附圖和在附圖中示出的部件彼此間的尺寸比例并不視為按比例的。相反，為了更好的可表示性和/或更好的理解，單個部件能夠被夸大示出。按照圖1A和IB中示出的實施例的載體I具有載體主體2，載體主體2帶有第一主面21以及與第一主面位置相對的、走向平行于第一主面的第二主面22。這些主面在垂直方向上限定載體主體，即垂直于載體主體2的第一主面21。在載體I中構(gòu)成穿孔25，穿孔25在垂直方向上延伸穿過載體主體2。在其中一個穿孔25中，構(gòu)成導通孔31，導通孔31從載體主體的第一主面21延伸至第二主面22。在第一主面21那側(cè)，該導通孔與連接面51導電式相連。該連接面51局部地與導通孔31直接相鄰。在載體主體2的第一主面21上構(gòu)成絕緣層4，絕緣層4局部地遮蓋該導通孔。在該絕緣層4中構(gòu)成凹槽41，凹槽41在載體I的俯視圖中與導通孔31重疊。該凹槽尤其是在該導通孔內(nèi)部伸展。該絕緣層4在垂直方向上局部地在連接面51和導通孔31之間伸展。在載體主體2的第二主面22那側(cè)，該導通孔31與接觸面61導電式相連。該接觸面61設(shè)置成用于載體I的外部電氣接觸。另外，該載體具有另一導通孔32，另一導通孔32在第一主面21那側(cè)與另一連接面52導電式相連。這些導通孔31、32在橫向方向上彼此間隔開。在第二主面22那側(cè)，該導通孔與另一接觸面62導電式相連。在這些導通孔31、32和載體主體2之間相應(yīng)設(shè)置第二絕緣層46，第二絕緣層46使導通孔與載體主體電絕緣。該第二絕緣層覆蓋穿孔25的側(cè)壁251。在第二主面上構(gòu)成第三絕緣層45，第三絕緣層45局部地在載體主體2和接觸面61之間伸展以及局部地在該載體主體和另一接觸面62之間伸展。連接面51和另一連接面52優(yōu)選構(gòu)成為共同的連接層5的部分。該另一連接面52具有開口 53，在該開口 53內(nèi)部構(gòu)成連接面51。開口 53的橫截面小于穿孔25的橫截面。通過絕緣層4來確保:在另一連接面52和導通孔31之間不形成直接的電氣接觸。因此，由于絕緣層4，開口 53的最小橫截面不是通過穿孔25的橫截面也不是通過導通孔31的橫截面預給定的，而是通過絕緣層4中凹槽41的橫截面預給定的。因此，在開口 53的橫截面相同時，能夠增大導通孔31的橫截面，由此減少了導通孔的串聯(lián)電阻。因此，為了實現(xiàn)充分低的串聯(lián)電阻，還能夠針對導通孔應(yīng)用與比較昂貴的金相比具有較低導電能力的材料。導通孔31例如能夠包含鋁、銀、銅或金屬合金(該金屬合金包含至少一種所述材料或金、例如金錫合金)，或由一種這樣的材料制成。在絕緣層4中構(gòu)成另一凹槽42，另一凹槽42與另一導通孔32重疊。絕緣層4的另一凹槽42能夠與凹槽41相應(yīng)地構(gòu)成。與此不同，另一凹槽42的橫截面還能夠大于凹槽41的橫截面。然而適宜地，另一凹槽的橫截面小于另一導通孔32的橫截面。在橫向方向上限定載體I的側(cè)面23是暴露的，即不被絕緣層覆蓋。因此，在通過從載體復合結(jié)構(gòu)分割來制造載體時，該側(cè)面能夠直接在分割時形成。因此能夠避免后續(xù)在已經(jīng)分割的載體上涂覆絕緣層。該載體主體2優(yōu)選具有半導體材料。硅由于其良好的可微結(jié)構(gòu)化性、比較高的導熱性而尤其適合，并且硅的特征還在于大規(guī)模和低成本的可用性。該載體主體2優(yōu)選具有至少500 Ω cm的專用電阻，優(yōu)選在500 Ω cm (含500 Ωcm)至10000 Ω cm (含10000 Ω cm)之間的專用電阻，特別優(yōu)選在1000 Ω cm(含1000Ω cm)和2000 Ω cm (含2000 Ω cm)之間。通過充分大的專用電阻，能夠在安裝載體時、也在載體的側(cè)面23暴露時避免例如由于與載體主體的側(cè)面相鄰的焊劑或由于導電的膠粘劑引起的電氣短路危險。在載體主體2中集成式構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)7。該二極管結(jié)構(gòu)7與載體主體2的第二主面2相鄰。該二極管結(jié)構(gòu)7具有第一導電類型的第一分區(qū)71。在半導體芯片的俯視圖中，該第一分區(qū)與接觸面61和另一接觸面62重疊。通過在第二主面22的區(qū)域內(nèi)構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)，該二極管結(jié)構(gòu)能夠在幾何形狀方面很大程度上與導通孔以及與第一主面相鄰的絕緣層4的構(gòu)造無關(guān)地提供。