技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于在蝕刻溶液中將高度摻雜的硅層進(jìn)行濕化學(xué)蝕刻的方法。根據(jù)本發(fā)明，為了能夠均勻地進(jìn)行蝕刻，使用含HF的蝕刻溶液作為蝕刻溶液，所述蝕刻溶液含有至少一種選自過二硫酸鹽、過一硫酸鹽和過氧化氫的氧化劑。

技術(shù)研發(fā)人員：A.拉霍維奇;B.舒姆;K.瓦斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞士CSEM電子顯微技術(shù)研發(fā)中心
文檔號碼：201180053238
技術(shù)研發(fā)日：2011.09.02
技術(shù)公布日：2017.07.25