因此，該二極管結(jié)構(gòu)能夠較大規(guī)模地實現(xiàn)。在載體的俯視圖中，在第一分區(qū)71內(nèi)部構(gòu)成第二導電類型的第二分區(qū)71，第二導電類型不同于第一導電類型。優(yōu)選地，第一分區(qū)構(gòu)成為P型導電的，而第二分區(qū)構(gòu)成為η型導電的。在載體I的俯視圖中，該第二分區(qū)僅與其中一個接觸面重疊，在示出的實施例中與接觸面61重疊。該第二分區(qū)71借助二極管接頭73與接觸面61導電式相連。該第一分區(qū)70借助另一二極管接頭74與另一接觸面62導電式相連。這些分區(qū)70、71例如能夠通過離子注入在載體主體2中構(gòu)成。這些二極管接頭73、74適宜地借助金屬形成，該金屬形成至二極管結(jié)構(gòu)7的第一分區(qū)或第二分區(qū)的材料的充分良好電氣接觸。這些二極管接頭例如能夠包含鋁。結(jié)合圖3更詳細闡述二極管結(jié)構(gòu)的工作原理。如下材料尤其適合用于接觸面61、62以及連接面51、52:至所述材料可簡單地建立導電相連，例如借助釬焊。接觸面和/或連接面例如能夠包含鈦、鉬、金、銀、鎳或鎢或具有至少一種所述材料的金屬合金或由一種這樣的材料制成。所述面尤其是還能夠構(gòu)成為多層的。

氧化物(例如氧化硅)、氮化物(例如氮化硅)、或氧氮化物(例如氧氮化硅)尤其適合用于絕緣層4、45、46。在圖2中以剖視圖示意性示出半導體芯片的一實施例。該半導體芯片10具有載體1，載體I如結(jié)合圖1A和IB所述的那樣實施。另外，該半導體芯片包括帶有半導體層序列的半導體主體8，該半導體層序列具有為產(chǎn)生輻射而設(shè)置的有源區(qū)80，該有源區(qū)80設(shè)置在第一半導體層81和第二半導體層82之間。該半導體主體8、尤其是有源區(qū)80優(yōu)選包含II1-V族化合物半導體材料。II1-V族半導體材料特別適合于在紫外線頻譜范圍內(nèi)(AlxInyGa1^N)、經(jīng)過可見光頻譜范圍(AlxInyGa1^yN,尤其是用于藍色至綠色的輻射，或者AlxInyGa1^P,尤其是用于黃色至紅色的福射)直至紅外線頻譜范圍(AlxInyGa1TyAs)內(nèi)產(chǎn)生福射。在此,0 ^x^l,0^y^l和x+y ( I相應(yīng)成立,尤其是其中X關(guān)I, y關(guān)I, X關(guān)O和/或y關(guān)O。利用II1-V族半導體材料、尤其是來自所述材料系統(tǒng)的II1-V族半導體材料能夠另外在產(chǎn)生輻射時實現(xiàn)高內(nèi)部量子效率。與所述實施例不同，該半導體芯片I也能夠構(gòu)成為輻射接收器。從面向載體I的側(cè)起，在半導體主體8中構(gòu)成凹口 83，凹口 83延伸穿過有源區(qū)80直到進入第二半導體層82中，使得該半導體層可從面向載體的那側(cè)電氣接觸。該凹口在橫向方向上與半導體主體8的側(cè)面間隔開。為了避免電氣短路，該凹口 83的側(cè)面至少局部地借助第二絕緣層84覆蓋。該半導體主體83優(yōu)選具有多個凹口 83。因此能夠簡單地實現(xiàn)將電荷載流子通過第二半導體層82在橫向方向上均勻地注入到有源區(qū)80中。該第二半導 體層82通過第二連接區(qū)86與載體I的另一連接面52導電式相連。在該實施例中，該第二連接區(qū)示例性地具有第一層861，第一層861延伸穿過凹口 83直至第二半導體層82。在第一層的背向半導體主體的側(cè)上，構(gòu)成第二層862，第二層862完全包圍第一層。該第一半導體層81通過第一連接區(qū)85與連接面51導電式相連。用于半導體主體8的半導體層序列的生長襯底被去除。在載體I上安裝半導體主體后，該載體I用于在機械上使半導體主體穩(wěn)定。該第一連接區(qū)85局部地設(shè)置在第二連接區(qū)86和半導體主體8之間。另外，在第一連接區(qū)85和第二連接區(qū)86之間構(gòu)成第五絕緣層90，第五絕緣層90使這些連接區(qū)彼此間電絕緣。該第一連接區(qū)類似于第二連接區(qū)86構(gòu)成為多層的且從半導體主體8角度看具有第一層851、第二層852、第三層853和第四層854。直接與該半導體主體相鄰的層、即第一連接區(qū)85的第一層851和第二連接區(qū)86的第一層861優(yōu)選對于有源區(qū)80中所產(chǎn)生的輻射具有高反射性。銀尤其適合用于可見頻譜范圍中的輻射。然而，備選地也可以使用鋁、鎳、銠或鈀。借助連接區(qū)85和86的第二層852、862能夠封住相應(yīng)所屬的第一層，使得例如避免第一層材料、例如銀的氧化或遷移。第一連接區(qū)和第二連接區(qū)的所描述層相應(yīng)能夠至少部分地在共同的制造步驟中沉積。在面向載體I的側(cè)上構(gòu)成另一連接層87，另一連接層87設(shè)置成用于與載體I的連接層5導電式連接且機械上穩(wěn)定連接。例如具有鈦、金或錫這些材料中至少一種的焊劑尤其適合用于所述連接層和所述另一連接層。在第一連接區(qū)85和第二連接區(qū)86之間構(gòu)成間隙95，間隙95也延伸穿過連接層5、87且用于電氣絕緣。在運行半導體芯片時，在接觸面61和另一接觸面62之間施加外部電壓的情況下，電荷載流子能夠從不同側(cè)射入到有源區(qū)80中且在那里在發(fā)射輻射的情況下重新組合。外部接觸能夠僅從半導體芯片的背側(cè)、即載體的第二主面22那側(cè)進行。半導體芯片的前側(cè)相反能夠完全沒有用于半導體芯片的外部接觸面，使得避免了對有源區(qū)80中所產(chǎn)生輻射的遮蔽。為了提高所產(chǎn)生福射的輸出f禹合系數(shù)(Auskoppelkoeffizienz),背向載體I的前側(cè)的輻射射出面具有結(jié)構(gòu)88，結(jié)構(gòu)88能夠構(gòu)成為規(guī)則的或不規(guī)則的、例如構(gòu)成為起皺結(jié)構(gòu)(Aufrauung)。在半導體主體8上構(gòu)成鈍化部(Passivierung) 89,鈍化部89尤其是覆蓋半導體主體8的側(cè)面和前側(cè)的輻射射出面且針對有害的外部環(huán)境影響得到保護。按照圖2中示出的實施例的半導體芯片中可能的電流路徑在圖3中針對如下情況示意性示出，即第一半導體層81構(gòu)成為P型導電的，而第二半導體層82構(gòu)成為η型導電的。通過相對于另一接觸面62在接觸面61上施加正電壓，電荷載流子在導通方向上注入到有源區(qū)80中且在那里在發(fā)射輻射情況下能夠重新組合。二極管結(jié)構(gòu)7的第一分區(qū)和第二分區(qū)之間的ρη結(jié)關(guān)于其導通方向反并聯(lián)地聯(lián)接至有源區(qū)。因此，在所施加電壓是該極性的情況下，該二極管結(jié)構(gòu)在截止方向上定向，使得在半導體芯片的常規(guī)運行時通過該電流路徑無顯著的電流。如果與此相反相對于接觸面61在另一接觸面62上施加正電壓，例如由于靜電加負荷，電荷載流子能夠經(jīng)由二極管結(jié)構(gòu)7通過載體I內(nèi)部的電流路徑、尤其是載體主體2內(nèi)部的電流路徑流走。因此，能夠避免如下危險:有源區(qū)由于在截止方向上所施加的高電壓而被損壞。通過將二 極管結(jié)構(gòu)7布置在載體的第二主面22上，能夠以簡單的方式大規(guī)模地布置該二極管結(jié)構(gòu)7，由此，即使在所施加電壓高的情況下，也給出了可靠的ESD保護。因此，在這樣的半導體芯片中，ESD保護二極管的功能已經(jīng)集成在半導體芯片的載體中，使得能夠省去待設(shè)置在半導體芯片外部的附加保護二極管。因此，制造半導體芯片時，這些半導體主體如此設(shè)置在載體復合結(jié)構(gòu)上，使得每個半導體主體指配有二極管結(jié)構(gòu)。因此，在分割成半導體芯片時，這些半導體芯片已經(jīng)是針對ESD損害得到保護的。本發(fā)明并不限于根據(jù)實施例的說明。相反，本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的每種組合，這尤其是包含權(quán)利要求中特征的每種組合，即使該特征或該組合本身未在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_給出時，也是如此。
權(quán)利要求
1.用于光電子半導體芯片(10)的載體(1)，其中 -所述載體具有載體主體(2)，所述載體主體(2)帶有第一主面(21)以及與所述第一主面位置相對的第二主面(22)； -在所述載體主體中構(gòu)成至少一個電氣導通孔(31)，所述電氣導通孔(31)從所述第一主面延伸至所述第二主面；以及 -在所述第一主面上設(shè)置絕緣層(4)，所述絕緣層(4)僅局部地覆蓋所述電氣導通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載體，其中在所述絕緣層的背向所述載體主體的側(cè)上構(gòu)成連接面(51)，所述連接面(51)與所述導通孔導電式相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的載體，其中所述載體主體具有半導體材料。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中所述載體主體具有至少500Ω cm的專用電阻。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中在所述載體主體的所述第二主面上設(shè)置接觸面(61)，所述接觸面￠1)與所述導通孔導電式相連。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中在所述接觸面和所述第二主面之間設(shè)置第三絕緣層(45)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中所述載體具有另一導通孔(32)，所述另一導通孔(32)在所述載體主體的所述第二主面上與另一接觸面￠2)導電式相連。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中在所述載體主體中構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu) (7)，所述二極管結(jié)構(gòu)(7)與所述載體主體的所述第二主面相鄰。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的載體，其中所述二極管結(jié)構(gòu)具有第一導電類型的第一分區(qū)(70)，所述第一分區(qū)(70)在所述半導體芯片的俯視圖中包圍第二導電類型的第二分區(qū)(71)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一項所述的載體，其中 -在所述載體主體的所述第二主面上設(shè)置與所述導通孔導電式相連的接觸面￠1)以及與所述第二導通孔導電式相連的另一接觸面(62)； -在所述載體主體中構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)(7)，所述二極管結(jié)構(gòu)(7)與所述載體主體的所述第二主面相鄰； -在所述載體的俯視圖中所述接觸面和所述另一接觸面與所述二極管結(jié)構(gòu)重疊；以及 -所述接觸面和所述另一接觸面通過所述二極管結(jié)構(gòu)彼此相連。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一項所述的載體，其中所述載體以載體復合結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述載體復合結(jié)構(gòu)設(shè)置成用于制造多個帶有來自載體復合結(jié)構(gòu)的相應(yīng)載體的半導體芯片。
12.帶有根據(jù)權(quán)利要求1至10之一項所述的載體(I)的半導體芯片(10)，其中在所述載體上，帶有為產(chǎn)生輻射而設(shè)置的有源區(qū)(80)的半導體主體(8)設(shè)置在所述第一主面那側(cè)且與所述連接面(51)導電式相連。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體芯片，在所述半導體芯片中用于所述半導體主體的半導體層序列的生長襯底被去除。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導體芯片，在所述半導體芯片中所述載體主體的側(cè)面(23)是暴露的。
全文摘要
給出了用于光電子半導體芯片的載體，其中所述載體(1)具有載體主體(2)，載體主體(2)帶有第一主面(21)以及與所述第一主面(21)位置相對的第二主面(22)。在所述載體主體(2)中構(gòu)成至少一個電氣導通孔(31)，所述電氣導通孔(31)從所述第一主面(21)延伸至所述第二主面(22)。在所述第一主面(21)上設(shè)置絕緣層(4)，所述絕緣層(4)僅局部地覆蓋所述電氣導通孔(31)。還提出了帶有這樣的載體(1)的光電子半導體芯片(10)。
文檔編號H01L33/62GK103250247SQ201180060654
公開日2013年8月14日 申請日期2011年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者L.赫佩爾 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司